一种高效异质结太阳能电池专利检索-异质结太阳能电池太阳能专利检索查询-专利查询网

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一种高效异质结太阳能电池

阅读：1083发布：2020-07-08

IPRDB可以提供一种高效异质结太阳能电池专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种高效异质结太阳能电池，包括n型硅衬底，依次沉积在n型硅衬底受光面的第一沉积本征非晶硅层、n型非晶硅层和第一透明导电氧化物层，依次沉积在n型硅衬底背光面的第二沉积本征非晶硅层、p型非晶硅层和第二透明导电氧化物层，所述n型硅衬底背光面的第二透明导电氧化物层上设有导电层，所述导电层上设有保护层，所述第二透明导电氧化物层、导电层、保护层叠合形成背光面薄膜叠层，所述保护层为透明导电氧化物层或银层。本实用新型背光面薄膜叠层结构，有效提高电池背光面电极收集传递电流的能力，提升电池转换效率，降低背光面电极的低温银浆耗用量，降低生产成本，所述保护层可以防止氧化。并且可以抵抗碱的腐蚀。，下面是一种高效异质结太阳能电池专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种高效异质结太阳能电池，其特征在于：包括n型硅衬底，依次沉积在n型硅衬底受光面的第一沉积本征非晶硅层、n型非晶硅层和第一透明导电氧化物层，依次沉积在n型硅衬底背光面的第二沉积本征非晶硅层、p型非晶硅层和第二透明导电氧化物层，所述n型硅衬底背光面的第二透明导电氧化物层上设有导电层，所述导电层上设有保护层，所述第二透明导电氧化物层、导电层、保护层叠合形成背光面薄膜叠层，所述保护层为透明导电氧化物层或银层。

2.根据权利要求1所述一种高效异质结太阳能电池，其特征在于：所述导电层为铜金属层、镍铜金属层、镍金属层、银金属层、铝金属层中的一种，所述导电层厚度为100～1000nm。

3.据权利要求1所述一种高效异质结太阳能电池，其特征在于：所述保护层厚度为10～

100nm。

4.据权利要求1所述一种高效异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一透明导电氧化物层表面上设有采用丝网印刷低温银浆制成的受光面主栅电极，所述受光面主栅电极高度为10～40um。

5.权利要求1所述一种高效异质结太阳能电池，其特征在于：所述保护层表面上设有采用丝网印刷低温银浆制成的背光面主栅电极，所述背光面主栅电极高度为10～40um。

说明书全文

一种高效异质结太阳能电池

技术领域

[0001] 本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种高效异质结太阳能电池。

背景技术

[0002] 异质结太阳能电池是硅衬底上生长非晶硅薄层的太阳能电池，具有结构简单、工艺温度低、转换效率高，温度特性好的特点，是适合于大规模推广应用的高效电池之一，具有很好的发展前景。

[0003] 目前市场上的异质结太阳能电池的主要结构为：在n型硅衬底受光面上先后沉积薄膜本征非晶硅层及P型非晶硅发射极层，形成带有薄膜本征非晶硅夹层的异质PN结；在俩面掺杂的非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物层，最后在透明导电氧化物层上制作太阳能电池栅线电极，采用在透明导电氧化物层上丝网印刷低温银浆，通过烘烤后形成太阳能电池电极，但为了获得更高的转换效率，太阳电池背面需印刷非常密集的栅线，造成低温银浆耗量较大，单片电池成本较高，不利于工业生产。实用新型内容

[0004] 针对上述问题，本实用新型提供了一种高效异质结太阳能电池，解决了太阳电池背面印刷密集栅线，造成低温银浆耗量大，电池成本高的问题。

[0005] 为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种高效异质结太阳能电池，包括n型硅衬底，依次沉积在n型硅衬底受光面的第一沉积本征非晶硅层、n型非晶硅层和第一透明导电氧化物层，依次沉积在n型硅衬底背光面的第二沉积本征非晶硅层、p型非晶硅层和第二透明导电氧化物层，所述n型硅衬底背光面的第二透明导电氧化物层上设有导电层，所述导电层上设有保护层，所述第二透明导电氧化物层、导电层、保护层叠合形成背光面薄膜叠层，所述保护层为透明导电氧化物层或银层。

[0006] 进一步的，所述导电层为铜金属层、镍铜金属层、镍金属层、银金属层、铝金属层中的一种，所述导电层厚度为100～1000nm。

[0007] 进一步的，所述保护层厚度为10～100nm。

[0008] 进一步的，所述第一透明导电氧化物层表面上设有采用丝网印刷低温银浆制成的受光面主栅电极，所述受光面主栅电极高度为10～40um。

[0009] 进一步的，所述保护层表面上设有采用丝网印刷低温银浆制成的背光面主栅电极，所述背光面主栅电极高度为10～40um。

[0010] 由上述对本实用新型结构的描述可知，和现有技术相比，本实用新型具有如下优点：

[0011] 本实用新型通过背光面薄膜叠层结构，有效提高电池背光面电极收集传递电流的能力，提升电池转换效率，降低背光面电极的低温银浆耗用量，降低生产成本，所述保护层可以防止氧化。并且可以抵抗碱的腐蚀。

附图说明

[0012] 构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

[0013] 图1为本实用新型一种高效异质结太阳能电池的结构示意图；

[0014] 图2为本实用新型一种高效异质结太阳能电池的背光面结构示意图。

具体实施方式

[0015] 为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

[0016] 参考图1、图2，一种高效异质结太阳能电池，包括n型硅衬底1，依次沉积在n型硅衬底1受光面的第一沉积本征非晶硅层2、n型非晶硅层3和第一透明导电氧化物层4，依次沉积在n型硅衬底1背光面的第二沉积本征非晶硅层5、p型非晶硅层6和第二透明导电氧化物层7，采用CVD法制作n型非晶硅层3和p型非晶硅层6，其中n型硅衬底·的表面反射率在300～
1100nm波长范围内小于5％，第一透明导电氧化物层4和第二透明导电氧化物层7采用ITO层或掺杂的氧化铟层，其特性是光通过100纳米厚度的材料，其透过率至少要大于90％，第一透明导电氧化物层4和第二透明导电氧化物层7的电阻率通常要小于3.5×10-4ohm-cm，其厚度为50～120nm，所述n型硅衬底1背光面的第二透明导电氧化物层7上设有导电层8，所述导电层8上设有保护层9，所述第二透明导电氧化物层7、导电层8、保护层9叠合形成背光面薄膜叠层。

[0017] 其中，导电层8为铜金属层、镍铜金属层、镍金属层、银金属层、铝金属层中的一种，导电层8厚度为100～1000nm，保护层9为透明导电氧化物层或银层，保护层厚度为10～100nm。

[0018] 在第一透明导电氧化物层4表面上设有采用丝网印刷低温银浆制成的受光面主栅电极10，受光面主栅电极10高度为10～40um，在保护层8表面上设有采用丝网印刷低温银浆制成的背光面主栅电极11，背光面主栅电极11高度为10～40um。

[0019] 本实用新型采用背光面薄膜叠层结构设计，不需要印刷非常密集的栅线，造成低温银浆耗量较大，有效提高电池背光面电极收集传递电流的能力，提升电池转换效率，降低背光面电极的低温银浆耗用量，降低生产生本。

[0020] 以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

标题	发布/更新时间	阅读量
异质结太阳能电池-专利编号CN106057916B	2020-05-13	256
异质结太阳能电池-专利编号CN110797428A	2020-05-11	242
异质结太阳能电池-专利编号CN104638048B	2020-05-12	494
一种异质结太阳能电池-专利编号CN106505109B	2020-05-11	793
异质结太阳能电池-专利编号CN106057916A	2020-05-12	1094
硅异质结太阳能电池-专利编号CN105324855B	2020-05-13	840
一种异质结太阳能电池-专利编号CN106505109A	2020-05-12	880
硅异质结太阳能电池-专利编号CN105324855A	2020-05-13	578
异质结太阳能电池-专利编号CN104638048A	2020-05-11	243
异质结太阳能电池-专利编号CN208655672U	2020-05-14	326

一种高效异质结太阳能电池

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