会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
首页 / 专利库 / 焊接,钎焊和锡焊 / 软钎焊 / 没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块及其制造方法

没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块及其制造方法

阅读:423发布:2021-02-13

IPRDB可以提供没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块及其制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本发明提供没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块及其制造方法。所述没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块,其具有含有20.5~23.5%(质量百分数)Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成,并且在基体中具有富Sn初晶相结晶析出0.5~30%(面积百分数)的组织。,下面是没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块及其制造方法专利的具体信息内容。

1.没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块,其具有按质量百分数计含有20.5~23.5%Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成,并且在基体中具有富Sn初晶相按面积百分数计结晶析出0.5~30%的组织。

2.没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块的制造方法,其特征在于,将具有按质量百分数计含有20.5~23.5%Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成,并且在基体中具有富Sn初晶相按面积百分数计结晶析出0.5~30%的组织的Au-Sn合金粉末与助焊剂混合,获得Au-Sn软钎焊糊料,将所得糊料涂覆成点状后,进行回流处理。

说明书全文

技术领域

本发明涉及没有内藏大孔隙、特别是没有内藏超过凸块(バンプ)径30%的大孔隙的Au-Sn合金凸块及其制造方法。

背景技术

一般来说,在GaAs光元件、GaAs高频元件、导热元件等半导体元件和基板的接合,要求微细且高气密性的SAW滤色器、水晶振荡器等组装密封等中使用Au-Sn合金软钎焊糊料。该Au-Sn合金软钎焊糊料所含的Au-Sn合金粉末已知为具有含有20%(质量百分数)Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成的Au-Sn共晶合金粉末,该Au-Sn共晶合金粉末通常经过气体喷散而获得。
还已知在基板上形成孔穴明显的干膜层,在将Au-Sn合金软钎焊糊料埋入在该干膜层的孔穴中后,将上述Au-Sn合金软钎焊糊料进行回流处理,在基板表面上形成Au-Sn合金凸块,除去干膜层作为电极等使用(参照非专利文献1)。
非专利文献1:第10次电子学的微接合·安装技术讨论论文集Vol.10.2004第95~100页(社团法人焊接学会2004年2月5日发行)

发明内容

但是,使用含有上述非专利文献1所记载的具有含有20%(质量百分数)Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成的Au-Sn合金粉末的糊料制作的Au-Sn合金凸块内部中会产生很大的孔隙、残留并内藏于其中,使用该大孔隙残留并内藏于内部的Au-Sn合金凸块接合半导体元件和基板等时,在接合部中也残留有大孔隙,该接合部的大孔隙成为断裂的起点,无法获得具有可靠性的Au-Sn合金软钎焊糊料的接合部。此时,Au-Sn合金凸块中内藏的孔隙为凸块径30%以下的小孔隙时,由于不能成为断裂的起点,因此不会降低接合部的可靠性。因而,寻求内部内藏大孔隙、特别是超过凸块径30%的大孔隙少的Au-Sn合金凸块。
因此,本发明人等为了获得内部内藏大孔隙少的凸块而进行研究。结果获得以下研究结果:使用将具有含有20.5~23.5%(质量百分数)Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成,并且在基体中具有富Sn初晶相结晶析出0.5~30%(面积百分数)的组织的Au-Sn合金粉末与助焊剂混合,获得Au-Sn合金软钎焊糊料,使用获得的Au-Sn合金软钎焊糊料进行回流处理,从而获得的Au-Sn合金凸块中没有残留于凸块内部的大孔隙。
本发明根据该研究结果而完成,
(1)没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块,其具有含有20.5~23.5%(质量百分数)Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成,并且在基体中具有富Sn初晶相结晶析出0.5~30%(面积百分数)的组织。
(2)没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块的制造方法,其特征在于,将具有含有20.5~23.5%(质量百分数)Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成,并且在基体中具有富Sn初晶相结晶析出0.5~30%(面积百分数)的组织的Au-Sn合金粉末与助焊剂混合,获得Au-Sn合金软钎焊糊料,将该所得糊料涂覆成点状后,进行回流处理.
本发明的没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块制造方法中使用的Au-Sn合金软钎焊糊料通过以下方法制造。首先,将具有含有20.5~23.5%(质量百分数)Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成的Au-Sn合金熔融,获得金属熔融液,将所得金属熔融液保持在温度:600℃~1000℃,在机械搅拌的同时或者在机械搅拌后将该搅拌的金属熔融液以压力:300~800kPa加压,同时在喷射压力:5000~8000kPa的压力下从具有直径1~2mm的小径喷嘴以喷嘴间隔为0.3mm以下喷射惰性气体,制造富Sn初晶相结晶析出0.5~30%(面积百分数)的Au-Sn合金粉末。上述搅拌优选为机械搅拌,机械搅拌内更优选螺旋搅拌。上述机械搅拌还可以并用电磁搅拌等电搅拌,还可以在机械搅拌中并用电磁搅拌。上述机械搅拌的旋转速度并无特别限定,优选60~100r.p.m下螺旋搅拌3~10分钟。该Au-Sn合金粉末的制造方法中,当机械搅拌Au-Sn合金熔融液时,可以获得富Sn初晶相不会生长、增大,且没有富Au初晶相簇的Au-Sn合金熔融液,通过将该搅拌获得的Au-Sn合金熔融液喷散,在基体中富Sn初晶相结晶析出0.5~30%(面积百分数),获得没有富Au初晶相的Au-Sn合金粉末。将如此获得的Au-Sn合金粉末与市售的含有松香、活性剂、溶剂和增粘剂的助焊剂混合,制作Au-Sn合金软钎焊糊料。
不对具有含有20.5~23.5%(质量百分数)Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成的Au-Sn合金熔融液进行机械搅拌、直接气体喷散而获得的Au-Sn合金粉末即便富Sn初晶相结晶析出,其量也极少,其量不会超过0.4%。在将该富Sn初晶相结晶析出量少的Au-Sn合金粉末与市售的助焊剂混合而获得的Au-Sn合金软钎焊糊料点状涂覆于基板上进行回流处理而获得的凸块中,内藏超过凸块径30%的大孔隙。
另一方面,上述具有富Sn初晶相结晶析出0.5~30%(面积百分数)且无富Au初晶相的组织的Au-Sn合金粉末可以如下制造:对含有20.5~23.5%(质量百分数)Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成的Au-Sn合金熔融液进行机械搅拌,将该机械搅拌的Au-Sn合金熔融液喷散,从而制造。将作为该Au-Sn合金粉末与市售助焊剂的混合体的Au-Sn合金软钎焊糊料点状涂覆在基板上进行回流处理而获得的凸块,其内在的孔隙的数量少,同时完全没有产生超过凸块径30%的大孔隙。
将本发明Au-Sn合金凸块所含的Sn含量限定于20.5~23.5%(质量百分数)的原因在于,凸块所含Sn的含量小于20.5%(质量百分数)时,富Au初晶相结晶析出、熔点增高、熔融液粘性增高,在糊料熔融中产生的气体被捕获在基板附近,在凸块内部残留孔隙,因此不优选;而当Sn的含量超过23.5%(质量百分数)时,即便对金属熔融液进行机械搅拌,粗大的富Sn初晶相也会结晶析出,而且富Sn初晶相整体结晶析出超过30%(面积百分数),孔隙难以从凸块内部除去,残留于凸块内部,因此不优选。
将在用于制作本发明Au-Sn合金凸块所用的Au-Sn合金糊料所含Au-Sn合金粉末中结晶析出的富Sn初晶相限定为结晶析出0.5~30%(面积百分数)的原因在于,在Au-Sn合金粉末的截面中结晶析出的富Sn初晶相的量小于0.5%(面积百分数)时,产生富Au初晶相,该Au富含相与其它共晶组织部相比,熔点增高,因此在相同温度下熔融液粘性高,在糊料熔融中产生的气体被捕获,成为孔隙产生的原因,因此不优选;另一方面,当在Au-Sn合金粉末的截面中富Sn初晶相结晶析出超过30%(面积百分数)时,粉末的熔点明显地向高温移动,富Sn初晶相的比例增高,通过从共晶点位移,熔点增高、熔融液的粘度增高、流动性降低,在糊料熔融时产生的气体被捕获,成为孔隙产生的原因,因此不优选.用于制作本发明Au-Sn合金凸块所用Au-Sn合金糊料所含Au-Sn合金粉末中结晶析出的富Sn初晶相的结晶析出量更优选的范围为10~20%(面积百分数).
本发明的Au-Sn合金凸块由于内部没有内藏超过凸块径30%的大孔隙,因此与以往的Au-Sn合金凸块相比,由孔隙起点所导致的断裂发生可能性低、接合部的可靠性优异,半导体装置的不良品发生率也减少,可以降低成本,获得产业上优异的效果。

附图说明

图1为Au-Sn合金凸块1截面的金属显微镜组织照片。
图2为Au-Sn合金凸块2截面的金属显微镜组织照片。
图3为Au-Sn合金凸块3截面的金属显微镜组织照片。
图4为Au-Sn合金凸块4截面的金属显微镜组织照片。
图5为Au-Sn合金凸块5截面的金属显微镜组织照片。
图6为Au-Sn合金凸块6截面的金属显微镜组织照片。
图7为Au-Sn合金凸块7截面的金属显微镜组织照片。
图8为Au-Sn合金凸块8截面的金属显微镜组织照片。
图9为Au-Sn合金凸块9截面的金属显微镜组织照片。
图10为Au-Sn合金凸块10截面的金属显微镜组织照片。
图11为Au-Sn合金凸块11截面的金属显微镜组织照片。

具体实施方式

在高频熔融炉中熔融具有表1所示成分组成的Au-Sn合金,将所得金属熔融液保持在表1所示温度,同时以表1所示旋转数使螺旋杆旋转表1所示时间,对金属熔融液进行机械搅拌的同时或者机械搅拌之后,向金属熔融液施加表1所示压力,从设置于高频熔融炉底部的喷嘴使金属熔融液落下,同时从喷嘴周围按照喷嘴间隔为0.2mm而设置的表1所示直径的气体喷嘴向落下的金属熔融液以表1所示喷射压力喷射Ar气体,从而制作气体喷散粉末,利用筛子过筛该气体喷散粉末,制作平均粒径具有20μm的Au-Sn合金粉末。
将这些Au-Sn合金粉末埋入树脂进行截面研磨,使用EPMA拍摄截面,在该EPMA图像中,随机选择粉末截面直径为15μm的10个样品,使用图像处理软件求得富Sn初晶相占富Sn初晶相粉末截面积的面积百分数,将其结果示于表1中。
在这些Au-Sn合金粉末中以助焊剂比例为7%(质量百分数)混合市售的RMA助焊剂,制作Au-Sn合金软钎焊糊料1~11。
接着,使用这些Au-Sn合金软钎焊糊料1~11进行下述测定。
首先,准备具有长:10mm、宽:10mm、厚:1mm尺寸的含有Si的板,在该板的表面上形成厚度0.5μm的Al溅射膜后,在其上形成厚度0.5μm的Ni-V合金溅射膜,再在其上形成1.0μm的Cu溅射膜,在形成有该Cu溅射膜的板上形成具有直径95μm的孔穴、具有厚度70μm的干膜层,在上述干膜层的孔穴中填充上述Au-Sn合金软钎焊糊料1~11,进行回流处理(预加热150℃/60秒+主加热320℃/60秒),从而分别制作1000个具有直径80μm、高度60μm尺寸的Au-Sn合金凸块1~11.用1000倍的金属显微镜观察这些Au-Sn合金凸块1~11的截面,拍摄该截面的组织照片,将其组织照片示于图1~11.之后,根据上述组织照片使用图像处理软件测定富Sn初晶相占Au-Sn合金凸块1~11截面积的%(面积百分数),将它们的测定结果示于表2中.
分别抽出240个Au-Sn合金凸块1~11,分别使用透射X射线装置对该240个Au-Sn合金凸块1~11测定凸块内藏的孔隙数量和直径,以孔隙径相对于凸块径的比例求得,分类成孔隙径为凸块径10%以下的孔隙、孔隙径为凸块径的超过10%~20%以下的孔隙、孔隙径为凸块径的超过20%~30%以下的孔隙、孔隙径超过凸块径30%的孔隙,求得这些分类的孔隙数量,将它们的结果示于表2中。


由图1~11和表2所示的结果可知,含有20.5~23.5%(质量百分数)Sn的Au-Sn合金凸块4~8(本发明凸块)不会产生超过凸块径30%的大孔隙,但含有18.1~18.9%(质量百分数)Sn的Au-Sn合金凸块1~2(比较凸块)、含有20.1%(质量百分数)Sn的Au-Sn合金凸块3(现有凸块)和含有24.1~30.0%(质量百分数)Sn的Au-Sn合金凸块9~11(比较凸块)均会产生超过凸块径30%的大孔隙,因此不优选.
高效检索全球专利

IPRDB是专利检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。

我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,专利查询、专利分析

电话:13651749426

侵权分析

IPRDB的侵权分析产品是IPRDB结合多位一线专利维权律师和专利侵权分析师的智慧,开发出来的一款特色产品,也是市面上唯一一款帮助企业研发人员、科研工作者、专利律师、专利分析师快速定位侵权分析的产品,极大的减少了用户重复工作量,提升工作效率,降低无效或侵权分析的准入门槛。

立即试用