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激光器波长的稳定

阅读:1046发布:2020-11-28

IPRDB可以提供激光器波长的稳定专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且在粗波分复用(CWDM)的光传输系统中,调谐分布反馈(DFB)激光器,使光栅的峰值反射与DFB激光器的增益范围重叠。调谐衍射光栅,使峰值位于选择温度的增益光谱的长波长一端上。该光传输系统操作在有宽温度范围(即,约-40℃到约85℃)的环境中。加热激光器,并随着激光器温度的增加,增益范围赶上光栅的峰值。当增益范围和光栅峰值在增加的激光器温度上重叠时,激光器的输出得到改进。,下面是激光器波长的稳定专利的具体信息内容。

1.一种操作半导体激光器装置的方法,包括:

在第一操作温度范围上的温度控制下,操作所述半导体激光器装 置;和在第二操作温度范围上的不进行温度控制下,操作所述半导体激 光器装置。

2.一种操作半导体激光器装置的方法,包括:

在第一操作温度范围上的温度控制下,操作所述半导体激光器装 置;和在第二操作温度范围上的不进行温度控制下,操作所述半导体激 光器装置,其中,所述第二操作温度范围,包括比所述第一操作温度 范围更宽的温度范围。

3.按照权利要求2的操作半导体激光器装置的方法,其中所述 第二操作温度范围的最低温度,超过所述第一操作温度范围的最高温 度。

4.按照权利要求2的操作半导体激光器装置的方法,其中当所 述半导体激光器装置的温度在所述第二操作温度范围中时,所述半导 体激光器装置被点亮,又当所述半导体激光器装置的温度在所述第一 操作温度范围中时,所述半导体激光器装置被熄灭。

5.按照权利要求2的操作半导体激光器装置的方法,其中所述 第一操作温度范围,包括从约-40℃到约0℃的范围。

6.按照权利要求2的操作半导体激光器装置的方法,其中所述 第一操作温度范围,包括从约0℃到约85℃的范围。

7.一种增宽半导体激光器装置有效操作温度范围的方法,包括:读取所述半导体激光器装置被感测的温度;和

当所述被感测温度小于某一阈值温度时,预热所述半导体光源, 以便协调所述半导体激光器装置的光栅峰值与所述半导体激光器装 置的增益范围。

8.按照权利要求7的增宽半导体激光器装置有效操作温度范围 的方法,其中所述阈值温度包括约0℃的温度。

9.按照权利要求7的增宽半导体激光器装置有效操纵温度范围 的方法,其中所述有效操作温度范围,包括从约-40℃到约85℃的 范围。

10.按照权利要求7的增宽半导体激光器装置有效操纵温度范围 的方法,其中所述读取被感测的温度,包括从热敏电阻接收信号,所 述热敏电阻与所述半导体激光器装置热耦合。

11.按照权利要求7的增宽半导体激光器装置有效操纵温度范围 的方法,其中所述感测被感测的温度,包括从热电偶接收信号,所述 热电偶与所述半导体激光器装置热耦合。

12.按照权利要求7的增宽半导体激光器装置有效操纵温度范围 的方法,其中所述半导体激光器装置,包括分布反馈模式的激光器装 置。

13.一种半导体激光器系统,包括:

半导体激光器装置,所述半导体激光器装置有第一光栅特性和第 二材料增益特性;

加热器,所述加热器与所述半导体激光器装置热耦合;

温度传感器,所述温度传感器用信令方法与所述加热器耦合,所 述温度传感器适合响应所述半导体激光器装置的温度,控制所述加热 器的启动,以便在某一阈值温度上实现所述光栅特性与所述材料增益 特性的最小协调,在该阈值温度上,所述半导体激光器装置适合在某 一温度范围上操作,所述温度范围位于所述阈值温度之上。

14.按照权利要求13的半导体激光器系统,其中所述温度传感 器包括热敏电阻。

15.按照权利要求13的半导体激光器系统,其中所述温度传感 器包括热电偶。

16.按照权利要求13的半导体激光器系统,其中所述温度传感 器包括光学温度传感器。

17.按照权利要求13的半导体激光器系统,其中所述阈值温度 包括约0℃的温度。

18.按照权利要求13的半导体激光器系统,其中所述阈值温度 包括从约-5℃到约5℃范围内的温度。

19.按照权利要求13的半导体激光器系统,其中所述温度范围, 包括约0℃和约85℃之间的温度范围。

20.一种激光器系统,包括

激光器装置;

当所述激光器装置的温度在所述阈值温度之下的第一温度范围 内时,用于把所述激光器装置温度提高到阈值温度的装置,所述第一 温度范围在所述激光器装置的第二操作温度范围以下,所述装置的所 述第二操作温度范围,比所述第一温度范围跨越更大的温度范围。

21.一种激光器系统,包括

有失谐光栅特性的激光器装置;和

加热器,所述加热器适合再调谐所述光栅特性,以便在所述激光 器装置的某一操作温度范围上,协调所述光栅特性与所述激光器装置 的增益特性。

22.一种光传输系统,包括:

有光栅峰值的分布反馈激光器,该光栅峰值被选择出现在- 40℃的增益范围的长波长端;

与分布反馈激光器耦合的温度传感器;

与分布反馈激光器耦合的加热单元;和

与温度传感器及加热单元耦合的控制器,当温度传感器感测到 0℃以下的温度时,该控制器适合启动加热单元,又当温度传感器感 测到0℃以上的温度时,该控制器适合停止加热单元。

说明书全文

背景技术

[0002]近年来,在数据通信容量需求方面已经快速增长。传统 的数据通信用户,包括商业和政府计算机网络,已经形成扩大着的市 场。此外,诸如数字电视、数字电话、和计算机网络的消费者使用的 新应用,已经出现并已成长。为响应和鼓励这种成长需求,已经在电 子学和光通信技术中取得进展。
[0003]光通信装置和网络与其他通信系统相比,提供重大的优 点。这些重大优点中有:高的带宽、不受电学噪声干扰、和传输介质 对电化学腐蚀的耐受性。光通信系统的基本单元有:能够被调制而产 生调制的光信号的光源装置、响应被调制的光信号的接收器装置、和 传输介质。光源装置例如可以是固态激光二极管。
[0004]这种光源装置的一般操作波长,例如是850、1300、或 1550nm。典型的接收器装置,例如包括PIN型光电二极管或雪崩光 电二极管装置(APD)。通常,传输介质是光波导,诸如玻璃光纤。
[0005]光纤的史无前例的容量,使它成为输送高带宽信号的理 想介质。但是,为了补偿安装和维护的费用,关键是优化安装的容量。 在获得增加的传输容量的一种途径中,光缆通常由许多个别的光纤构 成。光缆中常常包括4根、12根、24根、40根、或更多根光纤。这 样安排能使许多信号并行传输,实际上是提供一种空间复用的系统。
[0006]有效的数据的容量,还可以借助时分复用(TDM)和波 分复用(WDM)来增加,两者都能使许多数据信号在单根光纤上传 输。在TDM中,两个或更多信号的各部分,按时间顺序交织,使第 一信号部分在第一时间区间传输,而第二信号部分在随后的第二时间 区间传输。重复该处理过程,在依次的时间区间中,产生一系列信号 部分,能够实现两个或更多信号的传输。
[0007]在WDM中,各光信号在不同的光波长上传输。这种传 输例如类似于许多无线电信道在不同频率上的自由空间传输。使用光 学棱镜或许多光学滤波器,把光分解为不同波长(或颜色)的频段, 是众所周知的。通常,在WDM系统中,数据信号被加载在不可见的 波长上。这些信号在接收装置上用光学滤波器实施分用。虽然在WDM 系统中使用的光信号,可以不包括可见光,但一般都称各种载波波长 为“颜色”。因此,许多不同的波长一起被称为“一组颜色”。一个 WDM“信道”是在独特波长上运行的信号。光纤上每一WDM信道在 比特速率和数据传输协议方面,基本上与其他信道无关。因此,能够 简便地使用串行数字接口(Serial Digital Interface,SDI)、高清晰 串行数字接口(High-Definition Serial Digital Interface,HD-SDI)、 同步数字分层结构/同步光网络(Synchronous Digital Hierarchy /Synchronous Optical NETwork,SDH/SONET)、千兆比特以太网 (Gigabit Ethernet)、和快速以太网(Fast Ethernet)等串行数据接 口的混合,在同一光纤上用WDM输送数据信号。
[0008]有两类WDM,即高密度WDM(DWDM)和粗WDM (CWDM)。在DWDM中,输入的光信号被指配给指定频段内的专 用波长,即1550nm区。波长间隔例如为0.8nm或1.6nm。然后, 信号在一根光纤上复用。DWDM能实现多个视频、音频、和数据信 道在一根光纤上传输,同时保持系统的性能并增强输送系统。
[0009]DWDM十分适合要求的应用,诸如高容量数字视频应用。 DWDM通常使用温度稳定激光器,以便固定中心波长和窄频段滤波 器,给出许多密间隔的信道。对广播类DWDM装备,典型的信道间 隔是100GHz,与约0.8nm的信道间隔对应,从而避免必须的波长锁 定器。使用的波长在ITU-T Recommendation G.694.1中指定。
[0010]CWDM是在1550nm频段中,以比DWDM更低的密度 组合许多光信号的方法。CWDM中的波长间隔,通常为10到20nm。 CWDM波长按ITU-T Recommendation G.694.2标准化。该 Recommendation以高达16信道为CWDM应用的物理层接口提供光 学参数值。CWDM通常有比DWDM更低的每信道成本。CWDM例 如为短光纤跨距中要求不多信道的地方,提供一种低成本高效益的替 代。CWDM一般使用非稳定激光器与宽带滤波器的组合。CWDM发 射器普遍比DWDM发射器有更低的功率消耗。
[0011]激光器的操作,是借助使光子通量在激光介质内的振荡。 能量添加到激光介质中,以促使电子离开它们的原子基态而进入跃升 的电子态。这种能量的添加被称为激光器的“泵浦”。要有效果,该泵 浦必须在跃升的电子态中产生的电子密度,高于在更低电子态中产生 的电子密度,这个条件被称为介质的“反转”。当第一个光子通过被反 转的介质时,出现一定的可能性是,该光子将触发从更高能态到更低 能态的电子态跃迁。这样的电子态跃迁产生沿相同方向传播并与第一 光子同相位的第二个光子。
[0012]该两个平行的光子被称为“相干光子”或“相干光”。第一 光子产生另外光子的趋势,被称为“受激发射”。受激发射的结果,是 激发光子在激光介质内的“放大”或“增益”。
[0013]随着相干光子通过被泵浦的激光介质,一些光子被介质 的原子吸收。这种光子吸收抵消介质的增益,降低总的光子通量。当 介质的增益与介质吸收水平相比足够高时,产生的光子比被吸收的光 子更多,于是开始产生激光(即初始光子的放大)。开始产生激光的 条件被称为“激光阈值”。
[0014]激发光子激发电子跃迁和相关的进一步相干光子发射的 概率,与特定光子通过激光介质传播的距离有关。为了增加激发光子 传播的有效长度,使激发光子在激光介质内往复反射(即振荡)。
[0015]一种使光子在激光介质内振荡的方式,是提供平面的反 射表面(反射镜),该平面反射表面基本上彼此分开地平行设置在激 光介质相对两端。这种安排被称为Fabry-Perot谐振腔。Fabry-Perot 谐振腔的效率,受反射表面的反射率的限制。此外,Fabry-Perot谐 振腔产生许多与光驻波或叫模对应的波长,这些模由谐振腔的几何确 定。
[0016]通常,WDM系统使用分布反馈(DFB)激光二极管作为 光源。DFB激光二极管亦称单纵模激光(SLML)二极管。在分布反 馈激光器中,不同折射率的区之间一系列界面,提供许多反射通过的 光子的机会。本领域一般熟练人员应当了解,激光材料折射率中的变 化,能够借助材料成分的变化和/或激光介质边界几何的变化获得。
[0017]当界面之间的距离与多个四分之一光波长对应时,该特 定波长的光能够有效地被反射。结果是,能够安排DFB激光器,以 便有效地产生并放大特定波长(即波长的窄频段)的光,同时基本上 不产生其他的光波长。这种单色光的产生,在光通信中是需要的,因 为基本上单色的光,在通过光纤传输时,是一致地无色散的。
[0018]激光介质的加热,导致热膨胀,使折射率界面之间距离 相应增加。反之,介质的冷却,导致激光介质的热收缩和折射率界面 之间距离的缩减。因为DFB激光器产生的光波长,与折射率界面之 间的间隔有关,所以借助控制激光介质的温度,能够对激光器进行调 谐。
[0019]激光介质的增益,也与被放大的光波长和激光介质的温 度有关。随着激光介质的温度改变,峰值放大的波长也改变。在典型 的激光介质中,增益随操作温度范围上温度的增加而基本上单调地下 降。
[0020]DFB激光器的主光谱峰中的功率,亦称“主模”,确定激 光器产生的功率。峰值振幅一般在10mW到50mW范围,也可以更 大。理想的是,主光谱峰包含所有激光器产生的功率。在非理想的激 光器中,激光器信号包括边峰,亦称“边模”,它包含一些功率。描述 主模中功率的量对边模中功率的量的数值,是边模抑制比(SMSR)。 DFB激光器的SMSR,以分贝描述主模与最大边模之间的振幅差。
[0021]典型的SMSR值大于30dB,它表明大部分功率驻留在 主模中。越多的功率驻留在激光器的主模中,一般该激光器的SMSR 值越高。另一种DFB激光器有用的数值,是模频移,它是主模与最 大边模之间的波长分离。它的典型值是1nm。

发明内容

[0022]本发明人已经发现,提供包括激光介质、反射部分、和 加热器装置的激光器装置,是有利的。该加热器装置与激光介质和/ 或反射部分热耦合。该加热器装置适合当温度降至阈值以下时,加热 激光介质和/或反射部分。选择激光介质的热增益特性和/或反射部分 的热特性,使激光器装置在阈值以上温度范围的操作优化。因此,在 本发明的一个实施例中,用第一操作温度区间上的温度控制,又用第 二操作温度区间上的不进行温度控制,操作激光器装置。
[0023]在一个实施例中,加热器装置只适合使激光介质和/或反 射部分到达激光器装置较低的操作阈值。这一点不像DWDM系统中 使用的温度稳定激光器,DWDM系统的温度稳定激光器,是被温度 控制系统维持在围绕操作最佳温度的窄温度带内。
[0024]可以预期,与DWDM系统比较,按照本发明的激光器装 置,将在相对宽的温度范围上操作,且激光介质和反射部分的特性, 分别在热学条件中按该变化的预期优化。
[0025]虽然当CWDM激光器在25℃的室温上操作时,该激光 器产生的光波长中的热变化,通常是不值得关注的。但当DFB激光 器要求在非常宽的温度范围,诸如-40℃到85℃上操作上,这种热 变化确实成为问题。
[0026]温度的改变对DFB激光器的影响,按照本发明,有三种 方式。首先是材料增益振幅的改变。材料增益随温度的增加而降低, 当温度降低时则增加。其次,随着温度增加,材料增益峰值以约1 nm/℃的温度系数向更长波长移动。第三,随着温度增加,光栅反射 光谱峰值以约0.1nm/℃的温度系数向更长波长移动。
[0027]国际电信联盟(ITU)对CWDM系统的详细说明规定, 波长飘移不得超过13nm。常规的DFB激光器,在理想的条件下,能 够接近满足ITU的详细说明。但是,理想的条件常常是不能实现的。
[0028]满足ITU详细说明的问题,被本发明的粗波分复用 (CWDM)光通信系统和被调谐的分布反馈(DFB)激光器解决,该 分布反馈(DFB)激光器被调谐,以便使光栅的峰值反射,与DFB 激光器在特定温度范围上的增益范围重叠。对衍射光栅进行调谐,使 反射光谱峰值相对于指定温度上的增益,有利地位于增益光谱曲线 上。当峰值反射光谱和增益范围光谱重合,激光器的输出是最大的。 光传输系统是在宽的温度范围(如-40℃到80℃)环境中操作的。 在温度范围的低端,光栅峰值与增益范围是分离的。随着加热和激光 器温度的增加,增益范围赶上光栅峰值,且两个光谱重叠。当光谱在 增加的激光器温度上重叠时,激光器的输出比在低温度的输出改进 了。本发明的光传输系统降低了激光器操作的温度范围,还降低了波 长漂移,使系统满足ITU G 695设定的CWDM标准的要求。
[0029]在粗波分复用(CWDM)光传输系统中,对分布反馈 (DFB)激光器进行调谐,使光栅峰值反射与DFB激光器的增益范 围重叠。具体说,对衍射光栅进行调谐,使该峰值相对于指定温度上 的增益,有利地位于波长光谱上。当峰值反射光谱和增益范围光谱重 合,激光器的输出是最大的。光传输系统是在宽的温度范围(如-40℃ 到80℃)环境中操作的。在温度范围的低端,光栅峰值与增益范围是 分离的。
[0030]光栅峰值与增益范围随温度改变按不同的速率移动。随 着加热和激光器温度的增加,增益范围赶上光栅峰值,且两个光谱重 叠。当光谱在增加的激光器温度上重叠时,激光器的输出比在低温度 的输出改进了。本发明的光传输系统降低了激光器操作的温度范围, 还降低了波长漂移,使系统满足ITU G 695设定的CWDM标准的要 求。
[0031]本发明与上述及其他优点一起,可以从以下本发明实施 例的详细描述得到最清楚的了解,本发明各实施例在附图中画出,其 中:

附图说明

[0032]图1在图解的频域表示中,示例性地画出用于波分复用 (WDM)的光谱的一部分;
[0033]图2按剖开的透视图,画出按照本发明一个实施例的分 布反馈激光器装置的一部分;
[0034]图3对按照本发明一个实施例的激光器装置,画出增益 和反射率曲线的图解表示;
[0035]图4对按照本发明一个实施例的激光器装置,画出增益 和反射率曲线相对于温度变化的图解表示;
[0036]图5对按照本发明一个实施例的激光器装置,画出增益 和反射率曲线的图解表示;
[0037]图6对按照本发明一个实施例的激光器装置,画出增益 和反射率曲线的图解表示;
[0038]图7对按照本发明一个实施例的激光器装置,画出增益 和反射率曲线的图解表示;
[0039]图8以方框图的形式,画出按照本发明一个实施例的激 光器装置;
[0040]图9以方框图的形式,画出按照本发明一个实施例的激 光器装置;
[0041]图10以方框图的形式,画出按照本发明一个实施例的激 光器装置;
[0042]图11以方框图的形式,画出按照本发明一个实施例的激 光器装置;
[0043]图12以方框图的形式,画出按照本发明一个实施例的激 光器装置;
[0044]图13以方框图的形式,画出按照本发明一个实施例的激 光器装置的操作方法;和
[0045]图14以方框图的形式,画出包括本发明一个实施例的激 光器装置的光通信系统。

具体实施方式

[0046]图1以图解的频域形式,画出CWDM和DWDM信道在 波长光谱上的分布。CWDM和DWDM之间带宽利用率的差别,是 容易看清的。在图1的示例性系统中,CWDM信道相互分开20nm, 以容纳激光器波长的漂移。从峰值到峰值最大为13nm是理想的。在 该例中的CWDM,从1470nm到1510nm的波长范围中最大可装下 8个信道。
[0047]在DWDM中,信道约分开0.8nm。激光器的温度稳定 性,可使DWDM信道比CWDM信道更紧密地组合在一起。为了表 示清楚,图1在约1525nm到1630nm之间的波长范围中,只大致画 出三分之一的可能DWDM信道。
[0048]图2按剖开的透视图,画出按照本发明一个实施例的双 异质结激光器装置100的一部分。装置100包括衬底区102。按照本 发明的各个实施例,衬底区可以由任何合适的材料形成,这些材料例 如包括半导体材料,诸如镓铝砷或铟镓砷磷化物。衬底区102包括第 一下表面103。
[0049]按照本发明的一个实施例,第一结104位于衬底区102 内。第一结104定义衬底102的第一区106和第二区108之间的界面, 该第一区106具有第一原子掺杂特性,该第二区108具有第二原子掺 杂特性。按照本发明的一个实施例,第一结104按基本上平面安排设 置。还按照本发明的一个实施例,第一结104置于与第一表面103分 开的大致平的平面中。
[0050]第二结110置于衬底102内相对第一结104分开的大致 平的平面中。第二结110置于衬底102的第二区108和第三区112之 间。与第一结104类似,第二结110定义不同原子掺杂特性的区之间 的界面,本领域一般熟练人员应当了解,第一和第二结例如可以借助 热扩散和/或离子注入形成。此外,可以按照特定应用的要求,选择每 一结的掺杂曲线,并按照本领域熟练人员的常规知识实施。
[0051]如在出示的实施例所示,衬底102的再一个界面114定 义波纹弯曲界面,紧靠并一般平行于第二结110。按照一个实施例, 该再一个波纹弯曲界面114与衬底102的上表面对应。与波纹弯曲界 面114相邻,设置再一个区116。按照本发明的一个实施例,该波纹 弯曲界面114包括基本上周期性的区,以定义波纹的周期(或波长) 132的长度。
[0052]按照各个实施例,该区116包括衬底102的再一部分。 在一个实施例中,该区116包括紧邻界面114设置的外延层。按照一 个实施例,区116包括上表面118。还有,在一个实施例中,上表面 118包括相对于表面103基本上平行分开设置的基本上平面形的区。
[0053]在一个实施例中,衬底材料102包括第一端面120和第 二端面122。第一端面120基本上相对第二端面122平行地分开设置, 而第一和第二端面120、122两者基本上垂直于结104和110设置。 按照本发明一个实施例,材料的对应层124、126紧邻表面120、122 设置。
[0054]在本发明的各个实施例中,表面103和118可开关地耦 合到相应电势源,为的是使电流128能通过衬底材料102在表面118 和103之间流动。因此,各种电终端和或电连接线,诸如金属的和/ 或半导体的迹线,可以分别与表面118和103电耦合。
[0055]操作时,激光器装置100的区108,形成光发射和放大的 有源区。电流128的作用,是对区108的一部分原子进行泵浦,并使 这些原子处于反转状态,在反转状态上,这些原子借助与随后通过有 源区的其他光子相互作用,受激发射光子。紧邻结110的波纹表面114 的邻域,使区108的光折射率沿纵轴130产生周期性的变化。按照本 发明的一个实施例,光折射率的这种变化,周期地随周期性长度改变, 该周期性长度与波纹界面114的周期性长度对应。该折射率的周期变 化,使一种或多种沿纵轴130被选择频率的光子,产生反射。这些光 子的反复反射(即振荡),提供光子在区108传播的伸长的有效长度, 以便能有效地激发额外光子的产生和光在区108内的放大。
[0056]本领域一般熟练人员应当清楚,区108的增益特性,取 决于各种各样因素,包括区108内衬底102材料的化学和结晶学特性。 此外,区108的增益作为温度的函数和作为通过该区的光波长函数而 变化。按类似的方式,如上面的讨论,区108内的光反射率,作为通 过该区的光的函数而变化。
[0057]图3以图解的形式,画出区108内光学增益和反射率的 表示200。曲线202画出作为光波长函数的光学增益。在本发明的各 个实施例中,曲线202可以取各种各样的形式,包括正态钟形曲线。 曲线202的极大204,与最大增益的光波长λ0对应。
[0058]用光栅反射率曲线206画出作为区108内光波长函数的 反射率。光栅反射率曲线206作为光波长函数变化,并呈现至少一个 局部极大208。有源区208内光子的激发,作为增益和反射率的函数 发生。相应地,增益曲线202和反射率曲线206重合的地方,产生最 大激发值210,受激光子的产生,是在极大值上。当该受激光子的产 生超过激光阈值时,装置100开始产生激光。
[0059]图4以图解的形式,画出光学增益曲线305,表明区108 的光学增益随区108温度的变化而变化。该变化以虚线300画出。还 画出增益和反射率响应峰值之间相对距离作为温度函数的相对变化。
[0060]如图所示,按照本发明的一个实施例,增益302的第一 值304在约-40℃的温度上相对地高。光学增益300基本上单调地下 降到约85℃温度上的第二较低的值324。在约0℃的温度上,光学 增益300有一中间值326。本领域熟练人员显然知道,增益300随温 度的变化,可以受各种各样因素影响,这些因素是可以由设计者控制 的。因此,在各个实施例中,曲线300可以是非线性的,也可以是非 单调的。
[0061]在该出示的实施例中,反射率曲线306的峰值,是作为 温度函数以虚线303画出的。在该出示的实施例中,该反射率是以基 本上线性并不随温度变化而画出的。但是,本领域熟练人员显然知道, 反射率303可以呈现其他的特性,包括随温度作线性和非线性变化。
[0062]在图4中还画出虚线328。线328表示本发明示例性实施 例的激光器装置的激光阈值。如图所示,激光阈值328基本上是直线 并不随温度变化的。但是,本领域熟练人员显然知道,在本发明的范 围内,能够包括各种各样其他的激光特性。激光特性线328表明该阈 值,在该阈值上,当区108的增益特性和反射率特性对特定光波长都 足够高时,将出现激光。
[0063]图5按照本发明一个实施例,画出再一个增益曲线305 和反射率曲线306的图例,两者都相对波长画出。图4的该曲线是在 例如约-40℃的温度上画出的。如图所示,增益曲线305的最大值 402出现在第一波长404上。反射率曲线306的最大值406出现在基 本上不同的第二波长408上。由于这些最大402、404之间的数值差 410,使增益曲线305和反射率曲线306之间的重叠区412有相对小 的面积,且该重叠区412的极大基本上在激光阈值328以下。因此, 对有图4中所示特性曲线的有源区108(如在图1中所示),在约- 40℃上不能有效地和可靠地获得激光。
[0064]图6按照本发明一个实施例,画出另一个增益曲线305 和反射率曲线306的图例,两者都作为波长函数画出。图6的曲线是 在例如约0℃的温度上画出的。在该温度上,增益曲线305的最大值 502出现在第三波长504上。反射率曲线306的最大值506出现在第 四波长508上。波长504大于波长404,波长508大于波长408。但 是,由于增益作为温度函数比反射率有更猛烈的变化,数值差510小 数值差410。结果是,在约0℃的温度上,与在约-40℃的温度上对 应的重叠412相比,曲线305和306之间的重叠512增加了,且曲线 305和306在接近激光阈值328上重合。应当指出,尽管增益极大502 (在约0℃)的绝对值小于增益极大402(在约-40℃)的绝对值, 还是出现了增加的重叠512和升高的曲线305和306的重合。
[0065]图7按照本发明一个实施例,画出又一个作为波长函数 的增益曲线305和反射率曲线306的图例。图7的曲线是在例如约 85℃的温度上画出的。在该温度上,增益曲线305的最大值602出现 在第五波长604上。反射率曲线306的最大值606出现在第六波长608 上。应当指出,波长604和608分别高于波长504和508。从图7显 而易见,在该示例性实施例中,在约85℃的温度上,波长604和606 基本上彼此相等。因此,波长604和608之间的数值差610接近0。 结果是,增益曲线305和反射率曲线306以面积612重叠,并在基本 上等于激光阈值328的值上重合。尽管增益曲线305极大602再次低 于增益曲线的极大502,如在接近0℃温度上所呈现的,但这样的重 合还是出现了。
[0066]再参考图4,人们可以看到,借助适当选择装置的特性, 本领域熟练人员能够制备激光器装置,该激光器装置适合在温度例如 约0℃和约85℃之间的激光阈值328以上产生光。这是借助维持增 益曲线305和反射率曲线306适当的重叠而获得的,该适当的重叠可 以在指定的温度范围内产生激光结果350。已经认识到参数的适当选 择可以产生该结果,本发明人进一步发现,利用温度控制装置增宽激 光器装置的操作范围,能够获得改进的激光。
[0067]图8按照本发明一个实施例,以方框图的形式,画出包 括温度控制装置的激光器系统700。激光器系统700包括激光器装置 702。按照一个实施例,激光器装置包括类似于例如图1中所示的DFW 激光器装置。温度传感器装置704与激光器装置702热耦合。按照本 发明一个实施例,温度传感器装置704直接紧邻激光器装置702设置。 在本发明另一个实施例中,热传导介质,诸如导热脂,设置在激光器 装置702和温度传感器装置704之间。
[0068]温度传感器装置704用信令方法通过信令介质708与控 制装置706耦合。按照本发明一个实施例,信令介质708是电的传导 介质,诸如金属的迹线。按照本发明一个实施例,信令介质708与温 度传感器装置704电耦合,并与温度控制装置706的信号输入耦合。
[0069]按照本发明一个实施例,温度控制装置706包括控制输 出710,该控制输出710例如借助电的导体714,耦合到加热器装置 712对应的输入。温度控制装置706还包括功率输入716。该功率输 入716通过功率导体718,与加热器功率源720电耦合。
[0070]按照本发明一个实施例,加热器装置712与激光器装置 702热耦合。在本发明一个实施例中,加热器装置712与加热器装置 702整体地形成。在本发明的另一个实施例中,加热器装置712包括 紧邻激光器装置702设置的分开的加热器装置。
[0071]操作时,温度传感器装置704检测激光器装置702的温 度。响应被检测的温度,温度传感器装置704在信令介质708上向温 度控制装置706发送信号。温度控制装置706接收信号,并依据信号 的状态,控制输出710的状态。在第一状态中,输出710向加热器装 置712输送功率,诸如从功率源720接收的电功率,从而使加热器装 置712启动或通电。在第二状态中,输出710不向加热器装置712输 送功率,从而使加热器装置712停止或不通电。
[0072]按照本发明一个实施例,当温度传感器装置704检测的 温度等于或小于阈值温度时,控制装置706启动加热器装置712。按 照本发明一个实施例,该阈值温度接近0℃。按照本发明一个实施例, 加热器装置的启动适合把激光器装置702的温度,从约-40℃的第一 温度升高到约0℃的第二温度。
[0073]图9以方框图的形式,画出包括置于外壳753内的激光 器装置752的再一个本发明实施例。按照本发明一个实施例,加热器 装置762与激光器装置752热耦合。按照本发明一个实施例,控制装 置756置于外壳753内并在操作上耦合到加热器装置762,以控制加 热器装置的加热状态。在出示的实施例的一个方面,温度传感器754 与外壳753热耦合,以检测该外壳的温度。
[0074]按照本发明一个实施例,温度传感器754在操作上耦合 到温度控制装置756,以控制温度控制装置756的操作状态。在一个 实施例中,功率源770置于外壳753内。在本发明另一个实施例中, 外壳753包括集成电路装置,且激光器装置752和温度传感器762两 者共同形成在公共的集成电路基片上。在本发明又一个实施例中,激 光器装置752、加热器装置762、温度控制装置756、和温度传感器 754,常常全部形成在公共的集成电路基片上。在本发明又另一个实 施例中,温度传感器754和控制装置756共同形成在集成电路装置的 公共基片上,该集成电路装置在操作上耦合到分开地形成的激光器装 置752。
[0075]图10画出本发明另一个实施例800,其中多个激光器装 置802共同形成在公共的集成电路基片上。按照该出示的实施例,相 应的多个加热器装置812也连同单个传感器装置804和单个温度控制 装置806,共同形成在该公共的集成电路基片上。按照本发明一个实 施例,用单个温度控制装置806,把多个加热器装置812的每一加热 器装置维持在公共的操作状态。单个温度控制装置的操作状态,例如 受单个传感器装置804控制。单个传感器装置804适合感测例如公共 集成电路基片801的温度。
[0076]按照本发明的一个方面,当基片801的温度降至阈值温 度,例如约0℃以下时,启动多个加热器装置812的各个加热器。在 本发明一个实施例中,用于多个加热器812的功率,由外部功率源814 提供。
[0077]图11画出本发明又另一个实施例。按照图11的安排850, 多个激光器装置852置于公共基片851,例如集成电路装置的基片上。 还共同置于公共基片上的有温度传感器装置854和温度控制装置856, 以及公共的加热器装置852。公共加热器装置852与多个激光器装置 852中的两个或更多激光器装置热耦合。
[0078]公共加热器装置862在启动时,适合提升多个激光器装 置852中该两个或更多激光器装置的温度。按照本发明一个实施例, 公共加热器装置862借助热传导,例如通过公共基片851,与两个或 更多激光器装置852热耦合。在本发明另一个实施例中,公共加热器 装置862例如借助被两个或更多激光器装置852接收的热辐射,与两 个或更多激光器装置852热耦合。在本发明又另一个实施例中,公共 加热器装置862例如通过流体介质,诸如气或液体,借助对流加热, 与多个激光器装置852热耦合。按照本发明一个实施例,启动加热器 装置862的功率,由外部功率源870提供。
[0079]图12画出本发明另一个实施例900,其中多个激光器装 置902共同设置在公共的集成电路基片901上。公共加热器装置912 也连同温度控制装置906,共同设置在公共的集成电路基片901上。 按照本发明一个实施例,温度传感器装置904与多个激光器装置902 之一(如907)热耦合。温度传感器装置904用信令方法耦合到温度 控制装置906,后者又在操作上耦合到加热器装置912。按照本发明 一个实施例,温度控制装置906按照温度传感器装置904检测的一个 激光器装置907的局部温度,控制加热器装置912的启动状态。加热 器装置912共同与多个激光器装置902中的两个或更多个热耦合。于 是,按照在多个激光器装置902之一上检测的温度,控制多个激光器 装置902中两个或更多个的温度。
[0080]在本发明一个实施例中,温度控制装置906从多个温度 传感器装置接收温度控制信号。例如,在本发明一个实施例中,温度 控制装置906从与激光器装置902热耦合的第一温度传感器装置,接 收第一温度信号,又从与基片901热耦合的第二温度传感器装置920, 接收第二温度信号。按照本发明一个实施例,启动温度传感器装置906 和/或加热器装置912的功率,是从外部功率源922接收的。
[0081]图13以方框图的形式,按照本发明一个实施例,画出为 激光器装置而操作温度控制装置的方法950。如图所示,该方法包括 在方框952检测温度。根据检测的温度值,在方框954作出决定。如 果检测的温度小于阈值,例如0℃,那么在方框956启动加热器装置 (或通电)。如果检测的温度大于阈值,那么在方框958不启动加热 器装置(或停止通电)。之后,在方框960,或者立刻,或者在一段 时间间隔上,重复方框952的以检测温度开始的处理过程。
[0082]图14以方框图的形式,按照本发明一个实施例,画出示 例性的电信系统980的一部分。电信系统980包括多个有相应多个光 输出984的发射器装置982。多个光输出984的每一个,用信令方法 耦合到光复用器986相应的输入。光复用器986的一个输出,耦合到 通信介质,例如光纤988的一个输入。光纤988的一个输出,耦合到 光分用器990的一个输入。光分用器990的多个输出,耦合到相应多 个接收器装置992的相应输入。多个接收器装置992中至少一个,适 合在第一操作温度范围的温度控制下操作,并适合在第二操作温度范 围上,不进行温度控制而操作。在一个示例性实施例中,多个接收器 装置992中至少一个,包括本申请图1-13之一或更多中出示的接收器 装置。
[0083]虽然已经结合示例性实施例详细说明本发明,但是应当 指出,本发明不受上面公开的实施例的限制。相反,能够修改本发明, 采纳任何数量的迄今没有提及,但与本发明的精神和范围等同的变 化、替代、置换、或等价的配置。因此,本发明不受前面的说明或图 的限制,而只受下面所附权利要求书范围的限制。交叉参考相关申请
[0001]本申请要求美国临时专利申请No.60/700,703的权益,该 申请于2005年7月18日提交,本文引用该申请全部公开的内容,供 参考。
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