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具有光输出耦合层的光学元件结构

阅读：1025发布：2020-05-14

IPRDB可以提供具有光输出耦合层的光学元件结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种具有光输出耦合层的光学元件结构，包括：基板，具有第一表面与第二表面；聚酰亚胺或其共聚物层，形成于该基板的该第一表面上，其中该聚酰亚胺或其共聚物层由至少一种芳香族双胺与至少一种脂环族双酐所制备；以及光学元件，形成于该聚酰亚胺或其共聚物层上。，下面是具有光输出耦合层的光学元件结构专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种具有光输出耦合层的光学元件结构，包括：基板，具有第一表面与第二表面；

聚酰亚胺或其共聚物层，形成于该基板的该第一表面上，其中该聚酰亚胺或其共聚物层由至少一种芳香族双胺与至少一种脂环族双酐所制备；以及光学元件，形成于该聚酰亚胺或其共聚物层上。

2.如权利要求1所述的具有光输出耦合层的光学元件结构，其中该基板包括玻璃基板。

3.如权利要求1所述的具有光输出耦合层的光学元件结构，还包括多个微粒，涂布于该基板的该第一表面上。

4.如权利要求3所述的具有光输出耦合层的光学元件结构，其中该微粒包括金属氧化物或非金属氧化物。

5.如权利要求1所述的具有光输出耦合层的光学元件结构，其中该芳香族双胺包括

6.如权利要求1所述的具有光输出耦合层的光学元件结构，其中该脂环族双酐包括

7.如权利要求1所述的具有光输出耦合层的光学元件结构，其中该聚酰亚胺或其共聚物层的厚度为100～1,000nm。

8.如权利要求1所述的具有光输出耦合层的光学元件结构，其中该光学元件包括有机发光二极管。

9.如权利要求1所述的具有光输出耦合层的光学元件结构，还包括微透镜，形成于该基板的该第二表面上。

10.如权利要求9所述的具有光输出耦合层的光学元件结构，其中该微透镜为凸状。

说明书全文

具有光输出耦合层的光学元件结构

【技术领域】

[0001] 本发明涉及一种具有光输出耦合层(light outcoupling layer)的光学元件结构，特别是涉及一种包含聚酰亚胺或其共聚物层的光学元件结构。【背景技术】

[0002] 有机电致发光二极管(organic light emitting diodes，OLEDs)具有轻薄、自发光、低消耗功率、不需背光源、无视角限制及高反应速率等优良特性，已被视为平面显示器或是照明产业的明日之星。为了在显示器与照明的市场上更具有竞争力，全球各研发单位投入大量的经费与人力致力于提升效率。OLED元件效率的增强除了内部发光材料的开发之外，外部取光亦可提升元件效率。但是由于OLED各膜层间的折射率相差太大，造成彼此不匹配，因此，仅有20％的光可由正面射出，若是能改善每一膜层的折射率，让光在彼此的界面中减少反射及折射，将陷于元件中的光可重新取出于元件外部，则可进一步解决OLED的发光效率。因此，有许多的研发在于结构中加入高、低折射层或添加具有折射效果的微粒子，但，在众多的高、低折射率材料中大部分皆由无机材料所组成，而具有高耐热的有机材料非常少，且在这些有机材料上要继续制作ITO导电膜，还要克服ITO沉积时会破坏有机材料表面的问题。此外，亦要考虑ITO须具备低电阻、高穿透度的要求，因此，材料的选择性将受限许多。因此，开发一种具有透明、高耐热、表面平坦化特性、制程简易与成本低的材料将具有相当优势且迫切需要。【发明内容】

[0003] 本发明的一实施例，提供一种具有光输出耦合层的光学元件结构，包括：基板，具有第一表面与第二表面；聚酰亚胺或其共聚物层，形成于该基板的该第一表面上，其中该聚酰亚胺或其共聚物层由至少一种芳香族双胺(aromatic diamine)与至少一种脂环族双酐(cycloaliphatic dianhydride)所制备；以及光学元件，形成于该聚酰亚胺或其共聚物层上。

[0004] 本发明提供一种可有效提升光学元件光取出效率的结构，具备透明、高耐热特性的聚酰亚胺(PI)材料，其折射率范围介于1.6～1.8，可使其上层导电膜(例如ITO)经高温烧结(退火)后，降低面电阻值、提高穿透度及降低折射率，有效提升OLED的发光效率约1.25倍。此外，在OLED元件外部搭配微透镜，可提升元件效率约1.8～2倍。另外，在玻璃与聚酰亚胺之间亦可制作有助于光折射的粒子，因聚酰亚胺材料具有将粒子薄膜表面平坦化的功能，此聚酰亚胺材料除具有光取出功效之外，亦可使接续制作的ITO减少尖端凸起，降低在有机电致发光元件中可能产生的漏电、黑点及寿命减短等现象。

[0005] 本发明先将聚酰亚胺(PI)材料覆盖在玻璃基板或涂有微粒的玻璃基板上，再镀上ITO膜并经过高温烧结(退火)，再制作OLED元件。若光输出耦合层使用不耐高温的材料，制作后的ITO膜不能经过高温烧结(退火)，此时的ITO膜与玻璃间的折射率相差太大会造成元件仅有20％的光可由正面射出，本发明的光输出耦合层使用耐高温的聚酰亚胺(PI)材料，后续的制程可耐高温，经过高温烧结的ITO膜亦可改善其折射率，使其与OLED元件的折射率匹配，使光在基板/ITO与ITO/有机发光层的界面间减少反射及折射，改良OLED的光取出特性，将陷于元件中的光重新取出于元件外部，并利用微透镜解决光在基板/空气间的问题，进而有效提升OLED发光效率。

[0006] 为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，作详细说明如下：【附图说明】

[0007] 图1是根据本发明一实施例的具有光输出耦合层的光学元件结构的剖面示意图；

[0008] 图2是根据本发明一实施例的具有光输出耦合层的光学元件结构的剖面示意图；

[0009] 图3是根据本发明一实施例的具有光输出耦合层的光学元件结构的剖面示意图；以及

[0010] 图4是根据本发明一实施例的具有光输出耦合层的光学元件结构中ITO在高温退火条件下的穿透度的变化。

[0011] 【主要附图标记说明】

[0012] 10～光学元件结构；

[0013] 12～基板；

[0014] 14～第一表面；

[0015] 16～第二表面；

[0016] 18～聚酰亚胺或其共聚物层；

[0017] 20～光学元件；

[0018] 22～第一电极；

[0019] 24～有机发光层；

[0020] 26～第二电极；

[0021] 28～微粒；

[0022] 30～微透镜。【具体实施方式】

[0023] 请参阅图1，说明本发明一实施例的一种具有光输出耦合层的光学元件结构。光学元件结构10包括基板12、聚酰亚胺(PI)或其共聚物层18以及光学元件20。基板12具有第一表面14与第二表面16。聚酰亚胺或其共聚物层18形成于基板12的第一表面14上。光学元件20形成于聚酰亚胺或其共聚物层18上。值得注意的是，聚酰亚胺或其共聚物层
18由至少一种芳香族双胺(aromatic diamine)与至少一种脂环族双酐(cycloaliphatic dianhydride)所制备。

[0024] 基板12可包括玻璃基板。

[0025] 上述用来制备聚酰亚胺或其共聚物层18的芳香族双胺(aromatic diamine)可包括

[0026] 上述用来制备聚酰亚胺或其共聚物层18的脂环族双酐(cycloaliphatic dianhydride)可包括

[0027] 聚酰亚胺或其共聚物层18的厚度大体介于100～1,000nm。

[0028] 光学元件20可包括第一电极22、有机发光层24与第二电极26，以构成有机发光二极管(OLED)。第一电极22可由铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)所构成。

[0029] 在基板12的第一表面14上，可还包括涂布有多个微粒(microparticles)28，如图2所示。微粒28可包括金属氧化物或非金属氧化物，例如氧化硅。

[0030] 在另一实施例中，光学元件结构10可还包括微透镜(microlens)30，形成于基板12的第二表面16上，如图3所示。微透镜30可为凸状，例如半球体状。

[0031] 本发明提供一种可有效提升光学元件光取出效率的结构，具备透明、高耐热特性的聚酰亚胺(PI)材料，其折射率范围介于1.6～1.8，可使其上层导电膜(例如ITO)经高温烧结(退火)后，降低面电阻值、提高穿透度及降低折射率，有效提升OLED的发光效率约1.25倍。此外，在OLED元件外部搭配微透镜，可提升元件效率约1.8～2倍。另外，在玻璃与聚酰亚胺之间亦可制作有助于光折射的粒子，因聚酰亚胺材料具有将粒子薄膜表面平坦化的功能，此聚酰亚胺材料除具光取出功效，亦可使接续制作的ITO减少尖端凸起，降低在有机电致发光元件中可能产生的漏电、黑点及寿命减短等现象。

[0032] 本发明先将聚酰亚胺(PI)材料覆盖在玻璃基板或涂有微粒的玻璃基板上，再镀上ITO膜并经过高温烧结(退火)，再制作OLED元件。若光输出耦合层使用不耐高温的材料，制作后的ITO膜不能经过高温烧结(退火)，此时的ITO膜与玻璃间的折射率相差太大会造成元件仅有20％的光可由正面射出，本发明的光输出耦合层使用耐高温的聚酰亚胺(PI)材料，后续的制程可耐高温，经过高温烧结的ITO膜亦可改善其折射率，使其与OLED元件的折射率匹配，使光在基板/ITO与ITO/有机发光层的界面间减少反射及折射，改良OLED的光取出特性，将陷于元件中的光重新取出于元件外部，并利用微透镜解决光在基板/空气间的问题，进而有效提升OLED发光效率。

[0033] 【实施例1】

[0034] 本发明聚酰亚胺(PI-1)的合成及其物性

[0035] 首先，依 A(2，2- 二 [4-(4- 氨基苯氧基 ) 苯基 ] 丙烷，2，2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane)∶B(双环[2，2，2]辛-7-烯基-2，3，5，6-四羧酸二酐，bicyclo[2，2，2]oct-7-ene-2，3，5，6-tetracarboxylic dianhydride)＝5∶5的组成比例，将82.7克的组成A、50克的组成B与530.8克的间-甲酚(m-cresol)加入2L玻璃反应槽内。在220℃下经电动搅拌反应4小时，形成固含量为20％的聚酰亚胺溶液。将此聚酰亚胺溶液以甲醇进行再沉淀。在烘干后，得到丝状聚酰亚胺(PI)。再加入二甲基乙酰胺(dimethyl acetamide)进行溶解，配制成固含量15％的聚酰亚胺(PI-1)溶液。

[0036] 本实施例聚酰亚胺(PI-1)的b值(黄度值)为2.37。

[0037] 【实施例2】

[0038] 本发明聚酰亚胺共聚物(PI-2)的合成及其物性

[0039] 首先，依 A(2，2- 二 [4-(4- 氨基苯氧基 ) 苯基 ] 丙烷，2，2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane) ∶ B(4，4- 二氨基二苯基醚，4，
4-diaminodiphenyl ether)∶ C(苯四甲酸二酐，pyromellitic dianhydride) ＝
3∶7∶10的组成比例，将28.2克的组成A、32.1克的组成B、50克的组成C与441.4克的间-甲酚(m-cresol)加入2L玻璃反应槽内。在220℃下经电动搅拌反应4小时，形成固含量为20％的聚酰亚胺溶液。将此聚酰亚胺溶液以甲醇进行再沉淀。在烘干后，得到丝状聚酰亚胺(PI)。再加入二甲基乙酰胺(dimethyl acetamide)进行溶解，配制成固含量15％的聚酰亚胺(PI-2)溶液。

[0040] 本实施例聚酰亚胺共聚物(PI-2)的b值为1.95。

[0041] 【实施例3】

[0042] 本发明聚酰亚胺(PI-3)的合成及其物性

[0043] 首先，依 A(2，2- 二 [4-(4- 氨基苯氧基 ) 苯基 ] 丙烷，2，2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane)∶B(双环[2，2，2]辛-7-烯基-2，3，5，6-四羧酸二酐，bicyclo[2，2，2]oct-7-ene-2，3，5，6-tetracarboxylic dianhydride)＝5∶5的组成比例，将82.7克的组成A、50克的组成B与530.8克的间-甲酚(m-cresol)加入2L玻璃反应槽内。在220℃下经电动搅拌反应4小时，形成固含量为20％的聚酰亚胺溶液。将此聚酰亚胺溶液以甲醇进行再沉淀。在烘干后，得到丝状聚酰亚胺(PI)。再加入二甲基乙酰胺(dimethyl acetamide)进行溶解，配制成固含量15％的聚酰亚胺(PI-3)溶液。

[0044] 本实施例聚酰亚胺(PI-3)的b值为2.37。

[0045] 【实施例4】

[0046] 本发明聚酰亚胺共聚物(PI-4)的合成及其物性

[0047] 首先，依A(4，4′-二(3-氨基苯氧基)二苯基砜，4，4′-bis(3-aminophenoxy)diphenyl sulfone)∶B(4，4-二(4-氨基苯氧基)二苯，4，4-bis(4-aminophenoxy)biphenyl)∶C(1，2，3，4-环戊基四羧酸二酐，1，2，3，4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride)＝5∶5∶10的组成比例，将51.5克的组成A、43.8克的组成B、50克的组成C与581.1克的间-甲酚(m-cresol)加入2L玻璃反应槽内。在220℃下经电动搅拌反应4小时，形成固含量为20％的聚酰亚胺溶液。将此聚酰亚胺溶液以甲醇进行再沉淀。在烘干后，得到丝状聚酰亚胺(PI)。再加入二甲基乙酰胺(dimethyl acetamide)进行溶解，配制成固含量15％的聚酰亚胺(PI-4)溶液。

[0048] 本实施例聚酰亚胺共聚物(PI-4)的b值为2.12。

[0049] 【比较实施例1】

[0050] 现有OLED结构(玻璃基板/ITO，无凸状微透镜)的制备及其发光效率[0051] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，测量元件的IVB特性。

[0052] 本比较例结构的电流效率为16.96Cd/A。

[0053] 【比较实施例2】

[0054] 现有OLED结构(玻璃基板/ITO，具凸状微透镜)的制备及其发光效率[0055] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，并于出光面处贴上凸状微透镜，测量元件的IVB特性。

[0056] 本比较例的OLED结构的电流效率为22.95Cd/A。

[0057] 【实施例5】

[0058] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构(玻璃基板/PI-1/ITO，无凸状微透镜)的制备及其发光效率

[0059] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。接着，于玻璃基板表面涂布PI-1材料(厚度500nm)。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/PI-1/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，测量元件的IVB特性。

[0060] 本实施例的OLED结构的电流效率为21.90Cd/A，其发光效率比【比较实施例1】的发光效率提升29.13％。

[0061] 【实施例6】

[0062] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构(玻璃基板/PI-1/ITO，具凸状微透镜)的制备及其发光效率

[0063] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。接着，于玻璃基板表面涂布PI-1材料。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/PI-1/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，并于出光面处贴上凸状微透镜，测量元件的IVB特性。

[0064] 本实施例的OLED结构的电流效率为34.85Cd/A，其发光效率比【比较实施例1】的发光效率提升105.48％。

[0065] 【实施例7】

[0066] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构(玻璃基板/PI-2/ITO，无凸状微透镜)的制备及其发光效率

[0067] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。接着，于玻璃基板表面涂布PI-2材料。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/PI-2/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，测量元件的IVB特性。

[0068] 本实施例的OLED结构的电流效率为21.49Cd/A，其发光效率比【比较实施例1】的发光效率提升26.71％。

[0069] 【实施例8】

[0070] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构(玻璃基板/PI-2/ITO，具凸状微透镜)的制备及其发光效率

[0071] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。接着，于玻璃基板表面涂布PI-2材料。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/PI-2/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，并于出光面处贴上凸状微透镜，测量元件的IVB特性。

[0072] 本实施例的OLED结构的电流效率为34.67Cd/A，其发光效率比【比较实施例1】的发光效率提升104.42％。

[0073] 【实施例9】

[0074] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构(玻璃基板/微粒/PI-3/ITO，无凸状微透镜)的制备及其发光效率

[0075] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。接着，于玻璃基板表面依序涂布中孔性二氧化硅与PI-3材料(厚度500nm)。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/中孔性二氧化硅/PI-3/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，测量元件的IVB特性。

[0076] 本实施例的OLED结构的电流效率为23.23Cd/A，其发光效率比【比较实施例1】的发光效率提升36.97％。

[0077] 【实施例10】

[0078] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构(玻璃基板/微粒/PI-3/ITO，具凸状微透镜)的制备及其发光效率

[0079] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。接着，于玻璃基板表面依序涂布中孔性二氧化硅与PI-3材料。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/中孔性二氧化硅/PI-3/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，并于出光面处贴上凸状微透镜，测量元件的IVB特性。

[0080] 本实施例的OLED结构的电流效率为34.23Cd/A，其发光效率比【比较实施例1】的发光效率提升101.83％。

[0081] 【实施例11】

[0082] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构(玻璃基板/微粒/PI-4/ITO，无凸状微透镜)的制备及其发光效率

[0083] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。接着，于玻璃基板表面依序涂布中孔性二氧化硅与PI-4材料。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/中孔性二氧化硅/PI-4/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，测量元件的IVB特性。

[0084] 本实施例的OLED结构的电流效率为24.10Cd/A，其发光效率比【比较实施例1】的发光效率提升42.10％。

[0085] 【实施例12】

[0086] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构(玻璃基板/微粒/PI-4/ITO，具凸状微透镜)的制备及其发光效率

[0087] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。接着，于玻璃基板表面依序涂布中孔性二氧化硅与PI-4材料。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/中孔性二氧化硅/PI-4/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，并于出光面处贴上凸状微透镜，测量元件的IVB特性。

[0088] 本实施例的OLED结构的电流效率为33.58Cd/A，其发光效率比【比较实施例1】的发光效率提升98.00％。

[0089] 【比较实施例3】

[0090] 现有OLED结构(玻璃基板/ITO，无非凸状微透镜)的制备及其发光效率[0091] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，测量元件的IVB特性。

[0092] 本比较例的OLED结构的电流效率为20.23Cd/A。

[0093] 【比较实施例4】

[0094] 现有OLED结构(玻璃基板/ITO，具非凸状微透镜)的制备及其发光效率[0095] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，并于出光面处贴上非凸状微透镜，测量元件的IVB特性。

[0096] 本比较例的OLED结构的电流效率为27.61Cd/A。

[0097] 【实施例13】

[0098] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构(玻璃基板/PI-1/ITO，具非凸状微透镜)的制备及其发光效率

[0099] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。接着，于玻璃基板表面涂布PI-1材料。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/PI-1/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，并于出光面处贴上非凸状微透镜，测量元件的IVB特性。

[0100] 本实施例具有光输出耦合层的OLED结构的电流效率为28.78Cd/A，其发光效率比【比较实施例3】的发光效率提升42.26％。

[0101] 【比较实施例5】

[0102] 现有OLED结构(玻璃基板/ITO，无凸状微透镜)的制备及其发光效率[0103] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，测量元件的IVB特性。

[0104] 本比较例的OLED结构的电流效率为22.45Cd/A。

[0105] 【比较实施例6】

[0106] 现有OLED结构(玻璃基板/YPI/ITO，无凸状微透镜)的制备及其发光效率[0107] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。接着，于玻璃基板表面涂布YPI材料。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/YPI/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，
5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，测量元件的IVB特性。

[0108] 本比较例的OLED结构的电流效率为22.70Cd/A。

[0109] 【比较实施例7】

[0110] 现有OLED结构(玻璃基板/YPI/ITO，具凸状微透镜)的制备及其发光效率[0111] 首先，将玻璃基板以RO水清洗干净、吹干。接着，于玻璃基板表面涂布YPI材料(黄色PI(yellow-PI)，为自行合成，由均苯四甲酸二酐(pyromellitic acid dianhydride，PMDA)组成)。之后，于玻璃基板上制作ITO膜并经250℃高温烧结60分钟，再以紫外线臭氧清净机清洁表面。接着，将玻璃基板/YPI/ITO置入蒸镀机内，分别蒸镀上NPB(50nm)/CBP:Ir(ppy)3(10nm，5％)/BCP(10nm)/AlQ(35nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。取出元件进行封装，并于出光面处贴上凸状微透镜，测量元件的IVB特性。

[0112] 本比较例的OLED结构的电流效率为26.45Cd/A。

[0113] 【实施例14】

[0114] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构中ITO于高温退火条件下其面电阻值的变化

[0115] 表1为现有OLED结构与本发明具有光输出耦合层的OLED结构中ITO于高温退火条件下其面电阻值变化的比较。

[0116] 表1

[0117]

[0118] 【实施例15】

[0119] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构中ITO于高温退火条件下其折射率的变化[0120] 表2为本发明具有光输出耦合层的OLED结构中ITO于高温退火条件下其折射率的变化。

[0121] 表2

[0122]

[0123] 【实施例16】

[0124] 本发明具有光输出耦合层的OLED结构中ITO于高温退火条件下其穿透度的变化[0125] 图4为本发明具有光输出耦合层的OLED结构中ITO于高温退火条件下其穿透度的变化。

[0126] 虽然本发明已以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何本发明所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，应可作任意更改与润饰。因此，本发明的保护范围应以所附权利要求书限定的范围为准。

标题	发布/更新时间	阅读量
用信号通知输出层集的改变-专利编号CN105379285B	2020-05-13	317
生成用于神经网络输出层的输出-专利编号CN108205699A	2020-05-11	107
强冷式输出级层压机-专利编号CN104760390A	2020-05-11	848
查询数据层次的输出方法-专利编号CN109739879A	2020-05-12	67
用信号通知输出层集的改变-专利编号CN109547815A	2020-05-13	975
用信号通知输出层集的改变-专利编号CN109379603A	2020-05-13	851
用信号通知输出层集的改变-专利编号CN109729364A	2020-05-12	924
多层输入输出端子台-专利编号CN207381544U	2020-05-11	975
强冷式输出级层压机-专利编号CN206357768U	2020-05-12	699
新型混凝土分层输出管-专利编号CN205840352U	2020-05-11	748

具有光输出耦合层的光学元件结构

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