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1. 发明授权

KR102482139B1 반도체 칩 픽업 장치 및 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102482139B1
公开(公告)日：2022-12-29
申请号：KR1020200133989
申请日：2020-10-16
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683 , H05K13/04
摘要： 반도체칩 픽업장치는진공흡입을통하여반도체칩을픽업하기위한것으로써, 상부픽업부및 하부픽업부를구비할수 있다. 상기하부픽업부는상기상부픽업부에결합되는결합부및 상기반도체칩의픽업시상기반도체칩과면접하는면접부가일체구조를갖도록구비됨과아울러상기반도체칩의픽업시상기반도체칩 쪽으로플로우될수 있는정전기를차단하기위한정전기차단물질을포함할수 있다. 상기결합부는상기상부픽업부와자력에의해결합될수 있게실리콘내에자성물질이혼합되는실리콘혼합물질을포함할수 있고, 상기면접부는상기반도체칩의픽업시상기자성물질로부터의자력이상기반도체칩으로전달되는것을차단할수 있게실리콘을포함할수 있다.

2. 发明授权

KR102481728B1 정전 척 장치 有权
公开(公告)号：KR102481728B1
公开(公告)日：2022-12-29
申请号：KR1020207037594
申请日：2019-12-25
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15 , H01L21/687
摘要： 본발명의정전척 장치(1)는, 복수의내부전극(20)과, 내부전극(20)의두께방향의양면측에마련된절연성유기필름(40)과, 적어도내부전극(20) 및절연성유기필름(40)을포함하는적층체(2)의두께방향의상면(2a)에중간층(50)을사이에두고적층된세라믹스층(60)을구비한다.

3. 发明授权

KR102482509B1 시트 부착 장치 및 부착 방법 有权
公开(公告)号：KR102482509B1
公开(公告)日：2022-12-28
申请号：KR1020160137566
申请日：2016-10-21
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/18 , H01L21/78 , H01L21/60
摘要： 시트부착장치(10)는, 접착시트(AD)의한쪽면에커버시트(CS)가가부착된커버시트를갖는접착시트(CA)를공급하는공급수단(20)과, 공급수단(20)으로공급된커버시트를갖는접착시트(CA)를커버시트(CS) 상으로부터기재 WF의표면(WF1)에가압하여부착하는가압수단(30)을갖고, 가압수단(30)은, 커버시트를갖는접착시트(CA)를가압하는가압면(33A)의위치를조정가능한가압면위치조정수단(31)을구비한다.

4. 发明授权

KR102481416B1 감광성 수지를 이용한 LED칩 전사 장치 有权
公开(公告)号：KR102481416B1
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：KR1020210088044
申请日：2021-07-05
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 본발명은웨이퍼상에형성된 LED칩을기판또는디스플레이패널로전사하는기술이며, 기판에부착된각 칩중 일부를광에의해팽창되는전사수지를이용하여다른캐리어기판및 디스플레이패널로선택적, 순차적또는시간간격을두고전사하는기술을적용한 LED칩전사장치에관한것이다. 본발명의실시형태에따른감광성수지를이용한 LED칩전사장치는, 기판; 및상기기판상에형성되고, 소정의온도에서특정영역이팽창되는감광성수지로이루어지는감광성수지층;을포함하고, 상기감광성수지층상에는 LED칩하측의적어도일부분이상기감광성수지내에박힌상태로배치되고, 소정의열을가하여상기특정영역이팽창되어상기 LED칩의목적기판으로전사되도록하는 LED칩전사장치일수 있다.

5. 发明授权

KR102478514B1 프로세싱을 위한 기판들을 핸들링하기 위한 정전 캐리어 有权
公开(公告)号：KR102478514B1
公开(公告)日：2022-12-15
申请号：KR1020167035413
申请日：2015-05-11
IPC分类号： H01L21/683 , G03F7/20
摘要： 상이한프로세스들을통해핸들링하기위한기판을운반하기위한정전캐리어가설명된다. 캐리어는, 상단측 및바닥측을갖고, 정전력을사용하여, 플레이트의상단측 상에서, 기판에부착되도록구성된유전체플레이트, 및유전체플레이트의바닥측에커플링된베이스플레이트를갖는다. 전극들이베이스플레이트상에형성되고, 유전체플레이트의상단측에대해평행하게, 베이스플레이트에걸쳐연장된다. 전극들은정전하를운반하도록구성되고, 제 1 전하의전극들이제 2 전하의전극들근처에위치되도록형성된다. 커넥터들은전극들을정전하의소스에커플링시키기위해베이스플레이트를통해전극들로연장된다.

6. 发明授权

KR102477298B1 플라즈마 공정용 이온에너지 제어 장치 有权
公开(公告)号：KR102477298B1
公开(公告)日：2022-12-12
申请号：KR1020210021253
申请日：2021-02-17
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 본발명은플라즈마공정용이온에너지제어장치에관한것으로서, 플라즈마상태를유지하는내부공간이구비된플라즈마챔버와, 상기내부공간의상부에형성되는상부전극과, 상기내부공간의하부에설치되어플라즈마공정을위한웨이퍼가안착되도록마련되되내부에상호절연된제1 하부전극및 제2 하부전극이구비된정전척을포함하는플라즈마공정장비를이용한플라즈마공정용이온에너지제어장치에있어서, 제1 RF 전압을생성하여상기상부전극에공급하는제1 전원부와, 소정주파수를가지는사인파형의제2 RF 전압을생성하여상기제1 하부전극에공급하는제2 전원부와, 바이어스전압과소정주파수의펄스전압을각각생성하여상기제2 하부전극에공급하는제3 전원부와, 상기제2 RF 전압과상기제2 RF 전압파형에대응하는신호파형을가지는상기펄스전압을동시또는순차적으로공급하도록상기제2 전원부및 상기제3 전원부를제어하는전원제어부를포함하며, 상기펄스전압의공급시점이전에는상기내부공간에서의상기제1 RF 전압파형, 상기제2 RF 전압파형및 상기바이어스전압파형에기초한플라즈마발생에따른이온에너지분포에있어서영전위에대응되는제1 이온에너지값부터이온개수의제1 피크값이나타나는이온에너지값이후의기 설정된제1 임계값이하의이온개수를가지는제2 이온에너지값까지의제1 이온에너지구간을가지고, 상기펄스전압의공급시점이후에는상기내부공간에상기펄스전압을더 인가함에따른플라즈마발생에따른이온에너지분포에있어서상기제1 임계값보다는큰 이온개수들을가지는상기제2 이온에너지값이상의제2 이온에너지구간을가지는것을특징으로한다. 이에따라, 플라즈마발생에따른이온에너지의최대값부근의고에너지영역에분포된이온밀도를상대적으로증가시킬수 있어, 평균플라즈마전위에기초한이온에너지이하만을얻을수 있는종래의경우와비교하여플라즈마공정장비내에서더 높은이온에너지를얻을수 있는효과가있다.

7. 发明授权

KR102476390B1 12인치 반도체 웨이퍼 TTV 측정용 진공 스테이지 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102476390B1
公开(公告)日：2022-12-12
申请号：KR1020210001486
申请日：2021-01-06
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 본발명은반도체웨이퍼 TTV 측정용진공스테이지제조방법에관한것으로, 보다상세하게는, 세라믹소재를이용한성형공정, 그린가공, 소결공정, 정밀가공공정, 샌드블라스트공정, 초정밀가공공정및 검사공정을포함하는반도체웨이퍼 TTV 측정용진공스테이지제조방법에있어서, 상기소결공정은, 정밀가공공정에서성형된성형체를 500℃에서바인더가제거되도록하고, 1100℃에서전체부피의 60%가 1차적으로수축되도록하며, 1750℃에서전체부피의 40%가 2차적으로수축되도록, 순차적으로온도를높여소결하여소결체를형성하고, 상기정밀가공공정은, 선삭, 연삭가공테스트를거친다음, 가공저항력데이터를분석하고, 트루잉및 드레싱조건을결정한후, 선삭및 연삭에사용되는툴을선택한다음, 상기소결체를제1평면연삭, 원통연삭, MCT, 제2평면연삭과정을순차적으로수행하여평탄도 5㎛이하, 평행도 10㎛이하, 표면조도 Ra 0.3㎛이하로가공하고, 상기초정밀가공공정은샌드블라스트공정을거친소결체를 Lapping 및 Polishing을순차적으로수행하여평탄도 2㎛이하, 평행도 2㎛이하, 표면조도 Ra 0.1㎛이하로가공함으로써, 웨이퍼의 TTV 측정의정확성을높일수 있도록하는효과가있는유용한발명이다.

8. 发明授权

KR102472950B1 냉각/가열 복합 장치, 이를 구비하는 접착 필름 절단 어셈블리 및 접착 필름 절단 장비 有权
公开(公告)号：KR102472950B1
公开(公告)日：2022-12-05
申请号：KR1020170089519
申请日：2017-07-14
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
摘要： 본발명의실시예에의한냉각/가열복합장치는웨이퍼가안착되고, 상기웨이퍼의하면상에도포된접착필름을냉각시키기위한냉각수단이내장된지지플레이트; 및상기지지플레이트의외주면을따라배치되고, 상기접착필름의하면상에부착된베이스필름을가열하기위한복수의가열수단들을포함한다.

9. 发明授权

KR102472864B1 정전척 히터 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102472864B1
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：KR1020190095376
申请日：2019-08-06
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15
摘要： 본발명은바이폴라구조를갖는정전척히터에관한것으로, 반도체공정모드에따라 RF 접지기능및 정전척기능중 어느하나를선택적으로수행하는내부전극및 외부전극을구비하는히터몸체부; 및상기히터몸체부의하부에장착되어, 상기히터몸체부를지지하는히터지지부를포함한다.

10. 发明授权

KR102472595B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR102472595B1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：KR1020227020887
申请日：2017-08-07
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683 , G03F7/20 , G03F7/24 , B65H26/00 , B65H23/188 , B65G49/06
摘要： 장척의시트기판을장척방향으로반송하여, 시트기판에소정의처리를실시하는기판처리장치로서, 시트기판의장척방향의일부분마다소정의처리를실시하는처리기구와, 처리기구를통과하는시트기판에소정의장력을부여하면서, 시트기판을소정속도로장척방향으로반송하는반송기구와, 시트기판의반송경로중의특정위치에배치되고, 시트기판을특정위치에계류할수 있는계류기구와, 시트기판의반송을일시정지하는경우에는, 시트기판의반송속도를저하시키도록반송기구를제어함과아울러, 반송속도가소정값이하가된 시점에서시트기판이특정위치에계류되도록계류기구를제어하는제어장치를마련한다.

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