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1. 发明专利

JP6015641B2 単結晶製造方法有权
标题翻译：单晶制造方法
公开(公告)号：JP6015641B2
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：JP2013252747
申请日：2013-12-06
申请人：信越半導体株式会社
发明人：宮原祐一 , 高島祥 , 澤崎康彦 , 岩崎淳
IPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/10 , C03C3/04 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04 , C03C2201/30 , C03C2201/32

2. 发明专利

JP2015110487A 単結晶製造方法有权
标题翻译：单晶的制造方法
公开(公告)号：JP2015110487A
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：JP2013252747
申请日：2013-12-06
申请人：信越半導体株式会社
发明人：宮原祐一 , 高島祥 , 澤崎康彦 , 岩崎淳
IPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/10 , C03C3/04 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04 , C03C2201/30 , C03C2201/32
摘要：【課題】湯漏れの発生を防止するとともに、効率良く石英ルツボを使用して単結晶の育成を行うことができる製造方法を提供する。【解決手段】CZ法による単結晶製造方法であって、石英ルツボの製造に用いられた石英原料粉に含まれるAl/Li比と、石英ルツボの使用時間と、該使用時間での失透割合と、失透部分起因の湯漏れの発生の有無との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、湯漏れが発生しないように、単結晶の育成の際に使用する石英ルツボの失透割合の範囲を設定し、該設定した割合の範囲内に収まるように、石英ルツボの製造に用いられた石英原料粉に含まれるAl/Li比に応じて石英ルツボの最大使用時間を決定し、該最大使用時間の範囲内で石英ルツボを使用して単結晶の育成を行う単結晶製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够有效地使用石英坩埚来防止熔融金属的泄漏和提高单晶的制造方法。解决方案：通过CZ法提供单晶制造方法，其制造方法包括：以前发现与用于制造石英坩埚的石英原料粉末之间的Al和Li的Al / Li比与石英坩埚的使用时间，使用时间中的失透比以及由于发生失透部分; 根据相关性设定用于提高单晶的石英坩埚的失透比的范围，使得不会发生熔融金属的泄漏; 根据用于制造石英坩埚的石英原料粉末中包含的Al和Li的Al / Li比，确定石英坩埚的最大使用时间，使其落在该比率的设定范围内; 并且在最大使用时间的范围内使用石英坩埚提高单晶。

3. 发明专利

JP4044200B2 Bismuth-doped quartz glass, manufacturing method thereof, optical fiber using the glass, and the optical amplifier 失效
公开(公告)号：JP4044200B2
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：JP5189398
申请日：1998-03-04
申请人：三菱電線工業株式会社
发明人：実 ▲吉▼田 , 正大中塚 , 一穂村田 , 靖藤本 , 恭秀須藤
IPC分类号： C03B20/00 , G02B6/00 , C03B8/02 , C03B19/12 , C03B37/016 , C03C3/06 , H01S3/06 , H01S3/17
CPC分类号： C03C3/06 , C03B19/12 , C03B37/016 , C03B2201/30 , C03C2201/30 , C03C2201/32 , C03C2203/22

4. 发明专利

KR102225468B1 KR102225468B1 - Alkali metal incorporated chalcopyrite thin film and manufacturing method thereof 有权
公开(公告)号：KR102225468B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190048606A
申请日：2019-04-25
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민병권 , 황윤정 , 오형석 , 이웅 , 원다혜 , 이동기 , 김주현 , 김민규
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0216 , H01L31/0445 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03923 , H01L31/0324 , C03C17/3605 , C03C17/3642 , C03C17/3649 , C04B35/547 , C04B35/62222 , C04B35/6365 , H01L31/02167 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , H01L31/0445 , H01L31/046 , H01L31/18 , H01L31/1872 , C03C17/06 , C03C2201/30 , C03C2217/23 , C03C2217/26 , C03C2217/268 , C03C2217/287 , C03C2217/289 , C03C2218/116 , C03C2218/154 , C03C3/087 , H01L31/022475 , Y02E10/541
摘要： 알칼리 원소를 도입한 칼코파이라이트 화합물계 박막 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 알칼리 원소를 도입한 칼코파이라이트 화합물계 박막은 알칼리 원소의 도입으로 우수한 칼코파이라이트 결정특성과 표면 특성이 향상된 필름특성을 구현할 수 있고, 박막내 구성원소 분포를 제어하여 향상된 광학적 특성을 나타낼 수 있다. 이에 의해 태양전지의 성능을 개선시킬 수 있다. 상기 칼코파이라이트 화합물계 박막은 용액 공정을 통해 용이하게 제조될 수 있다.

5. 发明专利

JP2009274947A Silica glass for euv lithography optical component containing tio2 审中-公开
标题翻译：用于包含TIO2的EUV光刻组件的二氧化硅玻璃
公开(公告)号：JP2009274947A
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：JP2009097212
申请日：2009-04-13
申请人： Asahi Glass Co Ltd , 旭硝子株式会社
发明人： SAITO KENTA , KOIKE AKIO , KAWADA MITSUHIRO
IPC分类号： C03C3/06 , C03B20/00 , C03C3/076 , G02B1/00 , G03F1/22 , G03F1/24 , H01L21/027
CPC分类号： C03C3/06 , C03B19/1453 , C03B2201/07 , C03B2201/23 , C03B2201/30 , C03B2201/42 , C03C3/076 , C03C4/0085 , C03C23/0095 , C03C2201/23 , C03C2201/30 , C03C2201/42 , C03C2203/44 , C03C2203/52 , Y02P40/57
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silica glass containing TiO
2 capable of providing a transparent, ultra-low thermal expansion glass which has an excellent transparency and a temperature region having a nearly zero thermal expansion coefficient.
SOLUTION: The silica glass for an EUV lithography optical component containing TiO
2 has a concentration of TiO
2 of 3 to 14 mass%, and an internal transmittance T
400 to 700 per 1 mm of thickness of 97% or more in the wavelength range of 400 to 700 nm and an internal transmittance T
400 to 3000 per 1 mm of thickness of 70% or more in the wavelength range of 400 to 3,000 nm.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提供具有优异透明度的透明的超低热膨胀玻璃和具有几乎为零的热膨胀的温度区域的含有TiO 2 SBS 2 的二氧化硅玻璃系数。解决方案：含有TiO 2 SBR的EUV光刻光学部件的二氧化硅玻璃的TiO 2浓度为3〜14质量％，内部透过率T < 在400〜700nm的波长范围内，每1mm厚度为97mm以上的SB> 400〜700 ，每1mm厚度为70°的内部透射率T 400〜3000

6. 发明专利

JP4169325B2 Quartz glass jig and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4169325B2
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：JP2002224032
申请日：2002-07-31
申请人：信越石英株式会社
发明人：龍弘佐藤 , 朗藤ノ木
IPC分类号： C03B20/00 , C03B25/00 , C03B32/00 , C03C3/06
CPC分类号： C03B32/00 , C03B25/00 , C03B2201/03 , C03C3/06 , C03C2201/30 , C03C2201/50 , C03C2201/54 , Y02P40/57

7. 发明专利

JP2008037743A Ultra low expansion glass and method for making the same 审中-公开
标题翻译：超低膨胀玻璃及其制造方法
公开(公告)号：JP2008037743A
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：JP2007170417
申请日：2007-06-28
申请人： Corning Inc , コーニングインコーポレイテッド
发明人： ELLISON ADAM JAMES
IPC分类号： C03C3/06 , C03B20/00 , G02B1/00
CPC分类号： G02B1/00 , C03C3/06 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2201/30 , C03C2201/32 , C03C2201/42 , C03C2201/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the emergence of striae, in a low expansion silica-titania glass suitable for manufacturing an extreme ultraviolet ray lithographic element.
SOLUTION: The low expansion silica-titania glass appropriate for manufacturing the extreme ultraviolet lithographic element comprises a titania-containing silica glass, which has a titania content in the range of 5-12 mass% and contains a viscosity reducing dopant having a content in the range of 0.001 to 1 mass%. The element appropriate for extreme ultraviolet ray lithography is constituted by a titania-containing silica glass, which has a titania content in the range of 5-10 mass%, a viscosity reducing dopant having a content in the range of 0.001 to 1 mass%, a polished and formed surface, and a thermal expansion coefficient of 0±3 ppb/°C in a temperature range of 5-35°C.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了防止在适合制造极紫外线光刻元件的低膨胀二氧化硅 - 二氧化钛玻璃中出现条纹。解决方案：适用于制造极紫外光刻元件的低膨胀二氧化硅 - 二氧化钛玻璃包括二氧化钛含量为二氧化钛的二氧化硅玻璃，其二氧化钛含量为5-12质量％，含有具有含量在0.001〜1质量％的范围。适用于极紫外线光刻的元件由二氧化钛含量为5-10质量％的含二氧化钛的二氧化硅玻璃构成，粘度降低掺杂剂的含量在0.001〜1质量％的范围内，抛光形成的表面，在5-35℃的温度范围内的热膨胀系数为0±3ppb /℃。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2004530615A Oxygen doping of silicon oxyfluoride glass 审中-公开
公开(公告)号：JP2004530615A
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：JP2002567872
申请日：2002-02-11
申请人：コーニングインコーポレイテッド
发明人：エムスミス，チャーリーン , エイムーア，リサ
IPC分类号： C03B19/14 , C03B20/00 , C03B32/00 , C03C3/06 , C03C4/00 , G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F1/14
CPC分类号： G03F7/70216 , C03B19/1407 , C03B19/1415 , C03B19/1423 , C03B19/1453 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/21 , C03B2207/30 , C03B2207/32 , C03B2207/36 , C03B2207/38 , C03C3/06 , C03C4/0085 , C03C2201/12 , C03C2201/20 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2201/30 , C03C2201/32 , C03C2203/54 , G03F1/60 , G03F7/70958
摘要：１９０ｎｍ未満のＶＵＶ波長領域におけるフォトリソグラフィー用途のためのフォトマスク基板として使用するのに適した高純度シリコン・オキシフルオライドガラスが開示されている。ドープガラス（２０）は、ドーピング容器（２８）中のシリコン・オキシフルオライドガラス（２２）にＯ
2 ドーピング雰囲気（２６）を提供することにより製造される。本発明のシリコン・オキシフルオライドガラスは、１５７ｎｍ辺りの波長で透過性であり、このため、１５７ｎｍ波長領域でのフォトマスク基板として特に有用である。本発明のフォトマスク基板は、ドープされたＯ
2 分子を含有し、真空紫外線（ＶＵＶ）波長領域において非常に高い透過率およびレーザ透過耐久性を示す「乾燥」シリコン・オキシフルオライドガラスである。フッ素を含有し、ＯＨ含有量がほとんどまたは全くないことに加え、本発明のシリコン・オキシフルオライドガラスは、レーザ露光に対する耐久性を改善する格子間Ｏ
2 分子を含有する。好ましくは、Ｏ
2 ドープシリコン・オキシフルオライドガラスは、１×１０
17 モル／ｃｍ
3 未満の水素分子および低レベルの塩素を有することにより特徴付けられる。

9. 发明专利

JP2017095349A 高ケイ酸含有材料からの複合体を製造する方法有权
公开(公告)号：JP2017095349A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2016229022
申请日：2016-11-25
申请人：ヘレーウスクヴァルツグラースゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニーコマンディートゲゼルシャフト , Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG
发明人：クリスティアンシェンク , フランクウェスリー , ゲリトシャイヒ
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： C03C3/06 , B05D3/007 , B05D7/50 , C03B19/066 , C03C14/004 , C03C4/082 , C03B2201/20 , C03B2201/30 , C03B2201/58 , C03C2201/26 , C03C2201/30 , C03C2203/22 , C03C2214/30
摘要：【課題】85%以上のSiO 2 を含有する高ケイ酸含有材料から機械的及び熱的に安定した、溶接による大面積の接合が可能な複合体を低コストでの製造を可能にする方法の提供。【解決手段】(a)露出表面を有する第一のスラリー層を、第一の分散媒及びそこに分散された第一のTiO 2 粒子及び第一の濃度の添加成分を含有する第一のスラリー材料を用いて製造する工程、(b)第二の分散媒及びそこに分散された第二のSiO 2 粒子及び第一の濃度とは異なる第二の濃度の添加成分を含有する第二のスラリー材料を準備する工程、(c)第二のスラリー材料を第一のスラリー層の自由表面に施与することによって複合体−前駆生成物を形成する工程並びに(e)複合体−前駆生成物を加熱して複合体を形成する方法。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2013121902A Silica container for pulling up single crystal silicon, and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：用于拉伸单晶硅的二氧化硅容器及其制造方法
公开(公告)号：JP2013121902A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：JP2011271565
申请日：2011-12-12
申请人： Shinetsu Quartz Prod Co Ltd , 信越石英株式会社
发明人： YAMAGATA SHIGERU
IPC分类号： C30B29/06 , C03B20/00 , C03C3/06 , C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , C03C3/06 , C03C17/004 , C03C17/02 , C03C2201/30 , C03C2203/10 , C30B15/02 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silica container for pulling up single crystal silicon in which defects known as voids and pinholes in the pulled-up single crystal silicon can be reduced, and to provide a method for manufacturing the silica container of such description.SOLUTION: The present invention is a silica container for pulling up single crystal silicon, having an outer layer comprising opaque silica glass containing air bubbles and an inner layer comprising transparent silica glass containing substantially no air bubbles, and having a bottom section, a curved section, and a straight trunk section; the silica container for pulling up single crystal silicon being characterized in that a groove is formed on the surface of the inner layer, the groove being continuous from at least a part of the bottom section to at least a part of the straight trunk section via the curved section.
摘要翻译：解决的问题：提供一种用于提拉单晶硅的二氧化硅容器，其中可以减少上拉单晶硅中被称为空隙和针孔的缺陷，并提供一种制造二氧化硅容器的方法这样的描述。解决方案：本发明是用于提拉单晶硅的二氧化硅容器，其具有包含气泡的不透明石英玻璃的外层和包含基本上不含气泡的透明石英玻璃的内层，并且具有底部，弯曲部分和直线部分; 用于提拉单晶硅的二氧化硅容器的特征在于，在内层的表面上形成有凹槽，所述凹槽经由所述底部的至少一部分连续至直线部分的至少一部分弯曲部分。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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