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一种半导体激光器芯片金属的剥离方法

阅读：1240发布：2020-08-19

IPRDB可以提供一种半导体激光器芯片金属的剥离方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明涉及一种半导体激光器芯片的金属剥离方法。本发明是用光刻胶做掩膜，在曝光以后、利用反转烘烤、泛曝光、显影和坚膜，使光刻胶图形呈屋檐状倒台；在此基础上淀积金属膜，用剥离液去除光刻胶和多余的金属，完成金属剥离；本发明工艺步骤简单，成品率高，成本低，沉淀的金属形成的屋檐状光刻胶在掩膜区域断开，方便剥离液的渗入，有利于剥离。，下面是一种半导体激光器芯片金属的剥离方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种半导体激光器芯片金属的剥离方法，其步骤包括：步骤S1:用光刻胶将基片匀胶；

步骤S2:将匀胶后的基片进行前烘处理，热板温度为90℃-105℃，时间50秒-70秒；

步骤S3:用光刻版进行常规曝光；

步骤S4:将基片放置于热板上进行反转烘处理，热板温度为110℃-125℃，时间60秒-

100秒；

步骤S5:将基片放置在空气中冷却，时间3-5分钟；

步骤S6:将基片进行泛曝光处理，时间60-90秒；

步骤S7:将基片放入显影液显影，使光刻胶图片呈现屋檐状倒台；

步骤S8:将基片放入110℃-125℃热板上进行坚膜，时间60秒-100秒；

步骤S9:将基片处理清洗；

步骤S10:将基片放入溅射台溅射或蒸发蒸镀金属膜；

步骤S11:将基片放入剥离液中，去除光刻胶和多余金属。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器芯片金属的剥离方法，其特征在于所述光刻胶为单层AZ5200E系列光刻胶。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器芯片金属的剥离方法，其特征在所述基片匀胶的胶膜厚度为2-3um。

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器芯片金属的剥离方法，其特征在于剥离液使用为丙酮或光刻胶剥离液，浸泡时间5-10分钟。

5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器芯片金属的剥离方法，其特征在于可以通过控制匀胶的胶膜厚度可以剥离不同厚度的金属。

说明书全文

一种半导体激光器芯片金属的剥离方法

技术领域

[0001] 本发明涉及集成电路和微电子机械系统加工领域，尤其涉及一种半导体激光器芯片金属的剥离方法。

背景技术

[0002] 微电子机械系统(MEMS)和集成电路加工工艺中，有些材料例如金、钛、镍等金属，很难以光刻胶做掩膜，通过化学试剂腐蚀出细微图形；有些多层金属用不同的腐蚀液交替使用时会发生严重的横向钻蚀；有些金属腐蚀液会对下层材料有腐蚀作用。

[0003] 金属剥离工艺是在基片表面涂上一层光刻胶 ,在不需要金属的区域通过过前烘、曝光、显影形成掩膜图形；在基片表面溅射或蒸镀的方法镀上金属膜 ,最后浸泡剥离液或丙酮溶液、将光刻胶溶解除去，光刻胶表面其上的金属也跟其一起脱落 ,从而留下所需的金属图形。剥离方法的关键是使光刻胶上的金属膜与掩膜断开区域上的金属膜断开 ,这样易于剥离液渗透进去溶解光刻胶。常见的金属剥离方法使用到的溶液有些毒性大、工艺繁琐、原料价格昂贵；例如采用多层掩膜剥离法：在基片底层旋涂LOR胶，经过烘烤处理后；再在LOR胶上旋涂正性光刻胶，通过曝光、显影的方式制备想要的图形。在实际操作过程中，LOR胶较粘稠，旋涂LOR胶过程中，基片与LOR胶之间易形成空隙，显影过程中，会图形塌陷，使图形失真；其次LOR经过烘烤处理后，在基片边缘会形成胶屑，影响光刻精度。

发明内容

[0004] 有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体激光器芯片金属的剥离方法为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种半导体激光器芯片金属的剥离方法，其步骤包括：步骤S1：用光刻胶将基片匀胶；
步骤S2：将匀胶后的基片进行前烘处理，热板温度为90℃-105℃，时间50秒-70秒；
步骤S3：用光刻版进行常规曝光；
步骤S4：将基片放置于热板上进行反转烘处理，热板温度为110℃-125℃，时间60秒-
100秒；
步骤S5：将基片放置在空气中冷却，时间3-5分钟；
步骤S6：将基片进行泛曝光处理，时间60-90秒；
步骤S7：将基片放入显影液显影，使光刻胶图片呈现屋檐状倒台；
步骤S8：将基片放入110℃-125℃热板上进行坚膜，时间60秒-100秒；
步骤S9：将基片处理清洗；
步骤S10：将基片放入溅射台溅射或蒸发蒸镀金属膜；
步骤S11：将基片放入剥离液中，去除光刻胶和多余金属；
进一步的，所述步骤S1的光刻胶为单层AZ5200E系列光刻胶。

[0005] 进一步的，所述步骤S1的基片匀胶的胶膜厚度为2-3um。

[0006] 进一步的，所述步骤S11的剥离液使用为丙酮或光刻胶剥离液，浸泡时间5-10分钟。进一步的，可以通过控制步骤S1所述匀胶的胶膜厚度可以剥离不同厚度的金属。

[0007] 本发明与现有技术相比具有以下有益效果：本发明采用单层AZ5200E系列光刻胶（例如AZ5214E）涂覆增粘剂、涂胶、前烘、掩膜曝光、反转烘、泛曝光、显影，实现图像反转；相比于常规剥离工艺相比，本发明工艺步骤简单，成品率高，成本低；沉淀的金属形成的屋檐状光刻胶在掩膜区域断开，方便剥离液的渗入，有利于剥离。

附图说明

[0008] 图1为本发明显影得到的屋檐状倒台光刻胶侧壁图2为本发明完成金属剥离的截面图。

具体实施方式

[0009] 下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明。

[0010] 请参照图1，本发明提供一种半导体激光器芯片金属的剥离方法，其步骤包括：步骤S1：用光刻胶将基片匀胶；
步骤S2：将匀胶后的基片进行前烘处理，热板温度为90℃-105℃，时间50秒-70秒；
步骤S3：用光刻版进行常规曝光；
步骤S4：将基片放置于热板上进行反转烘处理，热板温度为110℃-125℃，时间60秒-
100秒；
步骤S5：将基片放置在空气中冷却，时间3-5分钟；
步骤S6：将基片进行泛曝光处理，时间60-90秒；
步骤S7：将基片放入显影液显影，使光刻胶图片呈现屋檐状倒台；
步骤S8：将基片放入110℃-125℃热板上进行坚膜，时间60秒-100秒；
步骤S9：将基片处理清洗；
步骤S10：将基片放入溅射台溅射或蒸发蒸镀金属膜；
步骤S11：将基片放入剥离液中，去除光刻胶和多余金属；
进一步的，所述步骤S1的光刻胶为单层AZ5200E系列光刻胶。

[0011] 进一步的，所述步骤S1的基片匀胶的胶膜厚度为2-3um。

[0012] 进一步的，所述步骤S12的剥离液使用为丙酮或光刻胶剥离液，浸泡时间5-10分钟。进一步的，可以通过控制步骤S1所述匀胶的胶膜厚度可以剥离不同厚度的金属。

[0013] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

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