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    • 9. 发明授权
    • CCD image sensors having multiple lateral overflow drain regions for a horizontal shift register
    • 具有用于水平移位寄存器的多个横向溢出漏极区域的CCD图像传感器
    • US08605187B2
    • 2013-12-10
    • US12475825
    • 2009-06-01
    • Shen WangEric J. MeisenzahlDavid N. Nichols
    • Shen WangEric J. MeisenzahlDavid N. Nichols
    • H01L27/15H04N5/335
    • H01L27/14887
    • A charge-coupled device (CCD) image sensor includes a layer of a semiconductor material having a first conductivity type. A horizontal CCD channel region of a second conductivity type is disposed in the layer of the semiconductor material. The horizontal CCD channel region includes multiple phases that are used to shift photo-generated charge through the horizontal CCD channel region. Distinct overflow drain regions are disposed in the layer of semiconducting material, with an overflow drain region electrically connected to only one particular phase of the horizontal CCD channel region. A buffer region of the second conductivity type can be used to electrically connect each overflow drain to the one particular phase of the horizontal CCD channel. Multiple barrier regions are disposed in the layer of semiconductor material, with each barrier region disposed between each overflow drain and the one particular phase electrically connected to the drain.
    • 电荷耦合器件(CCD)图像传感器包括具有第一导电类型的半导体材料层。 第二导电类型的水平CCD沟道区设置在半导体材料的层中。 水平CCD通道区域包括用于将光电荷移动通过水平CCD通道区域的多个相位。 不同的溢出漏极区域设置在半导体材料层中,溢出漏极区域仅电连接到水平CCD沟道区域的一个特定相位。 可以使用第二导电类型的缓冲区域将每个溢出漏极电连接到水平CCD通道的一个特定相位。 多个屏障区域设置在半导体材料层中,每个屏障区域设置在每个溢流漏极和电连接到漏极的一个特定相之间。