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1. 发明授权

US08887105B1 Calibration pattern selection based on noise sensitivity 有权
标题翻译：基于噪声敏感度的校准模式选择
公开(公告)号：US08887105B1
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：US13662239
申请日：2012-10-26
申请人： Antoine Jean Bruguier , Wenjin Shao , Song Lan
发明人： Antoine Jean Bruguier , Wenjin Shao , Song Lan
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/70 , G03F1/36
摘要： The preset invention provides methods, systems and computer program product for selection of an optimum set of patterns to calibrate a lithography model so that the model can predict imaging performance of a lithography apparatus/system more accurately and reliably without being prohibitively expensive in terms of using computational and metrology resources and time. The method is based on modeling sensitivity of the calibration patterns to measurement noise. In one aspect of the present invention, a method is disclosed, comprising: identifying a model of at least a portion of a lithographic process; identifying a set of patterns for calibrating the model; and, estimating measurement noise associated with the set of patterns.
摘要翻译：本发明提供了用于选择用于校准光刻模型的最佳图案集合的方法，系统和计算机程序产品，使得该模型可以更准确和可靠地预测光刻设备/系统的成像性能，而不会在使用方面过于昂贵计算和计量资源和时间。该方法基于校准模式对测量噪声的建模灵敏度。在本发明的一个方面，公开了一种方法，包括：识别光刻工艺的至少一部分的模型; 识别用于校准模型的一组模式; 并且估计与该组模式相关联的测量噪声。

2. 发明授权

US09588439B1 Information matrix creation and calibration test pattern selection based on computational lithography model parameters 有权
标题翻译：基于计算光刻模型参数的信息矩阵创建和校准测试模式选择
公开(公告)号：US09588439B1
公开(公告)日：2017-03-07
申请号：US13332303
申请日：2011-12-20
申请人： Antoine Jean Bruguier , Yu Cao , Jun Ye , Wenjin Shao
发明人： Antoine Jean Bruguier , Yu Cao , Jun Ye , Wenjin Shao
IPC分类号： G06F17/10 , G06F7/60 , G03F7/20 , G06F17/50
CPC分类号： G03F7/705 , G03F7/70516 , G03F7/70625 , G06F17/5009
摘要： Embodiments of the present invention describe methods of selecting a subset of test patterns from an initial larger set of test patterns for calibrating a computational lithography model. An example method comprises: generating an information matrix for the initial larger set of test patterns, wherein the terms of the information matrix comprise one or more identified model parameters that represent a lithographic process response; and, executing a selection algorithm using terms of the information matrix to select the subset of test patterns that effectively determines values of the identified model parameters that contribute significantly in the lithographic process response, wherein the subset of test patterns characteristically represents the initial larger set of test patterns. The selection algorithm explores coverage relationships existing in the initial larger set of test patterns.
摘要翻译：本发明的实施例描述了从用于校准计算光刻模型的初始较大组测试图案中选择测试图案子集的方法。示例性方法包括：生成用于初始较大组的测试模式的信息矩阵，其中信息矩阵的项包括表示光刻过程响应的一个或多个识别的模型参数; 以及使用所述信息矩阵的项来执行选择算法，以选择有效地确定在所述光刻过程响应中有显着贡献的所识别的模型参数的值的测试模式子集，其中，所述测试模式的子集特征性地表示所述初始较大集合测试模式。选择算法探讨了初始较大的一组测试模式中存在的覆盖关系。

3. 发明申请

US20130251237A1 HARMONIC RESIST MODEL FOR USE IN A LITHOGRAPHIC APPARATUS AND A DEVICE MANUFACTURING METHOD 有权
标题翻译：用于地平线设备和装置制造方法的谐波电阻模型
公开(公告)号：US20130251237A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：US13896805
申请日：2013-05-17
申请人： Yu CAO , Luoqi Chen , Antoine Jean Bruguier , Wenjin Shao
发明人： Yu CAO , Luoqi Chen , Antoine Jean Bruguier , Wenjin Shao
IPC分类号： G06T7/00
CPC分类号： G06T3/0056 , G03F7/705 , G03F7/70666 , G03F7/70675 , G06T7/0004
摘要： A method for determining an image of a mask pattern in a resist coated on a substrate, the method including determining an aerial image of the mask pattern at substrate level; and convolving the aerial image with at least two orthogonal convolution kernels to determine a resist image that is representative of the mask pattern in the resist.
摘要翻译：一种用于确定涂覆在基板上的抗蚀剂中的掩模图案的图像的方法，所述方法包括：确定掩模图案在基板层面的空间图像; 以及使用至少两个正交卷积内核卷积该空间图像以确定表示抗蚀剂中的掩模图案的抗蚀剂图像。

4. 发明申请

US20100128969A1 HARMONIC RESIST MODEL FOR USE IN A LITHOGRAPHIC APPARATUS AND A DEVICE MANUFACTURING METHOD 有权
标题翻译：用于地平线设备和装置制造方法的谐波电阻模型
公开(公告)号：US20100128969A1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：US12625079
申请日：2009-11-24
申请人： Yu CAO , Luoqi CHEN , Antoine Jean Bruguier , Wenjin SHAO
发明人： Yu CAO , Luoqi CHEN , Antoine Jean Bruguier , Wenjin SHAO
IPC分类号： G06K9/62
CPC分类号： G06T3/0056 , G03F7/705 , G03F7/70666 , G03F7/70675 , G06T7/0004
摘要： A method for determining an image of a mask pattern in a resist coated on a substrate, the method including determining an aerial image of the mask pattern at substrate level; and convolving the aerial image with at least two orthogonal convolution kernels to determine a resist image that is representative of the mask pattern in the resist.
摘要翻译：一种用于确定涂覆在基板上的抗蚀剂中的掩模图案的图像的方法，所述方法包括：确定掩模图案在基板层面的空间图像; 以及使用至少两个正交卷积内核卷积该空间图像以确定表示抗蚀剂中的掩模图案的抗蚀剂图像。

5. 发明授权

US08682059B2 Harmonic resist model for use in a lithographic apparatus and a device manufacturing method 有权
标题翻译：用于光刻设备的谐波抗蚀剂模型和器件制造方法
公开(公告)号：US08682059B2
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：US13896805
申请日：2013-05-17
申请人： Yu Cao , Luoqi Chen , Antoine Jean Bruguier , Wenjin Shao
发明人： Yu Cao , Luoqi Chen , Antoine Jean Bruguier , Wenjin Shao
IPC分类号： G06K9/62
CPC分类号： G06T3/0056 , G03F7/705 , G03F7/70666 , G03F7/70675 , G06T7/0004
摘要： A method for determining an image of a mask pattern in a resist coated on a substrate, the method including determining an aerial image of the mask pattern at substrate level; and convolving the aerial image with at least two orthogonal convolution kernels to determine a resist image that is representative of the mask pattern in the resist.
摘要翻译：一种用于确定涂覆在基板上的抗蚀剂中的掩模图案的图像的方法，所述方法包括：确定掩模图案在基板层面的空间图像; 以及使用至少两个正交卷积内核卷积该空间图像以确定表示抗蚀剂中的掩模图案的抗蚀剂图像。

6. 发明授权

US08447095B2 Harmonic resist model for use in a lithographic apparatus and a device manufacturing method 有权
公开(公告)号：US08447095B2
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：US12625079
申请日：2009-11-24
申请人： Yu Cao , Luoqi Chen , Antoine Jean Bruguier , Wenjin Shao
发明人： Yu Cao , Luoqi Chen , Antoine Jean Bruguier , Wenjin Shao
IPC分类号： G06K9/62
CPC分类号： G06T3/0056 , G03F7/705 , G03F7/70666 , G03F7/70675 , G06T7/0004
摘要： A method for determining an image of a mask pattern in a resist coated on a substrate, the method including determining an aerial image of the mask pattern at substrate level; and convolving the aerial image with at least two orthogonal convolution kernels to determine a resist image that is representative of the mask pattern in the resist.

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