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改善金属键合后的热膨胀的方法和半导体结构

阅读：1047发布：2020-11-29

IPRDB可以提供改善金属键合后的热膨胀的方法和半导体结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且该发明涉及一种改善金属键合后的热膨胀的方法和半导体结构，其中所述改善金属键合后的热膨胀的方法包括以下步骤：提供待刻蚀的晶圆，且所述待刻蚀的晶圆的上表面形成有氧化物层；从所述氧化物层的上表面向下蚀刻，形成第一槽；在所述第一槽内形成牺牲层；从所述第一槽内填充的牺牲层的上表面向下蚀刻，形成键合金属槽，所述键合金属槽连通至所述晶圆的上表面，且尺寸小于所述第一槽的尺寸，以保留预设尺寸的所述牺牲层；在所述键合金属槽内形成键合金属层；去除残留的所述牺牲层，在所述氧化物层的上表面形成热膨胀余量槽，且所述热膨胀余量槽与所述键合金属槽相连通。，下面是改善金属键合后的热膨胀的方法和半导体结构专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种改善金属键合后的热膨胀的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待刻蚀的晶圆，且所述待刻蚀的晶圆的上表面形成有氧化物层；

从所述氧化物层的上表面向下蚀刻，形成第一槽；

在所述第一槽内形成牺牲层；

从所述第一槽内填充的牺牲层的上表面向下蚀刻，形成键合金属槽，所述键合金属槽从所述牺牲层的上表面贯穿至所述氧化物层的下表面，且尺寸小于所述第一槽的尺寸，以保留预设尺寸的所述牺牲层；

在所述键合金属槽内形成键合金属层；

去除残留的所述牺牲层，在所述氧化物层的上表面形成热膨胀余量槽，且所述热膨胀余量槽与所述键合金属槽相连通。

2.根据权利要求1所述的改善金属键合后的热膨胀的方法，其特征在于，所述键合金属槽的两侧均保留有牺牲层，且所述键合金属槽的两侧保留的所述牺牲层的尺寸相同。

3.根据权利要求1所述的改善金属键合后的热膨胀的方法，其特征在于，所述键合金属层将所述键合金属槽填满，且在去除残留的所述牺牲层之前，还包括以下步骤：研磨所述氧化物层的上表面覆盖的键合金属层，直至所述键合金属层和所述氧化物层的上表面齐平。

4.根据权利要求1所述的改善金属键合后的热膨胀的方法，其特征在于，在所述键合金属槽内形成键合金属层之前，还包括以下步骤：在所述氧化物层的上表面和所述键合金属槽的侧壁形成阻挡层；

在所述阻挡层的上表面形成种子层。

5.根据权利要求1所述的改善金属键合后的热膨胀的方法，其特征在于，所述热膨胀余量槽的宽度为100至深度为50至

6.根据权利要求1所述的改善金属键合后的热膨胀的方法，其特征在于，所述键合金属层包括铜层。

7.根据权利要求1所述的改善金属键合后的热膨胀的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀在所述氧化物层的上表面形成第一槽，且采用湿法刻蚀在所述氧化物层的上表面形成第一槽之前，包括以下步骤：采用光刻技术在所述氧化物层的上表面形成一第一预设蚀刻区域。

8.根据权利要求1所述的改善金属键合后的热膨胀的方法，其特征在于，采用干法刻蚀形成所述键合金属槽，且在采用干法刻蚀形成所述键合金属槽之前，还包括以下步骤：采用光刻技术在所述氮化物的上表面形成第二预设蚀刻区域。

9.根据权利要求1所述的改善金属键合后的热膨胀的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除残留的所述牺牲层。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

晶圆；

形成于所述晶圆上表面的氧化物层；

形成于所述氧化物层上表面的键合金属槽，所述键合金属槽从所述牺牲层的上表面贯穿至所述氧化物层的下表面；

填充于所述键合金属槽内的键合金属层；

形成于所述氧化物层上表面的热膨胀余量槽，且所述热膨胀余量槽与所述键合金属槽相连通。

说明书全文

改善金属键合后的热膨胀的方法和半导体结构

技术领域

[0001] 本发明涉及晶圆生产制造加工设备领域，具体涉及一种改善金属键合后的热膨胀的方法和半导体结构。

背景技术

[0002] 在半导体制造工艺中，晶圆级金属键合作为3D集成电路一项关键技术，在高端产品上具有重要的应用趋势，是一种晶圆间的互连技术，将多个晶圆相互对准键合，使得多个晶圆表面的铜互连凸出晶圆表面的贴合端相互贴合，从而实现多个互连结构的电连接。

[0003] 现有技术中，在完成晶圆的金属键合后，需要对键合的两片晶圆进行退火处理。在退火处理过程中，加工温度可能高达400℃，键合金属可能会发生热膨胀，导致两个晶圆之间被膨胀的金属撑开，两晶圆之间具有缝隙。

[0004] 具体的，如晶圆的铜铜键合，由于铜的热膨胀系数为17.5，在退火处理过程中，可能会造成铜发生形变，使两片晶圆之间有缝隙，这样，在后期减薄的工艺中，容易发生破片，造成晶圆报废。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于提供一种改善金属键合后的热膨胀的方法和半导体结构，能够防止金属键合的晶圆在高温环境下发生膨胀、造成晶圆间具有较大缝隙的情况的发生。

[0006] 为解决上述技术问题，以下提供了一种改善金属键合后的热膨胀的方法，包括以下步骤：提供待刻蚀的晶圆，且所述待刻蚀的晶圆的上表面形成有氧化物层；从所述氧化物层的上表面向下蚀刻，形成第一槽；在所述第一槽内形成牺牲层；从所述第一槽内填充的牺牲层的上表面向下蚀刻，形成键合金属槽，所述键合金属槽连通至所述晶圆的上表面，且尺寸小于所述第一槽的尺寸，以保留预设尺寸的所述牺牲层；在所述键合金属槽内形成键合金属层；去除残留的所述牺牲层，在所述氧化物层的上表面形成热膨胀余量槽，且所述热膨胀余量槽与所述键合金属槽相连通。

[0007] 可选的，所述键合金属槽的两侧均保留有牺牲层，且所述键合金属槽的两侧保留的所述牺牲层的尺寸相同。

[0008] 可选的，所述键合金属层将所述键合金属槽填满，且在去除残留的所述牺牲层之前，还包括以下步骤：研磨所述氧化物层的上表面覆盖的键合金属层，直至所述键合金属层和所述氧化物层的上表面齐平。

[0009] 可选的，在所述键合金属槽内形成键合金属层之前，还包括以下步骤：在所述氧化物层的上表面和所述键合金属槽的侧壁形成阻挡层；在所述阻挡层的上表面形成种子层。

[0010] 可选的，所述热膨胀余量槽的宽度为100至深度为50至

[0011] 可选的，所述键合金属层包括铜层。

[0012] 可选的，采用湿法刻蚀在所述氧化物层的上表面形成第一槽，且采用湿法刻蚀在所述氧化物层的上表面形成第一槽之前，包括以下步骤：采用光刻技术在所述氧化物层的上表面形成一第一预设蚀刻区域。

[0013] 可选的，采用干法刻蚀形成所述键合金属槽，且在采用干法刻蚀形成所述键合金属槽之前，还包括以下步骤：采用光刻技术在所述氮化物的上表面形成第二预设蚀刻区域。

[0014] 可选的，采用湿法刻蚀去除残留的所述牺牲层。

[0015] 为解决上述技术问题，以下还提供了一种半导体结构，包括：晶圆；形成于所述晶圆上表面的氧化物层；形成于所述氧化物层上表面的键合金属槽，所述键合金属槽从所述牺牲层的上表面贯穿至所述氧化物层的下表面；填充于所述键合金属槽内的键合金属层；形成于所述氧化物层上表面的热膨胀余量槽，且所述热膨胀余量槽与所述键合金属槽相连通。

[0016] 本发明的改善金属键合后的热膨胀的方法和半导体结构通过设置热膨胀余量槽，给金属键合的晶圆留下金属发生热膨胀的空间，防止键合的两个晶圆之间由于金属的热膨胀而出现大的缝隙，导致后期减薄工艺中出现破片。这减小了晶圆的报废率。

附图说明

[0017] 图1为本发明的一种具体实施方式中的改善金属键合后的热膨胀的方法的步骤示意图。

[0018] 图2至12为改善金属键合后的热膨胀的各个步骤所对应的结构的示意图。

[0019] 图13为本发明的一种具体实施方式中的半导体结构键合后的结构示意图。

[0020] 图14为本发明的一种具体实施方式中的半导体结构键合并发生热膨胀后的结构示意图。

具体实施方式

[0021] 以下结合附图和具体实施方式对本发明提出的改善金属键合后的热膨胀的方法和半导体结构作进一步详细说明。

[0022] 请参阅图1至图14，其中图1为本发明的一种具体实施方式中的改善金属键合后的热膨胀的方法的步骤示意图，图2至12为改善金属键合后的热膨胀的各个步骤所对应的结构的示意图，图13为本发明的一种具体实施方式中的半导体结构键合后的结构示意图，图14为本发明的一种具体实施方式中的半导体结构键合并发生热膨胀后的结构示意图。

[0023] 该具体实施方式中，提供了一种改善金属键合后的热膨胀的方法，包括以下步骤：S11提供待刻蚀的晶圆，且所述待刻蚀的晶圆的上表面形成有氧化物层；S12从所述氧化物层的上表面向下蚀刻，形成第一槽401；S13在所述第一槽401内形成牺牲层；S14从所述第一槽401内填充的牺牲层的上表面向下蚀刻，形成键合金属槽701，所述键合金属槽701连通至所述晶圆的上表面，且尺寸小于所述第一槽401的尺寸，以保留预设尺寸的所述牺牲层；S15在所述键合金属槽701内形成键合金属层1001；S16去除残留的所述牺牲层，在所述氧化物层的上表面形成热膨胀余量槽1201，且所述热膨胀余量槽1201与所述键合金属槽701相连通。

[0024] 该具体实施方式中的改善金属键合后的热膨胀的方法通过设置热膨胀余量槽1201，给通过金属键合的两个晶圆留下键合金属发生热膨胀的空间，防止通过金属键合的两个晶圆之间由于金属的热膨胀而出现大的缝隙，导致在后期对晶圆减薄处理时出现破片。这减小了晶圆的报废率。

[0025] 在一种具体实施方式中，采用湿法刻蚀在所述氧化物层的上表面形成第一槽401，请参阅图2至4，为在晶圆的上表面刻蚀出第一槽401时结构示意图。在采用湿法刻蚀在所述氧化物层的上表面形成第一槽401之前，包括以下步骤：采用光刻技术在所述氧化物层的上表面形成一第一预设蚀刻区域。

[0026] 在一种具体实施方式中，采用光刻技术在氧化物层的上表面形成一第一预设蚀刻区域，通过对所述第一预设蚀刻区域进行刻蚀，获得所述第一槽401。

[0027] 所述光刻技术包括以下步骤：在氧化物层的上表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶301，再用光线(一般是紫外光、深紫外光、极紫外光)透过掩模照射在氧化物层的上表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应，此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶，就实现了对所述第一预设蚀刻区域的限定。

[0028] 在该具体实施方式中，从氧化物层的上表面向下刻蚀形成第一槽401时，不仅会在向下的方向上刻蚀，还会往两侧扩散，这样，实际得到的第一槽401的尺寸会稍大于所述第一预设蚀刻区域的尺寸，因此采用光刻技术在所述氧化物层的上表面形成一第一预设蚀刻区域时，需要将所述第一预设蚀刻区域设置的稍小于预设的所述第一槽401的尺寸。

[0029] 在一种具体实施方式中，在所述第一槽401内形成牺牲层时，所述牺牲层会覆盖到所述氧化物层的上表面。此处可参阅图5。这样，在往所述键合金属槽701内填充键合金属之前需要将所述第一槽401外、氧化物表面的牺牲层刻蚀掉。此处采用的方式是湿法刻蚀，采用磷酸溶液即可。

[0030] 所述第一槽401的深度与最后形成的热膨胀余量槽1201的深度相等，与键合金属层1001发生热膨胀时的膨胀量有关。在一种具体实施方式中，所述第一槽401的深度为50至所述热膨胀余量槽1201的深度也为50至

[0031] 在一种具体实施方式中，所述牺牲层包括氮化硅层。实际上，可以根据需要设置所述牺牲层的种类。在一种具体实施方式中，牺牲层包括多晶硅层、单晶硅层、氧化硅层和金属层等中的至少一种。

[0032] 在该具体实施方式中，通过化学气相沉积方法，在所述第一槽401内形成牺牲层。实际上，也可以根据需要，选择物理气相沉积或等离子体增强化学气相沉积技术等其他方法，在所述第一槽401内生成牺牲层。

[0033] 在一种具体实施方式中，采用干法刻蚀，从所述第一槽401内填充的牺牲层的上表面向下蚀刻，蚀刻出所述键合金属槽701。请参阅图6、7，其中图6为采用光刻技术在所述氮化物的上表面形成第二预设蚀刻区域时的结构示意图，图7为从所述第一槽401内填充的牺牲层的上表面垂直向下形成键合金属槽701时的结构示意图。从所述第一槽401内填充的牺牲层的上表面向下蚀刻时，通过控制所述第二预设蚀刻区域的大小，就可以使所述键合金属槽701两侧各自保留有预设尺寸的所述牺牲层。

[0034] 在该具体实施方式中，刻蚀晶圆的上表面形成所述键合金属槽701时，刻蚀过程中，刻蚀气体不仅会向下对晶圆进行刻蚀，还会往两侧扩散，这样，实际得到的键合金属槽701的尺寸会稍大于所述第二预设蚀刻区域的尺寸，因此采用光刻技术在所述晶圆的上表面形成一第二预设蚀刻区域时，需要将所述第二预设蚀刻区域设置的稍小于预设的所述键合金属槽701的尺寸。

[0035] 在一种具体实施方式中，所述键合金属槽701的两侧均保留有牺牲层501，且所述键合金属槽701的两侧保留的所述牺牲层501的尺寸相同，因此位于所述键合金属槽701两侧的热膨胀余量槽1201的尺寸也相同。这与键合金属在发生热膨胀时没有特定的膨胀方向的情况相适应。

[0036] 在一种具体实施方式中，所述热膨胀余量槽1201的宽度为100至配合50至的第一槽401的深度，足够去容纳所述键合金属层1001发生热膨胀时的膨胀量。

[0037] 在一种具体实施方式中，在两个晶圆201通过键合金属层1001键合时，需要进行高温退火操作。这时，键合金属层1001热膨胀的膨胀量的绝大部分可以被所述热膨胀余量槽1201容纳，减少两个晶圆201被热膨胀的键合金属层1001顶开的距离，防止键合后的晶圆
201在后续的处理中发生破片。

[0038] 请参阅图5至8，在该具体实施方式中，在所述键合金属槽701内形成键合金属层1001时，所述键合金属层1001覆盖至所述氧化物层的上表面，这样，所述键合金属层1001将所述键合金属槽701填满，且在去除残留的所述牺牲层501之前，还包括以下步骤：研磨所述氧化物层的上表面覆盖的键合金属层1001，直至所述键合金属层1001和所述氧化物层的上表面齐平。这样，残留的牺牲层501的上表面才能外露，便于用户对牺牲层501进行相应处理。

[0039] 在一种具体实施方式中，通过化学气相沉积方法在所述键合金属槽701内形成键合金属层1001。实际上，也可以根据需要，选择物理气相沉积或等离子体增强化学气相沉积技术等其他方法，在所述键合金属槽701内形成键合金属层1001。

[0040] 在一种具体实施方式中，采用湿法刻蚀去除残留的所述牺牲层501。在该具体实施方式中，所述牺牲层501为氮化硅层，使用磷酸对所述氮化硅层湿法刻蚀，将残余的氮化硅层完全蚀刻，留下位于键合金属层1001的侧壁和所述第一槽401的侧壁之间的热膨胀余量槽1201。

[0041] 实际上，若所述牺牲层501为其他结构，也可根据需要设置其他的蚀刻方法来蚀刻、消除所述牺牲层501。

[0042] 请参阅图9至12，在该具体实施方式中，在所述键合金属槽701内形成键合金属层1001之前，还包括以下步骤：在所述氧化物层的上表面和所述键合金属槽701的侧壁形成阻挡层901；在所述阻挡层901的上表面形成种子层902。在该具体实施方式中，所述阻挡层901包括钽层或氮化钽层中的至少一种，目的在于避免键合金属扩散到晶圆201的硅基底或氧化物层中，影响器件的性能。

[0043] 设置种子层902能为形成所述键合金属层1001提供导电介质，这样，当电源加在键合金属(阳极)和氧化物层(阴极)之间时，阳极的键合金属发生反应转化成键合金属离子和电子，同时阴极也发生反应，阴极附近的种子层902表面的铜离子与电子结合形成镀在所述种子层902表面的铜，最终形成键合金属层1001。

[0044] 在一种具体实施方式中，所述键合金属层1001包括铜层。实际上，也可根据需要选择所述键合金属为金层、铟层、钛层、铂层、铬层、锗层或镍层中的至少一种。

[0045] 在该具体实施方式中，在对键合金属层1001进行研磨、使键合金属层1001与晶圆201的上表面齐平的过程中，所述阻挡层901和种子层902也被研磨至与所述晶圆201的上表面齐平，以使所述键合金属层1001两侧遗留的牺牲层501能够外露，便于所述牺牲层501的去除。

[0046] 请参阅图12，该具体实施方式中提供了一种半导体结构，包括：晶圆201；形成于所述晶圆201上表面的氧化物层；形成于所述氧化物层上表面的键合金属槽701，所述键合金属槽701从所述牺牲层501的上表面贯穿至所述氧化物层的下表面；填充于所述键合金属槽701内的键合金属层1001；形成于所述氧化物层上表面的热膨胀余量槽1201，且所述热膨胀余量槽1201与所述键合金属槽701相连。

[0047] 该具体实施方式中的半导体结构设置有热膨胀余量槽1201，给金属键合的两个晶圆201之间留下金属发生热膨胀的空间，防止键合的两个晶圆201之间由于金属的热膨胀而出现大的缝隙，导致后期减薄工艺中出现破片。这减小了晶圆201的报废率。

[0048] 在一种具体实施方式中，所述键合金属层1001包括铜层。实际上，也可根据需要选择所述键合金属为金层、铟层、钛层、铂层、铬层、锗层或镍层中的至少一种。

[0049] 在一种具体实施方式中，所述热膨胀余量槽1201的数目为两个，对称设置于所述键合金属层1001的两侧。

[0050] 以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

标题	发布/更新时间	阅读量
热膨胀性片-专利编号CN110406186A	2020-05-11	610
热膨胀性微囊-专利编号CN105026511A	2020-05-11	565
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