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子分类：

C23C：对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）
C23D：金属的搪瓷或涂玻璃层（瓷釉的化学成分入C03C）
C23F：非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K7/00；用激光束加工金属入B23K26/00）；金属材料的缓蚀；一般防积垢（电解或电泳法处理金属表面或金属覆层入C25D，C25F）；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23G：电解法除外的化学法金属材料清洗及除油（抛光组合物入C09G；一般洗涤剂入C11D）

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
141	用于控制工艺漂移的工艺系统与方法	CN202280057451.1	2022-06-28	CN117858975A	2024-04-09	V·蔡; P·K·库尔施拉希萨; 蒋志钧; 阮芳; D·凯德拉亚
示例性半导体处理方法可包括形成含氟前驱物的等离子体。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中执行腔室清洁。处理区域可被至少部分地限定在面板与基板支撑件之间。方法可包括在腔室清洁期间产生氟化铝。方法可包括使处理区域内的表面与含碳前驱物接触。方法可包括使氟化铝从处理区域的表面挥发。
142	制备钙钛矿电池富勒烯电子传输层的方法及其用途	CN202311733644.7	2023-12-15	CN117858596A	2024-04-09	王永磊; 何博; 刘童; 杨亮; 张洪旭; 冯志宏; 徐希翔
本申请提供了一种制备钙钛矿电池富勒烯电子传输层的方法及其应用，所述钙钛矿电池包括基底，以及形成在所述基底上的钙钛矿层，所述方法包括：在所述钙钛矿层上蒸镀富勒烯材料形成富勒烯接触膜层；将形成富勒烯接触膜层后的基底冷却；在富勒烯接触膜层上蒸镀富勒烯材料形成富勒烯主体膜层，所述方法可以减小基底和蒸发源的距离，提高富勒烯材料的利用率，并且将形成富勒烯接触膜层后的基底进行冷却，可以改善由于形成富勒烯接触膜层后的基底和蒸发源距离减少产生的热效应导致膜层质量变差的问题。
143	显示面板、显示装置及显示面板的制备方法	CN202311690041.3	2023-12-08	CN117858550A	2024-04-09	何伟; 冯彦贵; 刘秀; 曹炳俊; 禹少荣
本公开提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，显示面板包括：衬底；位于衬底上的驱动电路的半导体层；位于半导体层背离衬底一侧的第一金属层；其中，半导体层和第一金属层之间还设置有辐射吸收层。通过本公开的技术方案，避免X射线入射至驱动电路的半导体层，导致半导体层中的薄膜晶体管的电性能参数发生改变，阈值电压漂移的问题，提高了驱动电路的工作稳定性，进而提高了显示面板的电性能稳定性。
144	一种镍掺杂多孔石墨@碳复合材料制备方法及其应用	CN202311841484.8	2023-12-29	CN117855430A	2024-04-09	董世辉; 李培国; 蔡新辉; 刘中伟; 叶聪; 胡博
本发明公开了一种镍掺杂多孔石墨复合材料的制备方法。该方法包括以下步骤：1）对石墨进行氧化表面粗化处理；2）对步骤1中氧化的石墨进行化学镀预处理，得到预处理的石墨；3）将步骤2中预处理的石墨加入具有一定组成的溶液中进行回流反应，得到镍吸附的石墨；4）将步骤3中得到镍吸附的石墨在Ar+H2气氛中高温焙烧，对石墨进行刻蚀，得到多孔石墨/镍复合材料；5）将步骤4中得到的多孔石墨/镍放入管式热处理炉中，在含碳源的气体中进行化学气相沉积，得到多孔石墨@碳复合材料。本发明提供了制得的多孔石墨@碳复合材料用作锂离子电池负极材料的应用，展现出较高的首次库伦效率和比容量，同时具有较好的循环稳定性和倍率性能。
145	一种显示面板用铜蚀刻液配方及其研制方法	CN202410257897.X	2024-03-07	CN117854615A	2024-04-09	王国洪; 王润杰; 许朱男; 颜禧历
本发明蚀刻液的配方发现方法，特别是一种显示面板用铜蚀刻液配方及其研制方法，通过模型读取成分属性信息和SEM图像的信息，综合了蚀刻速率，选择性和均匀性三个方面的目标来达到高效研发显示面板铜蚀刻液配方的目的。
146	用于改善沉积电极的可靠性的导电PVD层叠设计	CN202410165652.4	2020-02-28	CN117850547A	2024-04-09	J·梁; A·达斯; J·金; M·梅尔彻; S·瓦拉达拉扬; W·奥廷
本公开涉及用于改善沉积电极的可靠性的导电PVD层叠设计。一种电子设备，所述电子设备可包括：外壳部件，所述外壳部件可限定所述设备的内表面和外表面；第一膜，所述第一膜沉积于所述内表面上并至少部分地围绕所述外壳部件的边缘延伸到所述外表面上；以及第二膜，所述第二膜沉积于所述外表面上并且至少部分地沉积于所述外表面上的所述第一膜的一部分上，所述第二膜与沉积于所述内表面上的所述第一膜的一部分电连通。
147	一种铬离子掺杂的硫化锌激光材料的制备方法	CN202311655469.4	2023-12-05	CN117845334A	2024-04-09	姜本学; 张曦月; 王雨辰; 范金太; 张龙
一种铬离子掺杂的硫化锌激光材料的制备方法，将铬薄膜沉积在硫化锌晶体材料表面后，采用钼箔进行密封并进行热等静压烧结，促使过渡金属离子强制扩散，得到铬离子掺杂的硫化锌激光材料。本发明制备出的激光增益晶体，其离子扩散速度快且掺杂相对均匀，激光晶体的掺杂浓度较高，在烧结过程中去除了晶体中存在的缺陷杂质，避免了晶体的非均匀展宽，在自由运行时具有更窄的光谱带宽(<150pm)，进一步改善了激光特性。
148	滚筒酸洗自动线	CN202211213145.0	2022-09-30	CN117845226A	2024-04-09	周象岱; 曾文勇
本发明新型涉及滚筒酸洗自动线，该滚筒酸洗自动线的工作流程包括以下步骤：步骤一：首先将工件移至上料车上，启动泡酸桶正反转动，保持运作时间为60‑180秒；步骤二：之后泡酸筒顺时针滚动，泡酸桶内部的螺旋叶片随滚筒顺时针滚动，运作时间为30‑50秒，使工件朝漂洗桶1方向运动；步骤三：漂洗桶1在正反滚动，运作时间为60‑120秒。该滚筒酸洗自动线，通过设置滚筒正反转动，按照工艺要求布局工位器具形成连续生产流水线，采用自转滚筒周期性正反转，并在螺旋叶片的顶推作用下实现工艺过程中工件的保持清洗，酸洗后通过自转滚筒的顺时针旋传，在螺旋叶片的顶推作用下，经过导料管实现工件的转移，节省人力的输出，提高工作效率。
149	水下可更换的辅助电极、阴极保护系统	CN202311748563.4	2023-12-19	CN117845225A	2024-04-09	陈亚林; 高志贤; 尹鹏飞; 郑志建; 陆文萍; 张杰; 张成磊; 隋普升; 庄则敬
本申请公开了一种水下可更换的辅助电极、阴极保护系统。其中，水下可更换的辅助电极包括连接组件、发射端组件和接收端组件；发射端组件包括发射端外壳和第一绝缘密封件，第一绝缘密封件的内部装设有第一电磁线圈；接收端组件与发射端组件连接；接收端组件包括接收端外壳、第二绝缘密封件、绝缘件和电极体，第二绝缘密封件的内部装设有第二电磁线圈和集成电路，电极体的引线、接收端外壳的引线均与集成电路连接；电极体嵌装于绝缘件的内部；第一绝缘密封件的内部空腔、发射端外壳的内部空腔、第二绝缘密封件的内部空腔、接收端外壳的内部空腔均填充有绝缘导热胶。该装置能够实现水下的便捷更换，缩短维护周期，大大降低作业难度，降低维护成本。
150	一种用于油田厂站管线内壁的防腐装置	CN202211207000.X	2022-09-30	CN117845224A	2024-04-09	郭亮; 韦海防; 黄超; 金祥哲; 徐军; 陈怀兵; 李世勇; 薛艳; 陈小荣; 张建强; 吴保玉; 张军峰
本发明公开了一种用于油田厂站管线内壁的防腐装置，涉及油气田腐蚀与防护技术领域，通过牺牲阳极阴极保护原理，对管线内壁进行保护，对防腐效果进行有效监测，该装置其包括金属筒体，在所述金属筒体的内壁设置有阳极筒，阳极筒的外壁紧贴在金属筒体的内壁上，在所述金属筒体上安装有观察阳极筒用的观察窗，在金属筒体1上开有两个腐蚀挂片孔，并在孔内安装有金属挂片，在金属筒体上开有参比电极孔，在参比电极孔内安装有用于实时测量管线内壁保护电位的Cu/CuSO4参比电极，装置的金属筒体设置观察窗、腐蚀挂片和保护电位测试三种防腐效果监测手段，保证了能够随时对金属筒体内壁及厂站管线内壁的腐蚀状况及时查探。
151	一种氧化石墨烯基油气酸化缓蚀剂的制备方法	CN202410071782.1	2024-01-18	CN117845223A	2024-04-09	王嵩滔; 赵媛; 黄晨洋; 刘雨蒙; 费茹惠
本发明提出了一种氧化石墨烯基油气酸化缓蚀剂的制备方法。本发明在模拟油气井酸化环境的条件下，评估了二氨基十烷功能化氧化石墨烯(DAD‑GO)和二氨基十二烷功能化氧化石墨烯(DADD‑GO)在盐酸环境下对碳钢的缓蚀效果，考察了浓度和温度对抑制剂性能的影响。在室温下，DAD‑GO的抑菌率随浓度的增加而增加。在所研究的温度下，抑制剂表现良好，然而随着温度的升高，抑制剂的性能下降。钢在抑制溶液中浸泡24小时后，官能化的石墨烯氧化物分子吸附在钢上，形成一层保护层，表现出较好的抑制腐蚀效率，在油气井酸化领域有着很好的发展前景。
152	铜箔钝化加工方法和铜箔钝化加工设备	CN202311473597.7	2023-11-07	CN117845203A	2024-04-09	石中玉; 袁智斌; 罗冲; 王树光; 杨珏; 王树林
本发明属于铜箔钝化加工技术领域，具体涉及铜箔钝化加工方法及设备。铜箔钝化加工方法包括：控制铜箔通过对应的转动辊机构进入第一钝化液池的钝化液中，并对铜箔进行钝化处理；控制钝化处理后的铜箔向喷淋装置运动，并控制喷淋装置对铜箔喷淋钝化液；控制喷淋后的铜箔穿过挤压装置，并控制挤压装置对铜箔进行双面挤压处理；控制挤压处理后的铜箔穿过烘干装置，并控制烘干装置对挤压处理后的铜箔进行烘干处理。本发明改进了加工工艺和设备，通过对钝化处理后的铜箔表面进行喷淋钝化液的处理，使得铜箔表面的钝化液更加均匀，进而对喷淋后的铜箔进行相应的挤压和烘干处理，可以有效防止铜箔表面产生滑印或褶皱，从而提高铜箔产品的质量。
153	一种基于化学气相沉淀法的纳米材料生长控制系统及方法	CN202410262445.0	2024-03-07	CN117845197A	2024-04-09	贾彩红; 张宏杨; 贾冬义
本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种基于化学气相沉淀法的纳米材料生长控制系统及方法，包括：气相反应控制模块，确保反应物和载气的流量比例和检测并实时调整反应气体的浓度；温度控制模块，控制反应室的温度，并根据反应情况实时调整反应室温度；反馈控制模块，使用传感器监测反应室中的参数，包括温度、气体流量，并将参数反馈发送至主控制器；沉淀物收集模块，实时监测沉淀物的质量，实时调整反应条件；主控制器：根据反馈控制模块发送到参数进行实时数据分析，来调整反应参数来对纳米材料生产进行控制，反应参数包括加热功率和气体流量；安全模块，用于检测气体泄漏并处理。通过各个模块的配合来更好的控制个体的一致性和可重复性。
154	半导体工艺设备及半导体加工方法	CN202211230350.8	2022-09-30	CN117845195A	2024-04-09	胡彩丰; 范文斌
本申请属于管路压力检测技术领域，具体涉及一种半导体工艺设备及半导体加工方法。半导体工艺设备包括工艺腔室、供气管路、传输管路组件、检测装置和检测管路，传输管路组件用于与反应源储存装置可通断地连通，传输管路组件包括第一连通端和第二连通端，传输管路组件的第一连通端与供气管路可通断地连通，传输管路组件的第二连通端与工艺腔室可通断地连通，检测管路的第一端与供气管路的第一端相连通，检测管路的第二端与工艺腔室相连通，检测装置用于获取检测管路与传输管路组件之间的压差。本申请能够解决在工艺结果出现问题后，只能宕机进行故障排查和维护的问题。
155	复合薄膜及其制备方法和应用	CN202211217587.2	2022-09-30	CN117845191A	2024-04-09	段羽; 王振宇; 李泽; 上官廉朝; 范思雨; 刘俊彦; 吴欣凯; 刘云飞; 程泰; 陈远丰
本申请实施例提供一种复合薄膜，包括第一膜层，第一膜层至少包括第一无机有机杂化成分和第二成分，且所述第一无机有机杂化成分在所述第一膜层的厚度方向上是连续的，所述第二成分在所述第一膜层的厚度方向上是连续的；所述第二成分包括第二无机有机杂化成分或无机成分，若所述第二成分包括第二无机有机杂化成分，所述第二无机有机杂化成分与所述第一无机有机杂化成分的结构不相同。该复合薄膜包括含有无机有机杂化成分的掺杂膜，该复合薄膜的主体组分和掺杂组分在膜层厚度方向上连续存在，掺杂效果好，薄膜质量较高，且能够实现低含量掺杂。本申请实施例还提供了该复合薄膜的制备方法和应用。
156	一种实现易转移超长VO2 纳米线的化学气相沉积制备方法及场效应管器件集成应用	CN202410003896.2	2024-01-03	CN117845190A	2024-04-09	熊伟明; 单楷涵; 孟伟婷; 吴琼; 王迪; 江文瑜
本发明公开了一种实现易转移超长VO2 纳米线的化学气相沉积(CVD)制备方法及场效应管器件集成应用。所述制备方法包括以下步骤：使用Si/SiO2基片作为衬底，以V2O5粉末作为前驱物，将前驱物和基片分别放置在CVD管式炉的中心热源的左右两侧7‑9cm处，前驱物、基片间距超过15cm；调节CVD管式炉的气体流速及沉积气压，缓慢升高温度至成核生长温度，随后保持一段时间进行成核与生长，生长完成后自然冷却至室温，即可获得易转移超长VO2纳米线。本发明通过调控化学气相沉积的生长参数，实现了制备出易转移的超长VO2纳米线，尤其通过本发明生长出来的VO2纳米线质量高，具有非常好的结晶度和均匀性。
157	膜色均匀和膜厚均一性良好的薄片APCVD成膜加工方法	CN202311700001.2	2023-12-12	CN117845189A	2024-04-09	刘文涛
本发明涉及一种膜色均匀和膜厚均一性良好的薄片APCVD成膜加工方法，所属硅片加工技术领域，APCVD设备有三个喷头，用于调整硅烷与氧气的比例，托盘的行进速度制备二氧化硅膜。包括如下操作步骤：第一步：以三喷头同时开启，设定托盘速度，在同一硅烷流量下进行成膜，测试膜厚。第二步：换算2个喷头时的托盘速度，按照3个喷头成膜的厚度及托盘速度进行换算。第三步：选择连续的2个喷头呈打开状态，另一个喷头呈闭合状态。第四步：设置不同的硅烷流量配比，氧气流量按照硅烷与氧气的比例进行设置。第五步：选择不同的配比进行加工，成膜后目检硅片双面状态，及测量膜厚和均一性。有效提高膜面外观良率，降低硅烷及氧气的成本。
158	一种DLC涂层加工设备	CN202410045904.X	2024-01-12	CN117845185A	2024-04-09	宋永宾; 王鹏; 王勇安; 邱月
本申请涉及钢铁制造技术领域，公开了一种DLC涂层加工设备，为了解决不易提供真空环境的问题，通过设置有多组小机械直连泵组和大机械直连泵组，从而在控制系统的布控下，可以在极短的时间内沉积DLC膜层，以此自动完成抽真空镀膜，并且，通过转架车能够将工件自动的进出炉，加快了工件的镀膜效率，实现了多组泵体组合抽真空和自动进出炉的效果。
159	一种周期性多层膜制备系统	CN202311768646.X	2023-12-21	CN117845175A	2024-04-09	高贵斌
本发明涉及一种周期性多层膜制备系统,包括依次连通的进出样室、工艺沉积室和尾室，所述工艺沉积室和所述尾室内部安装有直线运动系统，所述直线运动系统包括从所述工艺沉积室延伸至所述尾室内的运动平台和安装在所述运动平台上的承载车，以及安装在所述运动平台底部的多个支架；本发明采用磁控溅射方式，多组磁控靶水平横置，基片装在往复运动的承载车上，在靶溅射速率确定，随时间变化的情况下，控制承载车运动速度，即得到每层不同的膜厚；也可控制基片通过溅射靶的速度变化得到膜层厚度渐变的楔形膜，利用采用独特的卧式结构设计及高精度超长直线运动系统，自动化镀膜工艺，可实现周期性多层膜的制备，可沉积介质膜、金属膜等材料。
160	卧式真空镀膜系统及其镀膜方法	CN202311540696.2	2023-11-15	CN117845174A	2024-04-09	江嘉; 徐建柱; 娄国明; 沈纬徵; 郑博鸿
本申请公开了一种卧式真空镀膜系统，包括依次排布的：进出料腔，具有供待镀膜工件进出所述卧式真空镀膜系统的进出料口；工艺腔，用于对所述待镀膜工件进行磁控溅射镀膜；加热腔，用于在镀膜前对所述待镀膜工件进行加热；传送组件，用于传送所述待镀膜工件进出入各腔室；阴极室，用于安装靶材，其设置于所述工艺腔内并位于所述传送组件的下方。本申请的卧式真空镀膜系统，不仅有利于保持加热腔内的高洁净度，进一步保证镀膜效果，且仅需布置一道十级室的进出料室，极大降低了设备成本，也减少了设备占用面积。

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