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半导体激光器

阅读：948发布：2021-03-01

IPRDB可以提供半导体激光器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种半导体激光器。该半导体激光器可以实现减少光的内部损失而不使覆层变厚。该半导体激光器包括半导体基板上的半导体层。该半导体层从半导体基板侧依次具有下覆层、有源层、上覆层和接触层，并且在上覆层和接触层之间具有折射率低于上覆层的折射率的第一低折射率层。，下面是半导体激光器专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种半导体激光器，包括半导体基板上的半导体层，其中该半导体层从该半导体基板侧依次具有下覆层、有源层、上覆层和接触层，并且该半导体层在该上覆层和该接触层之间具有第一低折射率层，该第一低折射率层的折射率低于该上覆层的折射率。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中该半导体层包含(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中

0≤x≤1，0＜y＜1。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其中该上覆层包含(AlaGa1-a)bIn1-bP，其中0＜a＜0.7，0＜b＜1，并且该第一低折射率层包含(AlcGa1-c)dIn1-dP，其中0.7≤c≤1，0＜d＜1。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其中该第一低折射率层的厚度为0.1μm以上、0.5μm以下。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中该上覆层在该有源层侧具有第一覆层，并且该上覆层在该第一低折射率层侧具有第二覆层，并且该第一覆层的折射率大于该第二覆层的折射率。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中该下覆层的折射率和该上覆层的折射率彼此相等。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中该半导体层在该下覆层和该半导体基板之间具有第二低折射率层，该第二低折射率层的折射率低于该下覆层的折射率。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其中该下覆层包含(AleGa1-e)fIn1-fP，其中0＜e＜0.7，0＜f＜1，并且该第二低折射率层包含(AlgGa1-g)hIn1-hP，其中0.7≤g≤1，0＜h＜1。

9.根据权利要求7所述的半导体激光器，其中该第二低折射率层的厚度为0.1μm以上、0.5μm以下。

10.一种半导体激光器，包括半导体基板上的半导体层，其中该半导体层从该半导体基板侧依次具有下覆层、有源层、上覆层和接触层，并且该半导体层在该下覆层和该半导体基板之间具有第二低折射率层，该第二低折射率层的折射率低于该下覆层的折射率。

说明书全文

半导体激光器

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体激光器，该半导体激光器适合于用作例如记录型DVD(数字多用途盘)的光源。

背景技术

[0002] 通常，为了向诸如记录型DVD的高密度光盘写入数据，采用AlGaInP基半导体激光器。用于此处的激光器除了高输出外，还要求具有在高温下的稳定性以及低的纵横比(aspect ratio)(θv(θ在X轴方向)/θH(θ在Y轴方向))等。

[0003] 在这种半导体激光器中，为了实现低纵横比，在光波导中传播的光必须被加宽至脊条侧到一定程度。因此，通过将脊条侧的覆层中接近有源层的部分以低折射率层替代，从而采取措施将光的分布加宽至脊条侧。然而，当光分布被加宽太大时，光被脊条上面的接触层和基板吸收。因此，采取另一种措施来降低光的内部损失：加厚覆层以使接触层和基板保持远离有源层。通过在有源层附近引入低折射率层，该部分的带隙增加而载流子溢出减少，从而获得高温下的稳定性。

[0004] 例如，日本未审查专利申请公开第2005-333129号、第2005-19467号和第2008-78340号等中描述了AlGaInP基半导体激光器。例如，日本未审查专利申请公开第
2005-333129号、第2008-219051号和第2008-34886号等描述了用折射率低于覆层的低折射率层替代覆层中靠近有源层的部分的技术。

发明内容

[0005] 当加厚覆层来减少光的内部损失时，产生这样的问题，导热性下降，另外，制造过程中的生长时间变长，并且生产率也下降。

[0006] 所希望的是提供实现减少光的内部损失而不加厚覆层的半导体激光器。

[0007] 根据本发明实施例的第一半导体激光器在半导体基板上具有半导体层。该半导体层从半导体基板侧依次具有下覆层、有源层、上覆层和接触层，并且在上覆层和接触层之间具有折射率低于上覆层的折射率的第一低折射率层。该第一低折射率层可以与接触层直接接触，或者与其间的半导体层接触，该半导体层由与上覆层相同的材料制成且薄于上覆层。

[0008] 在根据本发明实施例的第一半导体激光器中，折射率低于上覆层的折射率的第一低折射率层设置在上覆层和接触层之间。利用该构造，通过第一低折射率层可以抑制光的分布向覆层的延伸。

[0009] 根据本发明实施例的第二半导体激光器在半导体基板上具有半导体层。该半导体层从半导体基板侧依次具有下覆层、有源层、上覆层和接触层，并且在下覆层和半导体基板之间具有折射率低于下覆层的折射率的第二低折射率层。第二低折射率层可以直接与半导体基板接触，或者与其间的半导体层接触，该半导体层由与下覆层相同的材料制成且薄于下覆层。

[0010] 在根据本发明实施例的第二半导体激光器中，折射率低于下覆层的折射率的第二低折射率层设置在下覆层和半导体基板之间。利用该构造，通过第二低折射率层可以抑制光的分布向半导体基板的延伸。

[0011] 在根据本发明实施例的第一半导体激光器中，通过第一低折射率层抑制光的分布向接触层的延伸。因此，可以减少接触层中的光吸收。利用该构造，在没有加厚上覆层的情况下，可以减少光的内部损失。

[0012] 在根据本发明实施例的第二半导体激光器中，通过第二低折射率层抑制光的分布向半导体基板的延伸，从而可以减少半导体基板中的光吸收。利用该构造，在没有加厚下覆层的情况下，可以减少光的内部损失。

[0013] 本发明的其它和进一步的目标、特征和优点将通过下面的描述更加明显易懂。

附图说明

[0014] 图1是根据本发明第一实施例的半导体激光器的截面图。

[0015] 图2的示意图图解了图1半导体激光器的传导带排列。

[0016] 图3的关系图图解了图1的低折射率层的厚度和光损失之间的关系。

[0017] 图4的关系图图解了图1的第二p型覆层的厚度和光损失之间的关系。

[0018] 图5是作为图1的半导体激光器修改的传导带排列示意图。

[0019] 图6是图1的半导体激光器的另一个修改的截面图。

[0020] 图7的示意图图解了图6的半导体激光器的传导带排列。

[0021] 图8是根据本发明第二实施例的半导体激光器的截面图。

[0022] 图9的示意图图解了图8的半导体激光器的传导带排列。

具体实施方式

[0023] 下面，将参考附图详细描述执行本发明的实施方式。将以下面的顺序给出描述。

[0024] 1.第一实施例(p侧设置低折射率层的示例，图1和2)

[0025] 修改(价带的能量分布不同的示例，图5)

[0026] 修改(n侧也设置低折射率层的示例，图6和7)

[0027] 2.第二实施例(n侧设置低折射率层的示例，图8和9)

[0028] 第一实施例

[0029] 图1图解了根据本发明第一实施例的半导体激光器1的截面构造示例。图2图解了图1的半导体激光器1的导带结构示例。该实施例的半导体激光器1例如为边发射型半导体激光器，例如能从端面(未示出)为诸如记录型DVD的高密度光盘发射600nm波段(例如，650nm)的光。半导体激光器1例如在基板10上具有半导体层20。基板10对应于本发明的“半导体基板”的具体示例。

[0030] 基板10例如为n型GaAs基板。n型杂质的示例为硅(Si)和硒(Se)。半导体层20包含四元的Ⅲ-V族化合物半导体，例如，AlGaInP基化合物半导体。“四元”表示四种元素的混合晶体，并且Ⅲ-V族化合物半导体表示表示包含Ⅲ族元素和V族元素的化合物半导体。AlGaInP基化合物半导体表示包含Al、Ga、In和P总共四种元素的化合物半导体。

[0031] 例如，通过在基板10上进行晶体生长而获得半导体层20。半导体层20例如从基板10侧依次包括n型覆层21、n侧引导层22、有源层23、p侧引导层24、第一p型覆层25、蚀刻停止层26、第二p型覆层27、低折射率层28和接触层29。低折射率层28可以直接与接触层29接触，或者与其间的半导体层接触，该半导体层由与第二p型覆层27相同的材料制成且比第二p型覆层27薄。

[0032] n型覆层21对应于本发明的“下覆层”的具体示例。第一p型覆层25和第二p型覆层27对应于本发明的“上覆层”的具体示例。低折射率层28对应于本发明的“第一低折射率层”的具体示例。第一p型覆层25对应于本发明的“第一覆层”的具体示例。第二p型覆层27对应于本发明的“第二覆层”的具体示例。

[0033] n型覆层21的禁带宽度大于n侧引导层22和有源层23的禁带宽度，并且n型覆层21的折射率小于n侧引导层22和有源层23的折射率。n型覆层21的导带的下端高于n侧引导层22和有源层23的导带的下端。n型覆层21例如包含n型(AleGa1-e)fIn1-fP(0＜e＜0.7，0＜f＜1)。n型杂质的示例包括硅(Si)和硒(Se)。

[0034] n侧引导层22的禁带宽度大于有源层23的禁带宽度，并且n侧引导层22的折射率小于有源层23的折射率。n侧引导层22的导带的下端高于有源层23的导带的下端。n侧引导层22例如包含未掺杂(AliGa1-i)kIn1-kP(0＜i＜e，0＜k＜1)。

[0035] 在该说明书中，“未掺杂”表示在制作作为目标的半导体层时没有供应杂质材料。因此，“未掺杂”表示这样的概念：其包括作为目标的半导体层中不包含杂质的情况以及略微包含从另一个半导体层扩散来的杂质的情况。

[0036] 有源层23的禁带宽度对应于所希望的发光波长(例如，600nm波段的波长)。有源层23例如具有多量子阱结构，其中阱层和势垒层分别由成分彼此不同的未掺杂AlGaInP制作。有源层23中面对稍后描述的脊30的区域是发光区域(未示出)。发光区域的条宽等于面对的脊30的底部，并且对应于电流注入区域，由脊30限定的电流向该区域流动。

[0037] p侧引导层24的禁带宽度大于有源层23的禁带宽度，并且p侧引导层24的折射率小于有源层23的折射率。p侧引导层24的价带的上端低于有源层23的价带的上端。p侧引导层24例如包含未掺杂(AlmGa1-m)nIn1-nP(0＜m＜p，0＜n＜1)(p表示第一p型覆层25的Al成分比)。

[0038] 第一p型覆层25相对于第二p型覆层27设置在有源层23侧。第一覆层25的禁带宽度大于有源层23和p侧引导层24的禁带宽度。第一p型覆层25的折射率小于有源层23和p侧引导层24的折射率，而大于第二p型覆层27的折射率。第一p型覆层25的价带的上端低于有源层23和p侧引导层24的价带的上端。在该实施例中，第一p型覆层25的禁带宽度大于n型覆层21的禁带宽度，并且第一p型覆层25的折射率小于n型覆层
21的折射率。第一p型覆层25例如包含p型(AlpGa1-p)qIn1-qP(0＜p＜0.7，0＜q＜1)。
p型杂质的示例包括镁(Mg)和锌(Zn)。

[0039] 蚀刻停止层26由对于预定的蚀刻剂蚀刻率低于第二p型覆层27的蚀刻率的材料制作。蚀刻停止层26例如包含p型(AlrGa1-r)sIn1-sP(0＜r＜m，0＜s＜1)。

[0040] 第二p型覆层27相对于第一p型覆层25设置在接触层29侧(低折射率层28侧)。第二覆层27的禁带宽度大于有源层23和p侧引导层24的禁带宽度，而小于第一p型覆层25的禁带宽度。第二p型覆层27的折射率小于有源层23和p侧引导层24的折射率，而大于第一p型覆层25的折射率。第二p型覆层27的价带的上端低于有源层23和p侧引导层24的价带的上端，而高于第一p型覆层25的价带的上端。第二p型覆层27例如包含p型(AltGa1-t)uIn1-uP(0＜t＜p，0＜u＜1)。

[0041] 低折射率层28设置在第二p型覆层27和接触层29之间。低折射率层28的禁带宽度大于有源层23和p侧引导层24的禁带宽度，并且大于第一p型覆层25和第二p型覆层27的禁带宽度。低折射率层28的折射率小于有源层23和p侧引导层24的折射率，并且小于第一p型覆层25和第二p型覆层27的折射率。低折射率层28的价带的上端低于有源层23和p侧引导层24的价带的上端，并且低于第一p型覆层25和第二p型覆层27的价带的上端。低折射率层28例如包含p型(AlcGa1-c)dIn1-dP(0.7≤c≤1，0＜d＜1)。

[0042] 接触层29设置为使得稍后描述的p侧电极31和第二p型覆层27(低折射率层28)彼此成为欧姆接触。接触层29例如包含p型GaAs。

[0043] 在该实施例中，在堆叠层平面中沿一个方向延伸的条形脊30形成在半导体层20的上部中。如图1所示，脊30例如包括第二p型覆层27、低折射率层28和接触层29。接触层29设置在脊30的最外层上。尽管图1示出了仅为半导体层20设置一个脊30的情况，但是可以设置两个或多个脊30。

[0044] 在半导体层20中，形成从脊30的延伸方向夹着脊30的一对端面(未示出)。通过这些端面，构造谐振器。该对端面例如通过解理形成，并且设置为以其间的预定间隔彼此面对。此外，低反射膜(未示出)形成在该对端面中发光侧的端面(前端面)上，并且高反射膜(未示出)形成在该对端面中发光侧的相反侧的端面(后端面)上。

[0045] p侧电极31设置在脊30的顶面(接触层29的顶面)上。p侧电极31具有在脊30的延伸方向上延伸的带状，并且电连接到接触层29。p侧电极31例如通过从基板10侧依次堆叠钛(Ti)、铂(Pt)和金(Au)而构造。n侧电极32设置在基板10的后面。n侧电极
32例如连续地形成在基板10的后面中包括面对脊30的区域的区域中。n侧电极32例如通过从基板10侧依次堆叠金(Au)和锗(Ge)的合金、镍(Ni)以及金(Au)而构造，并且电连接到基板10。

[0046] 接下来，将描述低折射率层28和第二p型覆层27的厚度与光损失之间的关系。图3示出了低折射率层28的厚度与光损失之间的关系。图4示出了第二p型覆层27的厚度与光损失之间的关系。图3示出了当第二p型覆层27的厚度设定为1.0μm且低折射率层28由AlInP或Al0.7Ga0.3InP制造时的结果。图4示出了当低折射率层28的厚度设定为
0.2μm且低折射率层28由AlInP制造时的结果。此外，示出没有设置低折射率层28的现有结构的结果作为比较示例。

[0047] 由图3可见，通过提供低折射率层28，获得了光损失减少的效果。此外，还可见低折射率层28的厚度优选为0.1μm以上、0.5μm以下。当低折射率层28的厚度变为小于0.1μm时，通过设置低折射率层28所产生的效果(光损失减少效果)非常小，并且在实际中没有意义。另一方面，当低折射率层28的厚度超过0.5μm时，光损失减少效果几乎与低折射率层28的厚度为0.5μm的情况相同。因此，在此情况下，由低折射率层28的厚度增加造成的诸如导热性变坏和生产率下降的缺点变得明显。将低折射率层28的厚度增加到大于0.5μm没有益处。

[0048] 由图4可见，通过低折射率层28的光限制效果而没有设定第二p型覆层27的厚度到通常厚度，可以将光损失抑制得充分低。因此，通过提供低折射率层28，而不加厚第二p型覆层27，可以有效地将光损失抑制得很低。

[0049] 现在，将描述制造该实施例的半导体激光器1的方法示例。

[0050] 首先，例如，通过采用MOCVD(金属有机化学气相沉积)，AlGaInP基半导体层20外延生长在基板10上。作为AlGaInP基化合物半导体的材料，例如，采用TMA(三甲基铝)、TMG(三甲基镓)、TMIn(三甲基铟)或PH3(三氢化磷)。具体地讲，在基板10上，从基板10侧依次形成n型覆层21、n侧引导层22、有源层23、p侧引导层24、第一p型覆层25、蚀刻停止层26、第二p型覆层27、低折射率层28和接触层29。

[0051] 接下来，预定形状的抗蚀剂图案通过光刻形成在接触层29上，以覆盖要形成脊30的条形区域。其后，例如，通过采用干法蚀刻，选择性去除半导体层20。通过该操作，在半导体层20的上部形成脊30。

[0052] 接下来，形成覆盖脊30顶面以外区域的抗蚀剂图案，然后，例如，通过真空沉积，在整个表面上堆叠Ti/Pt/Au多层膜。其后，通过剥离法，抗蚀剂图案与沉积在抗蚀剂图案上的Ti/Pt/Au多层膜一起去除。以这样的方式，在脊30的顶面上形成p侧电极31。其后，根据需要执行热处理，并且进行欧姆接触。随后，例如，通过真空沉积在基板10的整个后面上堆叠AuGe合金/Ni/Au多层膜(未示出)，形成n侧电极32。

[0053] 接下来，例如，用刀具对晶片的端部进行划痕，并且施加压力以打开划痕，由此形成解理裂纹。随后，通过气相沉积或溅射，在发光侧(前端面)的端面上形成约5％的低反射涂膜(未示出)，并且在前端面相反侧的端面(后端面)上形成约95％的高反射涂膜(未示出)。接下来，沿脊30的条方向切割芯片。以这样的方式，制造了该实施例的半导体激光器1。

[0054] 接下来，将描述该实施例的半导体激光器1的操作和效果。

[0055] 在该实施例的半导体激光器1中，当在p侧电极31和n侧电极32之间施加预定的电压时，由脊30限定的电流注入到有源层23，并且通过电子-空穴复合而产生光。该光由该对端面反射，以预定的波长发生激光振荡，并且光作为激光束从前端面发射到外面。

[0056] 在该实施例中，折射率低于第二p型覆层27的折射率的低折射率层28设置在第二p型覆层27和接触层29之间。利用该构造，低折射率层28可以防止光分布延伸到接触层29。因为可以减少接触层29的光吸收，而不加厚第二p型覆层27，所以可以减少光的内部损失。结果，可以提高光的取出效率，并且可以获得高输出。

[0057] 通常，四元材料具有高于三元材料的热阻。因此，在以高功率驱动由四元材料制造的半导体激光器的情况下，装置温度上升，并且可能造成诸如输出下降的缺点。在该实施例中，同样在第二p型覆层27包含p型(AltGa1-t)uIn1-uP(0＜t＜p，0＜u＜1)的情况下，可能造成由于热阻导致的诸如输出下降的缺点。然而，在该实施例中，低折射率层28设置在第二p型覆层27和接触层29之间。利用该构造，例如，在低折射率层28的厚度设定为0.1μm以上、0.5μm以下的情况下，第二p型覆层27和低折射率层28的总厚度可以制造为小于没有低折射率层28的现有结构中的第二p型覆层27的厚度(参考图3和4)。结果，可以减少由于高热阻造成的诸如输出下降的缺点发生的可能性。在该实施例中，在低折射率层28的厚度设定为0.1μm以上、0.5μm以下的情况下，可以使制造工艺中的晶体生长时间短于没有低折射率层28的现有结构的晶体生长时间。因此，还可以改善生产率。

[0058] 第一实施例的修改

[0059] 修改1

[0060] 尽管在前述实施例中第一p型覆层25的折射率和第二p型覆层27的折射率彼此不同，但是它们可以彼此相等。此外，第一p型覆层25的折射率和第二p型覆层27的折射率可以等于n型覆层21的折射率。

[0061] 修改2

[0062] 尽管在前述实施例中第一p型覆层25的禁带宽度和第二p型覆层27的禁带宽度彼此不同，但是它们可以彼此相等。第一p型覆层25的禁带宽度和第二p型覆层27的禁带宽度可以等于n型覆层21的禁带宽度。

[0063] 修改3

[0064] 尽管在前述实施例中第一p型覆层25的价带的上端和第二p型覆层27的价带的上端彼此不同，但是它们可以彼此相等。此外，如图5所示，第一p型覆层25的导带的下端和第二p型覆层27的导带的下端可以彼此相等。

[0065] 在该实施例中，第一p型覆层25和第二p型覆层27可以由相同的材料(相同的成分比)制作。此外，第一p型覆层25和第二p型覆层27可以由与n型覆层21相同的材料(相同的成分比)制造。

[0066] 修改4

[0067] 在前述实施例或其修改中，例如，如图6和7所示，半导体层20在基板10和n型覆层21之间可以具有低折射率层33(第二低折射率层)，低折射率层33的折射率低于n型覆层21的折射率。低折射率层33可以与基板10直接接触，或者与其间的半导体层接触，该半导体层由与n型覆层21相同的材料制造，且比n型覆层21薄。

[0068] 低折射率层33的禁带宽度大于有源层23和n侧引导层22的禁带宽度，并且大于n型覆层21的禁带宽度。低折射率层33的折射率小于有源层23和n侧引导层22的折射率。低折射率层33的导带的下端高于有源层23和n侧引导层22的导带的下端，并且还高于n型覆层21的导带的下端。低折射率层33包含例如n型(AlgGa1-g)hIn1-hP(0.7≤g≤1，0＜h＜1)。

[0069] 利用该构造，通过低折射率层33可以防止光分布延伸到基板10。因此，可以减少基板10的光吸收，从而可以减少光的内部损失而不加厚n型覆层21。

[0070] 在修改中，例如，当低折射率层33的厚度设定为0.1μm以上、0.5μm以下时，可以使n型覆层21和低折射率层33的总厚度小于没有低折射率层33的现有结构中的n型覆层21的厚度。结果，可以减少诸如由于高热组引起的输出下降的缺点发生的可能性。在该修改中，在低折射率层33的厚度设定为0.1μm以上、0.5μm以下的情况下，可以使制造工艺中的晶体生长时间短于没有低折射率层33的现有结构的晶体生长时间。因此，还可以改善生产率。

[0071] 第二实施例

[0072] 图8示出了根据本发明第二实施例的半导体激光器2的截面构造示例。图9示出了图8的半导体激光器2的导带结构示例。与第一实施例的半导体激光器1一样，该实施例的半导体激光器2例如为边发射型半导体激光器，其能够为诸如记录型DVD的高密度光盘从端面(未示出)发射600nm波段(例如，650nm)的光。

[0073] 半导体激光器2在基板10上具有例如半导体层20。半导体激光器2在第二p型覆层27和接触层29之间没有低折射率层28，而在基板10和n型覆层21之间具有低折射率层33(第二低折射率层)，其折射率低于n型覆层21的折射率。关于上述点，半导体激光器2与第一实施例的半导体激光器1不同。

[0074] 低折射率层33的禁带宽度大于有源层23和n侧引导层22的禁带宽度，并且大于n型覆层21的禁带宽度。低折射率层33的折射率小于有源层23和n侧引导层22的折射率。低折射率层33的导带的下端高于有源层23和n侧引导层22的导带的下端，并且还高于n型覆层21的导带的下端。低折射率层33例如包含n型(AlgGa1-g)hIn1-hP(0.7≤g≤1，0＜h＜1)。

[0075] 低折射率层33可以与基板10直接接触，或者与其间的半导体层接触，该半导体层由与n型覆层21相同的材料制造，并且比n型覆层21薄。

[0076] 利用该构造，通过低折射率层33可以防止光分布延伸到基板10。因此，可以减少基板10的光吸收，从而在没有加厚n型覆层21的情况下可以减少光的内部损失。

[0077] 在该实施例中，例如，当低折射率层33的厚度设定为0.1μm以上、0.5μm以下时，可以使n型覆层21和低折射率层33的总厚度小于没有低折射率层33的现有结构中n型覆层21的厚度。结果，可以减少诸如由于高热阻引起的输出下降的缺点发生的可能性。在该实施例中，在低折射率层33的厚度为0.1μm以上、0.5μm以下的情况下，可以使制造工艺中的晶体生长时间短于没有低折射率层33的现有结构的晶体生长时间。因此，还可以改善生产率。

[0078] 尽管本发明已经在上面通过实施例进行了描述，但是本发明不限于前述实施例，而是可以进行各种修改。

[0079] 例如，在该实施例中，已经描述了为半导体激光器1设置一个脊30的情况。显然，本发明还可应用于设置多个脊30的情况。

[0080] 尽管本发明在前述实施例中采用AlGaInP基化合物半导体激光器作为示例进行了描述，但是本发明也可应用于其它的高功率化合物半导体激光器。

[0081] 本发明包含2009年5月27日提交日本专利局的日本优先权专利申请JP2009-127838中公开的相关主题，将其全部内容通过引用结合于此。

[0082] 本领域的技术人员应当理解的是，在权利要求或其等同方案的范围内，根据设计需要和其他因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。

标题	发布/更新时间	阅读量
激光器组件-专利编号CN105191023B	2020-05-11	983
二极管激光器-专利编号CN102738705A	2020-05-12	252
激光器组件-专利编号CN105229875A	2020-05-11	916
二极管激光器-专利编号CN102738705B	2020-05-12	128
激光器组件-专利编号CN105191023A	2020-05-11	1031
激光器组件-专利编号CN105229875B	2020-05-11	428
光纤激光器射频驱动源-专利编号CN104300349A	2020-05-12	187
脉冲全光纤激光器-专利编号CN101640367B	2020-05-13	536
脉冲全光纤激光器-专利编号CN101640367A	2020-05-13	727
一种半导体激光器模块-专利编号CN107946900A	2020-05-13	202

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