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1. 发明公开

KR1020090039610A 반도체 소자와 그의 제조 및 동작방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造和操作方法
公开(公告)号：KR1020090039610A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：KR1020080097406
申请日：2008-10-02
申请人： 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 명성 , 임지운 , 이민백
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L21/28282 , B82Y10/00 , H01L27/11568 , H01L29/4234 , H01L29/66833 , H01L29/792
摘要： A semiconductor device and an operation method thereof are provided to apply different nanostructures to one element and to arrange the predetermined nano structure on a required region of a substrate accurately. A channel layer(C1) includes a first nanostructure(n1). A source and a drain are contacted with both ends of the channel layer. A first tunnel insulating layer(TL1) is equipped on the channel layer. A first charge trapping layer(CT1) is equipped on the first tunnel insulating layer. The first charge trapping layer includes a first nano structure and a second nano structure(n2). A first blocking insulating layer(BL1) is equipped on the first charge trapping layer. A first control gate is equipped on the first block insulating layer.
摘要翻译：提供半导体器件及其操作方法以将不同的纳米结构应用于一个元件并且将预定的纳米结构精确地布置在基板的所需区域上。沟道层（C1）包括第一纳米结构（n1）。源极和漏极与沟道层的两端接触。沟道层上装有第一隧道绝缘层（TL1）。在第一隧道绝缘层上装有第一电荷俘获层（CT1）。第一电荷俘获层包括第一纳米结构和第二纳米结构（n2）。在第一电荷俘获层上装有第一阻挡绝缘层（BL1）。第一控制门装在第一块绝缘层上。

2. 发明授权

KR101490109B1 반도체 소자와 그의 제조 및 동작방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造和操作方法
公开(公告)号：KR101490109B1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：KR1020080097406
申请日：2008-10-02
申请人： 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 명성 , 임지운 , 이민백
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
摘要： 반도체 소자와 그의 제조 및 동작방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 서로 다른 나노구조체들을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 반도체 소자는 나노와이어(nanowire)로 형성된 제1구성요소와 나노파티클(nanoparticle)로 형성된 제2구성요소를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 나노와이어는 양극성(ambipolar)의 탄소나노튜브(carbon nanotube)일 수 있다. 상기 제1구성요소는 채널층일 수 있고, 제2구성요소는 전하트랩층일 수 있는데, 이 경우, 상기 반도체 소자는 트랜지스터나 메모리 소자일 수 있다.

3. 发明公开

KR1020100016766A 정렬된 나노구조물을 구비한 회로 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：包含对准的纳米结构的电路板和用于制造电路板的方法
公开(公告)号：KR1020100016766A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：KR1020080076382
申请日：2008-08-05
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 명성 , 강주완
IPC分类号： H05K1/00 , H05K3/20 , B82Y30/00
CPC分类号： H05K1/032 , B82Y10/00 , H05K1/0393 , H05K1/167 , H05K3/207 , H05K2201/0162 , H05K2201/026 , H05K2201/0323 , H05K2203/0522 , H05K2203/105 , H05K2203/1173 , H05K2203/1453 , Y10T29/49117 , Y10T29/49121 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49162 , Y10T29/49165
摘要： PURPOSE: A circuit board including a nanostructure and a manufacturing method thereof are provided to apply to a large area such as a wafer scale by forming a circuit aligned with a nanostructure on a polymer substrate. CONSTITUTION: A first electrode(112) and a second electrode(113) are located on the surface of a polymer substrate(111). A nanostructure(114) is electrically connected to a first electrode and a second electrode. The nanostructures is arranged to aligned along a lengthy direction of a pattern formed by at least one nanostructure.
摘要翻译：目的：提供包括纳米结构的电路板及其制造方法，以通过在聚合物基板上形成与纳米结构对准的电路来应用于诸如晶片垢的大面积。构成：第一电极（112）和第二电极（113）位于聚合物基板（111）的表面上。纳米结构（114）电连接到第一电极和第二电极。纳米结构被布置成沿着由至少一个纳米结构形成的图案的长度方向排列。

4. 发明授权

KR101071325B1 정렬된 나노구조물을 구비한 회로 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：包括对准的纳米结构的电路板和用于制造电路板的方法
公开(公告)号：KR101071325B1
公开(公告)日：2011-10-07
申请号：KR1020080076382
申请日：2008-08-05
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 명성 , 강주완
IPC分类号： H05K1/00 , H05K3/20 , B82Y30/00
CPC分类号： H05K1/032 , B82Y10/00 , H05K1/0393 , H05K1/167 , H05K3/207 , H05K2201/0162 , H05K2201/026 , H05K2201/0323 , H05K2203/0522 , H05K2203/105 , H05K2203/1173 , H05K2203/1453 , Y10T29/49117 , Y10T29/49121 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49162 , Y10T29/49165
摘要： 회로기판제공방법은제1 기판을준비하는단계, 상기제1 기판상에회로-상기회로는제1 전극, 제2 전극및 적어도하나의나노구조물을구비함-를형성하는단계, 및상기회로를상기제1 기판으로부터중합체인제2 기판의표면으로전이시키는단계를구비한다.

5. 发明公开

KR1020070112733A 자기조립법을 이용한 나노구조의 정렬방법 및 그 응용방법 无效
标题翻译：通过自组装方法的纳米结构和对准方法及其应用方法
公开(公告)号：KR1020070112733A
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020070049837
申请日：2007-05-22
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 강주완 , 명성
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
摘要： A method for aligning nanostructures, such as nanowires, by using a self-assemblage process is provided to allow mass production of nanowires of which surface comprises an oxide, and to realize various surface nanostructures. A method for aligning nanowires of which surface comprises an oxide comprises the steps of: patterning a molecular membrane having the opposite charge to an oxide on the surface of a solid; dipping the patterned solid into a solution in which nanowires are dissolved; allowing the nanowires to be adsorbed onto a region where the molecular membrane is not patterned; and dissolving and removing the molecular membrane. The molecular membrane comprises at least one hydrophobic molecule selected from octadecytrichlorosilane(OTS), octadecyltrimethoxysilane(OTMS) and octadecytriethoxysilane(OTE).
摘要翻译：提供了通过使用自组装工艺来对准纳米线的纳米结构的方法，以允许批量生产表面包含氧化物的纳米线，并实现各种表面纳米结构。用于对准其表面包含氧化物的纳米线的方法包括以下步骤：将具有相反电荷的分子膜图案化成固体表面上的氧化物; 将图案化固体浸入其中溶解纳米线的溶液中; 允许纳米线被吸附到分子膜未图案化的区域上; 并溶解和除去分子膜。分子膜包含至少一种选自十八烷三氯硅烷（OTS），十八烷基三甲氧基硅烷（OTMS）和十八烷基三乙氧基硅烷（OTE）的疏水性分子。

6. 发明授权

KR100736358B1 탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로흡착되는 방법 및 그 탐침이 장착된 탐침 현미경 失效
标题翻译：在扫描探针微波探测器末端组装纳米结构的方法和扫描探针显微镜与探针
公开(公告)号：KR100736358B1
公开(公告)日：2007-07-06
申请号：KR1020050106976
申请日：2005-11-09
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 김대식 , 명성 , 조나래 , 김진은
IPC分类号： G01Q70/12 , B82Y35/00 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 나노구조를 탐침의 끝 부분에 선택적으로 흡착시키는 기술에 관한 것으로, 탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 직접 선택적으로 흡착되거나, 링커분자를 거쳐 선택적으로 흡착되는 방법 및 그 탐침이 장착되어 해상도가 향상된 탐침 현미경에 관한 것이다.
탐침 현미경, 탐침, 나노입자, 나노구조, 선택적 흡착

7. 发明公开

KR1020060052558A 탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로흡착되는 방법 및 그 탐침이 장착된 탐침 현미경 失效
标题翻译：在扫描探针微波探测器末端组装纳米结构的方法和扫描探针显微镜与探针
公开(公告)号：KR1020060052558A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050106976
申请日：2005-11-09
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 홍승훈 , 김대식 , 명성 , 조나래 , 김진은
IPC分类号： G01Q70/12 , B82Y35/00 , B82Y40/00
CPC分类号： G01Q70/12 , C01B32/15 , G01Q10/04 , G01Q70/18
摘要： 본 발명은 나노구조를 탐침의 끝 부분에 선택적으로 흡착시키는 기술에 관한 것으로, 탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 직접 선택적으로 흡착되거나, 링커분자를 거쳐 선택적으로 흡착되는 방법 및 그 탐침이 장착되어 해상도가 향상된 탐침 현미경에 관한 것이다.
탐침 현미경, 탐침, 나노입자, 나노구조, 선택적 흡착

8. 发明授权

KR101659816B1 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法相同
公开(公告)号：KR101659816B1
公开(公告)日：2016-09-26
申请号：KR1020100017291
申请日：2010-02-25
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 이은홍 , 홍승훈 , 김언정 , 이형우 , 명성
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L51/102 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/105
摘要： 반도체소자에대해개시되어있다. 개시된반도체소자는나노와이어를지닌채널과나노파티클을지닌전하저장층을포함할수 있으며, 전하저장층상에는제 1게이트및 제 2게이트를포함하는트윈게이트구조가형성된것일수 있다. 이경우, 상기반도체소자는메모리소자또는다이오드일수 있다.

9. 发明公开

KR1020110097444A 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110097444A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100017291
申请日：2010-02-25
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 이은홍 , 홍승훈 , 김언정 , 이형우 , 명성
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L51/102 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/105 , H01L29/42312 , H01L21/02603 , H01L29/41725
摘要： 반도체 소자에 대해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 나노 와이어를 지닌 채널과 나노 파티클을 지닌 전하 저장층을 포함할 수 있으며, 전하 저장층 상에는 제 1게이트 및 제 2게이트를 포함하는 트윈 게이트 구조가 형성된 것일 수 있다. 이 경우, 상기 반도체 소자는 메모리 소자 또는 다이오드일 수 있다.

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