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1. 发明申请

WO2019077358A1 SEMICONDUCTOR DOPING PROCESS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019077358A1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：PCT/GB2018/053014
申请日：2018-10-18
申请人： OXFORD UNIVERSITY INNOVATION LIMITED
发明人： SNAITH, Henry James , NAYAK, Pabitra Kumar , SAKAI, Nobuya
IPC分类号： H01L51/46 , H01L51/54
CPC分类号： H01L51/002 , H01L51/4246 , H01L51/506 , H01L2251/5346
摘要： The present invention relates to a process for producing a doped organic semiconductor, which process comprises treating an organic semiconductor with (i) a compound comprising a sulfoxide group and (ii) an activator. The present invention also relates to a composition comprising: (i) a compound comprising a sulfoxide group;(ii) an acid of formula HX, where X is an anion selected from Br -, C1 - , I - , F - , CH 3 COO - , HCOO - , CF 3 COO - , C 10 H 14 SO 4 - (camphorsulfonate), (CF 3 SO 2 ) 2 N - , HSO 4 - , NO 3 - and H 2 PO 4 - ; and (iii) an organic semiconductor.

2. 发明申请

WO2018032351A1 THICK-FILM PASTE FOR FRONT-SIDE METALLIZATION IN SILICON SOLAR CELLS 审中-公开
标题翻译：用于硅太阳电池前侧金属化的厚膜粘贴
公开(公告)号：WO2018032351A1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：PCT/CN2016/095508
申请日：2016-08-16
申请人： ZHEJIANG KAIYING NEW MATERIALS CO., LTD.
发明人： HILALI, Mohamed M. , WEI, Jifeng
IPC分类号： H01B1/22 , C03C12/00
CPC分类号： C03C8/10 , C03C3/122 , C03C4/04 , C03C8/16 , C03C8/18 , C03C8/24 , H01B1/02 , H01B1/22 , H01L31/022425 , H01L31/0264 , H01L51/002 , H01L51/441 , Y02E10/549
摘要： Frontside metallization pastes for solar cell electrodes prepared from glass frit containing rare earth metals such as lanthanum and yttrium are disclosed. Electrodes prepared from the metallization pastes exhibit improved adhesion, reliability, and excellent electrical properties.
摘要翻译：公开了由含有稀土金属如镧和钇的玻璃料制备的用于太阳能电池电极的正面金属化浆料。由金属化浆料制备的电极表现出改善的粘附性，可靠性和优异的电性能。

3. 发明申请

WO2017081159A1 PROCESS FOR MAKING A METAL CONTAINING LAYER 审中-公开
标题翻译：制造含金属层的方法
公开(公告)号：WO2017081159A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/EP2016/077278
申请日：2016-11-10
申请人： NOVALED GMBH
发明人： KALISZ, Tomas , CARDINALI, Francois , GANIER, Jerome , GÖLFERT, Uwe , JANKUS, Vygintas , ROTHE, Carsten , SCHULZE, Benjamin , WILLMANN, Steffen
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/12 , C23C14/14 , C23C14/24 , C22C24/00 , H01L51/54
CPC分类号： H01L51/5076 , C22C24/00 , C23C14/12 , C23C14/14 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/5092 , Y02E10/549
摘要： Process for preparing a metal containing layer, the process comprising (i) at least one step of co-vaporization, at a pressure which is lower than 10 -2 Pa, of a) at least one first metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs and b) at least one second metal selected Mg, Zn, Hg, Cd and Te from a metal alloy provided in a first vaporization source which is heated to a temperature between 100 °C and 600 °C, and (ii) at least one subsequent step of deposition of the first metal on a surface having a temperature which is below the temperature of the first vaporization source, wherein in step (i), the alloy is provided at least partly in form of a homogeneous phase comprising the first metal and the second metal, electronic devices comprising such materials and process for preparing the same.
摘要翻译：制备含金属层的方法，该方法包括（i）至少一个在低于10 -2 Pa的压力下共汽化的步骤， a）选自Li，Na，K，Rb和Cs中的至少一种第一金属和b）至少一种第二金属，所述第二金属选自Mg，Zn，Hg，Cd和Te，所述第二金属来自设置在被加热的第一蒸发源中的金属合金（ii）在温度低于第一蒸发源温度的表面上沉积第一金属的至少一个后续步骤，其中在步骤（c）中， i）中，至少部分地以包含第一金属和第二金属的均相的形式提供合金，包含这样的材料的电子器件以及用于制备该材料的工艺。

4. 发明申请

WO2017033482A1 カーボンナノチューブ集合体、カーボンナノチューブ複合材料及びカーボンナノチューブ線材审中-公开
标题翻译：碳纳米管，碳纳米管复合材料和碳纳米管的聚集
公开(公告)号：WO2017033482A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/JP2016/057538
申请日：2016-03-10
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：渡邊　雅重 , 會澤　英樹 , 三好　一富 , 山下　智 , 風間　吉則 , 谷村　雄大 , 藤村　幸司 , 遠藤　守信 , 竹内　健司 , 藤重　雅嗣
IPC分类号： C01B31/02 , H01B1/04
CPC分类号： C01B32/16 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01B1/04 , H01L51/002 , H01L51/0048
摘要：従来のカーボンナノチューブ線材と比較して更なる低抵抗化を実現すると共に、銅やアルミニウムと同等の抵抗率を実現することができ、電気的特性を大幅に向上させたカーボンナノチューブ集合体を提供する。　ＣＮＴ集合体（１）は、１層以上の層構造を有する複数のＣＮＴの束（１１），（１１），・・・で構成されている。ＣＮＴの束１１は、複数のＣＮＴ（１１ａ），（１１ａ），・・・が纏められた束状体である。ＣＮＴ集合体（１１）において、複数のＣＮＴ（１１ａ），（１１ａ），・・・の個数に対する、２層構造又は３層構造を有するＣＮＴの個数の和の比率が７５％以上であり、且つ、ラマン分光法におけるラマンスペクトルのＧバンドに由来するピークのうち、半導体性のＣＮＴに由来するＧ＋／Ｇtotal比が０．７０以上である。
摘要翻译：提供了与常规碳纳米管线相比可以实现更低电阻的碳纳米管的聚集体，并且可以实现与铜和铝的电阻率相当的电阻，因此碳纳米管的聚集体具有显着改善的电特性。 CNT（1）的聚集体由多个碳纳米管（11），（11）...构成，CNT具有至少一层的层结构。 CNT束11是组合多个CNT（11a），（11a）的束。在CNT（11）的集合体中，具有两层结构或三层结构的CNT的数量的百分比，相对于多个CNT（11a），（11a）...的数量的层结构为75％以上，源自拉曼的G带中的来自半导体CNT的比例G + / G 通过拉曼光谱获得的光谱是0.70以上。

5. 发明申请

WO2016082357A1 叠层有机电致发光器件及其制作方法和显示装置审中-公开
公开(公告)号：WO2016082357A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/CN2015/073104
申请日：2015-02-15
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：毕文涛 , 焦志强
IPC分类号： H01L51/56 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5008 , H01L27/3209 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0046 , H01L51/005 , H01L51/0055 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/5278 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/5346 , H01L2251/558
摘要：一种叠层有机电致发光器件及其制作方法、以及包括叠层有机电致发光器件的显示装置，减少了叠层有机电致发光器件的层数，提高了发光效率。其中，叠层有机电致发光器件包括用于连接相邻两个发光单元（200 1 、400 1 ）的连接层；其包括依次连接的下子连接层（301 2 ）和上子连接层（301 1 ），至少一层子连接层为梯度掺杂连接层。

6. 发明申请

WO2016010332A1 도펀트의 선택적 인쇄에 따른 트랜지스터 제조방법 审中-公开
标题翻译：根据选择性印刷制造晶体管的方法
公开(公告)号：WO2016010332A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/KR2015/007283
申请日：2015-07-14
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 노용영
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/002 , H01L21/041 , H01L21/38 , H01L29/1606 , H01L29/227 , H01L29/24 , H01L29/66045 , H01L29/66969 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L51/0005 , H01L51/0541 , H01L51/0558
摘要： 본 발명은 도펀트의 선택적 인쇄에 따른 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로 트랜지스터의 제조를 위해 기판 상에 반도체층을 형성하며, 상기 반도체층상에 도펀트를 형성하되, 상기 도펀트의 형성은 잉크젯 프린팅을 이용하여 n형 도펀트 또는 p형 도펀트를 선택적으로 인쇄하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及根据掺杂剂的选择性印刷制造晶体管的方法。本发明提供一种晶体管制造方法，其特征在于，在基板上形成半导体层，为了制造晶体管，在半导体层上形成掺杂剂，通过选择性地印刷n型掺杂剂或使用喷墨印刷的p型掺杂剂。

7. 发明申请

WO2013081853A3 DOPING CARBON NANOTUBES AND GRAPHENE FOR IMPROVING ELECTRONIC MOBILITY 审中-公开
标题翻译：用于改善电子移动性的碳纳米管和石墨
公开(公告)号：WO2013081853A3
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：PCT/US2012065497
申请日：2012-11-16
申请人： IBM
发明人： AFZALI-ARDAKANI ALI , BHUPESH CHANDRA , TULEVSKI GEORGE S
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L29/778 , B82Y10/00 , H01L29/1606 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/0558
摘要： A method and an apparatus for doping a graphene or nanotube thin-film fieldeffect transistor device to improve electronic mobility. The method includes selectively applying a dopant to a channel region of a graphene or nanotube thin-film field-effect transistor device to improve electronic mobility of the field-effect transistor device. An apparatus that includes a graphene or nanotube thin-film field-effect transistor device fabricated on a substrate with an exposed channel region, wherein the channel region is doped with a dopant to improve electronic mobility, and contact metal disposed over the doped channel region of the graphene or nanotube thin-film field-effect transistor device.
摘要翻译：一种用于掺杂石墨烯或纳米管薄膜场效应晶体管器件以改善电子迁移率的方法和装置。该方法包括选择性地将掺杂剂施加到石墨烯或纳米管薄膜场效应晶体管器件的沟道区域，以改善场效应晶体管器件的电子迁移率。一种装置，其包括在具有暴露沟道区的衬底上制造的石墨烯或纳米管薄膜场效应晶体管器件，其中所述沟道区域掺杂有掺杂剂以改善电子迁移率，以及设置在掺杂沟道区域上的接触金属石墨烯或纳米管薄膜场效应晶体管器件。

8. 发明申请

WO2015077792A1 ELECTRONIC DEVICES WITH ORGANIC NANOPARTICLES 审中-公开
标题翻译：具有有机纳米粒子的电子器件
公开(公告)号：WO2015077792A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/US2014/067480
申请日：2014-11-25
申请人： GEORGETOWN UNIVERSITY
发明人： VAN KEUREN, Edward , BURTON, George
IPC分类号： H01L51/05 , H01L21/283
CPC分类号： H01L51/5296 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/0068 , H01L51/0566 , H01L51/5012 , H01L51/56
摘要： The present disclosure relates to organic charge transfer complexes for use in organic electronic devices, such as organic field effect transistors. In one representative embodiment, an organic field effect transistor comprises a semiconductor substrate having an insulating layer and a source electrode and a drain electrode located on the insulating layer, where the source electrode and drain electrode are spaced apart and define a channel region. The organic field effect transistor also comprises an organic semiconductor located in the channel region.
摘要翻译：本公开涉及用于有机电子器件（例如有机场效应晶体管）中的有机电荷转移复合物。在一个代表性实施例中，有机场效应晶体管包括具有绝缘层的半导体衬底，位于绝缘层上的源电极和漏电极，源电极和漏电极间隔开并限定沟道区。有机场效应晶体管还包括位于沟道区中的有机半导体。

9. 发明申请

WO2015049624A1 AMINE PRECURSORS FOR DEPOSITING GRAPHENE 审中-公开
标题翻译：用于沉积石墨的胺前体
公开(公告)号：WO2015049624A1
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：PCT/IB2014/064919
申请日：2014-09-29
申请人： BASF SE , BASF (CHINA) COMPANY LIMITED , MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.
发明人： SCHWAB, Matthias Georg , MÜLLEN, Klaus , SACHDEV, Hermann , ITO, Yoshikazu
IPC分类号： C07C211/03 , C07C211/08 , C07C211/09 , C23C16/36 , C01B31/04
CPC分类号： H01L51/0002 , C01B32/186 , C23C16/26 , C23C16/30 , H01L51/002 , H01L51/003 , H01L51/0045 , H01L51/0558 , H01L51/42 , H01L51/50
摘要： The present invention relates to the use of an amine precursor of formula I (X 1 -R 1 ) n -NH (3-n) (I) or its ammonium salts for depositing a graphene film having a nitrogen content of from 0 to 65% by weight on a substrate S1 by chemical vapor deposition (CVD), wherein R 1 is selected from (a) C 1 to C 10 alkanediyl, which may all optionally be interrupted by at least one of O, NH and NR 2 , (b) alkenediyl, which may all optionally be interrupted by at least one of O, NH and NR 2 , (c) alkynediyl, which may all optionally be interrupted by at least one of O, NH and NR 2 , (d) C 6 to C 20 aromatic divalent moiety, and (e) CO and CH 2 CO, X 1 is selected from H, OH, OR 2 , NH 2 , NHR 2 , or NR 2 2 , wherein two groups X 1 may together form a bivalent group X 2 being selected from a chemical bond, O, NH, or NR 2 , R 2 is selected from C 1 to C 10 alkyl and a C 6 to C 20 aromatic moiety which may optionally be substituted by one or more substituents X 1 , n is 1, 2, or 3.
摘要翻译：本发明涉及式I（X 1 -R 1）n -NH（3-n）（I）的胺前体或其铵盐用于通过以下方式沉积氮含量为0至65％的石墨烯膜的用途：通过化学气相沉积（CVD）在基底S1上的重量，其中R1选自（a）C1至C10链烷二基，其可全部任选地被O，NH和NR2中的至少一个中断，（b）亚烯二基，其可以全部可选地被O，NH和NR2中的至少一个中断，（c）炔二基，其全部可选地被O，NH和NR2，（d）C6〜C20芳族二价部分中的至少一个中断，（e ）CO和CH 2 CO，X 1选自H，OH，OR 2，NH 2，NHR 2或NR 2 2，其中两个基团X 1可以一起形成二价基团X 2，其选自化学键，O，NH或NR 2，R 2 选自C1至C10烷基和可任选被一个或多个取代基X1取代的C 6至C 20芳族部分，n为1,2或3。

10. 发明申请

WO2014191767A1 ORGANIC SEMICONDUCTOR DOPING PROCESS 审中-公开
标题翻译：有机半导体掺杂工艺
公开(公告)号：WO2014191767A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/GB2014/051664
申请日：2014-05-30
申请人： ISIS INNOVATION LIMITED
发明人： SNAITH, Henry , LEIJTENS, Tomas , ABATE, Antonio , SELLINGER, Alan
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/42 , H01G9/20
CPC分类号： H01L51/002 , H01G9/0029 , H01G9/2013 , H01G9/2027 , H01G9/2059 , H01L51/0032 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/005 , H01L51/0056 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/4226 , H01L2251/305 , Y02E10/542 , Y02E10/549
摘要： The present invention relates to the doping of organic semiconductors and processes for producing layers of p-doped organic semiconductors. Disclosed is a process for p-doping organic semiconductors comprising treating the organic semiconductor with an oxidised salt of the organic semiconductor. A process for producing a layer of a p-doped organic semiconductor comprising producing a p-doped organic semiconductor by treating the organic semiconductor with an oxidised salt of the organic semiconductor; disposing a composition comprising a solvent and the p-doped organic semiconductor on a substrate; and removing the solvent is also described. Also disclosed is a process for producing a layer of a p-doped organic semiconductor comprising: disposing a composition comprising a solvent, the organic semiconductor and a protic ionic liquid on a substrate; and removing the solvent. A process for producing a semiconductor device comprising a process for doping an organic semiconductor according to the invention is also described. Finally, a high purity p-dopant composition is described.
摘要翻译：本发明涉及有机半导体的掺杂和用于生产p掺杂的有机半导体层的工艺。公开了一种p掺杂有机半导体的方法，包括用有机半导体的氧化盐处理有机半导体。一种制造p掺杂有机半导体层的方法，包括通过用有机半导体的氧化盐处理有机半导体来生产p掺杂的有机半导体; 将包含溶剂和p掺杂的有机半导体的组合物设置在基板上; 还描述了除去溶剂。还公开了一种用于制造p掺杂有机半导体层的方法，包括：将包含溶剂，有机半导体和质子离子液体的组合物设置在基板上; 并除去溶剂。还描述了一种用于制造包括根据本发明的用于掺杂有机半导体的工艺的半导体器件的工艺。最后，描述了高纯度p-掺杂剂组合物。

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