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1. 发明授权

KR102482734B1 고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법 有权
公开(公告)号：KR102482734B1
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：KR1020200152304
申请日：2020-11-13
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/67
摘要： 본발명은고주파펄스소스및 저주파펄스바이어스를이용한플라즈마극고종횡비식각방법에관한것으로서, 더욱상세하게는플라즈마장치의소스전극에는고주파펄스를인가하고상기플라즈마장치의바이어스전극에는상기소스전극에고주파펄스가인가되지않는동안에만저주파펄스를인가함으로써, 활성종의밀도를제어함과동시에이온의밀도및 기판에도달하는이온의에너지를독립적으로제어하여식각공정시 마스크임계차원을유지하고높은에너지를갖는이온에의한극고종횡비식각이가능한고주파펄스소스및 저주파펄스바이어스를이용한플라즈마극고종횡비식각방법을제공한다.

2. 发明授权

KR102482627B1 웨이퍼를 처리하는 방법 有权
公开(公告)号：KR102482627B1
公开(公告)日：2022-12-28
申请号：KR1020210025560
申请日：2021-02-25
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/56 , H01L21/67 , B23K26/38 , H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 본발명은복수의디바이스(27)를갖는디바이스영역(2)을일 측(1)에갖는웨이퍼(W)를처리하는방법에관한것이다. 특히, 본발명은보호막(4)을제공하는것, 및보호막(4)의전면(4a)의적어도중앙영역이일 측(1)과는반대측에있는웨이퍼(W)의측(6)과직접접촉하도록, 일측(1)과는반대측에있는웨이퍼(W)의측(6)에보호막(4)을도포하는것을포함하는방법에관한것이다. 방법은보호막(4)이일 측(1)과는반대측에있는웨이퍼(W)의측(6)에부착되도록, 일측(1)과는반대측에있는웨이퍼(W)의측(6)에보호막(4)을도포하는중 및/또는후에보호막(4)에외부자극을인가하는것, 및웨이퍼(W)의일 측(1) 및/또는일 측(1)과는반대측에있는웨이퍼(W)의측(6)을처리하는것을더 포함한다.

3. 发明授权

KR102481101B1 연결 부재, 유체 기기 접속 지그 및 유체 기기 접속 구조 有权
公开(公告)号：KR102481101B1
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：KR1020170160419
申请日：2017-11-28
IPC分类号： F16L23/06 , F16L23/16 , F16L23/00 , H01L21/67
摘要： [과제] 누액발생시에시급한대응을가능하게하고, 좁은스페이스에서설치가능한작업성이좋은유체기기접속구조를제공하는것을목적으로한다. [해결수단] 제1 접속부(21)를갖는제1 유체기기(2)와, 제2 접속부(31)를갖는제2 유체기기(3)와, 제1 접속부(21) 및제2 접속부(31)를접속하는환상시일부재(4)와, 제1 접속부(21) 및제2 접속부(31)의접속상태를유지하는연결부재(5)를갖는유체기기접속구조(1)에있어서, 연결부재(5)는제1 연결편(6)과제2 연결편(7)을구비하고, 제1 연결편(6)과제2 연결편(7)의일단부에제1 힌지부(63)와제2 힌지부(73)를갖는것, 제1 접속부(21)와제2 접속부(31)의외형은원 형상인것, 제1 연결편(6)은개구부(6a)를갖는대략 U자형상이며, 제1 접속부(21)와제2 접속부(31)의전체둘레의 180도를초과하여제1 접속부(21)부와제2 접속부(31)가접한다.

4. 发明授权

KR102481930B1 3-5족-반도체 층을 증착하기 위한 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR102481930B1
公开(公告)日：2022-12-26
申请号：KR1020160011264
申请日：2016-01-29
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/54 , H01L21/311 , H01L21/306
摘要： 본발명은, 공정챔버(1), 공정챔버(1)의바닥을형성하고하나또는다수의코팅될기판을수용하기위한서셉터(2)(susceptor), 서셉터(2)를공정온도까지가열하기위한가열장치(3), 및수소화물및 MO-화합물을공정챔버(1) 내부로도입하기위한하나이상의제1 및제2 공정가스-유입구역(5, 6, 7)을구비하는가스유입기관(4)을갖춘, 3-5족-반도체층을증착하기위한장치에관한것이다. 에칭가스유입구(9)가수소화물및 MO-화합물의유동방향(23)으로볼 때공정가스-유입구역(5, 6, 7)의하류에서공정챔버(1) 내부와통하는것이제안되며, 이경우에는, 공정가스-유입구역(5, 6, 7)으로부터배출되는공정가스가반도체층을증착할때에에칭가스유입구(9)로유입될수 없도록그리고공정챔버를세척할때에에칭가스유입구(9)로부터배출되는에칭가스가공정가스-유입구역(5, 6, 7)으로유입될수 없도록제어장치(22)가설계되어있고, 공정가스-유입구역(5, 6, 7) 및에칭가스유입구(9)가또한이러한방식으로배치되어있다. 에칭가스유입구(9)는가스유입기관(4) 둘레를덮는공정챔버덮개의환상구역에의해서그리고덮개플레이트(25)를고정하기위한환상의고정요소(8)에의해서형성되어있다.

5. 发明授权

KR102481562B1 수증기 처리 장치와 수증기 처리 방법, 기판 처리 시스템, 및 드라이 에칭 방법 有权
公开(公告)号：KR102481562B1
公开(公告)日：2022-12-26
申请号：KR1020200186202
申请日：2020-12-29
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/677
摘要： [과제] 처리가스에의한처리가실시된기판에대해서, 높은생산성하에서수증기처리를실행하는수증기처리장치및 수증기처리방법을제공하는것. [해결수단] 수증기처리장치에있어서, 상하로적층되어있는상측챔버및 하측챔버와, 상기상측챔버및 상기하측챔버와제 1 게이트사이에개재하여, 상기상측챔버와상기하측챔버와상기제 1 게이트에연결되어있는간격재를갖고, 상기상측챔버는제 1 개구를구비하고, 상기하측챔버는제 2 개구를구비하고, 상기간격재는상기제 1 개구와상기제 2 개구에각각연통하는제 3 개구와제 4 개구를구비하고, 상기제 3 개구와상기제 4 개구는각각상기제 1 게이트가구비하는제 5 개구와제 6 개구에연통하여있고, 상기상측챔버및 상기하측챔버는공통또는개별의수증기의기화기에연통하여있고, 상기간격재는상기제 3 개구의주위에제 1 온도조절부를구비하고, 상기제 4 개구의주위에제 2 온도조절부를구비하고있다.

6. 发明授权

KR102480692B1 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 有权
公开(公告)号：KR102480692B1
公开(公告)日：2022-12-22
申请号：KR1020160027457
申请日：2016-03-08
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
摘要： 처리액과세정유체의반응에의해결정이생기는것을방지하는것. 본발명에서는, 기판(8)을처리하기위한처리액이흐르는처리액유로[농도계측유로(53)]와, 상기처리액유로중 적어도일부를세정하기위한세정유체를상기처리액유로에공급하는세정유체공급부(57)와, 상기처리액을가열하는히터(52)와, 상기세정유체공급부(57) 및상기히터(52)를제어하는제어부(7)를가지고, 상기히터(52)로상기처리액을상기처리액과상기세정유체의반응에의해결정이생기는온도보다높은온도로가열한후에, 가열된상기처리액을상기처리액과상기세정유체의반응에의해결정이생기는온도의상기처리액이체류하는상기처리액유로에공급하고, 그후, 상기세정유체공급부(57)로부터상기처리액유로에상기세정유체를공급하도록제어하는것으로하였다.

7. 发明授权

KR102479923B1 고밀도 플라즈마 강화 화학 기상 증착 챔버 有权
公开(公告)号：KR102479923B1
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：KR1020217002767
申请日：2019-07-19
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/02
摘要： 본개시내용은증착챔버용샤워헤드를위한방법들및 장치에관한것이다. 일실시예에서, 플라즈마증착챔버용샤워헤드가제공되고, 샤워헤드는, 복수의천공타일들―복수의천공타일들각각은복수의지지부재들중 하나이상에커플링됨―, 및샤워헤드내의복수의유도성커플러들을포함하고, 복수의유도성커플러들중 하나의유도성커플러는복수의천공타일들중 하나의천공타일에대응하고, 지지부재들은유도성커플러들과천공타일들사이에형성된볼륨에전구체가스들을제공한다.

8. 发明授权

KR102479920B1 반도체 프로세스 장비 有权
公开(公告)号：KR102479920B1
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：KR1020177023575
申请日：2016-01-08
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 제 1 평면모터, 기판캐리어, 제 1 프로세싱챔버, 및제 1 리프트를포함하는, 기판을프로세싱하기위한시스템이제공된다. 제 1 평면모터는제 1 수평방향을따라배치된코일들의제 1 어레인지먼트, 제 1 수평방향에대해평행한상단표면, 제 1 측, 제 2 측을포함한다. 기판캐리어는제 1 수평방향에대해평행한기판지지표면을갖는다. 제 1 프로세싱챔버는기판캐리어상에배치된기판을수용하기위한개구를갖는다. 제 1 리프트는제 1 수평방향을따라배치된코일들의제 2 어레인지먼트를갖는제 2 평면모터를포함한다. 제 2 평면모터의상단표면은제 1 수평방향에대해평행하다. 제 1 리프트는제 1 수직위치와제 2 수직위치사이에서제 2 평면모터의상단표면을이동시키도록구성된다.

9. 发明授权

KR102479215B1 약액 배출 기구, 액처리 장치, 약액 배출 방법, 기억 매체 有权
公开(公告)号：KR102479215B1
公开(公告)日：2022-12-19
申请号：KR1020220048865
申请日：2022-04-20
IPC分类号： H01L21/67 , G03F7/30 , B01F25/10 , B01F27/50 , B01F27/55 , B01F23/43 , B01F23/45 , B01F23/40 , B01F35/53
摘要： 본발명은점도가비교적높은약액을배출하기위한약액배출기구에있어서, 그약액의배액로가차지하는높이를작게할 수있는기술을제공하는것을과제로한다. 약액이저류되는저류공간을구비한저류부와, 상기저류공간에, 상기약액의점도를낮추는희석액을공급하기위해개구된희석액공급구와, 상기희석액과상기약액을교반시키기위해상기저류공간에유체를공급하여, 그희석액및 약액에와류를형성하기위한와류형성부와, 교반이끝난상기희석액및 약액을, 상기희석액의공급에의해유입시켜상기저류공간으로부터배출하기위해, 그저류공간에있어서상기희석액공급구의상측으로개구된배액구를구비하도록배액기구를구성한다. 이러한구성에의해, 배액구로부터배출되는폐액의점도를저하시킬수 있고, 그배액구에접속되는배액로의수평면에대한기울기를크게할 필요가없어진다.

10. 发明授权

KR102479214B1 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 有权
公开(公告)号：KR102479214B1
公开(公告)日：2022-12-19
申请号：KR1020160012878
申请日：2016-02-02
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/67
摘要： 처리액에의한기판처리중의처리액농도를정확하게검출할수 있는기술을제공한다. 기판유지부(31)에수평으로유지된기판(W)에대하여처리액이공급되는기판처리장치(1)에있어서, 처리액통류부(53)는, 기판(W)과, 이기판(W)의주위에마련된회수컵(50) 사이에마련되며, 처리액이흐르는통류면을구비한다. 농도검출부(604)는, 투광부(61)로부터상기통류면에농도검출용의광을조사하고, 그반사광을수광부(62)에서수광한결과에기초하여, 상기처리액의농도를검출한다.

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