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2. 发明专利

JP2018504760A アークを処理する装置およびアークを処理する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018504760A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2017541035
申请日：2016-01-26
申请人：トゥルンプフヒュッティンガースプウカズオグラニショナオドポヴィヂャルノスツィア , TRUMPF Huettinger Sp. z o. o.
发明人：ピオトルラハ , マルツィンジェレホフスキ
IPC分类号： H05H1/00
CPC分类号： H01J37/3476 , G01R31/1254 , H01J37/241 , H01J37/244 , H01J37/32944 , H01J37/3444 , H01J2237/0206 , H01J2237/24564 , H01J2237/3322
摘要：アーク処理装置(14)は、a.プラズマチャンバ(30)内に存在しているアークを検出する、アーク検出装置(21)と、b.アークがプラズマチャンバ(30)内に存在している間に、プラズマチャンバ(30)に供給されたエネルギに対応する値であるアークエネルギ値を求める、アークエネルギ確定装置(22)と、c.求められたアークエネルギ値から中断時間を決定する中断時間決定装置(24)と、を備えている。

3. 发明专利

JP6262753B2 定形逐次電力分配用の電力分配器有权
公开(公告)号：JP6262753B2
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：JP2015540067
申请日：2013-10-29
申请人：エーリコン・サーフェス・ソリューションズ・アーゲー・プフェフィコン
发明人：ダニエル・レンディ
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/34
CPC分类号： H02J1/00 , C23C14/3464 , C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/3444 , H01J37/3467

6. 发明专利

JPWO2015045980A1 基板処理装置、および、成膜装置有权
公开(公告)号：JPWO2015045980A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015539136
申请日：2014-09-17
申请人：株式会社アルバック
发明人：哲宏大野 , 哲宏大野 , 慶澄月川 , 慶澄月川 , 晋輔立川 , 晋輔立川 , 新井　進 , 進新井 , 応樹武井 , 応樹武井 , 辰徳磯部 , 辰徳磯部 , 清田　淳也 , 淳也清田
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/568 , H01J37/32908 , H01J37/342 , H01J37/3435 , H01J37/3444
摘要：基板処理装置は、筐体(21)と、筐体の内部に位置する中空の揺動アーム(23)とを備える。揺動アームは、筐体に接続される中空の揺動中心軸部(23a)と、揺動端である中空の連結軸部(23b)とを含む。更に、基板処理装置は、筐体の内部に位置し、基板と向かい合う処理空間を揺動中心軸部の軸方向(P)と直交する方向に移動して基板に処理を施す処理部(22)を備える。処理部は、処理部の移動に追従して連結軸部(23b)が処理部と並進可能となるように連結軸部に連結されている。従って、処理部(22)の移動によって揺動アーム(23)が揺動する。更に、基板処理装置は、揺動アーム(23)の内部に位置し、揺動中心軸部(23a)内を通じて筐体の外部に位置するユーティリティに接続され、かつ連結軸部(23b)内を通じて処理部に接続される接続ラインを備える。

7. 发明专利

JP5817906B2 プラズマ処理装置、および高周波発生器有权
标题翻译：等离子体处理装置，和一个高频发生器
公开(公告)号：JP5817906B2
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：JP2014500614
申请日：2013-01-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：金子和史 , 舩▲崎▼ 一憲 , 加藤秀生
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/511 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32311 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32302 , H01J37/3405 , H01J37/3444 , H01Q21/064 , H01Q21/20 , H05H1/46 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H05H2001/4622 , H05H2001/4682

8. 发明专利

JP2015148015A 大電力パルス化マグネトロンスパッタリング方法および大電力電気エネルギー源审中-公开
标题翻译：高功率脉冲磁控溅射方法和大功率电力能源
公开(公告)号：JP2015148015A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2015047806
申请日：2015-03-11
申请人：スルザーメタプラスゲーエムベーハー
发明人：ジョーンズアラミ , ゲオルクエルケンス , ユルゲンミュラー , イェルクフェッター
IPC分类号： C23C14/35 , H05H1/46 , H05H1/24 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3467 , C23C14/06 , H01J37/026 , H01J37/3444
摘要：【課題】磁気促進大電力スパッタリング法において、イオン化度を高くし、同時にターゲットの表面から正の電荷を除去し、ターゲットの加熱を防止すると共に、ターゲット材料の利用率を高くすること。【解決手段】プロセスチャンバ内で、あるシーケンスの複合放電パルスを発生し、スパッタリングガスをイオン化する大電力パルス化マグネトロンスパッタリング法において、この複合放電パルスは、第1のパルス時間(τ 1 )の間印加される大電力スパッタリングパルス(10)と第2のパルス時間(τ 2 )の間印加されるターゲット上の電荷を除去する小電力電荷除去パルス(11)とを含み、前記第2パルス時間(τ 2 )に対する前記第1パルス時間(τ 1 )の比(τ 1 /τ 2 )は最大で0.5である。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种磁加速度大功率溅射方法，其防止目标物升温，并且通过增加电离度并提高目标材料的使用速率并且还从目标表面去除正电荷。：在通过在处理室中依次产生复合放电脉冲来电离溅射气体的大功率脉动磁控溅射方法中，复合放电脉冲包括以第一脉冲时间（τ）施加的高功率溅射脉冲（10）和施加在第二脉冲时间（τ）上的低功率电荷去除脉冲（11）并去除目标上的电荷，以及第二脉冲时间（τ）与第一脉冲时间（τ）的比率（τ/τ））最大为0.5。

9. 发明专利

JP5713872B2 成膜装置及び成膜方法有权
公开(公告)号：JP5713872B2
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2011237311
申请日：2011-10-28
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：廣田悟史 , 山本兼司 , 玉垣浩
IPC分类号： C23C14/40 , C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3405 , H01J37/3444 , H01J37/3452

10. 发明专利

JP2014181401A In-situ sputtering apparatus 审中-公开
标题翻译：现场飞溅设备
公开(公告)号：JP2014181401A
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：JP2013140633
申请日：2013-07-04
申请人： Poole Ventura Inc , プール・ヴェンチュラ,インコーポレーテッド
发明人： MARK R ERICKSON , HENRY J POOLE , ARTHUR W CUSTER III , NADER JAMSHIDI , ADY HERSHCOVITCH
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/046 , H01J37/32394 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3438 , H01J37/3444
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering apparatus for depositing a film in an inner hole of a stainless steel pipe.SOLUTION: A sputtering apparatus comprises at least a target presented as an inner surface of a confinement structure, and the inner surface of the confinement structure is preferably an internal wall of a circular tube. A cathode 102 is disposed adjacent the internal wall of the circular tube. The cathode 102 preferably provides a hollow core, within which a magnetron 128 is disposed. Preferably, an actuator is attached to the magnetron 128, and a position of the magnetron 128 within the hollow core is altered upon activation of the actuator. Additionally, a carriage supporting the cathode 102 and communicating with the target is preferably provided, and a cable bundle interacting with the cathode and linked to a cable bundle take up mechanism provides power and coolant to the cathode 102, the magnetron 128, the actuator and an anode of the sputtering apparatus 100.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在不锈钢管的内孔中沉积膜的溅射装置。解决方案：溅射装置至少包括作为限制结构的内表面的靶，并且其内表面约束结构优选为圆管的内壁。阴极102邻近圆管的内壁设置。阴极102优选地提供中空的芯，其中设置有磁控管128。优选地，致动器附接到磁控管128，并且在激活致动器时磁控管128在中空芯内的位置被改变。此外，优选地提供支撑阴极102并与靶连通的托架，并且与阴极相互作用并连接到电缆束拾取机构的电缆束向阴极102，磁控管128，致动器和致动器提供功率和冷却剂溅射装置100的阳极。

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