近年来，例如由于在有源矩阵方式的液晶显示装置中，要求薄型化、 小型化，除了在TFT基片上形成作为开关元件的TFT外，也试图用TFT 构成驱动电路。因此，为了提高工作速度，积极地开发在半导体膜上用 高迁移率的多晶硅的多晶硅TFT作为驱动电路用的薄膜元件。
例如，在日本第3185759号专利公报和日本平成10年公布的10-116989 号专利公报等中，揭示了通过基底绝缘膜，在由在透明绝缘基片上形成 的多晶硅构成的半导体膜上形成由氧化硅构成的第1栅极绝缘膜，对半 导体膜和第1栅极绝缘膜一起进行刻蚀成为岛状图案，在岛状化的第1 栅极绝缘膜上形成由氧化硅构成的第2栅极绝缘膜，使由多晶硅构成的 半导体膜没有机会与外部气体或大气和抗蚀剂等接触或者接触时间尽可 能地短，保护它不受到污染物质的污染，得到清洁的界面(多晶硅与氧 化硅的界面)的技术。
因此，要达到多晶硅TFT的高载流子迁移率化和载流子迁移率在同一 基片内和基片之间没有零散的高度均匀化。
即，首先，如图1A所示，在玻璃制的透明绝缘基片101上形成由氧 化硅(SiO2)构成的基底保护膜102，在该基底保护膜102上形成由非晶 硅(a-Si)构成的半导体膜。其次，用准分子激光扫描地照射这个半导体 膜，通过多晶化形成由多晶硅(p-Si)构成的半导体膜103，在由多晶硅 构成的半导体膜103上，形成由氧化硅构成的第1栅极氧化膜104。
其次，用光刻技术，对由多晶硅构成的半导体膜103和第1栅极氧化 膜104一起进行刻蚀成为岛状图案，如图1B所示，形成岛部分105。
当通过刻蚀形成这个岛部分105时，将多晶硅与氧化硅的选择比(多 晶硅的刻蚀速度/氧化硅的刻蚀速度)设定在比较高的值。
这样地时定是因为当选择比比较小时，基底保护膜102的氧化硅被过 度刻蚀，岛部分105的段差变大，如图2所示，形成侧蚀部分106，既切 断在以后工序中形成的电极用配线，又在电极用配线与半导体膜103之 间流过漏电流，使成品率恶化，进一步，在基底保护膜102的表面上形 成凹凸部分107，使透明绝缘基片101的光透过率降低，当用于液晶显示 装置时，导致品质低下。
此后，如图1C所示，在形成半导体膜103和第1栅极氧化膜104的 透明绝缘基片101上形成由氧化硅构成的第2栅极氧化膜108。其次，从 第2栅极氧化膜108上面用溅射法等形成由钽等构成的导电膜后，用光 刻技术进行图案化，如图1D所示，形成第2栅极氧化膜108上的栅极109。
其次，将栅极109用作掩模，将磷离子等的杂质离子导入由多晶硅构 成的半导体膜103，形成源极·漏极区域。其次，如图1D所示，形成由 氧化硅构成的层间绝缘膜110。
其次，如图1E所示，形成接触孔后，形成与源极·漏极区域接触的源 极·漏极111。
但是，在上述技术中，在形成岛部分105时的干刻蚀(dry-etching)中， 由于使多晶硅与氧化硅的选择比比较大，如图1B所示，从半导体膜103 的端面，形成第1栅极氧化膜的端部从外侧突出的伸出部分105a，当原 封不动地形成第2栅极绝缘膜108时，如图1C所示，岛部分侧壁的覆盖 范围是不够的。
这个现象，如图1D和图1E所示，当形成层间绝缘膜110、源极·漏 极111时也会发生，因此，存在着产生电极用配线的断线和连接不良， 作为晶体管是不利的，并使成品率恶化那样的问题。
因此，例如在日本2001年公布的2001-332741号专利公报中记载的 那样，也提出了对半导体膜103和第1栅极绝缘膜104一起进行岛状化 后，除去第1栅极绝缘膜104，此后，形成第2栅极绝缘膜108的技术， 但是存在着不能够避免在直到形成第2栅极绝缘膜108的时间内污染半 导体膜103表面那样的问题。

本发明就是鉴于上述事情提出的，本发明的目的是提供能够形成清洁 的多晶硅与氧化硅的界面，达到高载流子迁移率化和它的高度均匀化， 并且除去在岛形成工序中形成的伸出部分，提高成品率的TFT的制造方 法。
为了解决上述课题，如果根据第1样态，则本发明的特征是它涉及包 含在基片上形成的半导体膜上形成第1绝缘膜的第1绝缘膜形成工序、 使上述半导体膜和上述第1绝缘膜成为岛状图案形成岛的岛形成工序、 在上述岛上形成第2绝缘膜的第2绝缘膜形成工序、和在上述的第2绝 缘膜上形成栅极的栅极形成工序的薄膜晶体管制造方法，该方法的特征 是包含在实施上述岛形成工序后，除去构成上述岛的上述第1绝缘膜的 侧端部分在上述半导体膜的侧端部分上方屋檐状地形成的伸出部分的伸 出部分除去工序，在实施了该伸出部分除去工序后，实施上述第2绝缘 膜形成工序。
如果根据本发明的第2样态，则本发明的特征是在薄膜晶体管制造方 法中，在上述伸出部分除去工序中，用化学清洗液除去上述伸出部分。
如果根据本发明的第3样态，则本发明的特征是在薄膜晶体管制造方 法中，通过在上述伸出部分除去工序中，用浓度为0.01％以上10％以下 的氢氟酸水溶液作为上述化学清洗液，在1秒以上60秒以下的时间中清 洗形成了上述岛的上述基片，除去上述伸出部分。
如果根据本发明的第4样态，则薄膜晶体管制造方法的特征是在上述 伸出部分除去工序中，在上述第1绝缘膜中，至少，保留在上述栅极形 成工序中形成上述栅极的区域下方的对应区域。
如果根据本发明的第5样态，则本发明涉及包含在基片上形成的半导 体膜上形成第1绝缘膜的第1绝缘膜形成工序、使上述半导体膜和上述 第1绝缘膜成为岛状图案形成岛的岛形成工序、清洗形成上述岛的上述 基片的清洗工序、在上述岛上形成第2绝缘膜的第2绝缘膜形成工序、 和在上述的第2绝缘膜上形成栅极的栅极形成工序的薄膜晶体制造方法， 在清洗工序中，在清洗处理同时，除去构成上述岛的上述第1绝缘膜的 侧端部分在上述半导体膜的侧端部分上方屋檐状地形成的伸出部分。
如果根据本发明的第6样态，则薄膜晶体管制造方法的特征是在上述 清洗工序中，用化学清洗液除去上述伸出部分。
如果根据本发明的第7样态，则薄膜晶体管制造方法的特征是通过在 上述清洗工序中，用浓度为0.01％以上10％以下的氢氟酸水溶液作为上 述化学清洗液，在1秒以上60秒以下的时间中清洗形成了上述岛的上述 基片，除去上述伸出部分。
如果根据本发明的第8样态，则薄膜晶体管制造方法的特征是在上述 清洗工序中，在上述第1绝缘膜中，至少，保留在成为上述栅极形成工 序中形成上述栅极的区域下方的对应区域。
如果根据本发明的第9样态，则本发明的特征是在薄膜晶体管制造方 法中，上述半导体膜是由多晶半导体构成的。
如果根据本发明的第10样态，则薄膜晶体管制造方法的特征是它包 含由在上述基片上形成由非单晶半导体构成的半导体膜的非单晶半导体 膜形成工序、和通过实施退火处理，使由上述非单晶半导体构成的半导 体膜结晶化形成由上述多晶半导体构成的上述半导体膜的退火工序组成 的半导体膜形成工序。
如果根据本发明的第11样态，则本发明的特征是在薄膜晶体管制造 方法中，上述非单晶半导体是非晶质半导体。
如果根据本发明的第12样态，则本发明的特征是在薄膜晶体管制造 方法中，在上述退火工序中，通过用激光照射由上述非单晶半导体构成 的半导体膜，形成由上述多晶半导体构成的上述半导体膜。
如果根据本发明的第13样态，则本发明的特征是在薄膜晶体管制造 方法中，至少，在从上述退火工序开始时到上述第1绝缘膜形成工序结 束时的时间内，在与外部气体隔离的状态中，进行所定的处理。

图1A～图1E是用于说明已有技术的说明图。
图2是用于说明已有技术的说明图。
图3A～图3G是用于说明作为本发明的第1实施例的TFT制造方法的 工序图。
图4A～图4E是用于说明同一个TFT制造方法的工序图。
图5是表示用于制造同一个TFT，在透明绝缘基片上成膜和对其进行 激光照射的TFT制造装置的概略构成的图。
图6是表示用于制造同一个TFT的旋转清洗装置的概略构成的图。
图7A～图7F是用于说明作为本发明的第2实施例的TFT制造方法的 工序图。

下面，我们说明本发明的优先实施形态。
实施形态
首先，我们述说作为本发明的一个实施形态的薄膜晶体管制造方法。
在这个实施形态的薄膜晶体管制造方法中，首先，在第2绝缘膜形成 工序中，在基片上形成的半导体膜上形成第1绝缘膜，在岛形成工序中， 使半导体膜和第1绝缘膜成为岛状图案形成岛后，实施伸出部分除去工 序和清洗工序。在伸出部分除去工序和清洗工序中，除去构成岛的第1 绝缘膜的侧端部分在上半导体膜的侧端部分上方屋檐状地形成的伸出部 分。此后，在第2绝缘膜形成工序中，在岛上形成第2绝缘膜，在栅极 形成工序中，在第2绝缘膜上形成栅极。
从而，因为能够确实地除去在岛形成工序中形成的伸出部分，所以能 够提高成品率。
第1实施例
其次，我们参照附图，述说作为本发明的第1实施例的TFT制造方法。
图3A～图3G和图4A～图4E是用于说明作为本发明的第1实施例的TFT 制造方法的工序图，图5是表示用于制造同一个TFT，在透明绝缘基片 上成膜和对其进行激光照射的TFT制造装置的概略构成的图，又，图6 是表示用于制造同一个TFT的旋转清洗装置的概略构成的图。
在本例的TFT制造方法中，首先，准备好，如图3A所示，通过超声 波清洗等清洗干净的例如日本电气硝子股份有限公司制造的OA-10等的 玻璃制的透明绝缘基片(基片)1。其次，将透明绝缘基片1导入用于制 造TFT的TFT制造装置2内。
这个TFT制造装置2，如图5所示，在内部与用于对被处理体分别实 施所定处理的多个小室连接，在设置了搬运装置2e的搬运部分2f的周围 配置着在透明绝缘基片1上形成半导体膜的半导体成膜部分2a、形成氧 化硅膜的绝缘体成膜部分2b、用激光照射被处理体的激光照射部分2c和 用于从外部将透明绝缘基片1等的被处理体导入TFT制造装置本体，取 出实施了所定处理的被处理体的导入部分2d。
搬运部分2f与半导体成膜部分2a、绝缘体成膜部分2b、激光照射部 分2c和导入部分2d之间，分别用闸门2p、2q、2r、2s可以开闭地隔断， 由搬运装置2e，在搬运部分2f与半导体成膜部分2a、绝缘体成膜部分2b、 激光照射部分2c和导入部分2d之间，进行被处理体的搬运。又，在导 入部分2d，设置到通过闸门2t可以开闭的被处理体的TFT制造装置本体 的搬运出入口。
将透明绝缘基片1导入TFT制造装置2内后，如图3B所示，在绝缘 体成膜部分2b、用等离子体增速化学气相成长法(以下，称为PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法)，在透明绝缘基片1 上形成例如由膜厚1000[](100[nm])的氧化硅(SiO2)构成的基底保 护膜3。这个基底保护膜3是为了防止从透明绝缘基片1扩散析出重金属 等的杂质而设置的。
在本例中，在压力(真空度)150[Pa]、基片温度350[℃]时，作为原 料气体，以200[sccm](standard cubic centimeter per minute(标准立方厘 米/分)，即，在换算到标准状态时200[cc/min](200[cm3/min])导入SiH4、 以3000[sccm]导入N2O和以100[sccm]导入He，使RF(Radio Frequency (射频)电源的输出为1000[W]进行成膜。
其次，如图3C所示，将形成基底保护膜3的透明绝缘基片1移到半 导体成膜部分2a，与基底保护膜3的成膜相连续地，在基底保护膜3上 用PECVD法形成例如膜厚500[](50[nm])的非晶硅(a-Si)构成的半 导体膜4。
在本例中，在压力50[Pa]、基片温度400[℃]时，作为原料气体，以 140[sccm]导入SiH4、以80[sccm]导入Ar，使RF电源的输出为120[W] 进行成膜。
其次，通过将形成基底保护膜3和半导体膜4的透明绝缘基片1在 500[℃]中保持10[min]，实施脱氢化处理。
其次，如图3D所示，在激光照射部分2c，用准分子激光扫描地照射 由非晶硅构成的半导体膜4，通过多晶化形成由多晶硅(p-Si)构成的半 导体膜5。
在本例中，准分子激光的能量密度例如为400[mJ/cm2]，使扫描重叠 率为激光束宽度的90[％]。
其次，如图3E所示，在绝缘体成膜部分2b中，在由多晶硅构成的半 导体膜5上，用PECVD法，形成例如由膜厚200[](20[nm])的氧化 硅构成的第1栅极氧化膜(第1绝缘膜)6。
在本例中，在压力110[Pa]、基片温度380[℃]时，作为原料气体，以 180[sccm]导入TEOS、以3500[sccm]导入O2、以100[sccm]导入He， 使RF电源的输出为1000[W]进行成膜。
其次，实施半导体膜5和第1栅极氧化膜6的岛形成工序。
即，从TFT制造装置2取出形成半导体膜5和第1栅极氧化膜6的透 明绝缘基片1，在第1栅极氧化膜6的表面形成所定的掩模图案的抗蚀剂 掩膜，用光刻技术，通过干刻蚀法对由多晶硅构成的半导体膜5和第1 栅极氧化膜6一起进行刻蚀成为岛状图案，如图3F所示，形成岛部分7。
在本例中，当形成岛部分7时，在途中变更多晶硅与氧化硅的选择比 (多晶硅的刻蚀速度/氧化硅的刻蚀速度)，将刻蚀条件分成2个阶段进行 刻蚀。
即，当刻蚀第1栅极氧化膜6时，对于从由多晶硅构成的半导体膜5 的表面到约400[](40[nm])的深度区域的刻蚀，例如将上述选择比取 为1，对于从半导体膜5的表面到比约400[](40[nm])更深的区域的刻 蚀，例如将上述选择比取为20。
当在这个岛形成工序中进行从开始刻蚀到停止刻蚀期间的大半部分的 刻蚀，即，第1栅极氧化膜6的刻蚀与从由多晶硅构成的半导体膜5的 表面到约400[](40[nm])的深度区域的刻蚀时的选择比是将一面能够 迅速地刻蚀氧化硅和多晶硅，一面为了抑制已有技术中所述的伸出部分 的形成作为刻蚀条件而设定的。
又，当进行在变更这个岛形成工序中的选择比后到停止刻蚀的制成保 留部分的刻蚀，即，从半导体膜5的表面到比约400[](40[nm])更深 的区域的刻蚀时的选择比是将为了只刻蚀多晶硅，抑制基底保护膜3的 氧化硅的刻蚀，避免发生如已有技术中所述的例如侧蚀作为刻蚀条件而 设定的。
因此，与已有技术比较能够抑制伸出部分的形成，但是可以看到微小 的突出。即，如图3F所示，第1栅极氧化膜6的侧端面和半导体膜5的 侧端面不齐，第1栅极氧化膜6的端部从半导体膜5的侧端面的位置突 出约2[μm]形成屋檐状的伸出部分8。在此后立即实施的清洗·伸出部分 除去工序中与清洗同时能够除去这个伸出部分8。
其次，用旋转清洗装置9实施清洗·伸出部分除去工序。旋转清洗装 置9，如图6所示，具有真空吸附形成岛部分7的透明绝缘基片10的基 片卡盘9a、用于围绕旋转轴旋转驱动基片卡盘9a的AC伺服马达9b和 用于滴下清洗液的配合器部分9c。
通过这个旋转清洗装置9，用氢氟酸(HF)水溶液作为清洗液旋转清 洗形成岛部分7的透明绝缘基片10，除去尘埃，同时除去伸出部分8。 这里，将清洗条件，即，氢氟酸水溶液的浓度、滴下时间和透明绝缘基 片的旋转数(旋转速度)设定在最佳条件上。
例如，一面从形成半导体膜5和第1栅极氧化膜6的透明绝缘基片1 的上方在30[sec]的时间内滴下浓度为1[％]的氢氟酸水溶液，一面以 200[rpm]的旋转数旋转透明绝缘基片1，进行旋转清洗。
如果，当在氢氟酸水溶液的浓度、滴下时间和透明绝缘基片的旋转数 中，只变更滴下时间到40[sec]时，能够完全除去第1栅极氧化膜6。又， 当只变更氢氟酸水溶液的浓度到3[％]时也能够完全除去第1栅极氧化膜 6。
又，例如在氢氟酸水溶液的浓度和滴下时间相同的状态中，将透明绝 缘基片1的旋转数降到比200[rpm]低时，作为清洗液的氢氟酸水溶液常 常滞留在透明绝缘基片1上，虽然增加了第1栅极氧化膜6的刻蚀速率， 但是使除尘效果降低了。
反之，当增大旋转速度时，虽然提高了除尘效果，但是使刻蚀速率降 低，并且，排出到透明绝缘基片1外的清洗液返跳回到装置内壁9d，与 尘埃一起再次回来附着在透明绝缘基片1上。进一步，因此，在透明绝 缘基片1的周围边缘部分，使刻蚀速率提高，但是损害了基片内的刻蚀 均匀性。
这样，通过选择最佳的清洗条件，如图3G所示，除去伸出部分8， 第1栅极氧化膜6的端面从半导体膜5的侧端面向中心部后退约3[μm]。
又，根据成膜时的第1栅极氧化膜6的膜厚和上述清洗条件，第1栅 极氧化膜6，至少，为了在以后实施的工序中形成的栅极12的直接下面 的区域，即，作为半导体膜5的沟道起作用的区域的直接上面的区域中， 保留所定厚度(在本例中约为30[](3[μm]))而进行刻蚀。
其次，如图4A所示，在形成半导体膜5和第1栅极氧化膜6的透明 绝缘基片1上，用PECVD法，形成例如膜厚600[](60[μm]))的第 2栅极氧化膜(第2绝缘膜)11。因此，由多晶硅构成的半导体膜5侧面 部分也与表面部分相同被氧化硅膜所覆盖，能够确实地保持电绝缘性。
其次，从第2栅极氧化膜11的上方用溅射法等形成由钽等构成的导 电膜后，用光刻技术形成图案，如图4B所示，在第2栅极氧化膜11上 形成栅极12。
其次，将栅极12用作掩模，将磷离子等的杂质离子导入由多晶硅构 成的半导体膜5，如图4C所示，形成源极·漏极区域13。
其次，如图4D所示，用PECVD法，形成由氧化硅构成的层间绝缘 膜14。
其次，如图4E所示，形成接触孔后，形成与源极·漏极区域13连接 的源极·漏极15。
这样一来，得到形成多个顶层栅极型的TFT16的透明绝缘基片1。这 些TFT16例如可以用作透过型液晶显示装置的有源矩阵中的开关元件和 驱动电路的一部分。当将TFT15用作开关元件时，它的栅极11与扫描线 连接，一方的源极·漏极14与信号线连接。
又，在形成上述TFT16的透明绝缘基片1上，测定载流子的迁移率， 能够得到平均值为320[cm2/Vs]那样良好的结果。又，当为了对迁移率在 透明绝缘基片1内的零散小(均匀性)进行评介，计算标准偏差/平均值 时，能够得到5[％]以下的结果。又，成品率达到99[％]以上。
这样，如果根据本例的构成，则因为在清洗·伸出部分除去工序中， 用旋转清洗装置9，能够确实地除去在岛形成工序中形成的伸出部分8， 所以能够提高成品率。
而且，因为对半导体膜4和也具有保护该半导体膜4的功能的第1栅 极氧化膜6一起进行刻蚀形成岛部分，能够形成清洁的多晶硅和氧化硅 的界面，所以能够达到高载流子迁移率化和迁移率的高度均匀化。
又，因为从在透明绝缘基片1上形成基底保护膜3的工序到在形成由 多晶硅构成的半导体膜4的透明绝缘基片1上形成第1栅极氧化膜6的 工序，是在TFT制造装置2内使透明绝缘基片1不与外部气体接触地实 施的，所以特别能够清洁地保持多晶硅和氧化硅的界面。
又，因为在清洗·伸出部分除去工序中，能够与清洗同时除去伸出部 分8，所以不需要在只为了除去伸出部分8的特别工序上花费多余的时 间。因此，能够缩短制造TFT所需的时间。 ◇第2实施例
图7A～图7F是用于说明作为本发明的第2实施例的TFT制造方法的 工序图。
本例与上述第1实施例很大不同之处是与在TFT制造装置内不在外部 气体中进行到透明绝缘基片上的成膜和激光照射相对，在各个装置内进 行到透明绝缘基片上的成膜和激光照射这一点，和在清洗·伸出部分除去 工序中代替旋转清洗而只在氢氟酸溶液中浸渍形成岛部分的透明绝缘基 片这一点上。
因为除此之外的构成与上述第1实施例的构成大致相同，所以简略对 它们的说明。
在本例中，分别通过用减压化学气相成长法(以下，称为LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法)的LPCVD装置，在透明绝缘基 片上形成基底保护膜3和半导体膜，通过用PECVD法的PECVD装置， 在形成岛部分的透明绝缘基片上形成第1栅极氧化膜。又，用专用的激 光照射装置对用于形成由多晶硅构成的半导体膜的由非晶硅构成的半导 体膜进行激光照射。
在本例的TFT制造方法中，首先，如图7A图所示，准备好通过超声 波清洗等清洗干净的例如玻璃制的透明绝缘基片(例如，克宁古夏邦 股份有限公制造的#1737等)21。
其次，在LPCVD装置中，用LPCVD法在透明绝缘基片21上形成由 例如膜厚1500[](150[nm])的氧化硅构成的基底保护膜22。
其次，在基底保护膜22上，用LPCVD法形成由例如膜厚500[] (50[nm])的非晶硅构成的半导体膜。
在本例中，当压力10[Pa]、基片温度450[℃]时，作为原料气体，以 200[sccm]导入Si2H6导进行成膜。
其次，在激光照射装置中，用准分子激光扫描地照射由非晶硅构成的 半导体膜，通过多晶化形成由多晶硅构成的半导体膜23。
在本例中，准分子激光的能量密度例如为410[mJ/cm2]，使扫描重叠 率为激光束宽度的90[％]。
其次，从激光照射装置取出形成半导体膜23的透明绝缘基片21，进 行RCA清洗处理和HF清洗处理。即，用NH4OH溶液、H2O2溶液和H2O的所定混合比的混合液，或者HCl溶液、H2O2溶液和H2O的所定混合比 的混合液，作为清洗液，例如在75～85[℃]，10～20[min]内进行清洗，此 后，用氢氟酸(HF)水溶液作为清洗液进行清洗。
其次，在上述清洗处理后10[min]以内，在PECVD装置中，在由多晶 硅构成的半导体膜23上，用PECVD法，形成例如由膜厚100[](10[nm]) 的氧化硅构成的第1栅极氧化膜24。
其次，在第1栅极氧化膜24的表面上形成所定掩模图案的抗蚀剂掩 模，用光刻技术，对由多晶硅构成的半导体膜23和第1栅极氧化膜24 一起进行刻蚀成为岛状图案，如图7B所示，形成岛部分25。
在本例中，当形成岛部分25时，在途中变更多晶硅与氧化硅的选择 比(多晶硅的刻蚀速度/氧化硅的刻蚀速度)，将刻蚀条件分成2个阶段进 行刻蚀。
即，当刻蚀第1栅极氧化膜24时，对于从由多晶硅构成的半导体膜23 的表面到约400[](40[nm])的深度区域的刻蚀，例如将上述选择比取 为1，对于从半导体膜23的表面到比约400[](40[nm])更深的区域的 刻蚀，例如将上述选择比取为20。
在本例中，如图7B所示，第1栅极氧化膜24的侧端面和半导体膜23 的侧端面不齐，第1栅极氧化膜24的端部从半导体膜23的侧端面突出 约1[μm]形成伸出部分26。
其次，在形成岛部分25的透明绝缘基片21上，进行RCA清洗处理 后，在浓度0.5[％]的氢氟酸溶液中浸渍10[sec]进行清洗，除去尘埃同时 除去伸出部分26。
因此，如图7C所示，除去伸出部分26，第1栅极氧化膜24的侧端 面从半导体膜23的侧端面向中心部后退约0.5[μm]。
又，第1栅极氧化膜24，至少，为了在以后实施的工序中形成的栅极 28的直接下面的区域，即，作为半导体膜23的沟道起作用的区域的直接 上面的区域中，保留所定厚度(在本例中约为50[](5[μm]))而进行 刻蚀。
其次，如图7D所示，在形成半导体膜23和第1栅极氧化膜24的透 明绝缘基片21上，用PECVD法，形成第2栅极氧化膜27。其次，从第 2栅极氧化膜27上方用溅射法等形成由钽等构成的导电膜后，用光刻技 术形成图案，如图7E所示，在第2栅极氧化膜27上形成栅极28。
其次，将栅极28用作掩模，将磷离子等的杂质离子导入由多晶硅构 成的半导体膜23，如图7E所示，形成源极·漏极区域29。
其次，如图7F所示，用PECVD法，形成由氧化硅构成的层间绝缘膜 31。
其次，形成接触孔后，形成与源极·漏极区域29连接的源极·漏极23。
对于形成上述TFT的透明绝缘基片21，测定载流子迁移率，能够得 到平均值为290[cm2/Vs]那样良好的结果。又，当为了对载流子迁移率在 透明绝缘基片21内的零散小(均匀性)进行评介，计算标准偏差/平均值 时，能够得到5[％]以下的结果。又，成品率达到99[％]以上。
如果根据本例的构成，则能够得到与上述第1实施例大致相同的效果。
此外，因为代替可以在同一个装置中进行到透明绝缘基片的成膜和激 光照射的TFT制造装置，用各个装置，进行成膜和激光照射，所以能够 廉价地构成制造装置。
以上，我们参照附图详细述说了本发明的实施例，但是具体的构成不 限于这些实施例，在不脱离本发明的要旨的范围内的设计变更等也包含 在本发明中。
例如，在上述实施例中，我们述说了用本发明的TFT作为液晶显示装 置的开关元件等的情形，但是不限于液晶显示装置，也可以应用于有机 EL显示装置等。
又，在上述第1实施例中，作为优先实施例，我们述说了一面在30[sec] 的时间内滴下浓度为1[％]的氢氟酸水溶液，一面以200[rpm]的旋转数旋 转透明绝缘基片1，进行旋转清洗的情形，但是作为清洗条件，不限于此， 例如，也可以在60[sec]的时间内滴下浓度为0.01[％]的氢氟酸水溶液，也 可以在1[sec]的时间内滴下浓度为10[％]的氢氟酸水溶液，可以进行适当 的变更。即便这样做，也能够除去伸出部分8，提高成品率。
又，旋转数也与氢氟酸水溶液的浓度和滴下时间一样，不限于 200[rpm]，例如，也可以在百分之数10的范围内变更，也可以将浓度和 滴下时间组合起来进行适当地变更。
又，与第1栅极氧化膜6的膜厚等相应地设定清洗条件。
又，我们述说了用氢氟酸水溶液作为清洗液的情形，但是，例如，也 可以用NH4F作为缓冲液的缓冲氢氟酸水溶液。
又，即便关于刻蚀条件、成膜条件，也不限于上述情形，例如，当刻 蚀第1栅极氧化膜6和从由多晶硅构成的半导体膜5的表面到约400[] (40[nm])的深度区域的刻蚀时的选择比，不限于分别取为1，20，也可 以进行适当地变更，与第1栅极氧化膜6和半导体膜5的膜厚等相应地 进行设定。
又，在上述第2实施例中，作为优先实施例，我们述说了在浓度为0.5[％] 的氢氟酸水溶液中浸渍10[sec]的情形，但是即便关于氢氟酸水溶液的浓 度和浸渍时间，也可以进行适当地变更，与第1栅极氧化膜6的膜厚等 相应地进行最佳设定。例如，也可以在浓度为0.01[％]的氢氟酸水溶液中 浸渍60[sec]，也可以在浓度为10[％]的氢氟酸水溶液中浸渍1[sec]。
又，在上述实施例中，代替氧化硅，例如也可以通过堆积氮化硅形成 第1和第2栅极绝缘膜。
又，代替钽，也可以用Al、铬、钼等金属构成栅极。
又，代替多晶硅，也可以用非晶硅形成半导体膜，这时也能够确实地 除去伸出部分。
如以上说明的那样，如果根据本发明的构成，则因为能够确实地除去 在岛形成工序中形成的伸出部分，所以能够提高成品率。
而且，因为能够形成清洁的多晶硅与氧化硅的界面，所以能够达到高 载流子迁移率化和迁移率的高度均匀化。
又，至少，通过在从退火工序开始时到上述第1绝缘膜形成工序结束 时的时间内，在与外部气体隔离的状态中进行处理，特别能够清洁地保 持多晶半导体膜和氧化硅膜的界面。
又，用于通过在清洗工序中同时除去伸出部分，当然不需要在用于只 除去伸出部分的特别工序中花费多余的时间。因此，能够缩短制造TFT 所需的时间。