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硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法

阅读：1038发布：2020-06-11

IPRDB可以提供硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种硅基液晶(LCOS)铝反射电极的钝化保护方法，属于微电子器件制备技术领域，其工艺步骤如下：1、在硅基片表面上光刻出反射电极图形；2、在光刻出图形的硅片表面用电子束蒸发出铝薄膜；3、采用常规剥离工艺得到所需的铝反射电极图形；4、在铝反射电极上生长二氧化硅作为钝化层，完成制作。本发明方法具有成本低和工艺简单的优点。，下面是硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法专利的具体信息内容。

1、一种硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法，其特征在于，其主要 步骤如下：步骤1、在硅基片表面上光刻出反射电极图形；

步骤2、在光刻出反射电极图形的硅基片表面用电子束蒸发出铝薄 膜；

步骤3、采用常规剥离工艺得到所需的铝反射电极图形；

步骤4、在铝反射电极上生长二氧化硅钝化层。

2、根据权利要求1所述的一种硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法， 其特征在于，所述步骤1的在硅基片表面上光刻出反射电极图形，光刻前 先涂S9912胶，厚1000～1500nm。

3、根据权利要求1所述的一种硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法， 其特征在于，所述步骤2的在硅基片表面上淀积的铝薄膜，厚度是45～ 55nm，用低温电子束蒸发的方法获得。

4、根据权利要求1所述的一种硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法， 其特征在于，所述步骤3的剥离工艺是在丙酮中并采用超声波完成的。

5、根据权利要求1所述的一种硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法， 其特征在于，所述步骤4在铝反射电极上生长二氧化硅钝化层，用等离子 增强化学气相沉积方法获得，厚度是200～350nm。

6、根据权利要求2所述的一种硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法， 其特征在于，所述涂S9912胶之后，再在85～90℃热板上烘烤2.5～3.5 分钟。

说明书全文

技术领域

本发明属于微电子器件制备技术领域，特别涉及一种硅基液晶 (LCOS)铝反射电极的钝化保护方法。

背景技术

硅基液晶(LCOS)是在传统的液晶显示器件的基础上，结合硅半 导体技术和光学成像技术为一体的高技术产品。反射电极作为硅基液晶 (LCOS)的重要组成部分，其反射率对硅基液晶(LCOS)的整体显示 性能有着直接的影响，目前硅基液晶(LCOS)的反射电极都是采用铝， 但是铝反射面容易被氧化而生成氧化铝，从而使反射率下降，最终导致 器件的整体性能下降。

发明内容

本发明的目的是提供一种解决硅基液晶(LCOS)铝反射电极易被氧 化而使反射率下降的方法。
为达到上述目的，本发明的技术解决方案是首先在硅片上加工铝反射 电极，然后再在反射电极上气相沉积二氧化硅作为钝化保护层。
所述的一种硅基液晶(LCOS)铝反射电极的钝化保护方法，其步骤 如下：
步骤1、在硅基片表面上光刻出反射电极图形；
步骤2、在光刻出图形的硅片表面用低温电子束蒸发出铝薄膜；
步骤3、采用常规剥离工艺得到所需的铝反射电极图形；
步骤4、在铝反射电极上生长二氧化硅钝化层。
所述的一种硅基液晶(LCOS)铝反射电极的钝化保护方法，其所述 步骤1的在硅基片表面上光刻出反射电极图形，光刻前先涂9912胶，厚 1000-1500nm。
所述的一种硅基液晶(LCOS)铝反射电极的钝化保护方法，其所述 步骤2的在硅基片表面上淀积的铝薄膜，厚度是45～55nm，用低温电子 束蒸发的方法获得。
所述的一种硅基液晶(LCOS)铝反射电极的钝化保护方法，其所述 步骤3的剥离工艺是在丙酮中并采用超声波完成的。
所述的一种硅基液晶(LCOS)铝反射电极的钝化保护方法，其所述 步骤4在铝反射电极上生长二氧化硅钝化层，厚度是200-350nm，用等 离子增强化学气相沉积(PECVD)方法获得。
所述的一种硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法，其所述涂胶之后， 再在85～90℃热板上烘烤2.5～3.5分钟。
本发明方法具有成本低和工艺简单的优点。

附图说明

图1-1至图1-5是本发明硅基液晶(LCOS)铝反射电极的钝化保护方 法的流程图；
图2-1至图2-5是本发明实施例的流程图。

具体实施方式

本发明硅基液晶(LCOS)铝反射电极的钝化保护方法的具体实施 步骤如下：
1、如图1-1所示，在硅基片101表面上涂光学光刻胶102，光学光刻 胶为S9912，胶厚1000-1500nm。
2、如图1-2所示，光学光刻方法曝光顶层光学光刻胶102，显影顶层 光学光刻胶获得图形103。
3、如图1-3所示，在光学光刻胶102表面上淀积铝薄膜104，铝薄膜 104厚度是45～55nm，是采用低温电子束蒸发的方法获得的。
4、如图1-4所示，以丙酮加超声波方法剥离去除光刻胶及光刻胶上 的铝薄膜，最后得到在硅片上的铝膜图形105。
5、如图1-5所示，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法在 铝反射电极上生长二氧化硅薄膜106，厚度为200-350nm，完成铝反射电 极钝化保护层的制作。
实施例
1、如图2-1所示，在硅基片201表面上涂光学光刻胶202，光学光刻 胶为S9912，胶厚1000-1500nm；涂胶之后再85℃热板上烘烤3分钟。
2、如图2-2所示，光学光刻方法曝光顶层光学光刻胶202，显影顶层 光学光刻胶获得图形203。
3、如图2-3所示，在光学光刻胶202表面上淀积铝薄膜204，铝薄膜 102厚度是50nm，是采用低温电子束蒸发的方法获得的。
4、如图2-4所示，以丙酮加超声波方法剥离去除光刻胶及光刻胶上 的铝薄膜，最后得到在硅片上的铝膜图形205。
5、如图2-5所示，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法在 铝反射电极上生长二氧化硅薄膜206，厚度为200-350nm，完成铝反射电 极钝化保护层的制作。
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