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71. 发明专利

TWI636490B 顯像裝置、基板處理裝置、顯像方法以及基板處理方法有权
简体标题：显像设备、基板处理设备、显像方法以及基板处理方法
公开(公告)号：TWI636490B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW106135707
申请日：2017-10-18
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：春本將彥 , HARUMOTO, MASAHIKO , 淺井正也 , ASAI, MASAYA , 田中裕二 , TANAKA, YUJI , 金山幸司 , KANEYAMA, KOJI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/30 , G03F7/32

72. 发明专利

TW201834296A 基板處理方法以及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法以及基板处理设备
公开(公告)号：TW201834296A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107102053
申请日：2018-01-19
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：樋口鮎美 , HIGUCHI, AYUMI , 岩晃久 , IWASAKI, AKIHISA
IPC分类号： H01L51/56 , H01L21/67
摘要：一種基板處理方法，係包含：基板保持步驟，係將具有金屬膜已露出之上表面的基板水平地保持；基板旋轉步驟，係使前述基板繞著沿鉛直方向之旋轉軸線而旋轉；液膜形成步驟，係將除氣後的處理液供給至前述基板之上表面，藉此在前述基板上形成前述處理液之液膜；以及膜厚調整步驟，係以前述液膜之厚度成為100μm以上的方式來調整前述液膜之厚度。
简体摘要：一种基板处理方法，系包含：基板保持步骤，系将具有金属膜已露出之上表面的基板水平地保持；基板旋转步骤，系使前述基板绕着沿铅直方向之旋转轴线而旋转；液膜形成步骤，系将除气后的处理液供给至前述基板之上表面，借此在前述基板上形成前述处理液之液膜；以及膜厚调整步骤，系以前述液膜之厚度成为100μm以上的方式来调整前述液膜之厚度。

73. 发明专利

TW201834071A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201834071A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106142372
申请日：2017-12-04
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：伊藤禎朗 , ITO, YOSHIO , 河村隆 , KAWAMURA, TAKASHI , 松井則政 , MATSUI, NORIMASA
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/683
摘要：本發明提供一種能夠於不產生因閃光照射而導致之損傷之情況下使基板之面內溫度分佈均勻的熱處理裝置。本發明利用連續點亮燈自保持於石英之承托器之半導體晶圓之下方進行光照射而進行預加熱，其後，利用閃光燈自上方進行閃光照射。以接近保持於承托器之半導體晶圓之周緣部之方式設置光吸收環。光吸收環吸收紅外光，且使可見光透過。於預加熱時，光吸收環吸收自連續點亮燈出射之光而升溫，補償自晶圓周緣部釋放之熱，從而使半導體晶圓之面內溫度分佈均勻。另一方面，由於閃光透過光吸收環，故而能夠防止因閃光照射所導致之光吸收環之損傷。
简体摘要：本发明提供一种能够于不产生因闪光照射而导致之损伤之情况下使基板之面内温度分布均匀的热处理设备。本发明利用连续点亮灯自保持于石英之承托器之半导体晶圆之下方进行光照射而进行预加热，其后，利用闪光灯自上方进行闪光照射。以接近保持于承托器之半导体晶圆之周缘部之方式设置光吸收环。光吸收环吸收红外光，且使可见光透过。于预加热时，光吸收环吸收自连续点亮灯出射之光而升温，补偿自晶圆周缘部释放之热，从而使半导体晶圆之面内温度分布均匀。另一方面，由于闪光透过光吸收环，故而能够防止因闪光照射所导致之光吸收环之损伤。

74. 发明专利

TW201832329A 熱處理裝置及熱處理方法审中-公开
简体标题：热处理设备及热处理方法
公开(公告)号：TW201832329A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106138938
申请日：2017-11-10
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：北澤貴宏 , KITAZAWA, TAKAHIRO , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO
IPC分类号： H01L23/34 , H01L21/66 , G01J5/08
摘要：本發明提供一種可準確地測定基板之上表面之溫度之熱處理裝置及熱處理方法。本發明於對面方位為(100)面之單晶矽之半導體晶圓W照射閃光時，半導體晶圓W以沿著＜100＞方向之直徑為軸而翹曲。以半導體晶圓W之沿著＜100＞方向之直徑與上部輻射溫度計25之光軸一致之方式調整半導體晶圓W之朝向而載置於基座74，藉此沿著於閃光照射時半導體晶圓W之翹曲成為最小之方向之直徑與上部輻射溫度計25之光軸一致。其結果，於閃光照射時，在上部輻射溫度計25之光軸方向上亦幾乎不會於半導體晶圓W產生翹曲，因此，輻射率亦幾乎未變化，而可準確地測定半導體晶圓W之上表面之溫度。
简体摘要：本发明提供一种可准确地测定基板之上表面之温度之热处理设备及热处理方法。本发明于对面方位为(100)面之单晶硅之半导体晶圆W照射闪光时，半导体晶圆W以沿着＜100＞方向之直径为轴而翘曲。以半导体晶圆W之沿着＜100＞方向之直径与上部辐射温度计25之光轴一致之方式调整半导体晶圆W之朝向而载置于基座74，借此沿着于闪光照射时半导体晶圆W之翘曲成为最小之方向之直径与上部辐射温度计25之光轴一致。其结果，于闪光照射时，在上部辐射温度计25之光轴方向上亦几乎不会于半导体晶圆W产生翘曲，因此，辐射率亦几乎未变化，而可准确地测定半导体晶圆W之上表面之温度。

75. 发明专利

TW201832273A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201832273A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106142879
申请日：2017-12-07
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小野行雄 , ONO, YUKIO , 松尾郁 , MATSUO, KAORU , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO
IPC分类号： H01L21/26 , H01L21/324 , H01L23/34
摘要：本發明提供一種可防止在腔室內飛散之微粒附著於基板之熱處理方法及熱處理裝置。自閃光燈對收容於腔室內之半導體晶圓照射閃光之後，將腔室內之壓力暫時減壓並維持為低於閃光照射時，藉此消除腔室內之氣體易於滯留之部分。其後，藉由增加供給至腔室內之氮氣之流量而將腔室內排氣，可將因閃光照射而於腔室內飛散之微粒順利地排出。其結果為，可防止在腔室內飛散之微粒附著於新的半導體晶圓。
简体摘要：本发明提供一种可防止在腔室内飞散之微粒附着于基板之热处理方法及热处理设备。自闪光灯对收容于腔室内之半导体晶圆照射闪光之后，将腔室内之压力暂时减压并维持为低于闪光照射时，借此消除腔室内之气体易于滞留之部分。其后，借由增加供给至腔室内之氮气之流量而将腔室内排气，可将因闪光照射而于腔室内飞散之微粒顺利地排出。其结果为，可防止在腔室内飞散之微粒附着于新的半导体晶圆。

76. 发明专利

TW201831237A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201831237A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106146018
申请日：2017-12-27
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：西村優大 , NISHIMURA, YUTA , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 根来世 , NEGORO, SEI
IPC分类号： B08B3/14 , H01L21/67
摘要：一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，用以將基板保持於水平姿勢；處理液噴嘴，係具有下部開口及內壁，且從前述下部開口吐出處理液，該下部開口係與由前述基板保持單元所保持的基板之上表面對向，該內壁係劃分朝向上下方向且從前述下部開口相連至上方的筒狀空間；液柱形成單元，係將包含第一液柱部分及第二液柱部分的處理液之液柱形成於前述基板之上表面，該第一液柱部分係用處理液來液密地充滿於前述下部開口與前述基板之上表面之間，該第二液柱部分係從前述第一液柱部分相連至上方，且由已貯存於前述筒狀空間的處理液所構成；以及物理力賦予單元，係對前述第二液柱部分賦予物理力。
简体摘要：一种基板处理设备，系包含：基板保持单元，用以将基板保持于水平姿势；处理液喷嘴，系具有下部开口及内壁，且从前述下部开口吐出处理液，该下部开口系与由前述基板保持单元所保持的基板之上表面对向，该内壁系划分朝向上下方向且从前述下部开口相连至上方的筒状空间；液柱形成单元，系将包含第一液柱部分及第二液柱部分的处理液之液柱形成于前述基板之上表面，该第一液柱部分系用处理液来液密地充满于前述下部开口与前述基板之上表面之间，该第二液柱部分系从前述第一液柱部分相连至上方，且由已贮存于前述筒状空间的处理液所构成；以及物理力赋予单元，系对前述第二液柱部分赋予物理力。

77. 发明专利

TW201831050A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201831050A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106141620
申请日：2017-11-29
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：田中孝佳 , TANAKA, TAKAYOSHI , 岩田智巳 , IWATA, TOMOMI
IPC分类号： H05F3/04
摘要：基板處理裝置10係對已帶電的基板進行降低前述基板之帶電量的處理之裝置。基板處理裝置10係具備：基板保持部1、紫外線照射器2以及電子捕捉部3。基板保持部1係用以保持基板W1。紫外線照射器2係用以對藉由基板保持部1所保持的基板照射紫外線。電子捕捉部3係用以捕捉藉由紫外線照射器2所進行的紫外線之照射而從基板釋放出的電子。
简体摘要：基板处理设备10系对已带电的基板进行降低前述基板之带电量的处理之设备。基板处理设备10系具备：基板保持部1、紫外线照射器2以及电子捕捉部3。基板保持部1系用以保持基板W1。紫外线照射器2系用以对借由基板保持部1所保持的基板照射紫外线。电子捕捉部3系用以捕捉借由紫外线照射器2所进行的紫外线之照射而从基板释放出的电子。

78. 发明专利

TW201830564A 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理系统以及基板处理方法
公开(公告)号：TW201830564A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106140967
申请日：2017-11-24
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：中野佑太 , NAKANO, YUTA , 田中孝佳 , TANAKA, TAKAYOSHI , 谷口寛樹 , TANIGUCHI, HIROKI , 髙橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 岩田智巳 , IWATA, TOMOMI
IPC分类号： H01L21/677 , H05F3/06
摘要：提供一種能夠提升除電處理之產量的基板處理裝置。基板處理裝置10係對已帶電的基板進行降低其帶電量之處理的裝置。基板處理裝置10係具備基板保持手段1、紫外線照射手段2、以及靜電場形成手段8。基板保持手段1係用以保持基板。紫外線照射手段2係以與由基板保持手段所保持的基板隔著空間而對向的方式配置，用以對該基板照射紫外線。靜電場形成手段8係於該空間形成電場而使從該基板被釋放出的電子遠離該基板。
简体摘要：提供一种能够提升除电处理之产量的基板处理设备。基板处理设备10系对已带电的基板进行降低其带电量之处理的设备。基板处理设备10系具备基板保持手段1、紫外线照射手段2、以及静电场形成手段8。基板保持手段1系用以保持基板。紫外线照射手段2系以与由基板保持手段所保持的基板隔着空间而对向的方式配置，用以对该基板照射紫外线。静电场形成手段8系于该空间形成电场而使从该基板被释放出的电子远离该基板。

79. 发明专利

TW201830552A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201830552A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106141166
申请日：2017-11-27
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：津田祥太郎 , TSUDA, SHOTARO , 平岡伸康 , HIRAOKA, NOBUYASU , 沖田展彬 , OKITA, NOBUAKI , 西田崇之 , NISHIDA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/67 , B08B3/14
摘要：本發明提供一種減少附著於杯體之異物再次附著於基板之情況的技術。本發明之基板處理裝置1具有上杯體部32，該上杯體部32具有形成為可將保持於基板保持部10之基板W包圍之筒狀的第1筒狀部321及第2筒狀部322，且第2筒狀部322連結於第1筒狀部321之上側。又，基板處理裝置1具備杯體移動部36，該杯體移動部36係藉由使上杯體部32於鉛直方向上移動，而使上杯體部32分別於第1筒狀部321包圍基板W之位置、及第2筒狀部322包圍基板W之位置停止。
简体摘要：本发明提供一种减少附着于杯体之异物再次附着于基板之情况的技术。本发明之基板处理设备1具有上杯体部32，该上杯体部32具有形成为可将保持于基板保持部10之基板W包围之筒状的第1筒状部321及第2筒状部322，且第2筒状部322链接于第1筒状部321之上侧。又，基板处理设备1具备杯体移动部36，该杯体移动部36系借由使上杯体部32于铅直方向上移动，而使上杯体部32分别于第1筒状部321包围基板W之位置、及第2筒状部322包围基板W之位置停止。

80. 发明专利

TW201830466A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201830466A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106137153
申请日：2017-10-27
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：中山知佐世 , NAKAYAMA, CHISAYO , 田中裕二 , TANAKA, YUJI , 春本将彦 , HARUMOTO, MASAHIKO , 浅井正也 , ASAI, MASAYA , 福本靖博 , FUKUMOTO, YASUHIRO , 松尾友宏 , MATSUO, TOMOHIRO , 石井丈晴 , ISHII, TAKEHARU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
摘要：因應設定的減低製程將氧濃度減低，之後進行熱處理。如此，由於減低熱處理空間HS內的氧濃度且對基板W進行熱處理，故能使熱處理空間的處理氛圍適用於熱處理製程，而可使成膜適切地進行。除此之外，由於因應配方的氧濃度等級而減低氧濃度，故沒有過度地減低氧濃度的情形，不會降低產能。
简体摘要：因应设置的减低制程将氧浓度减低，之后进行热处理。如此，由于减低热处理空间HS内的氧浓度且对基板W进行热处理，故能使热处理空间的处理氛围适用于热处理制程，而可使成膜适切地进行。除此之外，由于因应配方的氧浓度等级而减低氧浓度，故没有过度地减低氧浓度的情形，不会降低产能。

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