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91. 发明申请

US20050202588A1 Method of forming a chalcogenide material containing device 失效
标题翻译：形成含硫族化物材料的装置的方法
公开(公告)号：US20050202588A1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：US10796109
申请日：2004-03-10
申请人： Joseph Brooks
发明人： Joseph Brooks
IPC分类号： H01L21/06 , H01L21/82 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/1675
摘要： Embodiments of the invention provide a method of forming a chalcogenide material containing device, and particularly resistance variable memory elements. A stack of one or more layers is formed over a substrate. The stack includes a layer of chalcogenide material and a metal, e.g., silver, containing layer. A protective layer is formed over the stack. The protective layer blocks light, is conductive, and is etchable with the other layers of the stack. Further, the metal of the metal containing layer is substantially insoluble in the protective layer. The stack and the protective layer are then patterned and etched to form memory elements.
摘要翻译：本发明的实施方案提供了一种形成含硫族化物材料的装置，特别是电阻可变存储元件的方法。在衬底上形成一层或多层的叠层。堆叠包括一层硫属化物材料和金属，例如含银层。在堆叠上形成保护层。保护层阻挡光，是导电的，并且可以与堆叠的其它层进行刻蚀。此外，含金属层的金属基本上不溶于保护层。然后将叠层和保护层图案化并蚀刻以形成存储元件。

92. 发明申请

US20050032269A1 Forming planarized semiconductor structures 审中-公开
标题翻译：形成平坦化的半导体结构
公开(公告)号：US20050032269A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：US10633881
申请日：2003-08-04
申请人： Daniel Xu , Tyler Lowrey , Jong-Won Lee , Kyu Min , Donghui Lu , Jenn Chow
发明人： Daniel Xu , Tyler Lowrey , Jong-Won Lee , Kyu Min , Donghui Lu , Jenn Chow
IPC分类号： H01L21/06 , H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/16 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1293 , H01L45/144
摘要： A planarized surface may be formed by initially forming an aperture through an insulating layer. The insulating layer and its aperture may be conformally coated with a conductive material that ultimately acts as a planarization stop. The conductive material may then be covered with another insulator that fills the remainder of the aperture. Thereafter, the structure may be planarized down to the conductive layer that acts as a planarization stop.
摘要翻译：可以通过最初通过绝缘层形成孔而形成平坦化表面。绝缘层及其孔可以共形地涂覆有最终用作平坦化停止的导电材料。然后可以用填充孔的其余部分的另一绝缘体覆盖导电材料。此后，该结构可以平坦化为用作平坦化停止的导电层。

93. 发明授权

US5994163A Method of manufacturing thin-film solar cells 失效
标题翻译：制造薄膜太阳能电池的方法
公开(公告)号：US5994163A
公开(公告)日：1999-11-30
申请号：US817693
申请日：1997-04-17
申请人： Marika Bodeg.ang.rd , Jonas Hedstrom , Lars Stolt
发明人： Marika Bodeg.ang.rd , Jonas Hedstrom , Lars Stolt
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/443 , H01L31/0336 , H01L21/00 , H01L21/06
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L21/443 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： A method of manufacturing thin-film solar cells that include a layer of copper indium selenide (CuInSe.sub.2) that is applied in one manufacturing step onto a substrate that includes a metal layer that defines an electrical back contact layer of the solar cell. A layer that contains an alkali metal, such as sodium, is formed on the cell structure before the CuInSe.sub.2 layer is applied.
摘要翻译： PCT No.PCT / SE95 / 01242 Sec。 371日期1997年04月17日 102（e）日期1997年4月17日PCT提交1995年10月20日PCT公布。公开号WO96 / 13063 日期1996年5月2日一种制造薄膜太阳能电池的方法，其包括在一个制造步骤中应用于包括限定太阳能电池的电背接触层的金属层的基板上的铜铟硒化物（CuInSe 2）层。在应用CuInSe 2层之前，在电池结构上形成含有碱金属如钠的层。

94. 发明授权

US4178196A Method for manufacturing an image pickup tube target 失效
标题翻译：图像拾取管靶的制造方法
公开(公告)号：US4178196A
公开(公告)日：1979-12-11
申请号：US908286
申请日：1978-05-22
申请人： Yasuhiko Nonaka
发明人： Yasuhiko Nonaka
IPC分类号： H01J9/233 , H01L21/06 , H01L27/14 , H01L31/08 , H01L31/18
CPC分类号： H01J9/233 , Y10S438/96
摘要： A method for manufacturing an image pickup tube target is disclosed, in which, in evaporating a porous Sb.sub.2 S.sub.3 film in a low pressure insert gas, the amount of pre-evaporation of Sb.sub.2 S.sub.3 is decreased as the number of times of repetitive use of an evaporation boat increases in which Sb.sub.2 S.sub.3 is placed for evaporation, whereby an Sb.sub.2 S.sub.3 film having a given porosity is formed.
摘要翻译：公开了一种用于制造图像拾取管靶的方法，其中在蒸发低压插入气体中的多孔Sb2S3膜时，Sb2S3的预蒸发量随蒸发舟的重复使用次数而减少其中Sb2S3被放置用于蒸发的增加，由此形成具有给定孔隙率的Sb 2 S 3膜。

95. 发明授权

US3893325A Process for manufacturing a base for a semiconductor device 失效
标题翻译：半导体器件用基板的制造方法
公开(公告)号：US3893325A
公开(公告)日：1975-07-08
申请号：US48608374
申请日：1974-07-05
申请人： SATO YOSHIO
发明人： SATO YOSHIO
IPC分类号： H01L21/06 , H01L21/48 , H01L23/488 , B21J13/02
CPC分类号： H01L21/4878 , H01L21/06 , H01L23/488 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A process for manufacturing a base for a semiconductor device having a recess in the base on the upper surface to receive semiconductor means therein and a threaded stem extending from the bottom surface of the base, said process comprising the steps of preparing a blank of metal material; deforming by extrusion said blank with a shallower recess portion formed in said blank on the upper surface and with a shorter stem portion extending from the bottom of said blank while forming a projection on the bottom of said shallow recess portion in said blank; further deforming said blank so that said recess portion in said blank is deepened whereby said recess is formed in said base and so that said stem portion is lengthened whereby an unthreaded stem is formed; and threadedly rolling said stem on said blank.
摘要翻译：一种制造用于半导体器件的基底的方法，所述基底在所述基底上具有在所述上表面上的凹部以接收其中的半导体装置，以及从所述基底的底表面延伸的螺纹杆，所述方法包括以下步骤：制备金属材料的坯料 ; 通过挤出使所述坯料变形，其中在上表面上形成在所述坯件中的较浅的凹部，并且在从所述坯件的底部延伸的较短的杆部分上形成在所述坯件中的所述浅凹部的底部上的突起; 使所述坯料进一步变形，使得所述坯件中的所述凹部加深，由此所述凹部形成在所述基部中，并且使得所述杆部分被延长，由此形成无螺纹的杆; 并在所述坯件上螺纹地滚动所述杆。

96. 发明授权

US3445738A Non-polarized clamping selenium rectifier 失效
标题翻译：非极化钳位整流器
公开(公告)号：US3445738A
公开(公告)日：1969-05-20
申请号：US3445738D
申请日：1967-01-20
申请人： INT RECTIFIER CORP
发明人： DANNER JEFFERSON D , QUATROCHI LYLE W
IPC分类号： H01L21/06 , H01L21/108 , H01L25/07 , H01L3/02 , H01L7/16
CPC分类号： H01L21/108 , H01L21/06 , H01L25/073 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

97. 发明授权

US3439240A Selenium rectifier 失效
标题翻译： SELINIUM RECTIFIER
公开(公告)号：US3439240A
公开(公告)日：1969-04-15
申请号：US3439240D
申请日：1966-07-29
申请人： INT RECTIFIER CORP
发明人： GEIB CLARENCE B JR , JAMISON GEORGE E , SCOTT JACK N
IPC分类号： H01L21/06 , H01L29/00 , H01L3/04
CPC分类号： H01L21/06 , H01L21/02425 , H01L21/02439 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02521 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/00

98. 发明授权

US3168690A Clock power-device 失效
标题翻译：时钟功率器件
公开(公告)号：US3168690A
公开(公告)日：1965-02-02
申请号：US45339254
申请日：1954-08-31
申请人： HATOT LEON ETS
发明人： LAVET MARIUS JEAN , DIETSCH JACQUES JEAN GUSTAVE
IPC分类号： G04B11/02 , G04B11/04 , G04C3/00 , G04C3/027 , G04C3/06 , G04C5/00 , G04C15/00 , H01H51/32 , H01L21/06
CPC分类号： G04B11/02 , G04B11/04 , G04C3/00 , G04C3/0276 , G04C3/0278 , G04C3/064 , G04C3/065 , G04C3/066 , G04C5/005 , G04C15/00

99. 发明授权

US3127545A Rectifier 失效
标题翻译：整流器
公开(公告)号：US3127545A
公开(公告)日：1964-03-31
申请号：US7800160
申请日：1960-12-23
申请人： GEN TELEPHONE & ELECT
发明人： WALTER ZLOCZOWER
IPC分类号： H01L21/06 , H01L29/00 , H01L29/43
CPC分类号： H01L29/00 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02521 , H01L21/02625 , H01L21/02667 , H01L21/06 , H01L29/43

100. 发明授权

US2891203A Silicon rectifiers 失效
标题翻译：硅整流器
公开(公告)号：US2891203A
公开(公告)日：1959-06-16
申请号：US41811954
申请日：1954-03-23
申请人： SYLVANIA ELECTRIC PROD
发明人： THORNTON CLARENCE G
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/06 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/00 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/00 , H01L21/00 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/417

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