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1. 发明专利

JP6336866B2 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム有权
公开(公告)号：JP6336866B2
公开(公告)日：2018-06-06
申请号：JP2014191264
申请日：2014-09-19
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：小川有人 , 清野篤郎
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/10 , C23C16/455 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/28568 , C23C16/14 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76876 , H01L21/76877

2. 发明专利

JP2018078339A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018078339A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2018016315
申请日：2018-02-01
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 中澤安孝 , 神長正美 , 肥塚純一 , 岡崎健一 , 廣橋拓也 , 足立駿介
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/417 , H01L51/50 , H05B33/14 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/32051 , H01L21/3213 , H01L21/473 , H01L21/4757 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
摘要：【課題】酸化物半導体中のチャネル形成領域における酸素欠損を低減し、電気特性の安定したまたは信頼性の高いトランジスタを含む半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極上のゲート絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に、スパッタリング法により酸化物層を形成して、酸化物半導体層と酸化物層とを含む酸化物積層膜を形成し、酸化物積層膜を所定の形状に加工し、所定の形状に加工した酸化物積層膜上に、Tiを主成分とする導電膜を形成し、導電膜をエッチングして、ソース電極およびドレイン電極を形成するとともに、バックチャネル側に凹部を形成し、加熱処理により、酸化物積層膜がソース電極およびドレイン電極と接する部分をn型化する。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2018041907A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018041907A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2016176672
申请日：2016-09-09
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：金子明生
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/02667 , H01L21/225 , H01L21/31111 , H01L21/32051 , H01L21/32133 , H01L21/324 , H01L27/11556 , H01L29/40114 , H01L29/40117
摘要：【課題】チャネル領域をより効率的に結晶化させた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、金属層上に第1半導体層を形成し、前記第1半導体層上に、交互に積層された第1層と第2層とを含む積層体を形成し、前記積層体の上面から前記第1半導体層に貫くメモリホールを形成して前記第1半導体層を露出させ、前記メモリホールの内壁を覆う第1絶縁層を形成し、前記メモリホール内において前記第1絶縁層を覆い、前記第1半導体層に電気的に接続された第2半導体層を形成し、前記第2半導体層形成後に、アニールを行なう。【選択図】図5

4. 发明专利

JP2018006753A 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造設備审中-公开
公开(公告)号：JP2018006753A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2017128007
申请日：2017-06-29
申请人：三星電子株式会社 , Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：林載順 , 朴圭熙 , ゾ侖廷 , 李ヒョン錫 , 趙基熙
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/28 , C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/30 , C30B25/00 , C30B25/14 , C30B29/06 , H01L21/28562 , H01L21/32051 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L23/291 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L27/10852 , H01L28/90
摘要：【課題】アスペクト比の高い立体構造上に対しても、一定の厚さを有する薄膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に抑制ガスを供給し、ソースガスを供給し、反応ガスを供給して、基板上に電極層を形成することを含み、抑制ガスはソースガスの基板上への物理的な吸着を抑制する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2017183487A 半導体装置の製造方法および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017183487A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016068137
申请日：2016-03-30
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：小川有人
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/28 , H05H1/46 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/32051 , H01L21/3215 , H01L21/82345 , H01L27/0922
摘要：【課題】任意の金属膜に所望の元素を添加し、若しくは除去することで所望の仕事関数を有する金属膜を形成する技術を提供する。【解決手段】基板の表面に金属膜を形成する工程と、金属膜の第1の領域に第1のマスクを形成する工程と、第1の元素を含むガスのプラズマを用いて、露出している金属膜の仕事関数を変化させる第1のプラズマ処理工程と、第1のマスクを除去する工程と、金属膜の第2の領域に第2のマスクを形成する工程と、第2の元素を含むガスのプラズマを用いて、露出している金属膜の仕事関数を変化させる第2のプラズマ処理工程と、を実行する。【選択図】図4

6. 发明专利

JP2017174948A 電子回路パッケージ有权
公开(公告)号：JP2017174948A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2016058730
申请日：2016-03-23
申请人： TDK株式会社
发明人：川畑賢一 , 早川敏雄 , 大久保俊郎
IPC分类号： H01F27/36 , H01L25/00 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H05K9/00 , H01L23/02 , H01L23/00
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/32051 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/16227 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/05442 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512
摘要：【課題】高い複合シールド効果とリフロー時における高い信頼性を両立可能な電子回路パッケージを提供する。【解決手段】電源パターン25Gを有する基板20と、基板20の表面21に搭載された電子部品31,32と、電子部品31,32を埋め込むよう、基板20の表面21を覆うモールド樹脂40と、モールド樹脂40の上面41及び側面42、並びに、基板20の側面27に露出する表面21のエッジ部を覆い、熱硬化性樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる磁性膜50と、電源パターン25Gに接続されるとともに、磁性膜50を介してモールド樹脂40を覆う金属膜60とを備える。本発明によれば、リフロー時に膨張した水分が熱硬化性樹脂材料を介して移動可能となるため、エッジ部における界面剥離を防止することができる。【選択図】図1

7. 发明专利

JP6164775B2 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム有权
公开(公告)号：JP6164775B2
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：JP2014168233
申请日：2014-08-21
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：原田和宏 , 小川有人 , 出貝求 , 北村匡史 , 芦原洋司
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/34 , C23C16/45527 , C23C16/52 , H01L21/28088 , H01L21/28568 , H01L21/32051 , H01L28/60

8. 发明专利

JP6087023B2 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体有权
标题翻译：一种制造半导体器件中，基板处理装置的方法和记录介质
公开(公告)号：JP6087023B2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：JP2016510500
申请日：2015-03-26
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：加我友紀直 , 小川有人
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/455 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/28088 , C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/45531 , C23C16/52 , H01L21/28562 , H01L21/32051

9. 发明专利

JP5971248B2 金属体を備える基体の製造方法有权
标题翻译：用于生产包括金属主体上的基板的方法
公开(公告)号：JP5971248B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2013524720
申请日：2012-07-17
申请人： JSR株式会社
发明人：酒井達也 , 西村秀樹 , 山本雅浩 , 中川恭志 , 齊藤隆一 , 青木英行 , 古川剛
IPC分类号： C07F5/06 , C23C16/20 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/285 , H01L21/288 , C23C16/18
CPC分类号： C23C16/06 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76843 , H01L21/76877

10. 发明专利

JP2016062930A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016062930A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014187151
申请日：2014-09-15
申请人：株式会社東芝
发明人：山田智博 , 小山治彦
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/32051 , H01L21/76224 , H01L23/647 , H01L28/20 , H01L2924/0002
摘要：【課題】製造が容易で小型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体基板10と、半導体基板上の第1領域Rsに設けられた絶縁部材11と、半導体基板上における絶縁部材が設けられていない第2領域Raに設けられ、上面が絶縁部材の上面よりも低い絶縁膜12と、絶縁部材上及び絶縁膜上に設けられた導電部材13と、導電部材13に接続された2つのビア14a,14bと、を備える。導電部材13の上部13bは、第1領域Rs及び第2領域Raの双方に設けられており、導電部材13の下部13aは、第2領域Raに設けられ第1領域Rsには設けられていない。導電部材13は、一方のビアが接続された部分から他方のビアが接続された部分に向かうときに、少なくとも1ヶ所の第1領域Rsを横断する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件及其制造方法，其允许容易的制造和小型化。解决方案：半导体器件1包括：半导体衬底10; 设置在半导体衬底上的第一区域Rs中的绝缘构件11; 绝缘膜12，设置在半导体基板上的第二区域Ra中，绝缘构件没有设置，并且其顶面低于绝缘构件的顶面; 设置在绝缘构件和绝缘膜上的导电构件13; 和连接到导电构件13的两个通孔14a，14b。导电构件13的上部13b设置在第一区域Rs和第二区域Ra两者中，导电构件13的下部13a设置在第二区域Ra并且不设置在第一区域Rs中。在导电构件13中，从连接一个通孔的部分到另一个通孔连接的部分的路线穿过第一区域Rs的至少一个位置。图3

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