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体声波谐振器

阅读：1038发布：2020-08-27

IPRDB可以提供体声波谐振器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器可包括：基板；谐振部，包括顺序地堆叠在基板上的第一电极层、压电层和第二电极层，所述谐振部被分为有效区域和非有效区域；以及框架电极层，包括多个框架电极，所述多个框架电极被设置为在所述有效区域内沿着所述有效区域的外周部彼此分开。，下面是体声波谐振器专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种体声波谐振器，包括：

谐振部，包括顺序地堆叠在基板上的第一电极层、压电层和第二电极层，其中，所述谐振部包括有效区域和非有效区域；以及框架电极层，包括多个框架电极，所述多个框架电极被设置为在所述有效区域内沿着所述有效区域的外周部彼此分开。

2.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述框架电极层还包括分别形成在相邻的框架电极之间的多个分开部。

3.如权利要求2所述的体声波谐振器，其中，随着所述多个分开部的总长度增大，有效机电耦合系数的平方值增大。

4.如权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述多个框架电极中的每个框架电极的长度与所述多个分开部中的每个分开部的长度的比为20％至200％。

5.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述有效区域对应于所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层在竖直方向上重叠的区域。

6.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极层和所述第二电极层由金、钛、钽、钼、钌、铂、钨、铝、镍和铱以及它们的合金中的一种或任意组合形成。

7.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述压电层由氮化铝、氧化锌和锆钛酸铅中的一种形成。

8.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述压电层包含稀土金属，并且所述稀土金属包括钪、铒、钇和镧中的至少一种。

9.如权利要求8所述的体声波谐振器，其中，所述压电层包含1at.％至20at.％的所述稀土金属。

10.一种体声波谐振器，包括：

谐振部，包括顺序地堆叠在基板上的第一电极层、压电层和第二电极层，其中，所述谐振部被分为有效区域和非有效区域；

框架电极层，包括多个凸出部和多个凹入部，所述多个凸出部和所述多个凹入部沿着所述有效区域的外周部分别交替地形成在所述有效区域内。

11.如权利要求10所述的体声波谐振器，其中，所述多个凸出部中的每个凸出部的厚度大于所述多个凹入部中的每个凹入部的厚度。

12.如权利要求10所述的体声波谐振器，其中，随着所述多个凹入部的总长度增大，有效机电耦合系数的平方值增大。

13.如权利要求10所述的体声波谐振器，其中，所述多个凸出部中的每个凸出部的长度与所述多个凹入部中的每个凹入部的长度的比为20％至200％。

14.如权利要求10所述的体声波谐振器，其中，所述有效区域对应于所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层在竖直方向上重叠的区域。

15.如权利要求10所述的体声波谐振器，其中，所述压电层包含稀土金属，并且所述稀土金属包括钪、铒、钇和镧中的一种或任意组合。

16.如权利要求15所述的体声波谐振器，其中，所述压电层包含1at.％至20at.％的所述稀土金属。

17.一种体声波谐振器，包括：

压电层，设置在基板上，并具有有效区域和非有效区域，其中，所述压电层设置在第一电极层和第二电极层之间；以及框架电极层，在所述有效区域中设置在所述第二电极上，所述框架电极层包括环状布置的多个分开突起。

18.如权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述框架电极层由环形圈支撑。

19.如权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述框架电极层直接设置在所述第二电极上。

20.如权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述环状布置的多个分开突起限定了所述多个分开突起之间的间隙。

说明书全文

体声波谐振器

[0001] 本申请要求于2016年8月12日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0103168号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。

技术领域

[0002] 本公开涉及一种体声波谐振器。

背景技术

[0003] 随着移动通信装置、化学和生物装置等最近快速的发展，对在上述装置中使用的紧凑并且重量轻的滤波器、振荡器、谐振元件和声学共振质量传感器的需求最近也已经增加。

[0004] 体声波谐振器一般用于实现紧凑并且重量轻的滤波器、振荡器、谐振元件和声学共振质量传感器。体声波谐振器以低成本来批量生产并且可实现为非常小的尺寸。此外，体声波谐振器可实现为具有高品质因数Q值并且甚至可用在微频带中，尤其可在装置、个人通信系统(PCS)和数字无线系统(DCS)所使用的频带中实现。

[0005] 体声波谐振器具有谐振部，所述谐振部通过在基板上顺序地堆叠下电极、压电层和上电极来实现。当电能被施加到第一电极和第二电极以在压电层内诱发电场时，电场在压电层中引起使谐振部沿预定方向振动的压电效应。作为结果，在与谐振部的振动方向相同的方向上产生声波，以引起谐振。

发明内容

[0006] 提供本发明内容在于以简化形式介绍以下在具体实施方式中进一步描述的选择的发明构思。本发明内容不意图限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，本发明内容也不意图用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

[0007] 在一个总的方面，一种体声波谐振器包括谐振部和框架电极层。所述谐振部包括顺序地堆叠在基板上的第一电极层、压电层和第二电极层。所述谐振部具有有效区域和非有效区域。所述框架电极层包括多个框架电极，所述多个框架电极设置在所述有效区域内，以沿着所述有效区域的外周部彼此分开。

[0008] 所述框架电极层还可包括分别形成在相邻的框架电极之间的多个分开部。

[0009] 随着所述多个分开部的总长度增大，有效机电耦合系数的平方值可增大。

[0010] 所述多个框架电极中的每个框架电极的长度与所述多个分开部中的每个分开部的长度的比可以为20％至200％。

[0011] 所述有效区域可对应于所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层在竖直方向上重叠的区域。

[0012] 所述第一电极层和所述第二电极层可由金(Au)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、钌(Ru)、铂(Pt)、钨(W)、铝(Al)、镍(Ni)和铱(Ir)和它们的合金中的一种或任意组合形成。

[0013] 所述压电层可由氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PZT；PbZrTiO)中的一种形成。

[0014] 所述压电层可包含稀土金属，所述稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。

[0015] 所述压电层可包含1at.％至20at.％的所述稀土金属。

[0016] 在另一总的方面，一种体声波谐振器包括谐振部和框架电极层。所述谐振部包括顺序地堆叠在基板上的第一电极层、压电层和第二电极层，所述谐振部被分为有效区域和非有效区域。所述框架电极层包括多个凸出部和多个凹入部，所述多个凸出部和所述多个凹入部沿着所述有效区域的外周部交替地形成且且分别形成在所述有效区域内。

[0017] 所述多个凸出部中的每个凸出部的厚度可大于所述多个凹入部中的每个凹入部的厚度。

[0018] 随着所述多个凹入部的总长度增大，有效机电耦合系数的平方值可增大。

[0019] 所述多个凸出部中的每个凸出部的长度与所述多个凹入部中的每个凹入部的长度的比可以为20％至200％。

[0020] 所述有效区域可对应于所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层在竖直方向上重叠的区域。

[0021] 所述压电层可包含稀土金属，所述稀土金属包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的一种或任意组合。

[0022] 所述压电层可包含1at.％至20at.％的所述稀土金属。

[0023] 在另一总的方面，一种体声波谐振器包括压电层和框架电极层。所述压电层设置在所述基板上，并具有有效区域和非有效区域，所述压电层设置在第一电极层和第二电极层之间。所述框架电极层在所述有效区域中设置在所述第二电极上。所述框架电极层包括环状布置的多个分开突起。

[0024] 所述框架电极层可由环形圈支撑。

[0025] 所述框架电极层可直接设置在所述第二电极上。

[0026] 所述环状布置的多个分开突起可限定了所述多个分开突起之间的间隙。

[0027] 其他特征和方面将通过下面的具体实施方式、附图和权利要求而显而易见。

附图说明

[0028] 图1是示出体声波谐振器的示例的截面图。

[0029] 图2是示出体声波谐振器的示例的俯视图。

[0030] 图3是示出框架电极层的示例的透视图。

[0031] 图4是示出框架电极层的示例的透视图。

[0032] 图5A和图5B是示出通过测量有效机电耦合系数的平方值(Kt2)而获取的结果的曲线图的示例。

[0033] 图6A和图6B是示出通过测量寄生噪声的峰值(寄生噪声_峰值)而获取的结果的曲线图的示例。

[0034] 图7A和图7B是示出通过测量插入损耗而获取的结果的曲线图的示例。

[0035] 图8是示出通过测量衰减特性而获取的结果的示例的曲线图。

[0036] 图9A和图9B是示出通过测量品质因数而获取的结果的曲线图的示例。

[0037] 图10A和图10B是示出通过根据框架电极或凸出部的总长度与分开部或凹入部的总长度的比来测量有效机电耦合系数的平方值(Kt2)和并联品质因数Qp而获取的结果的曲线图的示例。

[0038] 图11和图12是滤波器的示例的示意性电路图。

[0039] 在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按比例绘制，为了清楚、示出和方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和绘制。

具体实施方式

[0040] 提供以下的具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改以及等同物在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并不限于在此所阐述的示例，而是除了必须以特定顺序进行的操作之外，可在理解了本申请的公开内容后做出将是显而易见的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省略对本领域中已知的特征的描述。

[0041] 在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些方式。

[0042] 在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，所述元件可以直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。

[0043] 如在此使用的，术语“和/或”包括任何两个或更多个相关联的所列项目中的任何一个以及任何组合。

[0044] 虽然可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语所限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可称作第二构件、组件、区域、层或部分。

[0045] 为了描述的方便，可在此使用与空间相关的术语(诸如，“在……上方”、“上面”、“在……之下”以及“下面”等)，以描述如图中示出的一个元件与另一个元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，这样的与空间相关的术语意在包括装置在使用或操作时的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为相对于另一元件位于“上方”或“上面”的元件之后将相对于另一元件位于“下方”或“下面”。因此，基于装置的特定方位，术语“在……上方”包含“在……之上”和“在……之下”的两种方位。装置也可以以其他方式定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并可对在此使用的与空间相关的术语进行相应地解释。

[0046] 在此使用的术语仅用于描述各个示例，而不用于限制本公开。除非上下文中另外清楚地指明，否则单数形式也意于包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在的所述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或增加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。

[0047] 由于制造技术和/或公差，可出现附图中所示的形状的变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间出现的形状上的改变。

[0048] 在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在此描述的示例的特征可以以各种方式结合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，其他构造是可能的。

[0049] 图1是示出体声波谐振器的示例的截面图。图2是示出体声波谐振器的示例的俯视图。

[0050] 体声波谐振器10为薄膜体声波谐振器(下文中，称作FBAR)。参照图1，体声波谐振器10包括基板110、绝缘层120、空气腔112、膜130、谐振部135和框架电极层190。

[0051] 基板110可由硅基板形成，绝缘层120形成在基板110的顶表面上，以使基板110与谐振部135彼此电绝缘。

[0052] 绝缘层120通过对二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的一种或任意组合来执行化学气相沉积、RF磁控溅射或蒸镀而形成在基板110上。

[0053] 空气腔112形成在绝缘层120上。空气腔112设置在谐振部135的下面，以使谐振部135沿预定的方向振动。可通过在绝缘层120上形成空气腔牺牲层图案，在空气腔牺牲层图案上形成膜130，然后对空气腔牺牲层图案进行蚀刻并将其去除的蚀刻工艺来形成空气腔
112。

[0054] 通过对二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的一种或任意组合来执行化学气相沉积、RF磁控溅射或蒸镀而使膜130形成在空气腔112和绝缘层120上。

[0055] 蚀刻停止层还可形成在绝缘层120和空气腔112之间。蚀刻停止层可用于在去除牺牲层图案的过程中保护基板110和绝缘层120免受蚀刻工艺，并且还可用作沉积各种其他层所需的基底。

[0056] 谐振部135包括第一电极层140、压电层150和第二电极层160。第一电极层140、压电层150和第二电极层160顺序地堆叠。

[0057] 第一电极层140从绝缘层120的一侧的上部延伸到在空气腔112上方的膜130。压电层150形成在空气腔112上方的第一电极层140上，第二电极层160从绝缘层120的另一侧的上部形成在空气腔112上方的压电层150上。在竖直方向上重叠的第一电极层140、压电层150和第二电极层160的公共区域在空气腔112的上方。

[0058] 第一电极层140和第二电极层160可由金(Au)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、钌(Ru)、铂(Pt)、钨(W)、铝(Al)、镍(Ni)和铱(Ir)以及它们的合金中的一种或任意组合形成。

[0059] 压电层150是响应于压电效应并且将电能转换成声波的形式的机械能的部分，并且可由氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PZT，PbZrTiO)中的一种形成。此外，压电层150还可包含稀土金属。作为示例，稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的一种或任意组合。压电层150可包含1至20at.％(原子百分比)的稀土金属。

[0060] 谐振部135被分为有效区域和非有效区域。谐振部135的有效区域是由于当诸如射频(RF)信号的电能被施加到第一电极层140和第二电极层160时出现在压电层150中的压电现象而在预定的方向上振动且谐振的区域，并且可与第一电极层140、压电层150和第二电极层160在空气腔112的上方在竖直方向上重叠的区域对应。谐振部的非有效区域是即使电能被施加到第一电极层140和第二电极层160也不因压电现象而谐振的区域，并且与有效区域的外部区域对应。

[0061] 谐振部135输出具有特定频率的RF信号。具体地，谐振部135输出具有与由于压电层150的压电现象而产生的振动相对应的谐振频率的RF信号。

[0062] 虽然图1和图2中未示出，但是体声波谐振器10还可包括：电极焊盘，用于将电信号施加到第一电极层140和第二电极层160；钝化层(passivation layer)，用于防止除了电极焊盘之外的组件暴露到外部。钝化层可包括氧化硅基绝缘材料、氮化硅基绝缘材料和氮化铝基绝缘材料。

[0063] 如上所述，在电能(诸如RF信号)被施加到第一电极层140和第二电极层160的情况下，通过出现在压电层150中的压电现象产生声波。在示例中，可从第二电极层160另外地产生横向波。在没有捕获另外产生的横向波的情况下，产生声波的损耗并且谐振器的品质因数劣化。

[0064] 为了捕获横向波，当具有环形形状的电极层沿着有效区域的外周部形成时，品质2
因数改善，但是有效机电耦合系数的平方值(Kt)劣化并且产生寄生噪声。

[0065] 根据示例，形成包括被设置为沿着谐振部135的有效区域的外周部彼此分开的多个框架电极的框架电极层190，或者形成包括沿着谐振部135的有效区域的外周部交替地形成的多个凹入部和凸出部的框架电极层190，从而改善有效机电耦合系数的平方值(Kt2)并且减小寄生噪声。

[0066] 图3是示出框架电极层的透视图。

[0067] 参照图3，框架电极层190包括多个框架电极190a至190h。多个框架电极190a至190h被设置为在谐振部135的有效区域内沿着有效区域的外周部分彼此分开。在这个示例中，在多个框架电极190a至190h中的相邻框架电极之间设置的区域被称作分开部。作为示例，多个框架电极190a至190h的宽度为3至5μm。

[0068] 参照图3，虽然图3示出了八个框架电极190a至190h，但是框架电极的数量可改变并且不限于此。

[0069] 图4是示出框架电极层的示例的透视图。

[0070] 参照图4，框架电极层190包括多个凹入部和凸出部。多个凹入部和凸出部在谐振部135的有效区域内沿着有效区域的外周部交替地形成，并且多个凸出部中的每个凸出部的厚度可大于多个凹入部中的每个凹入部的厚度。作为示例，多个凹入部和凸出部的宽度在3至5μm之间。

[0071] 参照图4，虽然图4示出了交替的八个凹入部和八个凸出部，但是多个凹入部和凸出部的数量不限于此。

[0072] 下面的表1示出了连续地连接或由环形圈支撑的框架电极层形成在谐振部的有效区域中的比较示例(参考)和示例(情况1至9)的数值。表2是示出了通过测量比较示例(参考)(其中，由环形圈支撑或连续地连接的框架电极层形成在谐振部的有效区域中)和示例(情况1至9)的有效机电耦合系数的平方值(Kt2)、寄生噪声的峰值(Spurious Noise_Peak)、并联品质因数Qp和串联品质因数Qs而获得的结果的表。

[0073] [表1]

[0074] 长度A[μm] 数量B 长度C[μm] 长度D[μm] 比E[％]
参考 0 0 0 314 0
情况1 10 20 200 114 175.44
情况2 10 10 100 214 46.73
情况3 10 5 50 264 18.94
情况4 12 16 192 122 157.38
情况5 12 8 96 218 44.04
情况6 12 4 48 266 18.05
情况7 8 24 192 122 157.39
情况8 8 12 96 218 44.04
情况9 8 6 48 266 18.05

[0075] [表2]

[0076]2
Kt[％] Spurious Noise_Peak[dB] Qp Qs
参考 5.8274 0.1776 835.15 94.292
情况1 5.9104 0.1635 671.77 95.999
情况2 5.8816 0.1669 750.81 91.771
情况3 5.8527 0.1572 752.66 90.469
情况4 5.883 0.1554 697.95 84.715
情况5 5.8534 0.1653 788.81 97.37
情况6 5.8245 0.1793 817.52 87.007
情况7 5.8845 0.1501 661.17 89.575
情况8 5.8556 0.1398 734.57 93.544
情况9 5.8267 0.1446 751.09 97.182

[0077] 在上面的表1中，当谐振部135的有效区域的外周部长度为314[μm]时，长度A指的是图3的框架电极层的分开部中的每个分开部的长度或者图4的框架电极层的凹入部中的每个凹入部的长度。数量B指的是图3的框架电极层的分开部的数量或者图4的框架电极层的凹入部的数量。长度C指的是通过将长度A与数量B相乘而计算的长度并且指的是框架电极层的分开部或凹入部的总长度，长度D指的是图3的框架电极或者图4的凸出部的总长度。此外，比E指的是长度C与长度D的比。

[0078] 图5A和图5B是示出通过测量有效机电耦合系数的平方值(Kt2)而获取的结果的曲线图。

[0079] 图5A是示出框架电极层的示例(情况1至9)以及连续地连接或由环形圈支撑的框架电极层形成在谐振部的有效区域中的比较示例(参考)的有效机电耦合系数的平方值的曲线图。图5B是示出根据框架电极层的示例(情况1至9)中的分开部或凹入部的总长度的有效机电耦合系数的平方值的曲线图。在图5B中，线是示出基于分开部或凹入部的总长度计算的有效机电耦合系数的平方值的平均值的曲线图。

[0080] 参照图5A，示例(情况6和情况9)具有与比较示例(参考)的有效机电耦合系数的平方值大体上相同的有效机电耦合系数的平方值，其他示例(情况1、2、3、4、5、7和8)中的每个示例具有大于比较示例(参考)的有效机电耦合系数的平方值的有效机电耦合系数的平方值。此外，参照图5B，随着框架电极层的分开部或凹入部的总长度变长，有效机电耦合系数的平方值变高。

[0081] 从图5A和图5B中示出的曲线图得出的结果看出，当形成具有分开部或凹入部的框架电极层时，有效机电耦合系数的平方值通常得以改善。

[0082] 此外，有效机电耦合系数的平方值根据框架电极层的分开部或凹入部的总长度的改变(而不是框架电极层的分开部或凹入部的数量的改变)而改变。具体地，随着框架电极层的分开部或凹入部的总长度变长，有效机电耦合系数的平方值增大并且谐振器的效率改善。

[0083] 图6A和图6B是示出通过测量寄生噪声的峰值(寄生噪声_峰值)而获取的结果的曲线图。

[0084] 图6A是示出框架电极层的示例(情况1至9)以及连续地连接或由环形圈支撑的框架电极层形成在谐振部的有效区域中的比较示例(参考)的寄生噪声的峰值的曲线图。图6B是示出根据框架电极层的示例(情况1至9)的分开部或凹入部的总长度的寄生噪声的峰值的曲线图。在图6B中，线是示出基于分开部或凹入部的总长度计算的寄生噪声的峰值的平均值的曲线图。

[0085] 参照图6A，示例(情况6)具有与比较示例(参考)的寄生噪声的峰值大体上相同的寄生噪声的峰值，并且其他示例(情况1、2、3、4、5、7、8和9)中的每个示例具有小于比较示例(参考)的寄生噪声的峰值的寄生噪声的峰值。此外，参照图6B，即使在框架电极层的分开部和凹入部的总长度改变的情况下，寄生噪声的峰值也大体上相同。

[0086] 从图6A和图6B中示出的曲线图得出的结果看出，当形成具有分开部或凹入部的框架电极层时，与比较示例(参考)相比，寄生噪声的峰值通常减小。

[0087] 此外，在框架电极层的分开部或凹入部具有特定的长度，而不是框架电极层的分开部或凹入部的总长度以及框架电极层的分开部或凹入部的数量改变的情况下，寄生噪声的峰值显著减小。具体地，可以看出，与其他示例和比较示例相比，情况7至9具有显著低的寄生噪声的峰值。

[0088] 图7A和图7B是示出通过测量插入损耗而获取的结果的曲线图。

[0089] 图7A是示出框架电极层的示例(情况1至9)以及连续地连接或由环形圈支撑的框架电极层形成在谐振部的有效区域中的比较示例(参考)的插入损耗的曲线图，图7B是示出根据框架电极层的示例(情况1至9)的分开部或凹入部的总长度的插入损耗的曲线图。在图7B中，线是示出基于分开部或凹入部的总长度计算的插入损耗的平均值的曲线图。

[0090] 参照图7A，示例(情况1至9)中的每个示例与比较示例(参考)具有大体上相同的插入损耗。在图7B中，即使在框架电极层的分开部或凹入部的总长度改变的情况下，插入损耗也大体上相同。

[0091] 从图7A和图7B中示出的曲线图得出的结果看出，框架电极层的分开部或凹入部的数量和总长度不具有针对插入损耗的特定的趋势。然而，由于即使在形成具有分开部或凹入部的框架电极层的情况下，与比较示例(参考)相比，插入损耗也不改变，因此与环形状的电极层未形成在谐振部的有效区域中的体声波谐振器相比，体声波谐振器的品质因数改善。

[0092] 图8是示出通过测量衰减特性而获取的结果的曲线图。图8是示出框架电极层的示例(情况1至9)以及连续地连接的框架电极层形成在谐振部的有效区域中的比较示例(参考)的衰减特性的曲线图。

[0093] 参照图8，看出的是，示例(情况3和6)具有与比较示例(参考)的衰减特性大体上相同的衰减特性，其他示例(情况1、2、4、5、7、8和9)中的每个示例具有低于比较示例(参考)的衰减特性的衰减特性。

[0094] 参照表1、表2和图8，看出的是，衰减特性根据框架电极层的分开部或凹入部的总长度的改变(而不是框架电极层的分开部或凹入部的数量的改变)而改变。具体地，随着框架电极层的分开部或凹入部的总长度变短，衰减特性改善。特别地，可以看出，情况3和6具有比其他示例好的衰减特性，这二者具有与比较示例的性能大体上相同的性能。

[0095] 图9A和图9B是示出通过测量品质因数而获取的结果的曲线图。

[0096] 图9A和图9B是分别示出框架电极层的示例(情况1至9)以及连续地连接或由环形圈支撑的框架电极层形成在谐振部的有效区域中的比较示例(参考)的并联品质因数Qp和串联品质因数Qs的曲线图。

[0097] 参照图9A，看出的是，示例(情况5和6)具有与比较示例(参考)的并联品质因数大体上相同的并联品质因数，其他示例(情况1至4、7、8和9)中的每个具有低于比较示例(参考)的并联品质因数的并联品质因数。

[0098] 此外，参照图9B，看出的是，示例(情况1、5和9)具有与比较示例(参考)的串联品质因数大体上相同的串联品质因数，其他示例(情况2至4以及情况6至8)中的每个具有低于比较示例(参考)的串联品质因数的串联品质因数。

[0099] 从图9A和图9B中示出的曲线图得出的结果看出，框架电极层的分开部或凹入部的数量和总长度不具有针对并联品质因数和串联品质因数的特定趋势。然而，如在情况5中，当框架电极层的分开部或凹入部具有表1中的特定的长度、数量和总长度时，并联和串联品质因数改善。

[0100] 图10A和图10B是示出通过根据框架电极或凸出部的总长度与分开部或凹入部的总长度的比来测量有效机电耦合系数的平方值(Kt2)和并联品质因数Qp而获取的结果的曲线图。

[0101] 图10A是示出通过根据框架电极或凸出部的总长度与分开部或凹入部的总长度的比来测量有效机电耦合系数的平方值(Kt2)而获取的结果的曲线图。

[0102] 图10B是示出通过根据框架电极或凸出部的总长度与分开部或凹入部的总长度的比来测量并联品质因数Qp而获取的结果的曲线图。在图10A和图10B中，线示出了有效机电耦合系数的平方值的平均值和并联品质因数的平均值。

[0103] 参照图10A、表1和表2，看出的是，当所述比为20％至200％时，与比较示例(参考)相比，有效机电耦合系数的平方值(Kt2)增大。然而，参照图10B、表1和表2，当所述比增至200％或更大时，并联品质因数迅速降低。

[0104] 图11和图12是根据本公开的示例的滤波器的示意性电路图。在图11和图12的滤波器中采用的多个体声波谐振器中的每个体声波谐振器对应于图1中示出的体声波谐振器。

[0105] 参照图11，滤波器1000包括梯型(ladder type)的滤波器结构。具体地，滤波器1000包括多个体声波谐振器1100和1200。

[0106] 第一体声波谐振器1100串联连接在输入信号RFin向其输入的信号输入端子和输出信号RFout从其输出的信号输出端子之间，第二体声波谐振器1200连接在信号输出端子和地之间。

[0107] 参照图12，滤波器2000包括格型(lattice type)的滤波器结构。具体地，滤波器2000包括用于对平衡的输入信号RFin+和RFin-进行滤波以输出平衡的输出信号RFout+和RFout-的多个体声波谐振器2100、2200、2300和2400。

[0108] 如上所述，根据本公开的示例性实施例，体声波谐振器可改善有效机电耦合系数的平方值(Kt2)并且减小寄生噪声。

[0109] 仅作为非详尽的示例，如在这里描述的装置可以是移动装置(诸如移动电话、智能电话、可穿戴的智能装置(诸如戒指、手表、一副眼镜、手镯、脚链、腰带、项链、耳环、头巾、头盔或嵌入在衣服中的装置)、便携式个人计算机(PC)(诸如膝上型电脑、笔记本电脑、小笔记本电脑、上网本或超级移动PC(UMPC))、平板PC(平板电脑)、平板手机、个人数字助理(PDA)、数码相机、便携式游戏机、MP3播放器、便携式/个人多媒体播放器(PMP)、掌上型电子书、全球定位系统(GPS)导航装置或传感器)或固定装置(诸如台式PC、高清电视(HDTV)、DVD播放器、蓝光播放器、机顶盒或家用电器)或者是被配置为执行无线或网络通信的任意其他移动或固定的装置。在一个示例中，可穿戴装置是被设计为可直接安装在用户的身体上的装置，诸如一副眼镜或者手镯。在另一示例中，可穿戴装置是利用附着的装置安装在用户的身体上的任意装置，诸如利用臂环附着到用户的胳膊或利用系索悬挂在用户的脖子周围的智能电话或平板电脑。

[0110] 虽然本公开包括具体示例，但将明显的是，在理解了本申请的公开内容后，在不脱离权利要求以及其等同物的精神和范围的情况下，可在形式和细节方面对这些示例做出各种改变。在此描述的示例仅被视为描述意义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述被视为可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术、和/或如果按照不同的方式来组合所描述的系统、架构、装置或电路中的组件、和/或由其他组件或其等同物来替换或增补所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的全部改变将被理解为包括在本公开中。

标题	发布/更新时间	阅读量
声波器件-专利编号CN105720941B	2020-05-12	855
一种声波清灰器-专利编号CN103433248A	2020-05-11	708
声波器件-专利编号CN102957397B	2020-05-13	761
声波器件-专利编号CN105811913A	2020-05-13	246
声波装置-专利编号CN105915195B	2020-05-12	659
声波器件-专利编号CN106537772B	2020-05-13	916
一种全天候低频声波传感器-专利编号CN104483012A	2020-05-12	147
一种全天候低频声波传感器-专利编号CN104483012B	2020-05-11	447
一种针对敏感类昆虫的声波驱虫器-专利编号CN106665557A	2020-05-11	112
一种声波清灰器-专利编号CN203470421U	2020-05-11	608

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