专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2018163933A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018163933A
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：JP2017059165
申请日：2017-03-24
申请人：豊田合成株式会社
发明人：安西孝太
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28575 , H01L21/02244 , H01L21/32134 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L29/872
摘要：【課題】オーミック電極と配線電極との間における金属の拡散を抑制しつつ、半導体装置における電気抵抗が高くなることを抑制できる。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面にオーミック電極を形成するオーミック電極形成工程であって、オーミック電極のうち半導体基板と接する側とは反対側にアルミニウム層を有するオーミック電極を形成するオーミック電極形成工程と、オーミック電極に対して熱処理を行う熱処理工程と、熱処理された前記オーミック電極におけるアルミニウム層の表面に対して酸処理を行う酸処理工程と、酸処理されたアルミニウム層の表面からみて半導体基板が配されている側とは反対側に、配線電極を形成する配線電極形成工程と、を備える。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2017201721A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017201721A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：JP2017149629
申请日：2017-08-02
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/10 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/316 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L29/04 , H01L29/6656 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要：【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介して酸化物半導体層と重畳するゲート電極層と、酸化物半導体層の上面の一部と接し、ゲート絶縁層の側面、並びに、ゲート電極層の側面及び上面を覆い、ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低い絶縁層と、絶縁層を介してゲート電極層の側面に設けられた側壁絶縁層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有する半導体装置を提供する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2017069254A 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017069254A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015189708
申请日：2015-09-28
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：中山雅則 , 井川博登
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/40 , C23C16/02 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/316
CPC分类号： H01L27/1085 , H01L21/02175 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02244 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/321 , H01L28/40 , H01J37/32926 , H01L21/67109 , H01L21/67757 , H01L21/68742
摘要：【課題】金属膜の酸化工程において、厚さや比抵抗率(シート抵抗値)を任意にコントロールした酸化層を均一性良く形成し、その後の工程である容量膜等の形成時に金属膜表面の酸化を抑制する技術を提供する。【解決手段】表面に金属膜が形成された基板を準備する工程と、酸素含有ガスと水素含有ガスの混合ガスのプラズマにより基板表面に形成された金属膜の表面を酸化し酸化層を形成する工程と、少なくとも酸化性ガスを基板に供給して酸化層上に薄膜を形成する工程と、を有する。【選択図】図5

5. 发明专利

JP2016100585A 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置および電子機器审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法，显示器件和电子设备
公开(公告)号：JP2016100585A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014239153
申请日：2014-11-26
申请人：株式会社JOLED
发明人：佐藤歩
IPC分类号： H01L21/385 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/306 , G09F9/30 , H01L51/50 , H01L27/08 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/465 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78696 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/02255
摘要：【課題】安定した動作特性を示すと共に、製造性にも優れた構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、第1の領域部分および第2の領域部分を含む酸化物半導体膜とゲート絶縁膜とゲート電極とが順に積層されたトランジスタを有する。酸化物半導体膜は、InおよびZnと、Sn,GaおよびAlのうちの少なくとも1種とを含む。第1の領域部分は、厚さ方向において、酸化物半導体膜のうちの酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面の近傍に位置する。第1の領域部分におけるSn,GaおよびAlのうちの少なくとも1種の組成比は、第2の領域部分におけるSn,GaおよびAlの組成比よりも高い。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有稳定的工作特性并且具有优异的可制造性的结构的半导体器件。解决方案：半导体器件具有晶体管，其中包括第一区域部分和第二区域部分的氧化物半导体膜，栅极绝缘膜和栅极电极按顺序层叠。氧化物半导体膜含有In，Zn和Sn，Ga和Al中的至少一种。第一区域部分位于比氧化物半导体膜和栅极绝缘膜在厚度方向上的边界面更靠近的氧化物半导体膜。第一区域部分中的Sn，Ga和Al中的至少一个的组成比高于第二区域部分中的Sn，Ga和Al的组成比。图2

7. 发明专利

JP2015133452A 半導体装置の製造方法および半導体装置有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2015133452A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：JP2014005373
申请日：2014-01-15
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：奥村綾香 , 堀田勝彦 , 近藤由憲 , 大坂宏彰
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L22/14 , H01L23/528 , H01L23/53214 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L27/088 , H01L21/02178 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/321 , H01L21/76801 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/43 , H01L2224/4502 , H01L2224/45144 , H01L23/53223 , H01L27/092
摘要：【課題】半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】アルミニウムを含有する最上層の配線M4上の保護膜PROに、配線M4のパッド領域PD1を露出する開口部OA1を形成し、露出した配線M4の表面に、窒化アルミニウムを形成する。そして、この配線M4を有する半導体基板の裏面には、窒化シリコン膜が形成されている。このように、パッド領域PD1上に窒化アルミニウム膜M4eを設けることで、半導体基板の裏面の窒化シリコン膜に起因してパッド領域PD1上に生じる異物を防止することができる。特に、パッド領域PD1の形成工程の後において、検査工程やボンディング工程までに時間を要する場合があっても、パッド領域PD1において異物の生成反応を防止でき、半導体装置の特性を向上させることができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体器件的特性。解决方案：在包含铝的顶层的布线M4上的保护膜PRO中形成露出布线M4的焊盘区域PD1的开口OA1，氮化铝为形成在布线M4的暴露表面上。在具有半导体衬底的布线M4的背面上形成氮化硅膜。以这种方式，在焊盘区域PD1上设置有氮化铝膜M4e，因此能够防止由焊盘区域PD1上的氮化硅膜在半导体衬底的背面引起的杂质的产生。特别地，即使在形成焊盘区域PD1的处理之后，即使需要时间来开始检查处理或接合处理，也可以防止焊盘区域PD1上的异物的产生反应。因此，可以提高半导体器件的特性。

8. 发明专利

JP5378097B2 A method for manufacturing a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5378097B2
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：JP2009181726
申请日：2009-08-04
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：晋吾江口 , 洋平門馬 , 敦弘谷 , 美佐子廣末 , 健一橋本 , 泰靖保坂
IPC分类号： H01L21/02 , B23K26/00 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/67092 , H01L21/707 , H01L27/1266
摘要： An object is to suppress discharge due to static electricity generated by peeling, when an element formation layer including a semiconductor element is peeled from a substrate. Over the substrate, the release layer and the element formation layer are formed. The support base material which can be peeled later is fixed to the upper surface of the element formation layer. The element formation layer is transformed through the support base material, and peeling is generated at an interface between the element formation layer and the release layer. Peeling is performed while the liquid is being supplied so that the element formation layer and the release layer which appear sequentially by peeling are wetted with the liquid such as pure water. Electric charge generated on the surfaces of the element formation layer and the release layer can be diffused by the liquid, and discharge by peeling electrification can be eliminated.

9. 发明专利

JP2012204591A Film formation method and non-volatile storage device 审中-公开
标题翻译：电影制作方法和非易失存储器件
公开(公告)号：JP2012204591A
公开(公告)日：2012-10-22
申请号：JP2011067632
申请日：2011-03-25
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SUGURO KYOICHI
IPC分类号： H01L21/316 , C23C14/58 , C23C16/56 , H01L21/302 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L43/12 , H01L21/02244 , H01L21/2855 , H01L21/3105 , H01L21/32051 , H01L21/321 , H01L29/78 , H01L29/7881 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1641 , H01L45/1675
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form a film with better quality.SOLUTION: In a film formation method according to an embodiment, a surface of a film provided on a base and containing at least one of oxygen and nitride is irradiated with an ionized gas cluster containing at least one of oxygen and nitride, such that a density of the film after being irradiated with the gas cluster is higher than a density of the film before being irradiated with the gas cluster.

10. 发明专利

JP2011129877A Method of manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和基板处理装置
公开(公告)号：JP2011129877A
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：JP2010215398
申请日：2010-09-27
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気
发明人： SASAJIMA RYOTA , HIROSE YOSHIRO , OTA YOSUKE , AKAE HISANORI , YOKOZAWA KOJIRO
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0223 , C23C16/402 , C23C16/45546 , C23C16/54 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02238 , H01L21/02244 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31645 , H01L21/32051 , H01L21/321
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve electrical characteristics by improving film quality of an oxide film while preventing risk in forming the oxide film at high temperature, and to form an appropriate oxide film on a fine structure by suppressing consumption of material as a base at minimum in forming the oxide film. SOLUTION: The method of manufacturing a semiconductor device includes: a process for forming the oxide film having a predetermined thickness on a substrate by alternately repeating a process for forming a layer containing a predetermined element on the substrate by supplying material gas containing the predetermined element into a treatment vessel accommodating the substrate, and exhausting, and a process for changing the layer containing the predetermined element into an oxide layer by supplying oxygen-containing gas and hydrogen-containing gas into the treatment vessel, wherein an inside of the treatment vessel is under a heated atmosphere having a pressure lower than the atmospheric pressure, and exhausting; and a process for modifying the oxide film formed on the substrate by supplying the oxygen-containing gas and the hydrogen-containing gas into the treatment vessel, wherein the inside of the treatment vessel is under a heated atmosphere having the pressure lower than the atmospheric pressure, and exhausting. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了通过提高氧化膜的膜质量来改善电气特性，同时防止在高温下形成氧化膜的风险，并且通过抑制材料的消耗作为精细结构形成合适的氧化膜在形成氧化膜时至少形成碱。解决方案：制造半导体器件的方法包括：通过交替重复在基板上形成含有预定元素的层的工艺，在衬底上形成具有预定厚度的氧化膜的方法，将预定元素装入容纳基板的处理容器和排气中，以及通过向处理容器供给含氧气体和含氢气体将含有预定元素的层改变为氧化物层的方法，其中处理容器处于压力低于大气压力的加热气氛中，并排出; 以及通过向处理容器供给含氧气体和含氢气体来改性在基板上形成的氧化膜的方法，其中处理容器的内部处于压力低于大气压的加热气氛下，并用尽。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式