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1. 发明申请

WO2019101337A1 LIGHT SENSITIVE IMAGING SYSTEM AND DEVICE WITH CROSSTALK COMPENSATION FOR IN-ARRAY OPTICAL BLACK PIXELS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019101337A1
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：PCT/EP2017/080409
申请日：2017-11-24
申请人： HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. , MUUKKI, Mikko
发明人： MUUKKI, Mikko , KOSKINEN, Samu
IPC分类号： H04N5/359 , H04N5/361 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/359 , H01L27/14623 , H04N5/361
摘要： A light sensitive imaging system adapted for determining a crosstalk value of an OB (optically black) pixel arranged in a pixel array, the system comprising at least one image sensor comprising at least one pixel array, and processing means. The pixel array comprises a plurality of color channel pixels (CP 1 , … ,CP n ) and at least one OB pixel (OB 1 , … ,OB n ). The processing means is adapted for detecting an intensity value (IVOB 1 ) of a color channel of an OB pixel (OB 1 ), detecting an intensity value (IV 1 ) of a neighboring color channel pixel (CP 1 ), and calculating a crosstalk value (CV 1 ) for the OB pixel (OB 1 ) based on the intensity values (IVOB 1 ; IV 1 ).

2. 发明申请

WO2018029204A1 METHOD OF PRODUCING AN OPTICAL SENSOR AT WAFER-LEVEL AND OPTICAL SENSOR 审中-公开
标题翻译：在晶片级和光学传感器上制造光学传感器的方法
公开(公告)号：WO2018029204A1
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：PCT/EP2017/070094
申请日：2017-08-08
申请人： AMS AG
发明人： TOSCHKOFF, Gregor , BODNER, Thomas , SCHRANK, Franz
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0203 , H01L31/18
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L27/14623 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/0203
摘要： A method is proposed to produce an optical sensor at wafer-level, the methods comprises the following steps. A wafer (10) is provided and has a main top surface (11) and a main back surface (12). At or near the top surface (11) of the wafer at least one integrated circuit (20) is arranged having a light sensitive component (21). A first mold tool (1) is placed over the at least one integrated circuit such that at least one channel (37) remains between the first mold tool (1) and the top surface (11) to enter a first mold material. A first mold structure (30) is formed by wafer-level molding the first mold material via the at least one channel (37). The first mold material creates at least one runner structure (35). A second mold tool (2) is placed over the first mold structure (30) and a second mold structure (40) is formed by wafer-level molding a second mold material by means of the second mold tool (2). A light path blocking structure (50) is arranged on the top surface (11) to block light from entering via the at least one runner structure (35).
摘要翻译：提出了一种在晶片级生产光学传感器的方法，该方法包括以下步骤。晶片（10）被提供并且具有主顶面（11）和主背面（12）。在晶片的顶面（11）处或附近设置至少一个集成电路（20），其具有光敏部件（21）。将第一模具（1）放置在所述至少一个集成电路上，使得在所述第一模具（1）和所述顶面（11）之间保留至少一个通道（37）以进入第一模具材料。第一模具结构（30）通过至少一个通道（37）通过晶片级模制第一模具材料而形成。第一模具材料形成至少一个流道结构（35）。第二模具工具（2）被放置在第一模具结构（30）上方并且第二模具结构（40）通过借助于第二模具工具（2）的晶片级模制第二模具材料而被形成。光路阻挡结构（50）布置在顶表面（11）上以阻挡光通过至少一个流道结构（35）进入。

3. 发明申请

WO2017064845A1 IMAGING ELEMENT AND IMAGING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：成像元件和成像装置
公开(公告)号：WO2017064845A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：PCT/JP2016/004435
申请日：2016-09-30
申请人： SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
发明人： MARUYAMA, Yasushi
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14625 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/1464
摘要： There is provided an imaging element including a photoelectric conversion unit formed in a substrate and a wire grid polarizer disposed at a light-incident side of the photoelectric conversion unit. In addition, the wire grid polarizer includes a plurality of strip-shaped portions, where air gaps exist between adjacent strip-shaped portions. Further, a protective layer is formed on the wire grid polarizer.
摘要翻译：提供了一种成像元件，其包括形成在基板中的光电转换单元和布置在光电转换单元的光入射侧处的线栅偏振器。另外，线栅偏振器包括多个条形部分，其中相邻的条形部分之间存在气隙。此外，在线栅偏振器上形成保护层。

4. 发明申请

WO2017044292A1 AUTOMATIC COMPENSATION OF LENS FLARE 审中-公开
标题翻译：镜片自动补偿
公开(公告)号：WO2017044292A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：PCT/US2016/047873
申请日：2016-08-19
申请人： APPLE INC.
发明人： SILVERSTEIN, D. Amnon , LIN, Sheng , POPE, David R. , LIM, Suk Hwan
IPC分类号： H04N5/357 , G06T5/00 , H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H04N5/3572 , G06T5/008 , H01L27/14623 , H01L27/14643 , H04N5/3651 , H04N5/3696 , H04N9/646
摘要： Systems and methods for automatic lens flare compensation may include a non-uniformity detector configured to operate on pixel data for an image in an image sensor color pattern. The non-uniformity detector may detect a non-uniformity in the pixel data in a color channel of the image sensor color pattern. The non-uniformity detector may generate output including location and magnitude values of the non-uniformity. A lens flare detector may determine, based at least on the location and magnitude values, whether the output of the non-uniformity detector corresponds to a lens flare in the image. In some embodiments, the lens flare detector may generate, in response to determining that the output corresponds to the lens flare, a representative map of the lens flare. A lens flare corrector may determine one or more pixel data correction values corresponding to the lens flare and apply the pixel data correction values to the pixel data.
摘要翻译：用于自动镜头光斑补偿的系统和方法可以包括被配置为对图像传感器颜色图案中的图像的像素数据进行操作的非均匀性检测器。不均匀性检测器可以检测图像传感器颜色图案的颜色通道中的像素数据的不均匀性。不均匀性检测器可以产生包括不均匀性的位置和幅度值的输出。透镜闪光检测器可以至少基于位置和幅度值来确定不均匀性检测器的输出是否对应于图像中的透镜闪光。在一些实施例中，透镜光斑检测器可以响应于确定输出对应于透镜闪光而产生透镜的代表性地图闪光。透镜闪光校正器可以确定与透镜光斑相对应的一个或多个像素数据校正值，并将像素数据校正值应用于像素数据。

5. 发明申请

WO2017022450A1 ピンホールカメラ、電子機器、および製造方法审中-公开
标题翻译： PINHOLE CAMERA，电子设备和制造方法
公开(公告)号：WO2017022450A1
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：PCT/JP2016/070933
申请日：2016-07-15
申请人：ソニー株式会社
发明人：駒井　尚紀 , 坂入　卓
IPC分类号： H04N5/225 , G03B19/16 , H01L27/14 , H04N5/369 , H04N101/00
CPC分类号： H04N5/2354 , G03B19/16 , H01L27/14 , H01L27/14618 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H04N5/225 , H04N5/2254 , H04N5/2256 , H04N5/238 , H04N5/369
摘要：本開示は、より低背化を図ることができるようにするピンホールカメラ、電子機器、および製造方法に関する。複数の画素がアレイ状に配置された画素アレイ部が形成される半導体基板と、半導体基板の画素アレイ部に対応して配置されるオンチップレンズの上に、シール樹脂を介して積層される保護基板と、保護基板に対して成膜され、半導体基板に照射される光を遮光する遮光膜とを備える。そして、遮光膜にピンホールが形成される。本技術は、例えば、積層型のCMOSイメージセンサに適用できる。
摘要翻译：本公开涉及一种能够进一步减小高度的针孔摄像机，电子设备和制造方法。本发明提供一种半导体衬底，其上形成有多个像素排列成阵列的像素阵列单元; 保护基板，通过在其间具有密封树脂层叠在片上透镜上，所述片上透镜相对于半导体基板上的像素阵列单元设置; 以及相对于保护基板形成的遮光膜，并且阻挡照射到半导体基板的光。然后，在遮光膜中形成针孔。本技术可以应用于例如层压CMOS图像传感器。

6. 发明申请

WO2017006278A1 OPTICAL SENSOR WITH NARROW ANGULAR RESPONSE 审中-公开
标题翻译：具有NARROW ANGULAR反应的光学传感器
公开(公告)号：WO2017006278A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/IB2016/054083
申请日：2016-07-07
申请人： LFOUNDRY S.R.L.
发明人： SPAZIANI, Fabio , DEL MONTE, Andrea , MARGUTTI, Giovanni , DE AMICIS, Giovanni
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： A61B5/0059 , A61B5/6801 , A61B2562/0238 , A61B2562/185 , H01L27/14603 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14643
摘要： The present invention relates to an optical sensor based on CMOS technology and comprising: a semiconductor substrate (21,31); an array of photocells (2,3), each of which includes a respective photodetector active area (11,12,22,32) that is formed in the semiconductor substrate (21,31) and is exposed on a given planar surface (13) of said semiconductor substrate (21,31), each photocell (2,3) being designed to provide a respective output electrical signal related to incident light impinging on the respective photodetector active area (11,12,22,32); a multilayer structure (23,33), that includes metal and dielectric layers and is formed on the given planar surface (13) of the semiconductor substrate (21,31); and light shielding means (14,15,24,35), that are formed in or on the multilayer structure (23,33) and are made of one or more materials reflecting and/or absorbing incident light impinging on said light shielding means (14,15,24,35); wherein each photodetector active area (11,12,22,32) is associated with a corresponding optical path (26,36) extending through the light shielding means (14,15,24,35) and directed towards said photodetector active area (11,12,22,32) to allow incident light with incident direction falling within a given direction range to reach said photodetector active area (11,12,22,32). The optical sensor is characterized in that: all the photocells (2,3) are connected in parallel to provide an overall output electrical signal related to incident light impinging on all the photodetector active areas (11,12,22,32); and all the optical paths (26,36) are parallel to a given direction thereby causing all the photodetector active areas (11,12,22,32) to be reached by incident light with incident direction parallel to said given direction.
摘要翻译：本发明涉及一种基于CMOS技术的光学传感器，包括：半导体衬底（21,31）; 一组光电管（2,3），每个光电管（2,3）包括形成在半导体衬底（21,31）中并暴露在给定平面（13）上的相应光电检测器有源区（11,12,22,32）），每个光电池（2,3）被设计成提供与入射光相关的相应输出电信号，该入射光照射在相应的光电检测器有效区（11,12,22,32）上; 形成在所述半导体衬底（21,31）的给定平面（13）上的多层结构（23,33），其包括金属和电介质层。以及形成在多层结构（23,33）中或上的多个遮光装置（14,15,24,35），并且由反射和/或吸收入射到所述遮光装置上的入射光的一种或多种材料制成 14,15,24,35）; 其中每个光电检测器有效区域（11,12,22,32）与延伸穿过所述光屏蔽装置（14,15,24,35）并指向所述光电检测器有效区域（11）的对应光路（26,36）相关联，12,22,32）以允许具有入射方向落入给定方向范围的入射光到达所述光电检测器有效区（11,12,22,32）。光学传感器的特征在于：所有光电池（2,3）并联连接以提供与入射光相关的总体输出电信号，该入射光照射在所有光电检测器有效区域（11,12,22,32）上; 并且所有的光路（26,36）平行于给定的方向，从而使入射方向平行于所述给定方向的入射光到达所有的光检测器有效面积（11,12,22,32）。

7. 发明申请

WO2016194654A1 固体撮像素子审中-公开
标题翻译：固态图像拾取元件
公开(公告)号：WO2016194654A1
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：PCT/JP2016/065024
申请日：2016-05-20
申请人：ソニー株式会社
发明人：押山　到 , 田中　洋志
IPC分类号： H01L27/14 , G02B1/115 , G02B1/118 , H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14625 , G02B1/115 , G02B1/118 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H04N5/357 , H04N5/369
摘要：本技術は、幅広い波長帯域の入射光の反射を抑制することができるようにする固体撮像素子に関する。 Siなどの基板に対して、入射光の入射方向となる基板上に設けられ、基板における入射光の反射を調整する、基板上に形成される第１層と、第１層上に形成される第２層からなる反射率調整層が設けられる。第１層は、基板上に設けられる凹凸構造と、その凹凸構造上の凹部に充填される基板よりも低屈折率の材料とから構成され、第２層が、第１層の屈折率よりも低屈折率の材料とから構成される。薄膜の干渉の原理を応用することで、Siなどの基板の反射率を低減させることができる。本技術が、固体撮像素子に適用することができる。
摘要翻译：本技术涉及能够抑制宽波长带中的输入光的反射的固体摄像元件。公开了一种固态摄像元件，其中反射调节层设置在基板上，其由输入光的输入方向上的Si等形成，并且调节基板上的输入光反射，所述反射调节层由形成在所述基板上的第一层构成，以及形成在所述第一层上的第二层。第一层由设置在基板上的不规则结构和施加到不平坦结构的凹部而具有低于基板的反射率的材料构成，第二层由具有低于第一层的反射率的材料构成。通过施加薄膜的干涉原理，可以减少由Si等形成的衬底的反射率。本技术可以应用于固态摄像元件。

8. 发明申请

WO2016194653A1 撮像素子、電子機器、並びに、製造装置および方法审中-公开
标题翻译：成像元件，电子设备及制造装置及方法
公开(公告)号：WO2016194653A1
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：PCT/JP2016/065023
申请日：2016-05-20
申请人：ソニー株式会社
发明人：高橋　裕嗣
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/76 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/14 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L21/76 , H01L21/76224 , H01L21/8238 , H01L21/823878 , H01L27/092 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14689 , H04N5/369 , H04N5/378
摘要：本技術は、画素サイズの増大を抑制するとともに、画質の低減を抑制することができるようにする撮像素子、電子機器、並びに、製造装置および方法に関する。例えば、撮像素子において、入射光を光電変換する光電変換部を含む画素内においてトランジスタが形成される半導体層を貫通する、絶縁体で構成される素子分離領域を備えるようにする。また、例えば、電子機器において、入射光を光電変換する光電変換部を含む画素内においてトランジスタが形成される半導体層を貫通する、絶縁体で構成される素子分離領域を備える撮像部を備えるようにする。さらに、本技術は、撮像素子や電子機器だけでなく、例えば、本技術を適用した撮像素子や電子機器を製造する製造装置や製造方法にも適用することができる。
摘要翻译：本技术涉及一种成像元件，电子设备，制造装置和制造方法，其允许在最小化图像质量的劣化的同时防止像素尺寸的增加。例如，成像元件设置有包括绝缘体并穿过半导体层的元件分离区域，该半导体层包括在包括用于光电转换入射光的光电转换部件的像素中形成的晶体管。此外，例如，电子设备设置有成像部件，该成像部件包括包含绝缘体的元件分离区域，并穿过包括形成在包括用于光电转换入射光的光电转换部件的像素的晶体管的半导体层。本技术不仅可以应用于成像元件和电子装置，而且可以应用于例如应用本技术的成像元件和电子装置的制造装置和制造方法。

9. 发明申请

WO2016152577A1 固体撮像装置および電子機器审中-公开
标题翻译：固态成像装置和电子装置
公开(公告)号：WO2016152577A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/JP2016/057737
申请日：2016-03-11
申请人：ソニー株式会社
发明人：山岸　肇 , 田渕　清隆 , 岡本　正喜 , 大井上　昂志 , 石田　実 , 日田　聖大 , 山根　一陽
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/00 , H01L27/04 , H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/5225 , H01L23/552 , H01L27/00 , H01L27/04 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H04N5/3575 , H04N5/365 , H04N5/3765 , H04N5/378
摘要：　本技術は、画質を向上させることができるようにする固体撮像装置および電子機器に関する。固体撮像装置は、複数の画素が配列された画素領域と、第１の配線と、第２の配線と、シールド層とを備える。第２の配線は、第１の配線より下層に形成され、シールド層は、少なくとも第１の配線より下層に形成される。本技術は、例えばCMOSイメージセンサに適用することができる。
摘要翻译：本技术涉及能够提高图像质量的固态成像装置和电子装置。固态成像装置设置有排列有多个像素的像素区域，第一布线，第二布线和屏蔽层。第二布线形成在比形成第一布线的层低的层中，并且屏蔽层形成在比至少形成第一布线的层更低的层中。例如，本技术可应用于CMOS图像传感器。

10. 发明申请

WO2016118968A1 MULTI-JUNCTION PIXEL IMAGE SENSOR WITH DIELECTRIC REFLECTOR BETWEEN PHOTO DETECTION LAYERS 审中-公开
标题翻译：具有摄影检测层之间的电介质反射器的多功能像素图像传感器
公开(公告)号：WO2016118968A1
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：PCT/US2016/014784
申请日：2016-01-25
申请人： DARTMOUTH COLLEGE
发明人： ANZAGIRA, Leo , FOSSUM, Eric, R.
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14629 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645
摘要： Some embodiments provide a color image sensor and color image sampling method that uses multiple-layer pixels and is capable of producing color images without using absorption color filters (e.g., such as employed in conventional CFAs). In accordance with some embodiments of the color image sensor device and color image sampling method, frequency-dependent reflectors are incorporated between the photodetection layers of multiple-layer (e.g., two layer) pixels.
摘要翻译：一些实施例提供使用多层像素并且能够产生彩色图像而不使用吸收滤色器（例如，诸如常规CFA中使用的）的彩色图像传感器和彩色图像采样方法。根据彩色图像传感器装置和彩色图像采样方法的一些实施例，频率相关反射器被并入在多层（例如，两层）像素的光检测层之间。

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