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单体单元

阅读：372发布：2020-05-11

IPRDB可以提供单体单元专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明涉及单体单元。提供一种在配置于通风方向下游以及上游的IGBT单元之间配置单体旁通用IGBT，能够不使冷却性能降低地减少电感的单体单元。是具有多个IGBT模块和单体旁通单元的风冷单体单元，在通风方向下游侧配置第1相用的IGBT模块，在通风方向上游侧配置第2相的IBT模块，上述单体旁通单元被配置在第1相与第2相用的IGBT模块间，将上述第1相用的IGBT模块的输出与单体旁通单元的输入、以及上述第2相用的IGBT模块的输出与单体旁通单元的输出配置为相对来缩短布线长、降低电感且实现小型化。，下面是单体单元专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种单体单元，是构成大容量逆变器的单相输出的单体单元，其特征在于，具有：构成第1相的IGBT单元；

构成第2相的IGBT单元；以及

使上述单体单元的输出短路的单体旁通单元，

在一个风冷散热器上紧密固定有构成上述构成第1相的IGBT单元的IGBT模块、构成上述构成第2相的IGBT单元的IGBT模块、以及构成上述单体旁通单元的IGBT模块，上述单体旁通单元被配置在上述构成第1相的IGBT单元与上述构成第2相的IGBT单元之间，上述构成第1相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第1端子配置成相对，上述构成第2相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第2端子配置成相对，将上述构成第1相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第1端子通过母线连接，将上述构成第2相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第2端子通过母线连接，在一个风冷散热器上紧密固定有上述构成第1相的IGBT单元、上述构成第2相的IGBT单元以及上述单体旁通单元，上述单体单元具备切换机构，该切换机构在上述单体单元通常运转时和上述构成第1相的IGBT单元或者上述构成第2相的IGBT单元故障时，对构成上述单体旁通单元的单体旁通用IGBT的使用模式进行切换，在通常运转时，上述切换机构通过使构成上述单体旁通单元的单体旁通用IGBT的栅极成为截止状态，从而使上述构成第1相的IGBT单元以及上述构成第2相的IGBT单元的输出电压成为该单体单元的输出电压，在上述构成第1相的IGBT单元或者上述构成第2相的IGBT单元故障时，通过使上述构成第1相的IGBT单元以及上述构成第2相的IGBT单元的全部栅极成为截止状态、并使构成上述单体旁通单元的单体旁通用IGBT的栅极成为导通状态，从而使上述单体单元的输出成为短路状态，从通风方向上游方向朝向下游方向按顺序配置上述构成第2相的IGBT单元，配置上述单体旁通单元，配置上述构成第1相的IGBT单元。

2.一种单体单元，是构成大容量逆变器的单相输出的单体单元，其特征在于，具有：构成第1相的IGBT单元；

构成第2相的IGBT单元；以及

使上述单体单元的输出短路的单体旁通单元，

在一个风冷散热器上紧密固定有构成上述构成第1相的IGBT单元的IGBT模块、构成上述构成第2相的IGBT单元的IGBT模块、以及构成上述单体旁通单元的IGBT模块，上述单体旁通单元被配置在上述构成第1相的IGBT单元与上述构成第2相的IGBT单元之间，上述构成第1相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第1端子配置成相对，上述构成第2相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第2端子配置成相对，将上述构成第1相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第1端子通过母线连接，将上述构成第2相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第2端子通过母线连接，在一个风冷散热器上紧密固定有上述构成第1相的IGBT单元、上述构成第2相的IGBT单元以及上述单体旁通单元，上述单体单元具备切换机构，该切换机构在上述单体单元通常运转时和上述构成第1相的IGBT单元或者上述构成第2相的IGBT单元故障时，对构成上述单体旁通单元的单体旁通用IGBT的使用模式进行切换，在通常运转时，上述切换机构通过使构成上述单体旁通单元的单体旁通用IGBT的栅极成为截止状态，从而使上述构成第1相的IGBT单元以及上述构成第2相的IGBT单元的输出电压成为该单体单元的输出电压，在上述构成第1相的IGBT单元或者上述构成第2相的IGBT单元故障时，通过使上述构成第1相的IGBT单元以及上述构成第2相的IGBT单元的全部栅极成为截止状态、并使构成上述单体旁通单元的单体旁通用IGBT的栅极成为导通状态，从而使上述单体单元的输出成为短路状态，在一个风冷散热器上紧密固定有构成上述构成第1相的IGBT单元的IGBT模块、构成上述构成第2相的IGBT单元的IGBT模块、构成上述单体旁通单元的IGBT模块、以及构成整流二极管部的二极管模块，从通风方向上游方向朝向下游方向按顺序配置上述整流二极管部，配置上述构成第2相的IGBT单元，配置上述单体旁通单元，配置上述构成第1相的IGBT单元。

说明书全文

单体单元

技术领域

[0001] 本发明的实施方式涉及在构成大容量逆变器的主电路具备单体旁通单元部的单体单元。

背景技术

[0002] 大容量逆变器有时将被称为单体单元(cell unit)的单相逆变器多个串联连接而构成。在这样的大容量逆变器所使用的单体单元内，多个IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)被作为开关元件而使用。

[0003] 在因构成某一单体单元的IGBT的直流短路等引起的故障时，要求利用某些短路机构使构成大容量逆变器的发生了故障的单体单元的输出短路，绕过故障的单体单元，由此进行大容量逆变器的连续运转。这样的短路机构的单元被称为单体旁通单元。单体旁通单元有时由IGBT构成。

[0004] 图5是构成大容量逆变器的以往型单体单元300(以下称为单体单元300。)的一个例子。图示的单体单元300具有整流二极管部110、平滑电容器部120、IGBT单元部130、散热器140B以及单体旁通单元部200等而构成。

[0005] IGBT单元部130由包括第1IGBT模块IGBTU1、第2IGBT模块IGBTU2、第3IGBT模块IGBTU3以及第4IGBT模块IGBT4的四个IGBT模块构成。各IGBT模块是2个IGBT串联连接，将其连接点作为该IGBT模块的输出，并且具备与各个IGBT逆并联连接的二极管的所谓的2IN1模块。其中，以下省略该二极管的说明。

[0006] 第1IGBT模块IGBTU1与第2IGBT模块IGBTU2并联连接而构成单体单元300的单相输出的第1相，被配置在通风方向(图示“风向”的方向)下游侧，第3IGBT模块IGBTU3与第4IGBT模块IGBTU4并联连接而构成单体单元300的单相输出的第2相，被配置在通风方向上游侧。

[0007] 单体旁通单元部200由包括第1旁通用IGBT模块IGBT1以及第2旁通用IGBT模块IGBT2的2个单体旁通用IGBT模块构成。其中，第1旁通用IGBT模块IGBT1以及第2旁通用IGBT模块IGBT2是所谓的1IN1模块并具备在各自的封装内与IGBT逆并联连接的二极管，以下省略其说明。

[0008] 对第1旁通用IGBT模块IGBT1以及第2旁通用IGBT模块IGBT2而言，两者的发射极连接。第1旁通用IBGT模块IGBT1的集电极与单体单元300的单相输出的第1相输出、即第1IGBT模块IGBTU1的输出和第2IGBT模块IGBTU2的输出连接。第2旁通用IBGT模块IGBT2的集电极与单体单元300的单相输出的第2相输出、即第3IGBT模块IGBTU3的输出和第4IGBT模块IGBTU4的输出连接。在配置于通风方向下游侧的第1IGBT模块IGBTU1以及第2IGBT模块IGBTU2的更靠通风方向下游侧配置有第1旁通用IGBT模块IGBT1和第2旁通用IGBT模块IGBT2。

[0009] 在散热器140B紧密固定有整流二极管部110、IGBT单元部130以及单体旁通单元部200。

[0010] 此外，公知有在电力变换装置由多个可变频率变换单元(逆变器)构成的情况下当该逆变器发生了故障时，通过剩余单元来实现运转条件的最佳化的方法(例如，参照专利文献1。)；在由2台控制装置控制1台电力变换器的情况下，当一个控制装置检测出异常时以另一个控制装置切换而继续连续运转的方法(例如，参照专利文献2)。

[0011] 【专利文献1】日本特开平9－275699号公报

[0012] 【专利文献2】日本特开2011－41404号公报

[0013] 在这样的散热器140B中，整流二极管部110、IGBT单元部130以及单体旁通单元部200为发热源，在发热源密集的情况下，存在发热源间的扇动的影响而等效地针对构成整流二极管部110、IGBT单元部130等的半导体的热阻上升这一问题。鉴于此，在以往的单体单元
300中，将IGBT单元部130二分割而在第1IGBT模块IGBTU1以及第2IGBT模块IGBTU2、与第
3IGBT模块IGBTU3以及第4IGBT模块IGBTU4之间为了避免发热源的集中而设置了规定的间隙。而且，在设置单体旁通单元部100的情况下，总是将没有发热的第1旁通用IGBT模块IGBT1和第2旁通用IGBT模块IGBT2配置在通风方向最下游。因该旁通用IGBT模块IGBT两个追加引起的元件冷却、向单体旁通用IGBT的布线路径(电感增大)成为课题。另外，与没有单体旁通单元部200的单体单元相比，存在散热器140B的形状变大这一课题。

发明内容

[0014] 本发明是为了解决上述的课题而提出的，其目的在于，提供一种通过缩短IGBT单元部130与单体旁通单元部200间的布线，能够降低电感，并且能够应用即使存在单体旁通单元也与不存在单体旁通单元的单体单元相同程度的尺寸的散热器(heat sink)的单体单元。

[0015] 为了上述目的，本发明的技术方案1记载的单体单元是构成大容量逆变器的单相输出的单体单元，其特征在于，具有：构成第1相的IGBT单元、构成第2相的IGBT单元、以及使上述单体单元的输出短路的单体旁通单元，在一个风冷散热器上紧密固定有对上述构成第1相的IGBT单元进行构成的IGBT模块、对上述构成第2相的IGBT单元进行构成的IGBT模块、以及构成上述单体旁通单元的IGBT模块，上述单体旁通单元被配置在上述构成第1相的IGBT单元与上述构成第2相的IGBT单元之间，上述构成第1相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第1端子配置成相对，上述构成第2相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第2端子配置成相对，将上述构成第1相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第1端子通过母线连接，将上述构成第2相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第2端子通过母线连接。

[0016] 根据该发明，可提供一种能够缩短构成第1相的IGBT单元以及构成第2相的IGBT单元与单体旁通用IGBT间的布线、可降低电感、并且即使存在单体旁通单元也能够应用与不存在单体旁通单元的单体单元相同程度的小型的散热器的单体单元。

附图说明

[0017] 图1是实施例1涉及的构成大容量逆变器的单体单元100的配置图的一个例子。

[0018] 图2是图1涉及的单体单元100的电路图。

[0019] 图3是实施例1涉及的本发明实施前的单体单元100的立体图以及主视图。

[0020] 图4是在实施例1涉及的单体单元100使用了单体旁通单元部200的情况的立体图以及主视图。

[0021] 图5是构成大容量逆变器的以往型单体单元300B的一个例子。

[0022] 附图标记说明：

[0023] DR、DS、DT-整流二极管，CF1～CF10-平滑电容器，IGBTU1-第1IGBT模块，IGBTU2-第2IGBT模块，IGBTU3-第3IGBT模块，IGBTU4-第4IGBT模块，A、B-输出端子，100-单体单元，
110-整流二极管部，120-平滑电容器部，130-IGBT单元部，131、132、134、135-母线，151、
152-母线，140、140B-散热器，200-单体旁通单元，IGBT1-第1旁通用IGBT模块，IGBT2-第2旁通用IGBT模块，201、202-母线，300-以往型单体单元。

具体实施方式

[0024] 以下，参照附图对本发明的实施例进行说明。

[0025] 【实施例1】

[0026] 图1是实施例1涉及的构成大容量逆变器的单相输出的单体单元100的配置图的一个例子。其中，与第5图的各部相同的部分表示相同的附图标记而省略说明。

[0027] 图示的单体单元100是以下部为底面的箱状的立体，并由未图示的通风机构形成了从前面朝向后面用图示箭头表示的风向。

[0028] 单体单元100具有散热器140、整流二极管部110、IGBT单元部130、单体旁通单元部200以及平滑电容器部120等而构成。

[0029] 在散热器140紧密接合有构成整流二极管部110、IGBT单元部130、单体旁通单元部200的半导体模块。散热器140对上述元件产生的热进行吸收，并散热到单体单元100内空气中。释放出的热被沿着上述的图示箭头方向流动的风冷却。即，散热器140是风冷散热器。散热器140具有平的半导体安装面，在该部分对散热器140紧密接合构成整流二极管部110、IGBT单元部130、单体旁通单元部200的半导体模块。散热器140的与半导体安装面相对的面构成冷却扇，风流向该部分，散热器被高效地冷却。

[0030] 图示的整流二极管部110例如由用于将从图2所示的R相、S相、T相供给的3相交流电压生成为直流电压的整流二极管DR、DS、DT构成。生成的直流电压被向本实施例涉及的单体单元100供给。

[0031] IGBT单元部130由在通风方向(图示“风向”的方向)下游侧配置的构成单体单元100的单相输出的第1相的第1IGBT模块IGBTU1以及第2IGBT模块IGBTU2、和在通风方向上游侧配置的构成单体单元100的单相输出的第2相的第3IGBT模块IGBTU3以及第4IGBT模块IGBTU4构成，并具有规定的间隔地配置。对该配置而言，第1IGBT模块IGBTU1以及第2IGBT模块IGBTU2、和第3IGBT模块IGBTU3以及第4IGBT模块IGBTU4是为了相互不受热的影响的距离，与图5所示的单体单元300中的第1至第4IGBT模块IGBTU1～IGBTU4的配置位置相同。

[0032] 此外，IGBT单元部130的构成根据逆变器的容量、用途而存在构成IGBT单元部130的IGBT模块的结构不同的情况。

[0033] 单体旁通单元部200由第1旁通用IGBT模块IGBT1和第2旁通用IGBT模块IGBT2构成，被配置在构成单体单元100的单相输出的第1相的第1IGBT模块IGBTU1以及第2IGBT模块IGBTU2、与构成单体单元100的单相输出的第2相的第3IGBT模块IGBTU3以及第4IGBT模块IGBTU4之间。

[0034] 平滑电容器部120被设置在配置于单体单元100的散热器140的下部，由10个平滑电容器构成。

[0035] 图2是图1涉及的单体单元100的电路图。以下，还一边参照图1一边对该单体单元100的电路构成简单进行说明。

[0036] 在图示的例子中，3相交流电压被供给至端子R(R相)、端子S(S相)、端子T(T相)。所供给的3相电压分别被二极管部110的整流二极管DR、DS、DT整流而得到的直流电压向P相、N相供给。

[0037] 这样供给至P相、N相的直流电压被配置于平滑电容器部120的电容器CF1～CF10平滑而向IGBT单元部130供给。

[0038] 对第1IGBT模块IGBTU1而言，在内部2个IGBT串联连接，将其连接点作为输出而设为该IGBTU1的输出端子P1。另外，在IGBTU1的集电极C与发射极E间反向连接二极管。即，IGBT模块IGBTU1是内置了逆并联二极管的所谓的2IN1模块。以下省略该二极管的说明。其它的第2至第3IGBT模块IGBTU2～IGBT4也同样。

[0039] 第1IGBT模块IGBTU1以及第2IGBT模块IGBTU2并联连接而构成单体单元100的单相输出的第1相、即第1IGBT模块IGBTU1以及第2IGBT模块IGBTU2是构成第1相的IGBT单元。

[0040] 第3IGBT模块IGBTU3以及第4IGBT模块IGBTU4并联连接而构成单体单元100的单相输出的第2相、即第3IGBT模块IGBTU3以及第4IGBT模块IGBTU4是构成第2相的IGBT单元。

[0041] 第1IGBT模块IGBTU1的输出端子P1与第2IGBT模块IGBTU2的输出端子P2并联连接进而与单体单元100的输出端子A连接。第3IGBT模块IGBTU3的输出端子P3与第4IGBT模块IGBTU4的输出端子P4并联连接并与单体单元100的输出端子B连接。

[0042] 这样构成的第1至第4IGBT模块IGBTU1～IGBTU4的各栅极端子G与未图示的控制部连接，通过该控制部进行开/关控制，生成交流电压并输出至输出端子A、B。

[0043] 使用在构成单体旁通单元部200的第1旁通用IGBT模块IGBT1以及第2旁通用IGBT模块IGBT2的集电极C与发射极E间分别内置二极管并反向连接的、所谓的1IN1模块。以下省略该二极管的说明。

[0044] 输出端子A与构成单体旁通单元部200的第1旁通用IGBT模块IGBT1的输入端子(集电极C)P5电连接，输出端子B与构成单体旁通单元部200的第2旁通用IGBT模块IGBT2的输入端子(集电极C)P6电连接。另外，IGBT1的发射极E与IGBT2的发射极E连接，旁通用IGBT模块IGBT1与旁通用IGBT模块IGBT2以所谓的逆极性串联连接。

[0045] 通过上述的构成，在包括上述的构成IGBT单元部130的第1至第4IGBT模块IGBTU1～IGBTU4的单体单元100发生了故障的情况下，通过将构成该单体单元100的第1至第4IGBT模块IGBTU1～IGBTU4的栅极G截止，并将与输出端子A或者输出端子B连接的构成单体旁通单元部200的第1旁通用IGBT模块IGBT1以及第2旁通用IGBT模块IGBT2的栅极G导通，能够使发生了故障的单体单元100的输出短路。

[0046] 上述的处理通过上述未图示的控制部的控制来进行，能够通过将构成单体旁通单元部200的旁通用IGBT模块IGBT1以及IGBT2导通来绕过单体单元100。

[0047] 对物理配置而言，在构成单体单元100的单相输出的第1相的第1IGBT模块IGBTU1以及第2IGBT模块IGBTU2、与构成单体单元100的单相输出的第2相的第3IGBT模块IGBTU3以及第4IGBT模块IGBTU4之间配置旁通用IGBT模块IGBT1和旁通用IGBT模块IGBT2。并且，以使第1IGBT模块的输出端子(P1)与第2IGBT模块的输出端子(P2)朝向同一方向、且与第1旁通用IGBT模块IGBT1的输入端子P5(IGBT1的集电极C)相对的方式配置，进而以使第3IGBT模块的输出端子(P3)与第4IGBT模块的输出端子(P4)朝向同一方向、且与第2旁通用IGBT模块IGBT2的输入端子P6(IGBT2的集电极C)相对的方式配置。

[0048] 图3是没有实施例1涉及的单体旁通单元部200的本发明实施前的单体单元100的立体图以及主视图，图3(1)是单体单元100的立体图，图3(2)是单体单元100的主视图。在图3所示的单体单元100中，表示除去了单体旁通单元部200的状态。以下，参照图1、图2对单体单元100内的主要的连接状态进行说明。

[0049] 其中，与本发明没有直接关系的整流器二极管部110、平滑电容器部120、IGBT单元部等的连接被省略记载。

[0050] (1)构成第1IGBT模块IGBTU1的两个IGBT的发射极E以及集电极C通过连接点P1(参照图2)连接。同样，构成第2IGBT模块IGBTU2、第3IGBT模块IGBTU3、第4IGBT模块IGBTU4的各两个IGBT的发射极E以及连接器C通过连接点P2、P3、P4连接。

[0051] (2)构成单体单元100的单相输出的第1相的第1IGBT模块IGBTU1的P1以及第2IGBT模块IGBTU2的P2连接，并且通过母线(busbar)151与单体单元100的输出端子A连接。

[0052] (3)构成单体单元100的单相输出的第2相的第3IGBT模块IGBTU3的P3以及第4IGBT模块IGBTU4的P4连接，并且通过母线152与单体单元100的输出端子B连接。

[0053] 图4是对实施例1涉及的单体单元100安装了单体旁通单元部200的情况的立体图以及主视图，图4(1)是单体单元100的立体图，图4(2)是单体单元100的主视图。其中，与本发明没有直接关系的整流器二极管部110、平滑电容器部120、IGBT单元部等的连接被省略记载。

[0054] 以下，还参照图1～图3对搭载了单体旁通单元部200的状态下的单体单元100内的主要的连接状态进行说明。

[0055] (4)构成第1IGBT模块IGBTU1的两个IGBT的发射极以及集电极通过连接点P1(参照图2)连接。同样，构成第2IGBT模块IGBTU2、第3IGBT模块IGBTU3、第4IGBT模块IGBTU4的各两个IGBT的发射极以及集电极通过连接点P2、P3、P4连接。

[0056] (5)构成单体单元100的单相输出的第1相的第1IGBT模块IGBTU1的P1(IGBT单元的输出端子)以及第2IGBT模块IGBTU2的P2(IGBT单元的输出端子)连接，进而通过母线151与单体单元100的输出端子A连接，并且，通过母线201与单体旁通单元部200的第1旁通用IGBT模块IGBT1的集电极C(单体旁通单元的第1端子、P5)连接。

[0057] (6)构成单体单元100的单相输出的第2相的第3IGBT模块IGBTU3的P3(IGBT单元的输出端子)以及第4IGBT模块IGBTU4的P4(IGBT单元的输出端子)连接，进而通过母线152与单体单元100的输出端子B连接，并且，通过母线202与单体旁通单元部200的第2旁通用IGBT模块IGBT2的集电极C(单体旁通单元的第1端子、P6)连接。

[0058] (7)上述的单体单元100的输出端子A以及输出端子B的输出电压是第1至第4IGBT模块IGBTU1～IGBTU4的输出电压，通过上述的(4)～(6)的连接方式，第1IGBT模块IGBTU1以及第2IGBT模块IGBTU2的输出(P1、P2)与旁通用IGBT模块IGBT1的输入(IGBT1的集电极C、P5)被配置成相对，并通过母线201连接。同样，第3IGBT模块IGBTU3的P3以及第4IGBT模块IGBTU4的输出(P3、P4)与第2旁通用IGBT模块IGBT2的输入(IGBT2的集电极C、P6)被配置成相对，并通过母线202连接。

[0059] 本实施例的特征在于，通过将第1以及第2IGBT模块(IGBTU1以及IGBTU2)的输出(P1、P2)与第1旁通用IGBT模块IGBT1的输入(IGBT1的集电极C)配置成相对，并将第3以及第4IGBT模块(IGBTU3以及IGBTU4)的输出与第2旁通用IGBT模块IGBT2的输入(IGBT2的集电极C)配置成相对，由此能缩短母线201以及母线202的布线长，可解决因该布线长引起的电感增大的课题。

[0060] (8)接下来，对在上述(4)～(7)所记载的单体单元100中，在通常运转时、和因构成IGBT单元部130的IGBT等的短路引起的故障时，利用切换机构切换第1旁通用IGBT模块IGBT1以及第2旁通用IGBT模块IGBT2的使用模式来运转单体单元100的方法进行说明。

[0061] 控制部(未图示)具有将使用模式切换为以下的模式a和模式b的切换机构。

[0062] 模式a切换机构在通常运转时，通过将2个单体旁通用IGBT控制为截止状态来使该单体旁通用IGBT截止，通过对IGBT单元部130进行PWM控制来将该IGBT单元部130的输出电压作为该单体单元100的输出电压。在该状态下，由于第1旁通用IGBT模块IGBT1以及第2旁通用IGBT模块IGBT2为截止状态，几乎没有损失，所以IGBT单元部130不受其发热的影响。

[0063] 在单体单元100中因IGBT的直流短路等引起的故障时，模式b切换机构通过对故障的单体单元100的构成IGBT单元部130的全部IGBT的栅极G进行截止控制来使第1至第4IGBT模块IGBTU1～IGBTU4截止，进而通过将故障的单体单元100的单体旁通单元部200的第1旁通用IGBT模块IGBT1以及第2旁通用IGBT模块IGBT2的栅极G控制为导通状态来使单体旁通单元部为通电状态，将故障的单体单元100的输出短路。通过进行以上的处理，由于在模式b中IGBT单元部130为截止状态，几乎没有热损失，所以第1旁通用IGBT模块IGBT1以及第2旁通用IGBT模块IGBT2不受其发热的影响。

[0064] 由于如以上那样在正常时发热的部位和在故障时发热的部位不同，所以不存在发热源的集中，不会使散热器的冷却性能降低(能够确保散热器140的性能(冷却性能)。)。

[0065] 另外，由于通过将第1IGBT模块IGBTU1以及第2IGBT模块IGBTU2的输出(P1、P2)与第1旁通用IGBT模块IGBT1的输入(IGBT1的集电极C)配置为相对，并将第3IGBT模块IGBTU3以及第4IGBT模块IGBTU4的输出与第2旁通用IGBT模块IGBT2的输入(IGBT2的集电极C)配置为相对，能够缩短IGBT单元部130与单体旁通单元部间的总线连接长，所以能够提供可降低因该布线长引起的电感的单体单元100。此外，在本实施例中，以第1IGBT模块IGBTU1与第2IGBT模块IGBTU2并联连接、第3IGBT模块IGBTU3与第4IGBT模块IGBTU4并联连接的例子进行了说明，但也可以成为没有并联连接的构成。

[0066] 如以上说明那样，根据本发明，能够提供可通过使IGBT单元与单体旁通用IGBT间为最短布线而降低电感、并且能实现散热器的小型化的单体单元。

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蓄电单体-专利编号CN104252972A	2020-05-11	803
有机硅单体-专利编号CN102257022A	2020-05-13	801
单体支柱-专利编号CN1126794A	2020-05-11	898
单体单元-专利编号CN107634670A	2020-05-12	650
单体单元-专利编号CN107634670B	2020-05-11	371
单体发泡炉-专利编号CN107521030A	2020-05-12	457
单元单体组-专利编号CN106575727A	2020-05-12	224
I2C测试单体-专利编号CN1290875A	2020-05-13	383
单体旋转门-专利编号CN102206982B	2020-05-13	413
单体支柱-专利编号CN1036801C	2020-05-11	371

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