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    • 3. 发明专利
    • Photoresist composition, resist pattern formation method, acid multiplication agent, compound, and method for manufacturing compound
    • 光电组合物,电阻图案形成方法,酸多元化剂,化合物和制备化合物的方法
    • JP2014085475A
    • 2014-05-12
    • JP2012233826
    • 2012-10-23
    • Jsr CorpJsr株式会社
    • NAMAI HAYATO
    • G03F7/004C07C303/28C07C309/07C07C309/12C07C309/19C07C381/12C07D207/416C07D307/93C07D307/94C09K3/00G03F7/039H01L21/027
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoresist composition excellent in terms of line width roughness (LWR) performance, resolution, cross-sectional rectangularity, focal depth, and storage stability.SOLUTION: The provided photoresist composition includes [A] a polymer possessing a structural unit (I) including an acid-dissociable group, [B] a radiation-sensitive acid generator, and [C] a compound expressed by the following formula (1). In the following formula (1), Ris a hydrogen atom or monovalent organic group having 1-20 carbon atoms. X is a single bond, *-COO-, *-OCO-, *-CONR-, *-NRCO-, or *-Ar-CO-. Ris a monovalent linear hydrocarbon group having 1-10 carbon atoms or monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4-20 carbon atoms. Ar is an arenediyl group having 6-20 carbon atoms. Ris a monovalent acid-dissociable group. * denotes a site bonded with R. m is an integer of 0 to 2.
    • 要解决的问题:提供在线宽粗糙度(LWR)性能,分辨率,截面矩形性,焦深和存储稳定性方面优异的光致抗蚀剂组合物。溶液:所提供的光致抗蚀剂组合物包括[A] 结构单元(I)包括酸解离基团,[B]辐射敏感性酸产生剂,和[C]由下式(1)表示的化合物。 在下式(1)中,R是氢原子或具有1-20个碳原子的一价有机基团。 X是单键,* -COO-,* -OCO-,* -CONR-,* -NRCO-或* -Ar-CO-。 R 1为具有1-10个碳原子的一价直链烃基或具有4-20个碳原子的一价脂环族烃基。 Ar是具有6-20个碳原子的甲撑基。 R是一个一价酸解离的基团。 *表示与R键合的位置.m为0〜2的整数。