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1. 发明专利

KR102227176B1 KR102227176B1 - Substrate loading in an ALD reactor 有权
公开(公告)号：KR102227176B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020207011539A
申请日：2012-11-23
申请人： 피코순 오와이
发明人： 배이뇌 킬피 , 유하나 코스타모 , 베이-민 리
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/4583 , C23C16/45546 , C23C16/45525 , C23C16/458 , C23C16/4582 , C23C16/4584 , H01L21/67742 , H01L21/67757 , H01L21/67781 , H01L21/68707 , C23C16/54
摘要： 수평으로 배향된 기판들의 수직 스택(vertical stack)을 기판 홀더 내에 형성하기 위해 다수의 기판들을 증착 반응기의 로딩 챔버 내의 상기 기판 홀더로 로드하기 위한, 수직으로 배향된 기판들의 수평 스택을 형성하기 위해 상기 기판 홀더의 방향을 회전하기 위한, 그리고 증착을 위해 상기 증착 반응기의 반응 챔버 내로 상기 기판 홀더를 하강시키기 위한 장치 및 방법.

2. 发明专利

JP2018160619A 半導体製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018160619A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2017058131
申请日：2017-03-23
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：相宗史記
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C16/45544 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/6719 , H01L21/67201
摘要：【課題】短時間でガスの排気効果を高めることが可能な半導体製造装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体製造装置は、プロセスチャンバーと、ロードロックチャンバーと、ガスパージ機構と、移動機構と、を備える。プロセスチャンバーは、真空状態でプロセスガスを用いて基板を処理する。ロードロックチャンバーは、真空状態を保持しつつ基板を一時的に収容する。ガスパージ機構は、プロセスチャンバー内またはロードロックチャンバー内に設けられている。移動機構は、ガスパージ機構の下方で基板を保持する。ガスパージ機構は、移動機構に対向し、大気圧よりも高い第1圧力で不活性ガスを吐出する複数のガス供給ポートと、移動機構の移動方向に沿って複数のガス供給ポートと交互に設けられ、大気圧よりも低い第2圧力でプロセスガスおよび不活性ガスを排気する複数のガス排気ポートと、を有する。【選択図】図6

3. 发明专利

JP6351447B2 半導体製造装置および半導体製造方法有权
公开(公告)号：JP6351447B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2014179387
申请日：2014-09-03
申请人：住友化学株式会社
发明人：藤倉序章
IPC分类号： C23C16/44 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4401 , B08B5/02 , C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/54 , C30B25/14 , C30B25/165 , C30B29/40 , C30B29/406 , C30B35/00 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/205 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/68714 , H01L21/68785

4. 发明专利

JP6347560B2 基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6347560B2
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：JP2016570672
申请日：2016-01-20
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：中田高行 , 野上孝志 , 谷山智志 , 上村大義
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/677
CPC分类号： C23C16/45502 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/54 , H01L21/205 , H01L21/67109 , H01L21/67739

5. 发明专利

JP2018035047A グラフェンの生成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018035047A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016171297
申请日：2016-09-01
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：井福亮太 , 松本貴士
IPC分类号： C01B32/18 , C01B32/182 , B01J23/755 , C23C16/26 , C23C16/56 , C01B32/15
CPC分类号： C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C14/021 , C23C14/0605 , C23C16/0227 , C23C16/44 , C23C16/46 , C23C16/54 , C23C16/56 , H01L23/53276 , Y02P20/584 , Y10S977/734 , Y10S977/843
摘要：【課題】粒径の大きなグラフェンを生成すること。【解決手段】グラフェンの生成方法であって、第1の成長処理と、第3の熱処理と、第2の成長処理とを含む。第1の成長処理では、金属触媒が配置されたチャンバ内に炭素含有ガスを供給することにより、金属触媒の表面にグラフェンを成長させる。第3の熱処理では、表面にグラフェンが成長した金属触媒が配置されたチャンバ内に酸素ガスまたは水素ガスを含む処理ガスを供給することにより、金属触媒を再度活性化させる。第2の成長処理では、再度活性化した金属触媒が配置されたチャンバ内に炭素含有ガスを供給することにより、金属触媒の表面にグラフェンを再成長させる。【選択図】図3

6. 发明专利

JP2018031039A ロールツーロール方式の表面処理装置並びにこれを用いた成膜方法及び成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018031039A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2016162787
申请日：2016-08-23
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：大上秀晴
IPC分类号： H05K3/00 , H05K3/16 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/562 , C23C14/34 , C23C14/56 , C23C16/54 , H05K3/00 , H05K3/16 , H05K2203/085 , H05K2203/1545
摘要：【課題】コストを抑えつつ長尺基材にシワがほとんど発生しないよう処理することが可能なロールツーロール方式の長尺基材の表面処理装置を提供する。【解決手段】真空チャンバー10内においてロールツーロールで搬送される長尺樹脂フィルムFを外周面に巻き付けて内部を循環する冷媒で冷却する2個のキャンロール17、23と、これら2個のキャンロール17、23の外周面に対向する位置に設けられたマグネトロンスパッタリングカソード41〜48に代表される表面処理手段とを有する表面処理装置であって、これら2個のキャンロール17、23のうち、最も上流側に位置する第1キャンロール17以外の第2キャンロール23は外周面からガスを放出するガス放出機構を備えている。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2018505563A インライン式コーティング設備を運転する方法およびインライン式コーティング設備审中-公开
公开(公告)号：JP2018505563A
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2017542407
申请日：2016-02-15
申请人：ビューラーアルツェナウゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング , Buehler Alzenau GmbH
发明人：ウードシュライバー , インゴヴェーゲナー , ユタトルーベ
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： B05D3/0493 , C23C14/566 , C23C16/54
摘要：本発明は、インライン式コーティング設備を運転する方法であって、インライン式コーティング設備は、搬入ゲート(260)を有する搬入チャンバ(220)と、搬入チャンバ(220)に接続し、搬入チャンバ(220)から第1のロックゲート(261)により遮断可能な第1のバッファチャンバ(221)と、第1のバッファチャンバ(221)に接続し、バッファチャンバ(221)から第2のロックゲート(264)により遮断可能なプロセスチャンバ(235)と、プロセスチャンバ(235)に接続し、プロセスチャンバ(235)から第3のロックゲート(265)により遮断可能な第2のバッファチャンバ(222)と、第2のバッファチャンバ(222)に接続し、第2のバッファチャンバ(222)から第4のロックゲート(262)により遮断可能な、出口ゲート(263)を有する搬出チャンバ(240)と、を有し、搬入チャンバ(220)と、バッファチャンバ(221)と、バッファチャンバ(222)と、搬出チャンバ(240)とは、予め決められたサイズまでの基板を収容するモジュールとして形成されており、基板(200)は、コーティングのために搬入チャンバ(220)から第1のバッファチャンバ(221)を通してプロセスチャンバ(235)に、そしてプロセスチャンバ(235)から第2のバッファチャンバ(222)を通して搬出チャンバ(240)に搬送される、方法において、第1のバッファチャンバ(221)は、少なくとも1つのスリットダイヤフラム(221b)を有するスリット式ロック装置を有し、スリット式ロック装置により、第1のロックゲート(261)が開放または閉鎖されているとき、第1のバッファチャンバ(221)内に、圧力勾配を、第2のロックゲート(264)の領域における圧力と、第1のロックゲート(261)の領域における圧力との間に調整することを特徴とする、インライン式コーティング設備を運転する方法に関する。さらに本発明は、この方法を実施するインライン式コーティング設備に関する。

8. 发明专利

JP2018006534A 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2018006534A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016130622
申请日：2016-06-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：金子裕史
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/54 , H01L21/677 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/44 , C23C16/54 , H01L21/31 , H01L21/677
摘要：【課題】成膜装置において、高いスループットを得ると共にパーティクルによる基板の汚染を防ぐことができる技術を提供すること。【解決手段】第1の処理容器41及び第2の処理容器41に基板Wを各々搬送する基板搬送機構35を備えるロードロック室を形成し、第1の処理容器41及び第2の処理容器41に接続されて設けられるロードロックモジュール3が設けられるように成膜装置1を構成する。そして、基板搬送機構35によって第1の処理容器41及び第2の処理容器41には交互に基板Wが搬送され、第1の処理容器41及び第2の処理容器41の一方、他方に成膜ガス、クリーニングガスが夫々並行して供給されるように処理を行う。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017197779A 成膜装置及び成膜方法有权
公开(公告)号：JP2017197779A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016086810
申请日：2016-04-25
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：飯塚和孝
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/042 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/4585 , C23C16/54 , H01J37/00
摘要：【課題】成膜容器とワークとの間にシール部材を設ける場合において、成膜不良を抑制する。【解決手段】ワークの一部に成膜を行う成膜装置は、ワークの上方に配置され、ワークの被成膜対象部分から見て上方に窪んだ第1窪み部と第1窪み部の周囲に配置された第1平面部とを備える第1の型と、第1の型に対向してワークの下方に配置され、第1平面部に対応する部分に第2平面部を備える第2の型と、を有する成膜容器と、第1平面部とワークとの間に配置され、ワークを第1平面部から離間させた状態で第1平面部及びワークに接触する第1シール部材と、第2平面部とワークとの間に配置され、ワークを第2平面部から離間させた状態で第2平面部及びワークに接触する第2シール部材と、を備える。第2シール部材は、ワークの下面に設けられている。【選択図】図1

10. 发明专利

JPWO2016080447A1 成膜装置及びガスバリアーフィルムの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016080447A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2016560269
申请日：2015-11-18
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：鈴木　一生 , 一生鈴木 , 大石　清 , 清大石
IPC分类号： C23C16/54 , C23C14/06 , C23C16/42 , C23C16/509
CPC分类号： B32B27/00 , C23C16/503 , C23C16/54
摘要：本発明の課題は、ガスバリアー性能に優れたガスバリアーフィルムを製造することができる成膜装置を提供することである。本発明の成膜装置は、プラズマCVD法により、基材上に成膜をする成膜装置であって、磁場形成手段を備えた第1電極ローラーと、第1電極ローラーに対向して配置され、磁場形成手段を備えた第2電極ローラーと、第1及び第2電極ローラーの表面の比誘電率を調整する制御部と、を備え、第1及び第2電極ローラーが、基材と接触する表面に誘電体及び内部に循環する熱媒体を有し、第1及び第2電極ローラー間に発生させるプラズマ放電の周波数が、50〜100kHzの範囲内であり、第1及び第2電極ローラーが有する誘電体の比誘電率が、13〜20の範囲内であり、かつ、第1及び第2電極ローラーが有する熱媒体の比誘電率が、40〜70の範囲内であることを特徴とする。

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