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    • 10. 发明申请
    • PATTERN FORMING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM
    • 图案形成方法,制造磁记录介质和磁记录介质的方法
    • US20150069010A1
    • 2015-03-12
    • US14194458
    • 2014-02-28
    • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
    • Akira WATANABEKatsuya SUGAWARAKazutaka TAKIZAWAKaori KIMURA
    • G11B5/84G11B5/855
    • G11B5/84G11B5/855
    • A patterning method includes steps of forming a first copolymer layer comprising a first diblock copolymer which has portions which are phase incompatible. The first copolymer layer is annealed to form a first phase pattern including a first phase dispersed in a second surrounding phase. The first copolymer is then etched forming a first topographic pattern that corresponds to the first phase pattern. A second copolymer layer of a second diblock copolymer is then formed over the first topographic pattern, and then annealed to generate a second phase pattern offset from the first topographic pattern. Etching is used to form a second topographic pattern corresponding to the second phase pattern. The first and second topographic patterns are then transferred to the substrate. The patterning method can be used, for example, to form patterned recording layers for magnetic storage devices.
    • 图案化方法包括形成第一共聚物层的步骤,所述第一共聚物层包含具有相位不相容部分的第一二嵌段共聚物。 第一共聚物层被退火以形成包括分散在第二周围相中的第一相的第一相图案。 然后蚀刻第一共聚物,形成对应于第一相图形的第一形貌图案。 然后在第一形貌图上形成第二二嵌段共聚物的第二共聚物层,然后退火以产生偏离第一形貌图案的第二相图案。 蚀刻用于形成对应于第二相图案的第二形貌图案。 然后将第一和第二地形图转移到基底。 图案化方法可以用于例如形成用于磁存储装置的图案化记录层。