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1. 发明专利

JP6437431B2 半導体チップの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6437431B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2015508586
申请日：2014-03-26
申请人：リンテック株式会社
发明人：阿久津高志 , 若山洋司
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/27001 , H01L2224/27334 , H01L2224/73104 , H01L2224/83191

6. 发明专利

JPWO2015008330A1 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置审中-公开
标题翻译：感光性树脂组合物，膜状粘接剂，粘接片，粘接剂图案，半导体晶片和半导体器件用粘合剂层
公开(公告)号：JPWO2015008330A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015527082
申请日：2013-07-16
申请人：日立化成株式会社
发明人：知典峯岸 , 一行満倉
IPC分类号： G03F7/037 , C09J7/00 , C09J11/02 , C09J179/08 , C09J201/06 , G03F7/004 , G03F7/027
CPC分类号： C09J179/08 , C09J7/20 , C09J2201/122 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2479/08 , G03F7/027 , G03F7/037 , G03F7/038 , G03F7/0387 , G03F7/0751 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/1132 , H01L2224/1141 , H01L2224/1148 , H01L2224/131 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13187 , H01L2224/1329 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13355 , H01L2224/13364 , H01L2224/13369 , H01L2224/13387 , H01L2224/1339 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/27515 , H01L2224/27618 , H01L2224/27848 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29391 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81002 , H01L2224/81203 , H01L2224/83002 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2924/07025 , H01L2924/066 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2924/0538 , H01L2924/01044 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L21/78
摘要：本発明は、(A)末端基としてフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂、(B)放射線重合性化合物及び(C)光開始剤を含有する感光性樹脂組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置を提供する。
摘要翻译：本发明中，（A）具有酚羟基基团作为末端基团的碱溶性树脂，（B）放射线聚合性化合物和（C）含有一种光引发剂的感光性树脂组合物，和膜粘合剂使用相同的剂，粘接片，粘接剂图案，半导体晶片，并用粘接剂层的半导体器件。

7. 发明专利

JP2017045837A 半導体実装装置の加熱ヘッダ及び半導体の接合方法审中-公开
标题翻译：半导体安装装置的加热头和半导体粘合方法
公开(公告)号：JP2017045837A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015166794
申请日：2015-08-26
申请人：富士通株式会社
发明人：吉良秀彦 , 増山卓己 , 海沼則夫
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/2919 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/75304 , H01L2224/75312 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/83191
摘要：【課題】半導体チップの反りを抑制し、低荷重で端子同士の接合を行う。【解決手段】半導体実装装置の加熱ヘッダは、第1材料と、前記第1材料に接合され、かつ、第1半導体チップを加圧する際に前記第1半導体チップに接触する第2材料と、を備え、前記第2材料における前記第1半導体チップとの接触面が、前記第1半導体チップ側に向かって凸の曲面であり、前記第1材料及び前記第2材料の温度が、前記第1半導体チップの第1端子と第2半導体チップの第2端子との間に形成された半田の溶融温度に到達すると、前記第2材料における前記第1半導体チップとの接触面が平面になる。【選択図】図2
摘要翻译：半导体芯片的翘曲抑制，执行接合端子处于低负荷。半导体安装装置的加热头包括第一材料，被接合到所述第一材料和加压所述第一半导体芯片时与所述第一半导体芯片接触的第二材料，所述其中在所述第二材料中的第一半导体芯片之间的接触表面是一个弯曲表面凸向第一半导体芯片侧，所述第一材料的温度和第二材料，所述第一半导体当达到焊料熔融温度，其在第一端子和所述芯片的所述第二半导体芯片的所述第二端子之间形成，在所述第二材料中的第一半导体芯片之间的接触表面是平坦的。 .The

8. 发明专利

JP2017041638A プレカットされウェハに塗布されるアンダーフィル膜审中-公开
标题翻译：被施加到所述晶片预切割底部填充膜
公开(公告)号：JP2017041638A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2016179711
申请日：2016-09-14
申请人：ヘンケルアイピーアンドホールディングゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
发明人：キム、ヨンサン , ホアン、ジーナ , グイノ、ローズ
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/02227 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/73104 , H01L2224/83191 , H01L23/481
摘要：【課題】ウェハの脆弱性を危険にさらすことのない、薄型化されたウェハにウェハレベルのアンダーフィル材料を付ける方法を提供する。【解決手段】上面に複数の金属バンプ11を有し、任意選択でシリコンウェハ10を垂直に貫通するシリカ貫通電極21を有する半導体ウェハを用意するステップと、金属バンプおよびシリコン貫通電極を覆ってウェハの上面にバックグラインディングテープ12を積層するステップと、ウェハの裏面を薄くするステップと、薄型化されたウェハの裏面にダイシングテープ15を載置し、ダイシングフレームにシリコンウェハおよびダイシングテープを載置するステップと、バックグラインディングテープを除去するステップと、ウェハの形状にプレカットしたアンダーフィル材料を用意するステップと、ウェハにアンダーフィルの位置を合わせ、ウェハにアンダーフィルを積層するステップと、を含む。【選択図】図4a
摘要翻译：本发明涉及不危及脆弱性的晶片，以提供施加已减薄的晶片上的晶片级的底部填充材料的方法。多个金属凸块11的顶部晶片覆盖的步骤：将穿硅通孔提供具有贯通电极21的石英穿透硅晶片10垂直任选的金属凸块的半导体晶片和将层叠背面研磨带12的顶面的一个步骤中，减薄晶片的背面的步骤中，切割带15被放置在晶片的背表面上变薄，硅晶片和切割胶带来切割框包括以下步骤，除去背面研磨胶带，包括下列步骤：提供一个底部填充材料预切割的晶片的形状，对准底部填充到晶片上，在晶片上层叠底层填料的步骤，所述。点域4A

9. 发明专利

JPWO2014103637A1 接着剤、接着フィルム、半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：粘合剂，粘合剂膜，半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2014103637A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2014506632
申请日：2013-12-04
申请人：東レ株式会社
发明人：浩一藤丸 , 浩一藤丸 , 敏央野中 , 敏央野中
IPC分类号： C09J179/08 , C09J7/00 , C09J11/04 , C09J163/00 , C09J183/04 , C09J193/04 , H01L21/60 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H05K3/323 , C08K3/013 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L93/04 , C09J163/00 , C09J179/08 , C09J193/04 , C09J2479/083 , H01L21/6836 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/27003 , H01L2224/27334 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81907 , H01L2224/83132 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/83948 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2924/01008 , H01L2924/01014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07025 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H05K3/305 , H05K3/3436 , H05K3/3489 , H05K2201/0154 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , C08K3/0033 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/27 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要：本発明は、半導体チップを回路基板等に実装する際に用いられる接着剤に関するものであり、本発明が解決しようとする課題は、保存安定性と接続信頼性の両方の特性に優れた接着剤を提供することであり、上記課題を解決するための手段は、(a)ポリイミド、(b)エポキシ化合物および(c)酸変性ロジンを含有する接着剤である。
摘要翻译：本发明涉及一种粘合剂以用于在电路板或类似物安装的半导体芯片，本发明的目的是提供一种连接两种特性优异的粘合的储存稳定性和可靠性是提供一种用于解决上述问题的手段是含有（a）聚酰亚胺的粘合剂，（b）一种环氧化合物和（c）的酸改性松香。

10. 发明专利

JP2016213441A マイクロ発光ダイオード审中-公开
标题翻译：微发光二极管
公开(公告)号：JP2016213441A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2016053915
申请日：2016-03-17
申请人：ミクロメサテクノロジーカンパニーリミテッド
发明人：チェンリ−イ , チャンペイ−ユ , チャンチ−フイ , チャンチュン−イ , リンシ−チン , リーシン−ウェイ
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/145 , H01L24/83 , H01L2224/73104 , H01L2224/83191 , H01L2924/0002
摘要：【課題】マイクロ発光ダイオードを開示する。【解決手段】第1型半導体層と、第1型半導体層に接続される第2型半導体層と、第1型半導体層に接続され、少なくとも1つの開口を有する第1の電流制御層と、開口を介して第1型半導体層に電気的に結合される第1の電極と、第2型半導体層に電気的に接続される第2の電極と、を含み、第1の電極と第2の電極との少なくとも一方は、透光部を有し、且つ第1の電流制御層の第1の電極と第2の電極との少なくとも一方での垂直投影は、透光部と重なり、透光部は、透明又は半透明であるマイクロ発光ダイオード。電流制御層を有し且つ開口が形成されるマイクロ発光ダイオードは、小さい発光領域を有することができるため、引き続けてマイクロ発光ダイオードの発光面積を小さくすると共に、マイクロ発光ダイオードのサイズを維持することができる。【選択図】図1
摘要翻译：公开的微发光二极管。和第一类型半导体层，以及连接到所述第一类型半导体层的第二型半导体层，连接到所述第一型半导体层，其具有至少一个开口的第一电流控制层，它包括一个第一电极通过所述开口电耦合到所述第一型半导体层，以及电连接到所述第二型半导体层的第二电极，第一电极和第二至少一个和所述电极具有透光部，所述电极和所述第二电极中的至少一个的垂直投影的所述第一第一电流控制层与所述光传输部分重叠时，半透明部分是透明或半透明的是微发光二极管。微发光二极管和所述开口已形成电流控制层，也可以具有小的光发射区域，以及减少微发光二极管Hikitsuzuke的发射区域，保持微发光二极管的尺寸可以。点域1

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