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序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用 CN202010735582.3 2020-07-28 CN111826089B 2021-09-28 刘玉岭; 王辰伟; 罗翀
发明公开了一种GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用,为化学机械抛光平坦化提高稳定性提供一种新技术。所述多层布线高价金属的化合物替代化剂。CMP所用抛光液中含有与布线金属种类相同的布线高价金属化合物。采用本发明技术方案的抛光液可以稳定6个月以上,直接使用。使用时,不用专用设备的配置,简化了工艺,大大提高了抛光液的稳定性。而且,运输保存安全,不对设备产生腐蚀,使用更安全。
2 一种基于SE的抛光高效PERC电池工艺 CN201910221252.X 2019-03-22 CN110010721A 2019-07-12 郑云龙; 张玉前; 庞三凤; 苏世杰; 陈世琴
发明公开了一种基于SE的抛光高效PERC电池工艺,碱抛光:采用优化后的碱抛配方,对片进行碱抛光;碱抛光所使用的添加剂和碱补液均按照阶梯式进行补加:第1-15批次,添加剂补液量为200-350ml,碱补液量为300-1000ml,纯补液量为7-9L;第16-30批次,添加剂补液量为250-400ml,碱补液量为850-1150ml,纯水补液量为8-10L;第31-60批次,添加剂补液量为300-500ml,碱补液量为1000-1300ml,纯水补液量为9-11L。本发明采用优化后的碱抛配方,添加剂和碱补液的补加方式使用阶梯补加方式,有效的延长了碱抛槽的药液寿命达到了产能提升,同时添加剂及碱的耗量大幅度下降,突破碱抛SE的产能瓶颈
3 包含聚乙烯亚胺的化学机械抛光组合物 CN201480026507.2 2014-05-05 CN105229097B 2017-11-17 兰永清; P·普日贝尔斯基; Z·包; J·普罗尔斯
发明描述一种化学机械抛光(CMP)组合物,其包含以下组分:(A)在范围介于2至6的pH值下具有‑15mV或‑15mV以下的负ζ电位的表面改性粒子,(B)一种或多种聚乙烯亚胺,(C),(D)任选一种或多种其他成分,其中组合物的pH值在2至6的范围内。
4 基板上产生抛光面的方法和喷砂装置 CN201280075724.1 2012-09-10 CN104703760A 2015-06-10 迪特尔·布罗达拉
发明涉及用于在基板上产生抛光表面的方法和喷砂材料。一种在铝质基板上产生抛光表面的方法,包括如下步骤:提供铝质基板;使用喷砂材料对提供的将要抛光的铝质基板的表面区间进行喷砂处理;其中,使用具有粒径为D90≤0.3mm的有颗粒和球形颗粒的混合物作为喷砂材料。
5 具有增亮剂的地面刷油 CN200580017049.7 2005-01-12 CN1965043B 2013-04-10 李敏瑜; R·D·P·赫; L·卡尔森; J·P·加德纳; P·J·马提亚; T·泰萨克; S·斯特瓦特; E·小威廉姆斯; N·沙赫
现场-可更新的地面刷油,其包括成膜剂和适量的包括含芯-壳聚合物体系或者壳层聚合物体系的亮度诱导剂,它提供半透明的硬化刷油层,该半透明的硬化刷油层具有增加的亮度值(这通过合适的色空间来评价)和比不使用这种颜料制备的刷油清洁的外观。
6 松脂连续澄清槽装置 CN201210549637.7 2012-12-18 CN102993979A 2013-03-27 李仲怡
发明的松脂连续澄清槽装置,包括上部一个中空的圆柱体,下部一个与圆柱体相通的倒椎体构成的罐体(5)为主体,罐体(5)上端设有进料管(1)、出料管(2)、排渣口(6),(7),进料管(1)设有大喇叭(3)、小喇叭(4);阀门(7)连接有渣、储存室(8),阀门(7)出口与渣、水储存室(8)进口连接,渣、水储存室出口安装有阀门(9),具有构造简单,造价低,可降低或避免松脂澄清槽排渣水操作的扰动现象,易于控制,效果好优点。
7 包括钨侵蚀抑制剂抛光组合物 CN200610077360.7 1998-07-27 CN1966594B 2013-01-16 史蒂文·K·格鲁姆宾; 克里斯托弗·C·斯特赖恩兹; 埃里克·W·G·霍格伦
包括能侵蚀钨的组合物和至少一种钨侵蚀抑制剂的化学机械抛光组合物和浆料,和使用其组合物和浆料抛光含钨基材的方法。
8 含有复分解不饱和多元醇酯的组合物 CN201210028493.0 2007-03-07 CN102525829A 2012-07-04 迪札·皮艾瑞尔·布莱克斯梅尔; 蒂莫西·A·墨菲; 斯蒂芬·E·拉塞尔; 迈克尔·约翰·图披; 斯科特·A·沃特尔斯
发明涉及含有复分解不饱和多元醇酯的组合物。更具体地,本发明公开了含有复分解不饱和多元醇酯的乳液。所述矿脂状组合物可被用作以石油为基础的矿脂的替代品。所述乳液可以是油包或水包油乳液,并且可以适用于各种最终用途。
9 浆料、使用该浆料的化学机械抛光方法以及使用该浆料形成金属布线的方法 CN200510084580.8 2005-08-01 CN1733856B 2012-05-23 金成俊; 朴正宪; 洪昌基; 李在东
一种浆料、使用该浆料的化学机械抛光(CMP)方法以及使用该浆料形成金属布线的方法。该浆料可以包括抛光剂化剂和保护金属膜的至少一种缺陷抑制剂。CMP方法和形成金属布线的方法可以采用具有包括至少一种缺陷抑制剂的至少一种浆料的一种或两种浆料。
10 单过硫酸溶液 CN200780020437.X 2007-06-01 CN101460397B 2011-07-06 R·J·杜兰特; H·J·小博恩
公开了一种组合物,其包含具有大约3.4%-大约6.8%活性含量的单过硫酸溶液,以及其制备方法,该方法包括用性材料进行中和。
11 一种富铈稀土抛光粉的生产方法 CN200510030027.6 2005-09-27 CN100497508C 2009-06-10 高玮; 马新胜; 李福清; 陈国建; 陈刚
发明公开了一种富铈稀土抛光粉的生产方法。包括如下步骤:晶种制备、沉淀获得酸镧铈、氟化获得氟碳酸镧铈、焙烧得到富铈稀土抛光粉。本发明通过采用在碳酸盐沉淀前加入草酸盐晶种这一新型生产工艺,使所得到的富铈稀土抛光粉的单晶颗粒达到1-2微米。采用本发明的方法获得的富铈稀土抛光粉,无需进行气流粉碎和精密分级,抛光粉的耐磨性更好、磨削率更高,抛光精度稳定性更容易控制,产品质量波动较小。
12 使用双相基片清洗混合物的方法和系统 CN200680048939.9 2006-12-19 CN101370885A 2009-02-18 米哈伊尔·科罗利克; 埃里克·M·弗里尔; 约翰·M·德拉里奥斯; 卡特里娜·米哈利钦科; 迈克·拉夫金; 弗雷德·雷德克
提供清洁混合物、装置以及方法以从基片表面去除污染物。提供一种示范性的清洁混合物,以从半导体基片表面去除粒子污染物。该清洁混合物包括粘性流体,其粘度在大约1cP到大约10,000cP之间。该清洁混合物还包括分散在该粘性流体中的多个固体成分,该多个固体成分与该粒子基片表面上的污染物相互作用以从该基片表面去除该粒子污染物。
13 低K介电材料的化学机械抛光方法 CN03813172.2 2003-05-26 CN1305984C 2007-03-21 凯文·J·莫根伯格; 霍默·乔; 约瑟夫·D·霍金斯; 杰弗里·P·张伯伦
发明提供一种抛光含低k介电层的基板的方法,其包括(i)以包括(a)研磨剂、抛光垫或其组合,(b)两亲型非离子界面活性剂及(c)液体载体的化学机械抛光体系接触基板;及(ii)研磨至少一部分的基板以抛光基板。
14 抛光组合物 CN01117604.0 2001-04-27 CN1247731C 2006-03-29 萩原敏也; 藤井滋夫; 大岛良晓
发明涉及一种辗轧减少剂,它含有一种或多种选自具有2-20个原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1-20个碳原子的单羧酸、具有2-3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物;和一种辗轧减少剂组合物,它含有一种辗轧减少剂,该辗轧减少剂含有一种或多种选自具有2-20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1-20个碳原子的单羧酸、具有2-3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物和研磨剂及
15 涂饰面的双液性保护上光剂 CN02804382.0 2002-01-18 CN1527867A 2004-09-08 山田丈志; 墨田智志
发明提供涂布在汽车等的涂饰面上,可以形成能长期地发挥良好光泽性,憎性及防污性的薄膜,而且擦去操作性也好的涂饰面的双液性保护上光剂。是对涂饰面进行涂布时在即将其涂布操作之前混合使用的双液性的保护上光剂,由含有常温固化型改性有机树脂及氟硅烷化合物作为有效成分的A液、和含有对上述常温固化型改性有机硅树脂及氟硅烷化合物有催化作用的反应催化剂作为有效成分的B液构成的汽车等的涂饰面的双液性保护上光剂。
16 振动抛光的制作方法 CN03135839.X 2003-09-18 CN1526516A 2004-09-08 夏季; 刘继光; 肖九一; 宋红文; 杨乾华; 文代名; 曾国英
一种振动抛光的制作方法,其特征是按重量%用粒径为W5~W0.5的硬质磨料80%~88.5%加入到粘合剂10%~20%中,加入1.5%~2%辅料,搅拌混合均匀,用模压成型得三棱柱或四棱柱或圆柱或半圆柱等磨块毛坯,毛坯进入恒温加热炉,升温至150℃~170℃,保温150~240min进行固化处理,固化后的磨块进入滚筒筛中,运转2~4h,由磨块相互碰撞和摩擦去除飞边和毛刺,即制得模块成品。
17 含有草酸铵的抛光系统及方法 CN02803728.6 2002-01-04 CN1486505A 2004-03-31 霍默·乔; 约瑟夫·D·霍金斯; 周仁杰
发明提供一种用于基材抛光或平整化的抛光系统及方法。该抛光系统包括(i)液态载剂,(ii)草酸铵,(iii)羟基偶合剂,及(iv)抛光垫及/或磨料。该抛光方法包括使至少部分基材与抛光系统接触,并同时抛光部分基材。
18 用于金属的化学机械抛光浆液及利用该浆液制备半导体装置的金属线接触插头的方法 CN02160886.5 2002-12-31 CN1429873A 2003-07-16 安基彻; 权判起; 郑钟九; 李相益
发明公开了一种用于金属的化学机械抛光(下文中称之为‘CMP’)浆液,更明确地,本发明公开了利用对化物膜呈酸性并且还包含氧化剂和络合剂的CMP浆液制备半导体装置的金属线接触插头的方法,其以相似的速度抛光金属、氧化物膜和氮化物膜,从而容易分离金属线接触插头。
19 用于金属和金属化物的结构化处理的抛光液和方法 CN01122164.X 2001-05-16 CN1324906A 2001-12-05 G·贝特尔; B·西巴赫; A·森格尔
发明涉及一种抛光液,特别用于化学-机械抛光工艺步骤,其中含有多晶金刚石粉和至少一种从化剂、络合剂、表面活性剂基团和有机基团中选择出的添加剂。采用本发明所述抛光液可提高对金属氧化物和金属的磨蚀率,尤其是元素周期表的8b组元素。另外,本发明还描述了一种对金属氧化物和金属进行平面化和/或结构化处理的方法。
20 金属层用的化学机械抛光淤浆 CN95196473.9 1995-09-01 CN1074035C 2001-10-31 马修·内维尔; 戴维·J·弗拉克; 迈克尔·A·卢卡瑞里; 黛布拉·L·谢尔伯; 洪正宏
一种用于金属层化学机械抛光的淤浆,含有均匀分散在稳定的含介质中的纯度高、细的金属化物粒子。