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1. 发明申请

WO2019125535A1 COLOR FILTER ARRAYS FOR IMAGE SENSORS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019125535A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：PCT/US2018/049091
申请日：2018-08-31
申请人： GOOGLE LLC
发明人： ALAKUIJALA, Jyrki A. , SZABADKA, Zoltan
IPC分类号： H04N9/04 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14621 , H01L27/14609 , H01L27/14683 , H04N9/04557
摘要： Methods, systems, apparatus, including computer-readable media storing executable instructions, for color filter arrays for image sensors. In some implementations, an imaging device includes a color filter array arranged to filter incident light. The color filter array has a repeating pattern of color filter elements. The color filter elements include yellow filter elements, green filter elements, and blue filter elements. The imaging device includes an image sensor having photosensitive regions corresponding to the color filter elements. The photosensitive regions are configured to respectively generate electrical signals indicative of intensity of the color-filtered light at the photosensitive regions. The imaging device includes one or more processors configured to generate color image data based on the electrical signals from the photosensitive regions.

2. 发明申请

WO2018056586A1 METHOD AND ELECTRONIC DEVICE FOR DETECTING WAVELENGTH SPECTRUM OF INCIDENT LIGHT 审中-公开
标题翻译：用于检测入射光的波长谱的方法和电子设备
公开(公告)号：WO2018056586A1
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：PCT/KR2017/009028
申请日：2017-08-18
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人： PARK, Kyong Tae , LEE, Jeong Won , PARK, Jae Hyoung
IPC分类号： G01J3/427 , G02B3/00 , G01J1/44
CPC分类号： H04N9/735 , G01J3/0208 , G01J3/0229 , G01J3/2823 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H04N5/2256 , H04N5/3696 , H04N9/045 , H04N9/07
摘要： A method and electronic device for detecting a wavelength spectrum of incident light. The electronic device includes an image sensor including a pixel array, wherein the pixel array includes a unit pixel including a micro lens configured to focus incident light, and two or more photodetectors configured to output an electrical signal in response to the incident light; and a processor configured to detect a wavelength spectrum of the incident light based on output values from the two or more photodetectors.
摘要翻译：用于检测入射光的波长谱的方法和电子设备。所述电子设备包括：包括像素阵列的图像传感器，其中所述像素阵列包括单位像素，所述单位像素包括被配置为聚焦入射光的微透镜和被配置为响应于所述入射光输出电信号的两个或更多个光电检测器; 以及处理器，被配置为基于来自两个或更多个光电检测器的输出值来检测入射光的波长谱。

3. 发明申请

WO2017112370A1 SOLID STATE IMAGE SENSOR WITH EXTENDED SPECTRAL RESPONSE 审中-公开
标题翻译：具有扩展光谱响应的固态图像传感器
公开(公告)号：WO2017112370A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/US2016/064000
申请日：2016-11-29
申请人： QUALCOMM INCORPORATED
发明人： GOMA, Sergiu Radu , HSEIH, Biay-Cheng , GEORGIEV, Todor Georgiev
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14623 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14647 , H01L27/14652 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H04N5/332 , H04N5/369
摘要： Various embodiments are directed to an image sensor that includes a first sensor portion and a second sensor portion coupled to the first sensor portion. The second sensor portion may be positioned relative to the first sensor portion so that the second sensor portion may initially detect light entering the image sensor, and some of that light passes through the second sensor portion and is be detected by the first sensor portion. In some embodiments, the second sensor portion may be configured to have a thickness suitable for sensing visible light. The first sensor portion may be configured to have a thickness suitable for sensing IR or NIR light. As a result of the arrangement and structure of the second sensor portion and the first sensor portion, the image sensor captures substantially more light from the light source.
摘要翻译：各种实施例针对包括第一传感器部分和耦合到第一传感器部分的第二传感器部分的图像传感器。第二传感器部分可以相对于第一传感器部分定位，使得第二传感器部分可以初始地检测进入图像传感器的光，并且该光中的一些穿过第二传感器部分并且被第一传感器部分检测到。在一些实施例中，第二传感器部分可以被配置为具有适合于感测可见光的厚度。第一传感器部分可以被配置为具有适合于感测IR或NIR光的厚度。由于第二传感器部分和第一传感器部分的布置和结构，图像传感器捕获来自光源的明显更多的光。

4. 发明申请

WO2017101572A1 图像传感器及输出方法、相位对焦方法、成像装置和终端审中-公开
公开(公告)号：WO2017101572A1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：PCT/CN2016/101704
申请日：2016-10-10
申请人：广东欧珀移动通信有限公司
发明人：唐城
IPC分类号： H04N5/225
CPC分类号： H04N5/3696 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H04N5/225 , H04N5/347 , H04N5/378
摘要：本发明公开了一种图像传感器的像素信息输出方法，其中，图像传感器包括感光单元阵列、滤光阵列和微镜阵列，滤光阵列设置在感光单元阵列上，微镜阵列位于滤光阵列之上，每个微镜覆盖一个滤光单元和感光单元，每个感光单元包括多个感光像素，该方法包括以下步骤：根据模式选择指令确定输出模式；控制感光单元阵列曝光，并读取感光单元阵列的输出，其中，在选择第一输出模式时，控制同一感光单元的感光像素的像素信息合并输出。该方法，可以提高成像质量。本发明还公开了一种相位对焦方法、图像传感器、成像装置和终端。

5. 发明申请

WO2017101561A1 高动态范围图像的生成方法、拍照装置和终端、成像方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017101561A1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：PCT/CN2016/100883
申请日：2016-09-29
申请人：广东欧珀移动通信有限公司
发明人：李小朋
IPC分类号： H04N5/235 , H04N5/355
CPC分类号： H04N5/3535 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H04N5/2353 , H04N5/2355 , H04N5/347 , H04N5/35554 , H04N5/35563 , H04N5/374 , H04N5/378 , H04N9/045 , H04N2209/045
摘要：本发明公开了一种高动态范围图像的生成方法，该方法包括：提供图像传感器，其中，图像传感器包括像素阵列和设置在像素阵列上的滤光阵列，滤光阵列中的每个滤光单元覆盖像素阵列中的多个像素单元并构成像素结构单元；以及分别对每个像素结构单元内的像素单元进行曝光控制，其中，每个像素结构单元内的一部分像素单元以第一曝光时间曝光，剩余部分的像素单元以第二曝光时间曝光，第一曝光时间大于第二曝光时间。该方法可以提高HDR图像的质量。本发明还公开一种拍照装置和终端、成像方法。

6. 发明申请

WO2017047422A1 固体撮像素子、電子機器、及び、固体撮像素子の製造方法审中-公开
标题翻译：固态成像元件，电子器件及制造固态成像元件的方法
公开(公告)号：WO2017047422A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/JP2016/075936
申请日：2016-09-05
申请人：ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
发明人：井上　晋 , 寄門　雄飛 , 戸田　淳
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/1462 , H01L27/146 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N5/374
摘要：本技術は、アバランシェフォトダイオードの受光感度の低下を防止することができるようにする固体撮像素子、電子機器、及び、固体撮像素子の製造方法に関する。固体撮像素子は、それぞれ半導体基板の厚さ方向に延びる、第１の導電型の第１の領域、第１の導電型と異なる第２の導電型の第２の領域、及び、第１の領域と第２の領域に挟まれたアバランシェ領域を有するアバランシェフォトダイオードと、半導体基板の少なくとも一方の面に形成され、金属酸化膜、金属窒化膜、又は、金属酸化膜と金属窒化膜の混晶系の膜からなる膜とを備える。本技術は、例えば、ＣＭＯＳイメージセンサに適用することができる。
摘要翻译：本技术涉及：能够防止雪崩光电二极管的光接收灵敏度降低的固体摄像元件; 电子设备; 以及固体摄像元件的制造方法。该固态成像元件具有：雪崩光电二极管，其包含第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域，该第二区域分别沿着半导体衬底和夹在第一区域和第二区域之间的雪崩区域; 以及形成在半导体衬底的至少一个表面上的膜，并且由金属氧化物膜，金属氮化物膜或金属氧化物膜和金属氮化物膜的混合晶体膜形成。本技术例如可应用于CMOS图像传感器。

7. 发明申请

WO2017038403A1 積層体审中-公开
标题翻译：层状身体
公开(公告)号：WO2017038403A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/JP2016/073417
申请日：2016-08-09
申请人：ソニー株式会社
发明人：横山　孝司 , 梅林　拓
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/00 , H01L27/088 , H01L27/146
CPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/0886 , H01L27/101 , H01L27/1203 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L43/00
摘要：本技術の一実施形態の積層体は、複数のトランジスタと、第１の基板と、第１の基板と積層されると共に、電気的に接続されている第２の基板とを備えたものであり、複数のトランジスタのうちの最も電圧の低い第１の駆動電圧で駆動する第１のトランジスタは、第１の基板および第２の基板のうち、第１の基板のみに設けられて第１の回路を形成している。
摘要翻译：本技术的一个实施例的层叠体设置有与第一基板层叠并电连接的多个晶体管，第一基板和第二基板。在第一基板和第二基板之间仅在第一基板上设置以多个晶体管中的最低电压的第一驱动电压驱动的第一晶体管，从而形成第一电路。

8. 发明申请

WO2017004834A1 IMAGING METHOD, IMAGE SENSOR, AND IMAGING DEVICE 审中-公开
标题翻译：成像方法，图像传感器和成像装置
公开(公告)号：WO2017004834A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/CN2015/083689
申请日：2015-07-09
申请人： HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人： KOBAYASHI, Atsushi , LI, Juan
IPC分类号： H04N5/341 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/332 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H04N5/3456 , H04N5/37457 , H04N5/378
摘要： An imaging method, an image sensor and an imaging device (100) are disclosed. The image sensor (110) includes: a filter array (210), a reading circuit (230), a controller (220), a converter (240) and an image output interface (250), the controller (220) is coupled to the reading circuit (230), the converter (240) and the image output interface (250), wherein the filter array (210) comprises a plurality of color filter array patterns, each color filter array pattern comprises multiple-color filters (111) and at least one infrared (IR) filter (112); the multiple-color filters (111) are configured to capture visible rays; the IR filters (112) are configured to capture IR rays; the reading circuit (230) is configured to read out IR signals from the IR filters (112) only or read out IR signals from the IR filters (112) and multiple-color signals from a part of the multiple-color filters (111) under control of the controller (220); the converter (240) is configured to convert the IR signals into IR digital signals under the control of the controller (220); the image output interface (250) is configured to output the IR digital signals under the control of the controller (220).
摘要翻译：公开了一种成像方法，图像传感器和成像装置（100）。图像传感器（110）包括：滤波器阵列（210），读取电路（230），控制器（220），转换器（240）和图像输出接口（250），所述控制器读取电路（230），转换器（240）和图像输出接口（250），其中滤波器阵列（210）包括多个滤色器阵列图案，每个滤色器阵列图案包括多色滤色器（111）和至少一个红外（IR）滤光器（112）; 所述多色滤光片（111）被构造成捕获可见光线; IR滤光器（112）被配置成捕获IR光线; 读取电路（230）被配置为仅从IR滤波器（112）读出IR信号或从IR滤波器（112）读出IR信号和来自多个滤色器（111）的一部分的多色信号，在控制器（220）的控制下; 所述转换器（240）被配置为在所述控制器（220）的控制下将所述IR信号转换为IR数字信号; 图像输出接口（250）被配置为在控制器（220）的控制下输出IR数字信号。

9. 发明申请

WO2016189792A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS 审中-公开
标题翻译：半导体器件和电子设备
公开(公告)号：WO2016189792A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/JP2016/002000
申请日：2016-04-13
申请人： SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
发明人： OTAKE, Yusuke , WAKANO, Toshifumi
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/307 , H01L23/481 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14667 , H01L27/281 , H01L27/286 , H01L51/441
摘要： A semiconductor device includes a plurality of pixels arranged in a two-dimensional array, each pixel of the plurality of pixels including a photoelectric conversion film configured to photoelectrically convert light of a first wavelength and pass light of a second wavelength, and a photoelectric conversion unit configured to photoelectrically convert the light of the second wavelength. The semiconductor device may further include a charge storage unit configured to store charge received from the photoelectric conversion unit of each pixel in a pixel group, wherein the pixel group includes adjacent pixels among the plurality of pixels, a plurality of through electrodes, and a wiring layer coupled to the photoelectric conversion film of each pixel of the plurality of pixels by at least one through electrode of the plurality of through electrodes. The present technology can be applied to a solid-state imaging element.
摘要翻译：半导体器件包括以二维阵列排列的多个像素，所述多个像素中的每个像素包括被配置为对第一波长的光进行光电转换并通过第二波长的光的光电转换膜，以及光电转换单元被配置为光电转换第二波长的光。半导体器件还可以包括电荷存储单元，其被配置为存储从像素组中的每个像素的光电转换单元接收的电荷，其中所述像素组包括所述多个像素中的相邻像素，多个通孔和布线层通过所述多个通孔的至少一个贯通电极耦合到所述多个像素中的每个像素的所述光电转换膜。本技术可以应用于固态成像元件。

10. 发明申请

WO2016189789A1 撮像素子审中-公开
标题翻译：图像拾取元件
公开(公告)号：WO2016189789A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/JP2016/001902
申请日：2016-04-05
申请人：ソニー株式会社
发明人：瀧口　望 , 今泉　伸治
IPC分类号： H01L27/14 , G02B5/20 , G02B5/22 , G02B5/28 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14621 , G02B5/208 , G02B5/223 , G02B13/001 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H04N9/045
摘要：【課題】撮像性能を低下させることなく撮像光学系の薄型化が可能であり、かつ耐久性に優れた撮像素子を提供すること。【解決手段】本技術に係る撮像素子は、オンチップレンズと、低屈折率層と、赤外吸収層とを具備する。オンチップレンズは、高屈折率材料からなる。低屈折率層は、上記オンチップレンズ上に平坦に形成され、低屈折率材料からなる。赤外吸収層は、少なくとも一種の有機系赤外吸収色素と、ガラス転移温度が１００℃以上のバインダー樹脂とを含み、赤外吸収色素の濃度が１５ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下である赤外吸収材料からなり、低屈折率層よりも上層に積層されている。
摘要翻译：为了提供一种图像拾取元件，由此可以在不降低图像拾取性能的情况下降低图像拾取光学系统的厚度，所述图像拾取元件具有优异的耐久性。本发明的图像拾取元件设置有片上透镜，低折射率层和红外线吸收层。片上透镜由高折射率材料形成。低折射率层平坦地形成在片上透镜上，并且由低折射率材料形成。红外线吸收层由含有至少一种有机红外线吸收染料的红外吸收材料和玻璃化转变温度等于或高于100℃的粘合剂树脂形成，并且具有红外吸收染料浓度为15-50重量％，所述红外线吸收层形成在低折射率层的上方。

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