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1. 发明授权

KR102479945B1 마스크 시트 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102479945B1
公开(公告)日：2022-12-22
申请号：KR1020170168682
申请日：2017-12-08
IPC分类号： H10K71/00 , H10K99/00 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 마스크시트및 이의제조방법을제공한다. 마스크시트는 1 이상의개구부가정의되고, 니켈과철의합금을포함하며, 합금의입자는단결정의결정구조를갖는다. 마스크시트의제조방법은니켈과철의합금을포함하는모재시트를준비하는단계, 모재시트전체를열처리하는단계, 및열처리된모재시트에 1 이상의개구부를형성하는단계를포함한다.

2. 发明授权

KR102471557B1 가열 장치 및 가열 방법 有权
公开(公告)号：KR102471557B1
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：KR1020190075726
申请日：2019-06-25
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/324
摘要： (과제) 청정한가열분위기에서기판을가열한다. (해결수단) 가열위치에위치결정되는사각형상의기판을하방으로부터가열하는핫 플레이트와, 핫플레이트에대해기판을연직방향에있어서가열위치보다높은대기위치와가열위치사이에서승강시키는승강기구와, 기판의상면의주연부에대해맞닿음가능한교정부재를갖는교정기구를구비하고, 교정기구는, 가열위치에위치결정된기판의 4 변의근방에서교정부재를가열위치에위치시킴으로써, 핫플레이트에의한기판의가열전에기판중 상방으로휘어져있는주연부를가열위치로교정하고, 기판의가열중에기판의주연부가가열위치보다상방으로휘는것을규제하여핫 플레이트에의해가열되는기판의자세를제어하고있다.

3. 发明授权

KR102468793B1 반도체 웨이퍼, 반도체 구조체 및 이를 제조하는 방법 有权
公开(公告)号：KR102468793B1
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：KR1020160002779
申请日：2016-01-08
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/68 , H01L21/324 , H01L21/66
摘要： 본발명의기술적사상의일 실시예에의한반도체웨이퍼는서로반대되는제1 면과제2 면을가지는웨이퍼몸체, 상기웨이퍼몸체의외주로부터상기웨이퍼몸체의중심부를향하여형성된개구를구비한노치부, 상기웨이퍼몸체의외주를따라형성되며, 상기제1 면과제2 면을연결하는제1 경사면을포함하고, 상기제1 면과상기제1 경사면이만나는제1 지점으로부터상기제2 면과상기제1 경사면이만나는제2 지점까지연장된직선에대하여제1 높이를가지는제1 베벨부, 및상기개구와접하도록배치되고, 상기제1 면과제2 면을연결하는제2 경사면을포함하고, 상기제1 면과상기제2 경사면이만나는제3 지점으로부터상기제2 면과상기제2 경사면이만나는제4 지점까지연장된직선에대하여상기제1 높이와상이한제2 높이를가지는제2 베벨부를포함한다.

4. 发明授权

KR102466639B1 몰리브덴을 함유하는 저 저항률 막들 有权
公开(公告)号：KR102466639B1
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：KR1020197033130
申请日：2018-04-09
IPC分类号： H01L21/285 , H10B12/00 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 로직및 메모리애플리케이션들을위한저 저항금속화스택구조체들및 관련된제조방법들이본 명세서에제공된다. 일부구현예들에서, 방법들은기판상에텅스텐 (W)-함유층을제공하는단계; 및 W-함유층 상에몰리브덴 (Mo)-함유층을증착하는단계를수반한다. 일부구현예들에서, 방법들은 W-함유층을개재하지않고, 유전체또는티타늄나이트라이드 (TiN) 기판직상에 Mo-함유층을증착하는단계를수반한다.

5. 发明授权

KR102465014B1 폴리실로카브 계열 탄화 규소 물질, 이의 응용 및 장치 有权
公开(公告)号：KR102465014B1
公开(公告)日：2022-11-09
申请号：KR1020217017944
申请日：2015-09-24
IPC分类号： C01B32/956 , C04B35/565 , C04B35/626 , C30B29/36 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 유기규소화학, 중합체유도된세라믹물질및 방법. 3-나인, 4-나인, 6-나인 및더 큰순도를갖는폴리실로카브(SiOC) 및탄화규소(SiC) 물질을제조하기위한이러한물질및 방법. 이러한고순도 SiOC 및 SiC를이용하는공정및 제품.

6. 发明授权

KR102463486B1 열처리 방법 및 열처리 장치 有权
公开(公告)号：KR102463486B1
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：KR1020200087507
申请日：2020-07-15
IPC分类号： H01L21/324 , G01J5/00
摘要： [과제] 플래시광조사시에있어서의기판의깨짐을간단한구성으로신속히검출할수 있는열처리방법및 열처리장치를제공한다. [해결수단] 반도체웨이퍼는할로겐램프에의해예비가열된후, 플래시램프로부터의플래시광조사에의해가열된다. 할로겐램프에의한예비가열은플래시램프가소등한후에도잠시계속된다. 반도체웨이퍼의표면및 이면의온도는방사온도계에의해측정되고있다. 플래시광의조사개시부터반도체웨이퍼의가열이종료할때까지의기간에측정된반도체웨이퍼의온도를적산하여온도적산치가산정된다. 산정된온도적산치가미리설정된상한치와하한치의사이의범위에서벗어나있을때에는, 플래시광조사시에반도체웨이퍼가깨졌다고판정된다.

10. 发明授权

KR102443695B1 반도체 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102443695B1
公开(公告)日：2022-09-15
申请号：KR1020150119815
申请日：2015-08-25
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/324
摘要： 반도체소자의특성제어및 신뢰성을향상시킬수 있는반도체소자의제조방법을제공한다. 본발명에따른반도체소자의제조방법은, 기판으로부터돌출된핀형활성영역을형성하는단계, 핀형활성영역의상면및 양측벽을덮으며고유전막을포함하는게이트절연막을형성하는단계, 게이트절연막상에금속함유층을형성하는단계, 금속함유층상에수소원자가함유된실리콘캡핑층을형성하는단계, 실리콘캡핑층에함유된수소원자를감소시키는단계, 실리콘캡핑층및 금속함유층의적어도일부를제거하는단계및 게이트절연막위에서핀형활성영역의상면및 양측벽을덮는게이트전극을형성하는단계를포함한다.

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