会员体验
专利管家（专利管理）
工作空间（专利管理）
风险监控（情报监控）
数据分析（专利分析）
侵权分析（诉讼无效）
联系我们
交流群
官方交流：
QQ群： 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
首页 / 专利库 / 电子零件及设备 / 三极管 / 三极管引线框架的制造方法

三极管引线框架的制造方法

阅读：1015发布：2020-09-03

IPRDB可以提供三极管引线框架的制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种三极管引线框架的制造方法，包括：a.从同一工件上冲压出由分切点(3、4)或/和分切条相互并列对称相接的四排单排引线框架卷带(5、6、7、8)；b.对所述引线框架卷带(5、6、7、8)的头部(9)及设于引线框架卷带头部(9)外沿的分切点(3)或/和分切条所形成的区域(B)进行电镀；c.切除分切点(3、4)或/和分切条，得到四排分开的单排引线框架卷带(5、6、7、8)；d.将所述单排引线框架卷带(5、6、7、8)切断，获得多个引线框架片，每个引线框架片中包括多个引线框架。该制造方法生产效率高、质量稳定且节省生产成本。，下面是三极管引线框架的制造方法专利的具体信息内容。

1、一种三极管引线框架的制造方法，包括：

a、从同一工件上冲压出相互连接的四排单排引线框架卷带(5、6、7、8)，所述单排 引线框架卷带(5、6、7、8)相互之间通过设于引线框架卷带头部(9)外沿的分切点(3) 或/和分切条(10、11)和设于引线框架卷带边带(2)外沿的分切点(4)或分切条并列相 接；

b、对所述引线框架卷带(5、6、7、8)的头部(9)及设于引线框架卷带头部(9) 外沿的分切点(3)或/和分切条(10、11)所形成的区域(B)进行电镀；

c、切除分切点(3、4)或/和分切条(10、11)，得到四排分开的单排引线框架卷带(5、 6、7、8)；

d、将所述单排引线框架卷带(5、6、7、8)切断，获得多个引线框架片，每个引线 框架片中包括多个引线框架。

2、根据权利要求1所述的三极管引线框架的制造方法，其特征在于：所述单排引线 框架卷带(5、6、7、8)相互之间通过设于引线框架卷带头部(9)外沿的分切点(3)或 /和分切条(10、11)和设于引线框架卷带边带(2)外沿的分切点(4)或分切条并列相接， 指相互对称并列相接。

说明书全文

技术领域

本发明涉及一种引线框架的制造方法，特别是一种三极管引线框架的制造方法。

背景技术

现有技术引线框架的制造方法大体分为两种，一种是通过蚀刻来制造引线框架；一种 是通过冲压来制造引线框架。与蚀刻方法相比，通过冲压来制造引线框架的方法具有高速 加工的能力(的优点)。但现有技术通过冲压来制造三极管引线框架如TO-92(行业通用型 号)三极管引线框架的制造方法，是首先冲压出单排的引线框架卷带，再通过电镀工序对 单排的引线框架卷带的头部区域进行电镀，然后进入分离工序，把引线框架卷带分离成多 个引线框架片，其中，每个引线框架片中包括多个引线框架。由于该方法冲压出的引线框 架卷带是单排的，所以，其生产效率较低，质量控制不够稳定，各工序人力及物料消耗成 本较高，尤其在电镀工序上，浪费了能源，增加了电镀成本，所以，生产成本相对较高； 且由于电镀分散，增加了电镀排放的有害物质，加重了对环境的污染。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，提供一种生产效率高、质量稳定且节省生产成本的三极 管引线框架的制造方法。
本发明是通过以下技术方案来实现的：该三极管引线框架的制造方法，包括：
a、从同一工件上冲压出相互连接的四排单排引线框架卷带，所述单排引线框架卷带相 互之间通过设于引线框架卷带头部外沿的分切点或/和分切条和设于引线框架卷带边带外 沿的分切点或分切条并列相接；
b、对所述引线框架卷带的头部及设于引线框架卷带头部外沿的分切点或/和分切条所 形成的区域进行电镀；
c、切除分切点或/和分切条得到四排分开的单排引线框架卷带；
d、将所述单排引线框架卷带切断，获得多个引线框架片，每个引线框架片中包括多 个引线框架。
所述单排引线框架卷带相互之间通过设于引线框架卷带头部外沿的分切点或/和分切 条和设于引线框架卷带边带外沿的分切点或分切条连接，优选为相互对称并列相接。
本发明的制造方法使相互连接的四排单排引线框架卷带形成两条电镀区域，电镀工序 中，只要对这两条电镀区域实施电镀，即实现了对四排单排引线框架卷带上电镀区域进行 电镀的目的。
本发明三极管引线框架的(冲压)制造方法与现有技术通过冲压来制造三极管引线框 架如型号为TO-92单排的三极管引线框架的制造方法相比，由于采用了四排引线框架卷带 同时进行冲压，四排引线框架卷带同时进行电镀，然后进行分离，所以，每道工序上的生 产效率都大为提高。从生产成本上看，第一、大大减少了冲压和分离工序的模具及其维修 费用，大幅度节省了的人力成本和物料消耗成本；第二、在电镀工序上，节省了能源，减 少了电镀工序的人力成本和物料消耗成本。所以，其生产成本相对较低。同时，由于多排 引线框架卷带同时制造同时控制，使产品质量稳定。由于电镀工序集中生产，减少了电镀 排放的有害物质，降低了对环境的污染。

附图说明

图1是现有技术制造方法冲压出的单排三极管引线框架卷带及电镀区域示意图。
图2是本发明三极管引线框架的制造方法冲压出的四排(TO-92)引线框架一种实施 例的卷带、连接部分及其电镀区域示意图。
图3是本发明三极管引线框架的制造方法冲压出的四排(TO-92)引线框架另一种实 施例的卷带、连接部分及其电镀区域示意图。
图4是本发明三极管引线框架的制造方法冲压出的四排(TO-92)引线框架再另一种 实施例的卷带、连接部分及其电镀区域示意图。
图中所示1、中筋，2、边带，3、4、分切点，5、6、7、8、单排引线框架卷带， 9、引线框架卷带头部，10、11、分切条，A、现有技术引线框架卷带的电镀区域，B、 本发明引线框架卷带的电镀区域，W1、分切点3的宽度，W2、引线框架卷带头部9 的宽度。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示，现有技术通过冲压来制造三极管引线框架如型号为TO-92单排的三极 管引线框架的制造方法，冲压出的TO-92单排引线框架卷带，其连接部分是中筋1和边带 2，其需要电镀的区域为引线框架卷带的头部9区域，即图中所示的A区域。引线框架卷 带分离时，横向(行业内习惯称纵向，即沿图1中上下垂直方向)切断中筋1和边带2， 即可以获得多个引线框架片，每个引线框架片中包括多个引线框架。
如图2所示，本发明三极管引线框架的制造方法第一个实施例：
a、冲压引线框架卷带：从同一工件上冲压出相互连接的四排单排引线框架卷带5、6、 7、8，其连接部分也是中筋1和边带2。所述单排引线框架卷带5、6、7、8相互之间通过 设于引线框架卷带头部9外沿的分切点3和设于引线框架卷带边带2外沿的分切点4相互 对称并列相接。每个分切点3和分切点4分别连接一对相互对称并列相接的引线框架，这 样分布后，就形成了两条电镀区域B。
所述设于引线框架卷带头部9外沿的分切点3的宽度W1大于引线框架卷带头部9的 宽度W2，这样，保证了在切除分切点3时不影响引线框架卷带头部9边上的光滑平整。
由于各种原因，电镀工序中拉卷带的设备的拉力大小有所不同，预计设备拉力较小时， 所述设于引线框架卷带头部9外沿的分切点3在引线框架卷带的长度方向上每间隔四个引 线框架出现一次，这样，在设备拉力较小时，既保证了生产过程中的两排单排引线框架卷 带间的连接强度，又节省了电镀面积。
b、电镀：对所述引线框架卷带5、6、7、8的头部9及设于引线框架卷带头部9外 沿的分切点3所形成的区域B进行电镀。
分离：
c、切除分切点3和分切点4，得到四排分开的单排引线框架卷带5、6、7、8；
d、将所述单排引线框架卷带5、6、7、8横向(行业内习惯称纵向，即沿图2中上下 垂直方向)切断，获得多个引线框架片，每个引线框架片中又包括多个引线框架，如实际 操作中，一般是每个引线框架片中包括50个引线框架(下同，图2及图3、图4中省略画 出每个引线框架片中有15个引线框架)。
如图3所示，本发明三极管引线框架的制造方法第二个实施例：
制造方法基本与第一个实施例相同，其不同点在于：预计设备拉力适中时，所述单排 引线框架卷带5、6之间和单排引线框架卷带7、8之间通过设于引线框架卷带头部9外沿 的分切条10和分切点3相互对称并列相接。分切条10和分切点3在引线框架卷带的长度 方向上的排列为：每间隔一个引线框架出现一次分切条10，该分切条10连接二对相互对 称并列相接的引线框架，再间隔一个引线框架出现一次分切点3，该分切点3连接一对相 互对称并列相接的引线框架，再间隔一个引线框架出现一次分切条10……，如此循环反复。 第一个实施例的电镀和切除只涉及分切点3和分切点4，而本实施例的电镀和切除还包括 分切条10。采用本实施例的目的是，在设备拉力适中时，能保证生产过程中的两排单排引 线框架卷带间的连接强度，即任何情况下不产生变形，以利于后续工序的顺利进行。
如图4所示，本发明三极管引线框架的制造方法第三个实施例：
制造方法基本与第一个实施例相同，其不同点在于：预计设备拉力较大时，所述单排 引线框架卷带5、6之间和单排引线框架卷带7、8之间通过设于引线框架卷带头部9外沿 的分切条11相互对称并列相接。分切条11沿引线框架卷带的长度方向不间断延伸。第一 个实施例的电镀和切除涉及的是分切点3和分切点4，而本实施例的电镀和切除涉及的是 分切条11和分切点4。采用本实施例的目的是，在设备拉力较大时，能保证生产过程中的 两排单排引线框架卷带间的连接强度，即任何情况下不产生变形，以利于后续工序的顺利 进行。
上述实施例用来解释本发明，而不是对本发明的限制。在本发明的权利要求保护范围 内，对本发明作出的非实质性地修改和改变，如三个实施例中的分切点3、4与分切条10、 11相互之间的互换、分切点及分切条具体宽度的变化等，都落入本发明的保护范围内。
相关专利内容
标题 发布/更新时间 阅读量
一种三极管-专利编号CN107871715A 2020-05-12 411
三极管-专利编号CN104518012B 2020-05-11 51
一种三极管-专利编号CN108155154A 2020-05-13 940
一种三极管-专利编号CN110112114A 2020-05-12 793
三极管-专利编号CN104518012A 2020-05-11 637
三极管-专利编号CN104518011A 2020-05-11 740
散热三极管-专利编号CN109585398A 2020-05-13 1039
三极管-专利编号CN104518011B 2020-05-11 720
一种三极管-专利编号CN101752414B 2020-05-12 642
一种三极管-专利编号CN101752414A 2020-05-13 615
高效检索全球专利

IPRDB是专利检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。

我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，专利查询、专利分析。

电话：13651749426

侵权分析

IPRDB的侵权分析产品是IPRDB结合多位一线专利维权律师和专利侵权分析师的智慧，开发出来的一款特色产品，也是市面上唯一一款帮助企业研发人员、科研工作者、专利律师、专利分析师快速定位侵权分析的产品，极大的减少了用户重复工作量，提升工作效率，降低无效或侵权分析的准入门槛。

立即试用

三极管热门专利
热门文章

IPRDB

最新中国发明专利 最新美国发明专利 技术领域 专利库 专利分类库 国际专利分类库

热门服务

会员版试用 API 数据接口 找代理 知嘟嘟专利交易 排行榜 大学排行榜 专利百科

关于我们

平台介绍 战略合作 网站地图

友情链接

知嘟嘟专利交易 国家知识产权局 中国商标网

联系方式


©2019-2023 上海吉码数字技术有限公司 版权所有，并保留所有权利 沪ICP备20016256号-6 沪公网安备31011702005475号