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1. 发明授权

US08462565B2 Differential threshold voltage non-volatile memory and related methods 有权
标题翻译：差分门限电压非易失性存储器及相关方法
公开(公告)号：US08462565B2
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：US13083427
申请日：2011-04-08
申请人： Sameer M. Venugopal , David R. Allee , Lawrence T. Clark
发明人： Sameer M. Venugopal , David R. Allee , Lawrence T. Clark
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/26 , Y10T29/49117
摘要： Embodiments and examples of differential threshold voltage non-volatile memories and related methods are described herein. In one example, a method for providing an integrated circuit can comprise providing a memory cell coupled to a first bitline and to a second bitline, and at least one of (a) providing a read assist mechanism configured to couple to the memory cell via the first and second bitlines, or (b) providing a memory reset mechanism configured to couple to the memory cell via the first and second bitlines. Providing the memory cell can comprise providing a first transistor comprising a first threshold voltage, providing a second transistor comprising a second threshold voltage, and cross-coupling the first and second transistors of the memory cell together. A difference between the first and second threshold voltages can correspond to a logic state of the memory cell. Other embodiments, examples, and related methods are also disclosed herein.
摘要翻译：本文描述了差分阈值电压非易失性存储器及相关方法的实施例和示例。在一个示例中，用于提供集成电路的方法可以包括提供耦合到第一位线和第二位线的存储器单元，以及（a）提供读取辅助机构中的至少一个，所述读取辅助机构被配置为经由所述第一位线耦合到所述存储器单元第一和第二位线，或（b）提供被配置为经由第一和第二位线耦合到存储器单元的存储器复位机构。提供存储器单元可以包括提供包括第一阈值电压的第一晶体管，提供包括第二阈值电压的第二晶体管，以及将存储器单元的第一和第二晶体管交叉耦合在一起。第一和第二阈值电压之间的差异可以对应于存储器单元的逻辑状态。本文还公开了其它实施例，示例和相关方法。

2. 发明申请

US20110261635A1 Differential Threshold Voltage Non-Volatile Memory and Related Methods 有权
公开(公告)号：US20110261635A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：US13083427
申请日：2011-04-08
申请人： Sameer M. Venugopal , David R. Allee , Lawrence T. Clark
发明人： Sameer M. Venugopal , David R. Allee , Lawrence T. Clark
IPC分类号： G11C7/00 , H01R43/00
CPC分类号： G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/26 , Y10T29/49117
摘要： Embodiments and examples of differential threshold voltage non-volatile memories and related methods are described herein. Other embodiments, examples thereof, and related methods are also disclosed herein.

3. 发明申请

US20110261634A1 Differential Threshold Voltage Non-Volatile Memory and Related Methods 有权
标题翻译：差分门限电压非易失性存储器及相关方法
公开(公告)号：US20110261634A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：US13083405
申请日：2011-04-08
申请人： Sameer M. Venugopal , David R. Allee , Lawrence T. Clark , Nazanin Darbanian
发明人： Sameer M. Venugopal , David R. Allee , Lawrence T. Clark , Nazanin Darbanian
IPC分类号： G11C7/00 , H05K13/00
CPC分类号： G11C11/413 , Y10T29/49117
摘要： Embodiments and examples of differential threshold voltage non-volatile memories and related methods are described herein. Other embodiments, examples thereof, and related methods are also disclosed herein.
摘要翻译：本文描述了差分阈值电压非易失性存储器及相关方法的实施例和示例。本文还公开了其它实施例，其示例和相关方法。

4. 发明授权

US08488370B2 Differential threshold voltage non-volatile memory and related methods 有权
标题翻译：差分门限电压非易失性存储器及相关方法
公开(公告)号：US08488370B2
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：US13083405
申请日：2011-04-08
申请人： Sameer M. Venugopal , David R. Allee , Lawrence T Clark , Nazanin Darbanian
发明人： Sameer M. Venugopal , David R. Allee , Lawrence T Clark , Nazanin Darbanian
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： G11C11/413 , Y10T29/49117
摘要： Embodiments and examples of differential threshold voltage non-volatile memories and related methods are described herein. Other embodiments, examples thereof, and related methods are also disclosed herein.
摘要翻译：本文描述了差分阈值电压非易失性存储器及相关方法的实施例和示例。本文还公开了其它实施例，其示例和相关方法。

5. 发明授权

US08610223B2 Embedded microelectromechanical systems sensor and related devices and methods 有权
标题翻译：嵌入式微机电系统传感器及相关设备及方法
公开(公告)号：US08610223B2
公开(公告)日：2013-12-17
申请号：US13192261
申请日：2011-07-27
申请人： Narendra V. Lakamraju , Sameer M. Venugopal , Stephen M. Phillips , David R. Allee
发明人： Narendra V. Lakamraju , Sameer M. Venugopal , Stephen M. Phillips , David R. Allee
IPC分类号： H01L27/20 , H01L21/02
CPC分类号： G01L19/083 , G06F3/0412 , G06F3/044
摘要： Embodiments of embedded MEMS sensors and related methods are described herein. Other embodiments and related methods are also disclosed herein.
摘要翻译：本文描述了嵌入式MEMS传感器和相关方法的实施例。本文还公开了其它实施例和相关方法。

6. 发明授权

US08319561B2 Amplifiers with depletion and enhancement mode thin film transistors and related methods 有权
标题翻译：具有耗尽和增强型薄膜晶体管的放大器及相关方法
公开(公告)号：US08319561B2
公开(公告)日：2012-11-27
申请号：US13411356
申请日：2012-03-02
申请人： Sameer M. Venugopal , Aritra Dey , David R. Allee
发明人： Sameer M. Venugopal , Aritra Dey , David R. Allee
IPC分类号： H03F3/14 , H01L27/148 , G09G3/36
CPC分类号： H03F3/16 , H03F1/223 , Y10T29/49169
摘要： Embodiments of amplifiers with depletion and enhancement mode thin film transistors are disclosed herein. Other examples, devices, and related methods are also disclosed herein.
摘要翻译：本文公开了具有耗尽和增强型薄膜晶体管的放大器的实施例。本文还公开了其它示例，设备和相关方法。

7. 发明申请

US20120206207A1 AMPLIFIERS WITH DEPLETION AND ENHANCEMENT MODE THIN FILM TRANSISTORS AND RELATED METHODS 有权
标题翻译：放大器和增强型薄膜晶体管的放大器及相关方法
公开(公告)号：US20120206207A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：US13411356
申请日：2012-03-02
申请人： Sameer M. Venugopal , Aritra Dey , David R. Allee
发明人： Sameer M. Venugopal , Aritra Dey , David R. Allee
IPC分类号： H03F3/16 , H01R43/00
CPC分类号： H03F3/16 , H03F1/223 , Y10T29/49169
摘要： Embodiments of amplifiers with depletion and enhancement mode thin film transistors are disclosed herein. Other examples, devices, and related methods are also disclosed herein.
摘要翻译：本文公开了具有耗尽和增强型薄膜晶体管的放大器的实施例。本文还公开了其它示例，设备和相关方法。

8. 发明申请

US20120175714A1 Embedded Microelectromechanical Systems Sensor and Related Devices and Methods 有权
标题翻译：嵌入式微机电系统传感器及相关设备及方法
公开(公告)号：US20120175714A1
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：US13192261
申请日：2011-07-27
申请人： Narendra V. Lakamraju , Sameer M. Venugopal , Stephen M. Phillips , David R. Allee
发明人： Narendra V. Lakamraju , Sameer M. Venugopal , Stephen M. Phillips , David R. Allee
IPC分类号： H01L27/20 , H01L21/02
CPC分类号： G01L19/083 , G06F3/0412 , G06F3/044
摘要： Embodiments of embedded MEMS sensors and related methods are described herein. Other embodiments and related methods are also disclosed herein.
摘要翻译：本文描述了嵌入式MEMS传感器和相关方法的实施例。本文还公开了其它实施例和相关方法。

9. 发明申请

US20120140929A1 INTEGRATED CIRCUITS SECURE FROM INVASION AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME 有权
标题翻译：集成电路安全入侵及其制造方法
公开(公告)号：US20120140929A1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：US13139955
申请日：2009-12-29
申请人： Lawrence T. Clark , David R. Allee
发明人： Lawrence T. Clark , David R. Allee
IPC分类号： H01L23/60 , H01L29/786 , G09C1/00 , H01L21/50
CPC分类号： H01L23/3121 , G06F21/79 , G06F21/87 , H01L21/56 , H01L23/13 , H01L23/49833 , H01L23/57 , H01L24/17 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/0657 , H01L2224/05554 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0401 , H01L2924/00012
摘要： An integrated circuit device that is secure from invasion and related methods are disclosed herein. Other embodiments are also disclosed herein.
摘要翻译：本文公开了一种防止侵入和相关方法的集成电路装置。本文还公开了其它实施例。

10. 发明授权

US08860575B2 Flexible identification systems and related methods 有权
标题翻译：灵活的识别系统及相关方法
公开(公告)号：US08860575B2
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：US13306750
申请日：2011-11-29
申请人： David R. Allee , Lawrence T. Clark , Terry L. Alford , Constantine A. Balanis , James T. Aberle , Kevin Baugh
发明人： David R. Allee , Lawrence T. Clark , Terry L. Alford , Constantine A. Balanis , James T. Aberle , Kevin Baugh
IPC分类号： G08B13/14 , G06K19/077 , G06K19/02 , H04W52/02
CPC分类号： G06K19/07766 , G06K19/025 , G06K19/027 , H04W52/0235
摘要： Embodiments of flexible identification systems are described herein. Other embodiments and related methods are also disclosed herein.
摘要翻译：本文描述了灵活识别系统的实施例。本文还公开了其它实施例和相关方法。

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