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1. 发明专利

JP6380899B2 電磁波吸収及び輻射材料及びその製造方法並びに赤外線源审中-公开
公开(公告)号：JP6380899B2
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：JP2016545422
申请日：2015-08-10
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：長尾忠昭 , ダオタンデュイ , 横山喬大 , 石井智
IPC分类号： H05K9/00 , G02B5/20
CPC分类号： G02B5/003 , C23C14/081 , C23C14/18 , C23C14/5873 , C23F1/02 , G01J5/0853 , G02B1/002 , G02B5/22 , H01B1/02 , H05K9/00 , H05K9/0088

2. 发明专利

JP6217627B2 赤外線変換素子、撮像装置及び撮像方法有权
公开(公告)号：JP6217627B2
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：JP2014514421
申请日：2013-04-17
申请人：ソニー株式会社
发明人：屋上公二郎 , 阿部秀司 , 平田達司郎
IPC分类号： G01J1/02 , H01L27/146 , H01L27/144 , H04N5/33 , G02F1/01
CPC分类号： H04N5/33 , G01J5/00 , G01J5/046 , G01J5/0853 , G01J5/58 , G02F1/353 , H01L27/14649 , H04N17/002 , G01J2005/0077 , G02F2202/36 , G02F2203/11 , G02F2203/12

3. 发明专利

JP2016061777A 高い温度安定性の干渉型吸収体を使用する表面微細加工赤外線センサ审中-公开
标题翻译：表面微机红外传感器使用高温稳定的干涉式吸收器
公开(公告)号：JP2016061777A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2015158266
申请日：2015-08-10
申请人：エクセリタステクノロジーズシンガポールプライヴェートリミテッド
发明人：クロペルニッキ,ピオトル , マリネスク,ラドュエム. , カラゴエゾグル,ヘルマン , チュアン,カイリアング
IPC分类号： G01J1/02
CPC分类号： H01L27/16 , G01J5/024 , G01J5/0809 , G01J5/0853 , G01J5/10 , G01J5/12 , G01J5/20 , H01L31/02327 , H01L31/103 , H01L31/1804 , H01L37/02
摘要：【課題】温度安定性が高い干渉型吸収体を使用した表面微細加工赤外線センサを提供する。【解決手段】表面加工した赤外線センサパッケージの製造方法を開示する。表側面及び裏側面を有する半導体ウェーハを設ける。基板の表側にトランジスタを画定する。薄膜リフレクタを基板の表側に注入し、半導体基板の表側でリフレクタに隣接してセンサを形成する。薄膜吸収体をセンサ上に付着させ、薄膜吸収体はリフレクタに実質的に平行である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供使用高温度稳定的干涉吸收器的表面微加工的红外传感器。解决方案：公开了一种用于制造表面加工的红外传感器封装的方法。提供具有前侧表面和后侧表面的半导体晶片。晶体管被限定在衬底正面上。将薄膜反射体注入到基板前侧，并且在与反射器相邻的半导体基板正面上形成传感器。薄膜吸收体沉积在传感器上，其中薄膜吸收体基本上平行于反射器。图2：图2

4. 发明专利

JPWO2013190793A1 赤外線検出装置有权
标题翻译：红外线检测装置
公开(公告)号：JPWO2013190793A1
公开(公告)日：2016-02-08
申请号：JP2014520914
申请日：2013-06-07
申请人：パナソニックIpマネジメント株式会社
发明人：俊成野田 , 俊成野田
IPC分类号： G01J1/02 , G01J5/34
CPC分类号： G01J5/34 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/046 , G01J5/0853 , G01J2005/345 , H01L37/02
摘要：赤外線検出装置は基板と、熱型光検出素子とを有する。基板は、凹部と、凹部の周囲に位置する枠部とを有する。熱型光検出素子は脚部と検出部とを有し、凹部上に検出部が位置するように、脚部が枠部上に接続されている。また熱型光検出素子は、基板上に設けられた中間層と、中間層上に設けられた第1電極層と、第1電極層上に設けられた検出層と、検出層上に設けられた第2電極層とを有する。基板の線熱膨張係数は、検出層の線熱膨張係数より大きく、中間層の線熱膨張係数は、基板から第1電極層に向かって小さくなっている。
摘要翻译：红外线检测装置，包括一个基底和热检测元件。基板具有凹部，并位于凹口周围的框架部分。热检测元件和检测部分和腿部分，从而在凹部中的位置检测单元，所述腿被连接到所述框架部分。热检测元件，设置在基板上的中间层，设置在中间层上的第一电极层，形成在设置在检测层上的第一电极层上的检测层和一个第二电极层。衬底的线性热膨胀系数比所述检测层的线性热膨胀系数大，则中间层的线性热膨胀系数是从朝向第一电极层的基板小。

5. 发明专利

JP5786273B2 赤外線センサ及び赤外線センサモジュール有权
标题翻译：红外线传感器和红外线传感器模块
公开(公告)号：JP5786273B2
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：JP2009298554
申请日：2009-12-28
申请人：オムロン株式会社
发明人：大平真琴 , 相田冨実二 , 小山雄高 , 佐々木昌
IPC分类号： G01J1/02
CPC分类号： G01J5/02 , G01J5/0215 , G01J5/024 , G01J5/04 , G01J5/045 , G01J5/08 , G01J5/0815 , G01J5/0853 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14649 , H01L2924/0002

6. 发明专利

JP2015152597A 温度測定要素を有するMIM構造体を備えた放射検出器审中-公开
标题翻译：包括具有温度测量元件的MIM结构的辐射探测器
公开(公告)号：JP2015152597A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2015023943
申请日：2015-02-10
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人：ウジワォル・パランチョケ , サリム・ブタミ , ジャン−ルイ・オブリエール−ビュッフェ , ジャン−ジャック・ヨン
IPC分类号： G01J1/02 , G01J5/34
CPC分类号： G01J5/20 , G01J5/02 , G01J5/0853
摘要：【課題】検出されることを意図する波長に選択的であり、低周波数ノイズ及び熱時定数に関して最適化され、非常に多くの数の材料で作られることができる、新規なタイプの放射検出器を提供する。【解決手段】放射検出器は、少なくとも、基板;支持要素によって前記基板上に吊るされた膜;下部金属要素、上部金属要素及び前記下部金属要素及び前記上部金属要素の間に配置された誘電体要素によって形成された少なくとも1つのMIM構造体を含む吸収要素;少なくとも1つの温度測定材料を含む温度測定要素;を少なくとも含む放射検出器であって、前記膜が、少なくとも前記MIM構造体の上部金属要素及び前記温度測定材料を含み、前記温度測定材料が、前記MIM構造体の誘電体要素の一部である。【選択図】図3A
摘要翻译：要解决的问题：为了提供对待检测波长有选择性的新型放射线检测器，针对低频噪声和热时间常数进行了优化，并且可以由非常大量的材料制成。解决方案：所述辐射检测器至少包括：基板; 用支撑元件悬挂在基底上的膜; 包括由下金属元件，上金属元件和设置在下金属元件和上金属元件之间的介电元件形成的至少一个MIM结构的吸收元件; 包括至少一种温度测量材料的温度测量元件。该膜至少包括MIM结构的上部金属元件和温度测量材料，并且温度测量材料是MIM结构的电介质元件的一部分。

7. 发明专利

JP2015045629A 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ有权
标题翻译：电磁波探测器和电磁波探测器阵列
公开(公告)号：JP2015045629A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2014044900
申请日：2014-03-07
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： OGAWA SHINPEI , FUJISAWA DAISUKE , MAEKAWA MICHIHIRO
IPC分类号： G01J1/02 , H01L31/0232 , H01L31/08
CPC分类号： G01J1/0204 , G01J1/04 , G01J1/0429 , G01J5/046 , G01J5/0825 , G01J5/0853 , G01J5/0881 , G01J5/20 , G02B5/008 , G02B5/1809 , H01L27/12 , H01L31/09 , H01L31/108 , H01L31/1085 , H01L2031/0344
摘要：【課題】光吸収層がグラフェン単体では光吸収率が数%と非常に低いため、電磁波検出器として光情報を有効に取得することができない。【解決手段】入射光を電気信号に変換して検出する電磁波検出器が、支持基板の上に形成された平坦な金属層と、金属層の上に形成された中間層と、中間層の上に形成されたグラフェン層と、グラフェン層の上に周期的に形成された孤立金属と、孤立金属の両側に対向するように配置された電極と、を含み、孤立金属の平面形状の大きさによって、入射光のうち、表面プラズモンが生じる所定の波長が決定され、所定の波長の光を吸収してグラフェン層に生じる電気信号の変化を検知する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题为了解决由于光吸收层具有单独的石墨烯几个％的非常低的光吸收率的问题，它不能有效地获取作为电磁波探测器的光信息。解决方案：电磁波探测器用于将入射光转换成电信号并检测电磁波，包括形成在支撑衬底上的平坦金属层，形成在金属层上的中间层，形成在中间层上的石墨烯层，周期性地形成在金属层上的隔离金属石墨烯层，和设置成面对隔离金属的两侧的电极。其中表面等离子体发生的入射光中的规定波长由隔离金属的平面形状的尺寸决定，并且通过吸收规定的光线来检测在石墨烯层中发生的电信号的变化波长。

8. 发明专利

JPWO2013014707A1 赤外線温度センサ、及び、それを用いた定着器有权
标题翻译：红外线温度传感器，并使用相同的定影装置
公开(公告)号：JPWO2013014707A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2012551821
申请日：2011-07-26
申请人：株式会社芝浦電子
发明人：中山　法行 , 法行中山 , 守富濱田 , 守富濱田 , 今野　達也 , 達也今野 , 真吾丸山 , 真吾丸山
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/10 , G01J5/24 , G03G15/20
CPC分类号： G03G15/2064 , G01J5/0022 , G01J5/045 , G01J5/046 , G01J5/0818 , G01J5/0853 , G01J5/10 , G01J5/20 , G01J5/24 , G01J2005/068 , G03G15/2039
摘要：厳しい検知温度環境においても検知対象物の表面温度を正確に計測することができる赤外線温度センサを提供する。赤外線入射窓26から入射した赤外線を導く第1空隙53(導光域)と、区画壁52を介して導光域に隣接され、赤外線の入射側に赤外線の入射を遮る上壁24が形成される第2空隙(遮光域)と、が設けられるセンサケース10と、導光域を通って到達した赤外線を吸収して熱変換するフィルム40と、フィルム40を介してセンサケース20に対向して配置されるセンサカバー30と、フィルム40に配置される赤外線検知素子43及び温度補償素子45と、を備え、導光域と遮光域は、区画壁52に対して略対称の形態をなしている赤外線温度センサ。
摘要翻译：还提供一种能够精确地测量检测对象的表面温度在严重的温度感测环境中的红外线温度传感器。用于从所述红外线入射窗26（光区域）引导的红外线入射的第一间隙53，是通过分隔壁52，顶壁24的红外线的块发生率上的红外线的入射侧形成邻近于所述导光区域该第二间隙（遮光区域）时，传感器壳体10设置，通过通过红外线吸收导光区域已经达到与膜40热转换，经过膜40面对传感器20的情况下传感器盖30被设置，所述红外线检测元件43和温度补偿元件45设置在膜40包括导光区域和遮光区域是在基本对称的形式相对于所述分隔壁52 红外线温度传感器。

9. 发明专利

JP2014235146A テラヘルツ波検出装置、カメラ、イメージング装置および計測装置审中-公开
标题翻译： TERAHERTZ波检测装置，摄像机，成像装置和测量装置
公开(公告)号：JP2014235146A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013118565
申请日：2013-06-05
申请人：セイコーエプソン株式会社 , Seiko Epson Corp
发明人： TOMIOKA HIROTO
IPC分类号： G01J1/02 , G01N21/3581 , H01L27/144 , H01L37/02 , H04N5/225 , H04N5/369
CPC分类号： G01J5/10 , G01J5/0853 , G01J5/34
摘要：【課題】テラヘルツ波を精度良く電気信号に変換することができるテラヘルツ波検出装置を提供する。【解決手段】ベース基板2と、ベース基板2の上方に配列されている複数の第1検出素子9と、を備え、第1検出素子9は、テラヘルツ波15を吸収して熱を発生させる吸収部42と、吸収部42にて発生した熱を電気信号に変換する変換部34と、を有し、吸収部42は、誘電体層40と、誘電体層40の一方の面に設けられている第1金属層41と、誘電体層40の他方の面に設けられている第2金属層33と、とを有し、複数の第1検出素子9は、隣り合う吸収部42の間で回折されたテラヘルツ波15が誘電体層40に入射するように配列されている。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以将太赫兹波精确地转换为电信号的太赫兹波检测装置。解决方案：太赫波检测装置包括基板2和排列在基板2上方的多个第一检测元件9。第一检测元件9中的每一个具有吸收太赫兹波15以产生热量的吸收器42和将由吸收器42产生的热量转换为电信号的转换器34。吸收体42具有电介质层40，设置在电介质层40的一面上的第一金属层41和设置在电介质层40的另一面上的第二金属层33，多个第一检测元件9为排列在相邻的吸收体42之间衍射的太赫兹波15入射到电介质层40上。

10. 发明专利

JP2014521094A Microbolometer array performance is improved 有权
公开(公告)号：JP2014521094A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：JP2014520616
申请日：2012-07-13
申请人：セントレナショナルデラルシェルシェサイエンティフィック−シーエヌアールエス , オフィスナショナルデチュードエドルシェルシュアエロスパティアル−オーエヌイーアールエー , コミスィアラアレナジィアトミークエオウエナジーズオルターナティブズ−シーイーエー
发明人：コーチリン、チャーリー , ブーション、パトリック , ハイダル、リアド , ペロード、ジーン−リュック , ヨン、ジーン−ジャック , デスチャンプス、ジョエル , パルド、ファブリセ , コリン、ステファン
IPC分类号： G01J1/02 , G01J5/20
CPC分类号： G01J5/20 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J2005/204 , H01L27/14685 , H04N5/33
摘要：【解決手段】支持基板とマイクロボロメータピクセル３００の配列とを備える、所定のスペクトル帯域の光放射線の熱検出のためのマイクロボロメータアレイにおいて、各マイクロボロメータは支持基板の上方に懸架される膜３０１を備え、膜は、入射放射線を吸収するための素子３０５と、吸収素子と熱的に接触して吸収素子から電気的に絶縁される温度測定素子３０４とから成る。吸収素子が少なくとも１つの第１の金属／絶縁体／金属ＭＩＭ構造体を備え、ＭＩＭ構造体は、サブミクロン程度の厚さの３つの重ね合わされる膜、すなわち、第１の金属膜３１１、誘電体膜３１０、および第２の金属膜３０９の多層構造を備え、ＭＩＭ構造体は、スペクトル帯域の少なくとも１つの波長で入射放射線の共鳴吸収を有することができる。膜３０１によってカバーされるマイクロボロメータピクセルの面積はマイクロボロメータピクセルの全面積の半分以下である。
【選択図】図３Ａ

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