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1. 发明公开

KR1020090039610A 반도체 소자와 그의 제조 및 동작방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造和操作方法
公开(公告)号：KR1020090039610A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：KR1020080097406
申请日：2008-10-02
申请人： 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 명성 , 임지운 , 이민백
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L21/28282 , B82Y10/00 , H01L27/11568 , H01L29/4234 , H01L29/66833 , H01L29/792
摘要： A semiconductor device and an operation method thereof are provided to apply different nanostructures to one element and to arrange the predetermined nano structure on a required region of a substrate accurately. A channel layer(C1) includes a first nanostructure(n1). A source and a drain are contacted with both ends of the channel layer. A first tunnel insulating layer(TL1) is equipped on the channel layer. A first charge trapping layer(CT1) is equipped on the first tunnel insulating layer. The first charge trapping layer includes a first nano structure and a second nano structure(n2). A first blocking insulating layer(BL1) is equipped on the first charge trapping layer. A first control gate is equipped on the first block insulating layer.
摘要翻译：提供半导体器件及其操作方法以将不同的纳米结构应用于一个元件并且将预定的纳米结构精确地布置在基板的所需区域上。沟道层（C1）包括第一纳米结构（n1）。源极和漏极与沟道层的两端接触。沟道层上装有第一隧道绝缘层（TL1）。在第一隧道绝缘层上装有第一电荷俘获层（CT1）。第一电荷俘获层包括第一纳米结构和第二纳米结构（n2）。在第一电荷俘获层上装有第一阻挡绝缘层（BL1）。第一控制门装在第一块绝缘层上。

2. 发明授权

KR101490109B1 반도체 소자와 그의 제조 및 동작방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造和操作方法
公开(公告)号：KR101490109B1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：KR1020080097406
申请日：2008-10-02
申请人： 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 명성 , 임지운 , 이민백
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
摘要： 반도체 소자와 그의 제조 및 동작방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 서로 다른 나노구조체들을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 반도체 소자는 나노와이어(nanowire)로 형성된 제1구성요소와 나노파티클(nanoparticle)로 형성된 제2구성요소를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 나노와이어는 양극성(ambipolar)의 탄소나노튜브(carbon nanotube)일 수 있다. 상기 제1구성요소는 채널층일 수 있고, 제2구성요소는 전하트랩층일 수 있는데, 이 경우, 상기 반도체 소자는 트랜지스터나 메모리 소자일 수 있다.

3. 发明公开

KR1020090101114A 나노구조의 분산방법 및 분산된 나노구조를 이용하여 나노구조를 고체 표면에 선택적으로 흡착시키는 방법 有权
标题翻译：用于分散纳米结构的方法和使用分散的纳米结构在固体表面上吸附纳米结构的方法
公开(公告)号：KR1020090101114A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：KR1020090023558
申请日：2009-03-19
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 허광 , 이민백
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , B82Y40/00
摘要： PURPOSE: A method for improving dispersibility of a nanostructure and a method for selectively adsorbing the dispersed nanostructure on a solid are provided to arrange nanostructures with improved dispersibility at the desired area of a solid and to adsorb them on the area. CONSTITUTION: A method for selectively adsorbing a nanostructure on a solid comprises the following steps of: adsorbing a functional molecule on the surface of a nanostructure; and dispersing the nanostructure with the functional molecule adsorbed thereon in a solvent and obtaining a nanostructure-containing solution. If the functional molecule is a hydrophilic molecule, the solvent is a hydrophilic solvent. If the functional molecule is a hydrophobic molecule, the solvent is a hydrophobic solvent.
摘要翻译：目的：提供一种改善纳米结构分散性的方法和选择性吸附分散的纳米结构在固体上的方法，以使得在固体的所需区域具有改善的分散性并将其吸附在该区域上的纳米结构。构成：在固体上选择性吸附纳米结构的方法包括以下步骤：在纳米结构表面上吸附功能分子; 并将其上吸附有功能分子的纳米结构分散在溶剂中并获得含纳米结构的溶液。如果功能分子是亲水性分子，则溶剂是亲水性溶剂。如果功能分子是疏水性分子，则溶剂是疏水性溶剂。

4. 发明授权

KR100736361B1 미끄러운 분자막을 이용하여 고체표면에 나노구조를 위치 및 정렬시키는 방법, 및 그 응용 有权
标题翻译：在固体表面上对准和组装纳米结构的方法及其应用
公开(公告)号：KR100736361B1
公开(公告)日：2007-07-06
申请号：KR1020050106975
申请日：2005-11-09
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 이민백 , 임지운
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 고체표면에 나노구조를 선택적으로 정렬하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고체 표면을 미끄러운 분자막으로 패터닝한 후, 흡착시키고자 하는 나노구조가 미끄러운 분자막에서 고체표면으로 슬라이딩되면서, 고체표면에 직접 흡착되는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 나노구조를 고체 표면에 선택적으로 위치 및 정렬시킬 수 있다. 또한 나노구조가 고체 표면에 직접 접촉하므로, 나노구조 및 고체 표면의 오염을 방지할 수 있다. 그리고 본 발명에 의한 다중 나노구조를 만들어 센서 등으로 활용할 수 있다. 나아가 DNA, 단백질, 셀 등의 바이오 구조를 원하는 모양으로 배양할 수 있다.
나노구조, 미끄러운 분자막, 슬라이딩, 선택적 정렬, 패터닝

5. 发明授权

KR101138000B1 나노구조의 분산방법 및 분산된 나노구조를 이용하여 나노구조를 고체 표면에 선택적으로 흡착시키는 방법 有权
标题翻译：用于分散纳米结构的方法和使用分散的纳米结构在固体表面上吸附纳米结构的方法
公开(公告)号：KR101138000B1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020090023558
申请日：2009-03-19
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 허광 , 이민백
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , B82Y40/00
摘要： PURPOSE: A method for improving dispersibility of a nanostructure and a method for selectively adsorbing the dispersed nanostructure on a solid are provided to arrange nanostructures with improved dispersibility at the desired area of a solid and to adsorb them on the area. CONSTITUTION: A method for selectively adsorbing a nanostructure on a solid comprises the following steps of: adsorbing a functional molecule on the surface of a nanostructure; and dispersing the nanostructure with the functional molecule adsorbed thereon in a solvent and obtaining a nanostructure-containing solution. If the functional molecule is a hydrophilic molecule, the solvent is a hydrophilic solvent. If the functional molecule is a hydrophobic molecule, the solvent is a hydrophobic solvent.

6. 发明公开

KR1020060052557A 미끄러운 분자막을 이용하여 고체표면에 나노구조를 위치 및 정렬시키는 방법, 및 그 응용 有权
标题翻译：在固体表面上对准或组装纳米结构的方法及其应用
公开(公告)号：KR1020060052557A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050106975
申请日：2005-11-09
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 이민백 , 임지운
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 고체표면에 나노구조를 선택적으로 정렬하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고체 표면을 미끄러운 분자막으로 패터닝한 후, 흡착시키고자 하는 나노구조가 미끄러운 분자막에서 고체표면으로 슬라이딩되면서, 고체표면에 직접 흡착되는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 나노구조를 고체 표면에 선택적으로 위치 및 정렬시킬 수 있다. 또한 나노구조가 고체 표면에 직접 접촉하므로, 나노구조 및 고체 표면의 오염을 방지할 수 있다. 그리고 본 발명에 의한 다중 나노구조를 만들어 센서 등으로 활용할 수 있다. 나아가 DNA, 단백질, 셀 등의 바이오 구조를 원하는 모양으로 배양할 수 있다.
나노구조, 미끄러운 분자막, 슬라이딩, 선택적 정렬, 패터닝

7. 发明授权

KR101869443B1 빛의 위치 제어 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101869443B1
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：KR1020110103603
申请日：2011-10-11
申请人： 삼성전자주식회사 , 조지아 테크 리서치 코오포레이션
发明人： 차승남 , 박영준 , 왕종린 , 이민백
IPC分类号： G02B6/122 , G02B26/08
CPC分类号： H01L41/082 , G02B26/103 , H01L41/31 , Y10T29/42
摘要： 빛의위치제어장치및 그제조방법이개시된다. 빛의위치제어장치는, 기판에고정되는제1부분과, 제1부분으로부터연장되고움직임가능하도록마련된제2부분을포함하는압전나노와이어와, 압전나노와이어에외부전기장을인가하도록기판에마련된제1 및제2전극을포함한다. 이압전나노와이어는광도파로로서역할을하도록마련되고, 외부전기장에따라움직임가능한제2부분이구부러져, 빛의진행방향으로바꾼다.

8. 发明公开

KR1020130039126A 빛의 위치 제어 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于光的位置控制的装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130039126A
公开(公告)日：2013-04-19
申请号：KR1020110103603
申请日：2011-10-11
申请人： 삼성전자주식회사 , 조지아 테크 리서치 코오포레이션
发明人： 차승남 , 박영준 , 왕종린 , 이민백
IPC分类号： G02B6/122 , G02B26/08
CPC分类号： H01L41/082 , G02B26/103 , H01L41/31 , Y10T29/42
摘要： PURPOSE: A position controlling apparatus of light and a manufacturing method thereof are provided to possessively control the direction of light by using a piezoelectricity nanowire, and apply to an optical system of a micro/nano scale. CONSTITUTION: A piezoelectricity nanowire(20) comprises a first part(21) fixed to a substrate(10), and a second part(25) which is extended from the first part and prepared to enable the movement. The piezoelectricity nanowire serves as a luminance furnace wave, the second part capable of moving along the external electric field is bent thereby comprising to change the light progressive direction. In order to enable the movement of the second part of the piezoelectricity nanowire, a trench(40) is formed in a substrate part corresponding to the second part. A first electrode(31) and a second electrode(35) are separated from each other so that a part of the length of the piezoelectricity nanowire is positioned at an interval of at least one direction among a horizontal direction and thickness direction of the substrate and are prepared in order to apply the external electric field in the piezoelectricity nanowire.
摘要翻译：目的：提供一种光的位置控制装置及其制造方法，其通过使用压电纳米线来有效地控制光的方向，并适用于微/纳米尺度的光学系统。构成：压电纳米线（20）包括固定到基板（10）的第一部分（21）和从第一部分延伸并准备能够移动的第二部分（25）。压电纳米线用作辉光炉波，能够沿着外部电场移动的第二部分被弯曲，从而包括改变光渐进方向。为了实现压电纳米线的第二部分的移动，在对应于第二部分的基板部分中形成沟槽（40）。第一电极（31）和第二电极（35）彼此分离，使得压电纳米线的长度的一部分位于基板的水平方向和厚度方向之间的至少一个方向的间隔处，以及为了在压电纳米线中施加外部电场而制备。

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