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91. 发明专利

JPH11279757A Method and device for forming thin film of composite metal compound 失效
标题翻译：用于形成复合金属化合物薄膜的方法和装置
公开(公告)号：JPH11279757A
公开(公告)日：1999-10-12
申请号：JP9824698
申请日：1998-03-27
申请人： Shincron:Kk , 株式会社シンクロン
发明人： KIKUCHI KAZUO , MATSUMOTO SHIGEJI
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/56 , G02B1/12
CPC分类号： G02B1/12 , C23C14/0078 , C23C14/08 , C23C14/568 , Y10S118/90
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the method and device for forming the thin film of a composite metal compound capable of optionally regulating the refractive index at the time of forming an optical thin film. capable of film formation while the reaction of oxidizing, nitriding, fluoriding or the like is executed to an extra-thin film and capable of forming a metallic compd. thin film stable in optical characteristics, dynamical characteristics or the like at a high speed without increasing a substrate temp.
SOLUTION: As for the method for forming the thin film of the composite metallic compd., respectively independent each target 29 and 49 composed of at least two kinds of different kinds of metal is sputtered, a stage in which an extra-thin film composed of composite metals or the imperfect reactant of the composite metals is formed on a substrate and a stage in which the formed extra-thin film is irradiated with the active seed of an electrically neutral reactive gas, the extra-thin film is brought to react with the active seed of the reactive gas and is converted into the compd. of the composite metals are successively repeated to form the compd. thin film of the composite metals with desired film thickness on the substrate.
COPYRIGHT: (C)1999,JPO
摘要翻译：要解决的问题：提供一种复合金属化合物的薄膜形成方法和装置，该复合金属化合物能够可选地调节形成光学薄膜时的折射率。能够对薄膜进行氧化，氮化，氟化等的反应而成膜，能够形成金属组合物。薄膜在光学特性，动态特性等方面稳定而不增加衬底温度。解决方案：对于形成复合金属组合物的薄膜的方法，溅射由至少两种不同种类的金属构成的各自独立的每个靶29和49，其中由复合金属或复合金属的不完全反应物形成在基板和其上形成的超薄膜被电中性反应气体的活性种子照射的阶段上，使超薄膜与活性气体的活性物质并转化为化合物。的复合金属连续重复形成。在衬底上具有所需膜厚度的复合金属的薄膜。

92. 发明专利

JP2017538039A 材料堆積システム及び材料堆積システムで材料を堆積する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017538039A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2017530018
申请日：2014-12-05
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated , アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：ホセマヌエルディエゲス−カンポ， , ホセマヌエルディエゲス−カンポ， , シュテファンバンゲルト， , シュテファンバンゲルト， , オリバーハイミル， , オリバーハイミル， , ディーターハース， , ディーターハース，
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/12 , C23C14/568 , H01L51/001
摘要：基板(121)上に材料を堆積させるための真空堆積システム(300;400;500)が記載されている。真空堆積システム(300;400;500)は、チャンバ容積を有する真空チャンバ(110)と、堆積すべき材料を提供するための材料堆積装置(100)であって、堆積中に真空チャンバ(110)内に配置される材料堆積装置(100)とを含む。真空堆積システムは、真空チャンバ(110)内である基板サイズを有する基板(121)を支持するための基板支持体(126;600)をさらに含む。チャンバ容積対基板サイズの比が15m以下である。さらに、真空堆積システム(300;400;500)において基板(121)上に材料を堆積させる方法が記載されている。【選択図】図1a

94. 发明专利

JP6231770B2 成膜装置有权
公开(公告)号：JP6231770B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2013097456
申请日：2013-05-07
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：神保安弘 , 江口晋吾 , 山崎舜平
IPC分类号： C23C14/04 , H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/04 , H05B33/28 , H01L21/304
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/5873 , H01J37/32568 , H01J37/32834 , H01L21/67 , H01L51/50 , H01L51/56 , C23C14/562 , C23C14/568 , H01J2237/332 , H01J2237/335 , H01L27/1266 , H01L51/001 , H01L51/0058 , H01L51/0072

95. 发明专利

JP2017168866A 基板処理装置有权
公开(公告)号：JP2017168866A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2017111866
申请日：2017-06-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：五味淳 , 宮下哲也 , 古川真司 , 前田幸治 , 原正道 , 鈴木直行 , 三木洋 , 平田俊治
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , H01L43/12 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/31 , H01L21/3065 , H01L21/677
CPC分类号： C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12
摘要：【課題】処理モジュールが使用できなくなったときに、装置の稼働を停止せずに基板の処理を続行することにより、ウエハWの廃棄数を低減すること。【解決手段】搬送室内にてウエハWの受け渡しが可能なウエハ搬送機構3の列と、この列の左右両側にて当該列に沿って配置され、ウエハWに対して処理を行う処理モジュールPMの列と、を備え、前記処理モジュールPMの列は、前記一連の処理の各処理が少なくとも2つの処理モジュールPMのいずれにおいても行うことができるように構成されている。このため、前記一の処理モジュールPMが使用できなくなったときには、当該処理と同じ処理を行える他の処理モジュールPMにウエハWを速やかに搬送することができる。従って、前記一の処理モジュールPMが使用できなくなったときにおいても、装置の稼働を停止することなくウエハWの処理が続行でき、ウエハWの廃棄数が低減する。【選択図】図1

97. 发明专利

JPWO2016056275A1 成膜装置有权
公开(公告)号：JPWO2016056275A1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2016552844
申请日：2015-06-22
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：直之野沢 , 直之野沢 , 信雄松木 , 信雄松木 , 怜士坂本 , 怜士坂本 , 石原　雅仁 , 雅仁石原
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/06 , C23C16/44
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/022 , C23C14/04 , C23C14/3464 , C23C14/541 , C23C14/566 , C23C14/568 , H01J37/3411 , H01J37/3488 , H01L21/00
摘要：成膜装置は、チャンバーと、前記チャンバーの中で基板を保持する保持部と、前記基板が前記チャンバーの中の成膜領域を通過するように前記基板を保持した前記保持部を移動させる駆動部と、前記成膜領域に成膜物質を供給することによって前記成膜領域を通過している前記基板に膜を形成する成膜部と、前記保持部を冷却する冷却部とを備える。

98. 发明专利

JP2017517630A コーティングされたナノ粒子を含む鉄窒化物磁性材料审中-公开
公开(公告)号：JP2017517630A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016563181
申请日：2015-03-26
申请人：リージェンツオブザユニバーシティオブミネソタ , リージェンツオブザユニバーシティオブミネソタ , ユーティー−バットル,リミティドライアビリティカンパニー , ユーティー−バットル,リミティドライアビリティカンパニー , ユニバーシティオブテネシーリサーチファウンデーション , ユニバーシティオブテネシーリサーチファウンデーション
发明人：ジエン−ピーンワーン , ジエン−ピーンワーン , イエンフオンジアーン , イエンフオンジアーン , エー．ブリッジスクレイグ , エー．ブリッジスクレイグ , ピー．ブラディマイケル , ピー．ブラディマイケル , リオスオーランド , リオスオーランド , エー．メイスナーロバータ , エー．メイスナーロバータ , エフ．アラードローレンス , エフ．アラードローレンス , ララ−クールツィオエドガー , ララ−クールツィオエドガー , シーハイホーァ , シーハイホーァ
IPC分类号： C23C14/00 , B22F1/00 , B22F1/02 , C21D6/00 , C22C38/00 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01F1/00 , H01F41/18
CPC分类号： H01F1/047 , B22F1/0018 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C2202/02 , C23C14/0036 , C23C14/0605 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C14/566 , C23C14/568 , C23C14/5806 , C23C14/586 , H01F1/0054 , H01F1/065 , H01F41/0253
摘要：本開示は、Fe16N2相を含むナノ粒子を形成するための方法を記載する。幾つかの例において、ナノ粒子は、鉄と、窒素と、炭素又はホウ素の少なくとも1種とを含むナノ粒子を最初に形成することにより形成されてよい。炭素又はホウ素は、鉄と、窒素と、炭素又はホウ素の少なくとも1種が混合されるようにナノ粒子に組み入れられてよい。代わりに、炭素又はホウ素の少なくとも1種は、鉄と窒素とを含むナノ粒子の表面上にコーティングされてよい。鉄と、窒素と、炭素又はホウ素の少なくとも1種とを含むナノ粒子は、次いでアニールされて、Fe16N2、Fe16(NB)2、Fe16(NC)2、又はFe16(NCB)2の少なくとも1種を含む少なくとも1つの相ドメインを形成してよい。【選択図】図1

99. 发明专利

JPWO2015194458A1 多層膜の製造方法および多層膜审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015194458A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016529297
申请日：2015-06-11
申请人：株式会社アルバック
发明人：宏樹小林 , 宏樹小林 , 充則逸見 , 充則逸見 , 光隆廣瀬 , 光隆廣瀬 , 和也塚越 , 和也塚越 , 木村　勲 , 勲木村 , 弘綱鄒 , 弘綱鄒
IPC分类号： C23C14/06 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/319
CPC分类号： H01L41/1876 , C01G25/00 , C01G55/00 , C01G55/002 , C01P2002/74 , C23C14/06 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/568 , C23C28/30 , C23C28/32 , C23C28/322 , C23C28/345 , C23C28/3455 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要：この多層膜の製造方法は、基板に導電層を形成する工程Aと、前記導電層を覆うようにシード層を形成する工程Bと、前記シード層を覆うように誘電体層を形成する工程Cと、を少なくとも備えた多層膜の製造方法であって、前記工程Bにおいて、前記シード層として、ストロンチウム(Sr)とルテニウム(Ru)と酸素(O)とを含む化合物を、スパッタ法により形成し、前記工程Cにおいて、前記誘電体層を形成する際の基板温度をTdと定義したとき、560≦Td≦720[℃]である。

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