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偏压电路

阅读：786发布：2020-05-11

IPRDB可以提供偏压电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种偏压电路，包含有一偏压模块，电性连接于一放大电路；以及一控制串行，其一端电性连接于一正电压，另一端电性连接于该偏压模块，该控制串行包含有一开关组件，受控于一控制电压而导通或关闭；以及一压降组件，串接于该开关组件，该压降组件用来调整该放大电路的该偏压。，下面是偏压电路专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种偏压电路，用来提供一放大电路的一偏压，该偏压电路包含有：一偏压模块，经一半导体制程而形成于一第一晶粒中，该偏压模块电性连接于该放大电路，用来提供该放大电路的该偏压；以及一控制串行，设置于该第一晶粒之外，其一端电性连接于一正电压，另一端电性连接于该偏压模块，该控制串行包含有：一压降组件，串接于一开关组件与该正电压之间，该压降组件用来调整该放大电路的该偏压；以及该开关组件，串接于该压降组件，受控于一控制电压而导通或关闭，以控制该放大电路为致能或禁能。

2.如权利要求1所述的偏压电路，其中该放大电路为一功率放大器或低噪声放大器。

3.如权利要求1所述的偏压电路，其中该放大电路由异质接面双载子晶体管或高速电子移动晶体管组成。

4.如权利要求1所述的偏压电路，其中该半导体制程为一砷化镓半导体晶圆制程。

5.如权利要求1所述的偏压电路，其中该开关组件为一场效晶体管或一高速电子移动晶体管。

6.如权利要求5所述的偏压电路，其中该开关组件的一闸极用来接收该控制电压。

7.如权利要求1所述的偏压电路，其中该压降组件包含有至少一电阻，用来调整该放大电路的该偏压。

8.如权利要求1所述的偏压电路，其中该压降组件设置于该第一晶粒以外的一外部电路中。

9.如权利要求1所述的偏压电路，其中该控制串行设置于该第一晶粒以外的一外部电路中。

10.如权利要求8或9所述的偏压电路，其中该外部电路为一第二晶粒或一印刷电路板。

说明书全文

偏压电路

【技术领域】

[0001] 本发明涉及一种偏压电路，尤指一种可弹性调整功率放大器的偏压点的偏压电路。【背景技术】

[0002] 随着科技的发展，无线通信已成为人们生活中相当重要的一环，各种不同电子装置如智能型手机、智能型穿戴装置、平板计算机中通过无线射频系统来传送或接收无线讯号。在无线射频系统中，低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)与功率放大器(Power Amplifier，PA)为必要的放大电路。为了使放大电路具有最佳的效能(如线性度)，放大电路需要施加一适当偏压，常见的作法是将放大电路电性连接于一偏压模块，利用偏压模块来提供放大电路一适当偏压。

[0003] 在现有技术中，偏压模块通常通过半导体制程而形成于一晶粒(Die)中。然而，因半导体制程或其他因素，偏压模块内部电路的组件特性(如内部组件的等效电阻值、内部组件的跨压等)有可能产生误差，而导致施加于放大电路的偏压不正确，进而影响放大电路的效能，更进一步地，在偏压模块形成为晶粒后，即无法调整偏压模块内部电路的组件特性，以致于电路设计上相当不便。因此，现有技术实有改进的必要。【发明内容】

[0004] 因此，本发明的主要目的之一在于提供一种偏压电路，其可弹性地调整功率放大器的偏压点。

[0005] 本发明揭露一种偏压电路，用来提供一放大电路的一偏压，该偏压电路包含有一偏压模块，经一半导体制程而形成于一晶粒(Die)中，该偏压模块电性连接于该放大电路；以及一控制串行，其一端电性连接于一正电压，另一端电性连接于该偏压模块，该控制串行包含有一开关组件，受控于一控制电压而导通或关闭；以及一压降组件，串接于该开关组件，该压降组件用来调整该放大电路的该偏压
【附图说明】

[0006] 图1为本发明实施例一偏压电路的示意图。

[0007] 图2为本发明实施例一偏压电路的示意图。

[0008] 图3为本发明实施例一偏压电路的示意图。

[0009] 图4为本发明实施例一偏压模块的内部电路的示意图。

[0010] 其中的附图标记说明如下：

[0011] 10、20、30 偏压电路

[0012] 100 放大电路

[0013] 102、402 偏压模块

[0014] 104 开关组件

[0015] 106、206、306 压降组件

[0016] 108 控制串行

[0017] Vref、Vb、Vc 电压【具体实施方式】

[0018] 请参考图1，图1为本发明实施例一偏压电路10的示意图。偏压电路10用来提供一放大电路100的一特定偏压，如图1所示，放大电路100可为一晶体管，其可为一功率放大器(Power Amplifier，PA)或一低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)，偏压电路10包含有一偏压模块102、一开关组件104及一压降组件106。偏压模块102形成于一第一晶粒(Die)中，偏压模块102的一端电性连接于一正电压Vc，偏压模块102的另一端电性连接于放大电路100的一输入端，用来提供放大电路100的偏压。开关组件104可由一场效晶体管(Field Effect Transistor，FET)组成，通过开关组件104的一闸极接收一控制电压Vref，换句话说，控制电压Vref可控制开关组件104使其导通或关闭，进而控制放大电路100而使其导通或关闭。压降组件106串接于开关组件104，压降组件106与开关组件104形成一控制串行108，控制串行108的一端电性连接于一正电压Vb，控制串行108的另一端电性连接于偏压模块102，压降组件106可为一电阻，可通过调整压降组件106的电阻值以调整放大电路100的偏压。其中，压降组件106或控制串行108设置于第一晶粒以外，即设置于第一晶粒以外的印刷电路板或另一晶粒中。

[0019] 需注意的是，通常偏压模块102可通过半导体制程而形成于第一晶粒中，当偏压模块102内部电路的组件特性(如偏压模块102内部组件的等效电阻值、偏压模块102内部组件的跨压等)因半导体制程或其他因素产生误差，而导致施加于放大电路100的偏压不正确时，即无法调整偏压模块102提供给放大电路100的偏压。通过偏压电路10将压降组件106或控制串行108设置于第一晶粒以外，即使偏压模块102已形成为晶粒而无法调整偏压模块102内部电路的组件特性，仍可在偏压模块102外部通过调整压降组件106的组件特性，而正确地提供放大电路100适当的偏压，使放大电路100具有最佳的效能(如线性度)。

[0020] 需注意的是，为了调整放大电路100的偏压，压降组件不限于仅包含一电阻。压降组件可由复数个电阻串联或并联而成，举例来说，请参考图2及图3，图2及图3分别为本发明实施例一偏压电路20及一偏压电路30的示意图。偏压电路20及偏压电路30与偏压电路10结构类似，因此相同组件沿用相同符号。与偏压电路10不同的是，偏压电路20及偏压电路30分别包含一压降组件206及一压降组件306，压降组件206包含相互串联的复数个电阻，而压降组件306包含相互并联的复数个电阻。由图2及图3可知，当偏压模块102内部组件的等效电阻值因半导体制程或其他因素产生误差，而导致施加于放大电路100的偏压不正确时，由于压降组件206及压降组件306中串联或并联复数个电阻，可增加或减少压降组件206及压降组件306的电阻值，而正确地提供放大电路100适当的偏压，使放大电路100具有最佳的线性度。

[0021] 在现有技术中，偏压模块内部电路的组件特性(如内部组件的等效电阻值、内部组件的跨压等)因半导体制程或其他因素而有可能产生误差，且偏压模块形成为晶粒后无法调整偏压模块内部电路的组件特性，导致施加于放大电路的偏压不正确，进而影响放大电路的效能。相较之下，本发明可在偏压模块外部调整压降组件的组件特性，以补偿偏压模块因半导体制程所造成的误差，而正确地提供放大电路适当的偏压，使放大电路具有最佳效能。

[0022] 需注意的是，前述实施例是用以说明本发明的概念，本领域技术人员当可根据前述实施例做不同的修饰，而不限于此。举例来说，放大电路100及偏压模块102可由异质接面双载子晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor，HBT)或高速电子移动晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)所组成，而不在此限。另外，开关组件104可为高速电子移动晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)，而不在此限。偏压模块102可利用砷化镓半导体晶圆制程而形成于一晶粒中，而不在此限。另外，压降组件可串接于开关组件104与正电压之间，压降组件可与开关组件104及偏压模块102一同封装在一晶粒中，或是与晶粒分开，放置于外部电路如一印刷电路板之上。除此之外，偏压模块的内部电路并未有所限。举例来说，请参考图4，图4是本发明实施例以一偏压模块402实现图1的偏压模块102的示意图。偏压模块402包含有晶体管Q1、Q2、Q3，晶体管Q1、Q2、Q3可由异质接面双载子晶体管组成，偏压模块402可提供固定偏压至放大电路100，即偏压模块402也可应用于图2、
3的偏压电路20、30。然而，偏压模块的内部电路不限于图4所示的电路，也可有其他实现方式，只要偏压模块电性连接于放大电路与控制串行之间，即符合本发明的要求。

[0023] 综上所述，本发明可在偏压模块外部调整压降组件的组件特性，以补偿偏压模块因半导体制程所造成的误差，而正确地提供放大电路适当的偏压，使放大电路具有最佳效能。

[0024] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。

标题	发布/更新时间	阅读量
偏压电路-专利编号CN110955292A	2020-05-11	681
偏压电路-专利编号CN108628379A	2020-05-12	900
偏压电路-专利编号CN108628379B	2020-05-13	488
偏压电路-专利编号CN106257828B	2020-05-11	785
偏压电路-专利编号CN106527571A	2020-05-12	840
偏压电路-专利编号CN110611489A	2020-05-13	400
偏压电路-专利编号CN106257828A	2020-05-11	37
偏压电路-专利编号CN104898751B	2020-05-13	345
偏压电路-专利编号CN101833345A	2020-05-12	865
偏压电路-专利编号CN101833345B	2020-05-11	363

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