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子分类：

C23C：对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）
C23D：金属的搪瓷或涂玻璃层（瓷釉的化学成分入C03C）
C23F：非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K7/00；用激光束加工金属入B23K26/00）；金属材料的缓蚀；一般防积垢（电解或电泳法处理金属表面或金属覆层入C25D，C25F）；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23G：电解法除外的化学法金属材料清洗及除油（抛光组合物入C09G；一般洗涤剂入C11D）

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
181	一种多层膜系的各层膜厚检测系统及其检测方法	CN202210414364.9	2022-04-20	CN114836727B	2024-04-09	潘振强; 朱宇彬
本发明属于真空镀膜技术领域，具体是多层膜系的各层膜厚检测系统，包括安装在真空镀膜腔内部的载片架上可随载片架向前移动的检测盒体，所述检测盒体的前盖上设有用于接收镀膜材料的镀膜开口窗，所述检测盒体内部均匀的设有若干待镀的样品、用于安装样品的载盘，所述载盘的中心位置设有能拨动载盘转动或检测盒体前盖转动后将下一个样品能对应到镀膜开口窗位置的拨动装置，所述真空镀膜腔内部设有能触动拨动装置工作的触发机构。该独立检测系统能准确的及时的检测出镀膜设备中单独的每一个膜层的膜厚，检测过程简单方便快速，检测成本低。
182	一种用于部件修复的激光熔覆设备及方法	CN202210417282.X	2022-04-20	CN114807927B	2024-04-09	王松涛; 周建忠; 徐家乐; 孟宪凯; 缑延强; 黄蕾
本发明提供了用于部件修复的激光熔覆设备，所述设备包括六轴机器人系统、焊缝引导系统、同轴送粉式激光熔覆系统、PLC总控制系统，所述同轴送粉式激光熔覆系统安装在焊缝引导系统上，所述六轴机器人系统包括六轴机器人本体、机器人控制柜，所述六轴机器人本体的前端通过连接板固定安装有焊缝引导系统；所述焊缝引导系统包括前端陶瓷引导体、六维力传感器、Y向运动补偿装置、Z向运动补偿装置、焊缝引导系统控制器。本发明一方面能避免常规激光熔覆修复燃气轮机叶轮叶片裂缝过程中，熔覆轨迹很难与裂缝保持一致，熔覆道脱离裂缝；另一方面，有效解决工程人员需要大量编程机器人示教点来拟合熔覆修复路径的难题。
183	一种变形锡青铜的金相腐蚀剂及其晶粒显示方法	CN202210408165.7	2022-04-19	CN114774921B	2024-04-09	周健; 董樑; 芮云鹏; 王赞; 薛烽; 白晶
本发明公开了一种变形锡青铜的金相腐蚀剂及其晶粒显示方法。属于金相制备技术领域，其由以下组分按体积百分比配制：18～24％浓硝酸，46～52％冰醋酸，余为无水乙醇，其晶粒显示方法的操作步骤：将制取的变形锡青铜试样打磨至表面光滑平整且划痕方向一致后，用1.5～2.5μm的金刚石抛光剂进行抛光，控制转速为400～600rpm；先后用水和无水乙醇冲净并吹干；用胶头滴管吸取所述金相腐蚀剂并滴于抛光后的试样表面，静置10～20s后洗净并吹干；在金相显微镜下观察试样的显微组织并拍照记录。本发明制备的变形锡青铜金相试样，晶粒边界和晶粒内部组织清晰可见，腐蚀过程易于把控，有利于生产实践中调控变形锡青铜的显微组织。
184	用于改进双组分结构粘合剂的搭接剪切强度和位移的体系和方法	CN202080073764.7	2020-06-23	CN114585701B	2024-04-09	J·P·克里雷; M·M·小珀拉姆; D·J·弗特曼; B·K·里埃里克; 中岛将行; E·S·布朗-曾; S·E·保莱斯; M·S·弗伦奇
公开了用于处理基材的体系，所述体系包括脱氧组合物和涂层组合物。所述脱氧组合物包括IVA族金属和/或IVB族金属和游离氟，任选地可以包括包含含磷单体亚基的均聚物或共聚物，并且pH为1.0到3.0。所述涂层组合物包括第一组分和第二组分以及弹性体颗粒。所述第一组分包括含环氧基的化合物(E1)和/或环氧化物官能加合物(E2)。所述第二组分包括包含环状环的二胺和/或聚胺(A2)和/或胺官能加合物(A3)。本发明还涉及制备所述组合物的方法、涂覆基材的方法和经涂覆的基材。
185	一种热浸镀锌镀层钢板及其制备方法	CN202111513946.4	2021-12-10	CN114369783B	2024-04-09	蒋光锐; 李研; 王海全; 刘广会; 商婷; 刘武华; 滕华湘; 齐志坤; 王保勇; 王松涛; 徐呈亮
本申请涉及钢材涂镀制备领域，尤其涉及一种热浸镀锌镀层钢板及其制备方法，所述镀层钢板包括钢基体和镀层；所述钢基体包括：C：0.01％‑0.2％，Mn：0.01％‑2％，Si：0.01％‑0.4％，Cr：0.02％‑0.4％，B：0.0001％‑0.001％，Al：0.03％‑0.6％；所述镀层包括：Mg：1％‑4％，Al：5％‑8％，稀土元素≤1％，其余为Zn和不可避免的杂质；所述制备方法包括：获取含所述镀层化学成分的镀液；加热所述镀液，得到预热镀液；获取含所述钢基体化学成分的钢板；加热所述钢板，后浸入所述预热镀液中，冷却后，得到所述镀层钢板；通过控制钢基体和镀层的化学成分，再通过制备方法，实现对镀层钢板耐腐蚀性能和镀层厚度的平衡控制。
186	一种船用辅助阳极结构	CN202210104526.9	2022-01-27	CN114231992B	2024-04-09	宋世德; 黄一
本发明公开了一种船用辅助阳极结构，包括阳极体、辅助阳极安装背板以及辅助阳极绝缘座；阳极体的一平面镀有阳极涂层，另一平面固定有导电杆和阳极体连接件；辅助阳极安装背板上设有辅助阳极安装背板连接件；阳极体和所述辅助阳极安装背板相对设置，辅助阳极绝缘座设于阳极体和辅助阳极安装背板之间，并通过一体成型工艺将阳极体、辅助阳极安装背板以及辅助阳极绝缘座形成一整体结构，使得辅助阳极绝缘座的一侧将阳极体的阳极体固定面的一侧和外边沿包覆，辅助阳极绝缘座的另一侧将辅助阳极安装背板的设有第一连接部的一侧和外边沿包覆。本发明公开了一种船用辅助阳极结构具有结构简单、强度高、密封性好、安装简便等有益效果。
187	一种应用于低于400℃温度工况的垃圾焚烧炉锅炉管及其生产方法	CN202011142195.5	2020-10-23	CN113969386B	2024-04-09	戴雷
本发明公开了一种应用于低于400℃温度工况的垃圾焚烧炉锅炉管及其生产方法，所述垃圾焚烧炉锅炉管包括：垃圾焚烧炉锅炉管本体和垃圾焚烧炉锅炉管防腐蚀层，所述垃圾焚烧炉锅炉管本体由第一组成分制造而成，所述垃圾焚烧炉锅炉管防腐蚀层由第二组成分制造而成，所述第二组成分的组分及重量百分比含量为：铬：20‑23％，铝：5‑9％，铜：2‑6％，钒：1‑3％，碳：0.02‑0.15％，硼2‑5％，硅1‑3％，余量为镍及不可避免的杂质，生产线整体布局合理，自动化程度高，管件采用双层设置，双重保护等优点。
188	切削工具	CN201980084637.4	2019-12-12	CN113226602B	2024-04-09	奥野晋; 今村晋也; 力宗勇树; 城户保树; 小林史佳
一种切削工具，其包括基材和被覆基材的被膜，其中：被膜包括设置在基材上的α‑氧化铝层；α‑氧化铝层包含α‑氧化铝晶粒；α‑氧化铝层包括下侧部和上侧部；当沿着包括第二界面的法线的平面切割α‑氧化铝层以获得截面，并使用场发射扫描显微镜对该截面进行电子背散射衍射分析以识别α‑氧化铝晶粒的晶体取向，并且以此为基础创建彩色图时，在彩色图中，在上侧部，(006)面的法线方向在上述第二界面的法线方向±15°以内的α‑氧化铝晶粒所占的面积比为50％以上，并且在下侧部，(006)面的法线方向在上述第二界面的法线方向±15°以内的α‑氧化铝晶粒所占的面积比为50％以上；并且α‑氧化铝层的厚度为3μm以上20μm以下。
189	半导体器件处理设备及处理方法	CN202110184661.4	2021-02-10	CN112908902B	2024-04-09	范险林; 李义奇; 陈松超; 陈龙; 董智超
本发明提供了一种半导体器件处理设备及处理方法。所述半导体器件处理设备包括腔室、多个载台、多个第一进气通道以及控制器。多个载台设于所述腔室内，用于承载多个待处理的半导体器件。多个第一进气通道用于向所述腔室输入多种反应气体，所述多个第一进气通道中的至少一个第一进气通道具有延伸到所述多个载台附近的多个分支通道，各个分支通道用于将所述反应气体输送至对应载台上的半导体器件的第一表面处，每一分支通道上设有第一阀门。控制器配置为：获取与各所述半导体器件对应的至少一种反应参数，且根据各所述半导体器件的反应参数控制对应的所述第一阀门的开启和关闭。
190	基板处理装置和基板处理方法	CN202010690916.X	2020-07-17	CN112309829B	2024-04-09	三浦嘉隆
本发明提供基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置抑制了在使设于处理容器的内部的喷射器旋转时产生颗粒。利用以下这样的基板处理装置解决上述课题，该基板处理装置具有：处理容器；喷射器，其设于所述处理容器的内部，用于供给处理气体，呈沿长度方向延伸的形状；保持架，其固定于所述喷射器；第1磁体，其固定于所述保持架，并配置于所述处理容器的内部；第2磁体，其与所述第1磁体利用分隔板隔开，配置于所述处理容器的外侧；以及驱动部，其使所述第2磁体旋转，所述第1磁体与所述第2磁体磁性耦合，通过利用所述驱动部使所述第2磁体旋转，而使与所述第2磁体磁性耦合的所述第1磁体旋转，使所述喷射器以所述长度方向为轴线旋转。
191	含氧化层锆铌合金分区骨小梁股骨髁假体及制备方法	CN202011200074.1	2020-10-30	CN112294499B	2024-04-09	刘璐; 赵朝盛; 尹方; 周红秀; 刘念
本发明公开了含氧化层锆铌合金分区骨小梁股骨髁假体及制备方法，制备方法为：以锆铌合金粉为原料，经3D打印一体成型得到含氧化层锆铌合金分区骨小梁股骨髁假体的中间产物，再经热等静压，深冷及表面氧化，制备得到含氧化层锆铌合金分区骨小梁股骨髁假体；含氧化层锆铌合金分区骨小梁股骨髁假体的部分位置设置有分区骨小梁，本发明实现股骨髁骨组织大部分区域的微应变在最低有效应变阈值和超生理应变阈值之间，利于骨长入，提升长期稳定性。本发明一体化实现骨整合界面的优良生物相容性、骨长入性和摩擦界面的超强耐磨性、低磨损率。骨小梁部分具有优异抗压性能；实体部分抗压屈服强度增强，塑性增强。
192	基板处理方法	CN202010053066.2	2020-01-17	CN111463126B	2024-04-09	加藤寿; 西野雄二
本发明提供基板处理方法，在使基板自转公转的基板处理装置中，能够提高成膜的膜厚分布的均匀性。基板处理装置具有：旋转台，其用于载置被设于处理室内的基板；第1气体供给部，其供给第1气体；以及第2气体供给部，其供给第2气体，该基板处理方法为：在该基板处理装置中，所述旋转台以旋转轴为中心进行公转，并且所述基板进行自转，利用所述旋转台的公转，所述基板在经过供给所述第1气体的区域之后，经过供给所述第2气体的区域，从而在所述基板沉积由所述第1气体和所述第2气体之间的反应所生成的膜而进行成膜，其中，该基板处理方法具有：在所述基板进行自转的状态下所述旋转台顺时针公转而在所述基板形成膜的工序；以及在所述基板进行自转的状态下所述旋转台逆时针公转而在所述基板形成膜的工序。
193	等离子体沉积方法和等离子体沉积设备	CN201910552879.3	2019-06-25	CN110880447B	2024-04-09	山本薰; 金昌炫; 宋伣在; 申建旭; 申铉振; 安星柱; 李章熙; 李昌锡; 全基荣; 郑根吾
提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。
194	具有多个电解池的电解设备	CN202280052624.0	2022-05-31	CN117836471A	2024-04-05	M·哈恩布斯; M·乌恩格尔; P·乌茨; R·瓦格纳
本发明涉及电解设备(60)，其具有：多个电解池(12)，该电解池电气串联连接并且至少部分地沿堆叠方向(14)依次相继地布置，该串联连接可与电能量源(16)电耦合；池子供给单元(18)，该池子供给单元用于向电解池(12)供给至少一种运行物质以按规定运行；供给管路(24)，该供给管路连接到池子供应单元(18)和依次布置的电解池(12)的对置的端部(20、22)，该供给管路(24)的材料具有金属；并且其中，至少一个供给管路(24)具有电绝缘区段(38)，具有至少部分地伸入到电绝缘区段(38)内部中的控制电极(66)。该控制电极(66)具有催化剂材料(68)并且在供给管路(24)的阳极侧上与供给管路的金属管道区段电接触。
195	具有改良锌涂层的扁钢产品	CN202280054746.3	2022-08-08	CN117836462A	2024-04-05	斯特凡·比恩霍尔茨; 塞巴斯蒂安·施蒂勒; 斯特凡·克雷伯斯; 路易斯·费尔南多·彼德拉-加尔萨; 贝恩德·舒马赫尔
本发明涉及一种扁钢产品，其包括钢基板，该钢基板具有至少存在于一面上的由锌或锌合金制成的防腐蚀覆层。在此，该防腐蚀覆层在远离钢基板的表面上具有平均直径小于500nm的锌纳米晶体(19)。本发明还涉及生产这种防腐蚀覆层的工艺。
196	化学机械抛光后刷清洁盒	CN202280045840.2	2022-06-01	CN117836092A	2024-04-05	G·K·H·林
本文提供的实施例包括一种用于使用刷子转盘组件清洁基板的第一表面的系统和方法。在一个实施例中，刷子转盘组件包括一个或多个可旋转刷子安装组件，所述一个或多个可旋转刷子安装组件耦合到可旋转托架，具有被配置成围绕托架轴线旋转的托架支撑结构。刷子转盘组件进一步包括第二刷子安装组件，所述第二刷子安装组件设置在与托架轴线相距第二径向距离处，并且耦合到托架的包括一个或多个可旋转支撑构件的支撑结构。
197	一种锂离子电池氮化硅负极薄膜及其制备方法	CN202311782876.1	2023-12-22	CN117832404A	2024-04-05	李谊; 高渤凯; 王硕杰; 张鹏程; 吴强; 马延文
本申请公开了一种锂离子电池氮化硅负极薄膜及其制备方法，属于锂离子薄膜电池技术领域。本方法采用磁控溅射法制备了结构致密均匀、高比容量、高循环稳定性的氮化硅负极薄膜，其首次充放电比容量可达1121mAh·g‑1，循环100次容量保持率可达82％。本发明制备的氮化硅负极薄膜具有高比容量、高循环稳定性的优势，其制备工艺具有沉积效率高、成本低、能耗低、绿色无污染等特点，有利于工业化推广应用。
198	一种LED 外延片及其制备方法	CN202410234218.7	2024-03-01	CN117832342A	2024-04-05	舒俊; 程龙; 高虹; 郑文杰; 印从飞; 张彩霞; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙
本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种LED外延片及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上生长复合缓冲层；所述复合缓冲层的生长步骤包括：采用PVD工艺在所述衬底上溅射多晶AlN溅射层；采用MOCVD工艺在所述多晶AlN溅射层上以三维模式生长三维AlN过渡层；采用MOCVD工艺在所述三维AlN过渡层上以三维模式生长三维单晶AlGaN层；采用MOCVD工艺在所述三维单晶AlGaN层上以二维模式依次生长二维单晶AlGaN层及二维单晶GaN层。有效降低GaN外延材料与异质衬底之间的晶格失配和热失配，并充分释放GaN外延材料的应力，从而减少GaN外延材料在生长过程中缺陷的产生，降低位错密度，显著改善外延片材料的质量，提高发光二极管的良率和亮度等性能。
199	工艺腔室	CN202211201718.8	2022-09-29	CN117832118A	2024-04-05	耿宏伟; 杨帆
本申请提供一种工艺腔室，在屏蔽内衬的内侧设置了检测装置，对屏蔽内衬上的沉积膜的厚度进行在线检测。从而在不打开工艺腔的情况下，准确确定沉积膜的厚度。计算装置接收根据沉积膜的厚度生成的检测信号，并根据检测信号确定屏蔽内衬的使用状态。工艺腔室通过检测沉积膜厚度的方式确定屏蔽内衬的使用状态，进而可以及时发现屏蔽内衬的使用寿命耗尽，提高了屏蔽内衬使用寿命确定的准确性。
200	一种薄膜型磁芯材料及其制备方法	CN202311855928.3	2023-12-29	CN117831880A	2024-04-05	赵晨阳; 罗曦; 安静; 牟星; 何峻
本发明涉及一种薄膜型磁芯材料及其制备方法，属于集成电路的平面电感技术领域。所述薄膜型磁芯材料包括基体、电介质薄膜和绝缘保护层，所述电介质薄膜位于所述基体和绝缘保护层之间；在所述电介质薄膜远离所述基体一侧开设有多个沟槽，在所述沟槽内嵌设有软磁材料，且所述软磁材料的上表面与所述电介质薄膜上表面在同一平面内。所得薄膜型磁芯材料具有较高的综合性能，如铁磁共振频率在4.0GHz以上，各向异性在450Oe以上，将其用在电感器件中，具有较高的电感密度和品质因数。

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