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覆盖膜

阅读：473发布：2020-05-13

IPRDB可以提供覆盖膜专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种与载带组合使用的覆盖膜，其至少含有基材层(A)、中间层(B)、剥离层(C)及可热封于载带的热封层(D)，中间层(B)含有使用茂金属催化剂聚合得到的、拉伸模量为200MPa以下的直链低密度聚乙烯作为主成分；剥离层(C)含有导电材料，并且含有芳香族乙烯基含量为15至35质量%的芳香族乙烯-共轭二烯共聚物的氢化树脂作为主成分。此种覆盖膜在剥离时剥离强度的偏差小，可抑制剥离时组装工序中的问题。，下面是覆盖膜专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种覆盖膜，其特征为至少包括基材层(A)、中间层(B)、剥离层(C)及可热封于载带的热封层(D)，中间层(B)含有使用茂金属催化剂聚合得到的、拉伸模量为200MPa以下的直链低密度聚乙烯作为主成分；

剥离层(C)含有导电材料，同时含有芳香族乙烯基的含量为15至35质量％的芳香族乙烯-共轭二烯共聚物的氢化树脂作为主成分。

2.如权利要求1所述的覆盖膜，其中，剥离层(C)的芳香族乙烯-共轭二烯共聚物的氢

3 3 3 3

化树脂是密度为0.890×10kg/m至0.920×10 kg/m、质均分子量为50,000至150,000的树脂。

3.如权利要求1或2所述的覆盖膜，其中，热封层(D)含有丙烯酸类树脂作为主成分。

4.如权利要求1或2所述的覆盖膜，其中，导电材料为导电性微粒，形状包括针状、球状的微粒中的任一种或它们的组合。

5.如权利要求1或2所述的覆盖膜，其中，导电材料为碳纳米材料。

6.如权利要求1或2所述的覆盖膜，其中，导电材料为针状微粒的锑掺杂氧化锡。

7.如权利要求1或2所述的覆盖膜，其中，热封层(D)进一步含有导电材料。

8.如权利要求1或2所述的覆盖膜，其中，在剥离热封于载带的覆盖膜时，在剥离层(C)与热封层(D)的层间进行剥离。

9.如权利要求1或2所述的覆盖膜，其中，剥离层(C)和/或热封层(D)的表面电阻率

4 12

为1×10Ω至1×10 Ω。

10.一种电子器件包装体，其特征为将权利要求1至9中的任一项所述的覆盖膜作为以热塑性树脂为主成分的载带的盖材使用。

说明书全文

覆盖膜

技术领域

[0001] 本发明涉及一种覆盖膜，其使用于电子器件的包装体。

背景技术

[0002] 伴随电子设备的小型化，所使用的电子器件也在向小型高性能化发展，同时在电子设备的组装工序中，自动在印刷电路板上组装器件。表面组装用电子器件被收纳于载带，该载带配合电子器件的形状，通过热成型而连续地形成有袋部。收纳电子器件后，在载带上表面重叠作为盖材的覆盖膜，以经加热的密封棒(seal bar)，在长度方向将覆盖膜的两端予以连续地热封，制成包装体。作为覆盖膜材料，现使用在经双轴拉伸的聚酯膜基材上层叠热塑性树脂的热封层而得的材料等。作为上述载带，主要使用为热塑性树脂的聚苯乙烯或聚碳酸酯、聚酯制的带。

[0003] 近年来，电容器、电阻器、IC、LED、连接器、开关元件等各式各样的电子器件正在向显著的微小化、轻量化、薄型化发展，为了自上述包装体取出所收纳的电子器件而剥离覆盖膜时，大致区分的话对下述2点的要求性能比先前日趋严格。第一，自载带剥离覆盖膜时的剥离强度的偏差小而稳定；第二，不会因剥离覆盖膜时产生的静电使电子器件附着于覆盖膜的热封层而引发组装故障。

[0004] 对于上述要求性能，随着收纳的电子器件的微小化、轻量化，会因剥离时的振动使该电子器件跳出或被静电吸引而附着于覆盖膜，变得容易在组装工序中产生问题。

[0005] 另一方面，有时会在电子器件被收纳于包装体的状态下，检查有无器件、器件收纳方向、导线缺损、弯曲。伴随电子器件的小型化，为了检查收纳于包装体的器件，有必要使覆盖膜具有高透明性。

[0006] 为了对应上述要求特性，提出了一种覆盖膜，其通过在热封层中添加氧化锡、氧化锌这样的导电性微粒，能够防止带静电，而抑制器件附着，且具有透明性(参照专利文献1至3)。但是，专利文献1至3中记载的构成，在剥离热封于载带的覆盖膜时，通过使具有导电性的热封层转印于载带表面而进行覆盖膜的剥离，故在剥离后的热封部位，不含导电材料的中间层或者不含导电材料的底涂层成为覆盖膜的最表层。因此，剥离后的覆盖膜带电，在极微小的电子器件的情况下，难以获得充分的附着抑制效果。

[0007] 另一方面，提出了一种盖材，其结构是在中间层与热封层之间设置添加导电性微粒、表面活性剂于聚酯树脂、聚氨酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、丙烯酸类树脂等热塑性树脂而成的静电扩散层，通过在中间层与静电扩散层的层间进行剥离，或使静电扩散层发生内聚破坏(cohesion failure)，或使热封层与静电扩散层间发生层间剥离、或使静电扩散层发生内聚破坏、或者使静电扩散层与热封层间发生层间剥离，从而抑制自载带剥离覆盖膜时产生的静电(参照专利文献4)。但是，在专利文献4中，虽就与载带的密封性良好的覆盖膜进行了研讨，但却没有研讨抑制剥离强度的偏差的方法。

[0008] 另外，提出了一种覆盖膜，其通过在中间层与热封层之间设置抗静电感应(electrostatic induction)层，而使得剥离密封强度的偏差少，并能够抑制剥离带电(专利文献5)。但是，在专利文献5中，并未明确构成中间层、抗静电感应层及密封层的树脂，没有提及剥离强度偏差。

[0009] 进而，还提出了一种覆盖膜，其是依照经由粘接剂层与膜基材层贴合得到的中间层、热封层及静电扩散层的顺序予以层叠而得到的(专利文献6)。但是，即使是该方案，也会在中间层与热封层之间发生剥离，因而残留着与专利文献1至3中记载的方案的情形相同的问题。

[0010] 如上所述，现有的覆盖膜有时无法消除因产生静电所致的组装故障，另外，难以将剥离强度的偏差减低到可充分应对收纳有最近的已轻量化、小型化的电子器件的载带体的高速剥离的程度。

[0011] 另外，对于收纳有电子器件的包装体，为了除去含于封固树脂的水分，有必要进行烘焙处理。为了提高此种电子器件的量产性，有必要提升烘焙温度，缩短烘焙的时间，最近，在将覆盖膜热封于载带的状态下，进行例如在60℃的环境下72小时或80℃的环境下24小时左右的烘焙处理。此种情形下，有可能电子器件附着于覆盖膜的热封面，在将器件组装于基板时引发组装故障。但是，迄今并未充分考虑此种器件附着的问题。

[0012] 现有技术文献

[0013] 专利文献

[0014] 专利文献1：日本特开平8-258888号公报

[0015] 专利文献2：日本特开2002-283512号公报

[0016] 专利文献3：日本特开2006-232405号公报

[0017] 专利文献4：日本特开平7-223674号公报

[0018] 专利文献5：日本特开2005-178073号公报

[0019] 专利文献6：日本特开平9-216317号公报

发明内容

[0020] 本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要课题在于提供一种覆盖膜，该覆盖膜至少部分地消除了现有覆盖膜所存在的问题。

[0021] 更具体而言，本发明的课题是提供一种覆盖膜，其是与聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酯等的载带组合使用的覆盖膜，其在为了取出电子器件而剥离覆盖膜时的剥离强度偏差小，且即使高速剥离也不容易发生覆盖膜的断裂，进而可充分地抑制在剥离时产生的静电，因而即使在将微小且轻量的电子器件收纳于载带的情况下，也可抑制剥离覆盖膜时的振动或静电所致的电子器件的跳出或拾取(pickup)故障、因烘焙处理所致的器件附着等组装工序中的故障。

[0022] 本发明人等就上述课题进行了深入研讨，结果发现通过在中间层及以丙烯酸类树脂作为主成分的热封层之间设置以特定树脂作为主成分且含有导电材料的剥离层，可获得克服了本发明课题的覆盖膜，从而完成了本发明。

[0023] 即，本发明的一个方案提供一种覆盖膜，其至少包括基材层(A)、中间层(B)、剥离层(C)及可热封于载带的热封层(D)，中间层(B)含有使用茂金属催化剂聚合得到的、拉伸模量(tensile modulus)为200MPa以下的直链低密度聚乙烯作为主成分，剥离层(C)含有导电材料，并且含有芳香族乙烯基的含量为15至35质量%的芳香族乙烯-共轭二烯共聚物的氢化树脂作为主成分。

[0024] 在上述方案的一个实施方案中，剥离层(C)的芳香族乙烯-共轭二烯共聚物的氢化树脂是苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂，或者苯乙烯-异戊二烯-苯3 3 3
乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂，优选具有0.890×10至0.920×10 (kg/m)的密度和/或
50,000至150,000的质均分子量。

[0025] 作为热封层(D)的热塑性树脂，可适当使用丙烯酸类树脂，在一个实施方案中，使用玻璃化温度为45至80℃、于一例中为50至75℃的丙烯酸类树脂。

[0026] 再者，在另一实施方案中，导电材料是导电性微粒，形状包括针状、球状的微粒中的任一种或它们的组合。例如导电材料是碳纳米材料，或针状微粒的锑掺杂氧化锡。可使导电材料也含于热封层(D)中。在本发明中，剥离热封于载带的覆盖膜时，在哪一部分进行剥离不限，在中间层(B)与剥离层(C)的层间、剥离层(C)与热封层(D)的层间中的任一者或两者中进行均可，在一例中是在剥离层(C)与热封层(D)的层间进行。

[0027] 在一个实施方案中，上述剥离层(C)和/或热封层(D)的表面电阻率为1×104至12
1×10 Ω。进一步，本发明也包括电子器件包装体，其将上述覆盖膜作为以热塑性树脂为主成分的载带的盖材使用。

[0028] 根据本发明，分别使用特定的树脂作为中间层(B)及剥离层(C)来形成覆盖膜，并且在剥离层(C)中含有导电材料，故即使在载带中收纳有微小且轻量的电子器件的情况下，也不会发生剥离时因覆盖膜带电所致的电子器件跳出等组装工序中的问题。另外，根据本发明的一个方案，可减少在为了取出电子器件而剥离覆盖膜时的剥离强度的偏差，可充分应对载带体的高速剥离，又具有可防止烘焙处理所致的器件附着的效果。

附图说明

[0029] 图1是示出本发明的覆盖膜的层构成的一例的剖面图。

[0030] 图2是示出将本发明的覆盖膜自载带剥离时的剥离形态的一例的剖面图。

[0031] 图3是示出评价将本发明的覆盖膜自载带剥离时的断裂强度的方法的示意图。

具体实施方式

[0032] 本发明的覆盖膜至少依次包括基材层(A)、中间层(B)、剥离层(C)及热封层(D)。本发明覆盖膜构成的一例示于图1。

[0033] 基材层(A)是由双轴拉伸聚酯或者双轴拉伸尼龙所形成的层，可特别优选地使用双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、双轴拉伸聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、经双轴拉伸的6,6-尼龙、6-尼龙、经双轴拉伸的聚丙烯。作为双轴拉伸PET、双轴拉伸PEN、双轴拉伸6,6-尼龙、双轴拉伸6-尼龙、双轴拉伸聚丙烯，除了通常使用的材料以外，可使用涂布或混入了用于防静电处理的防静电剂的材料，或者实施了电晕处理、易粘接处理等的材料。基材层过薄时，覆盖膜本身的拉伸强度变低，故在剥离覆盖膜时容易发生“膜的断裂”。另一方面，过厚时，不仅会导致相对于载带的热封性降低，而且会导致成本上升，通常可适当使用
12至25μm厚度的基材层。

[0034] 在本发明中，在基材层(A)的单面可根据需要经由粘接剂层来层叠设置中间层(B)。构成中间层(B)的树脂为热塑性树脂，优选具有柔软性且具有适度的刚性、在常温下的撕裂强度优异的热塑性树脂，作为此种树脂，以金属茂类催化剂进行聚合而得到的直链状低密度聚乙烯(以下称为m-LLDPE)，因可控制分子量分布在较窄范围内，尤其是因具有高撕裂强度而被选中，其中使用下述直链状低密度聚乙烯，即，使用JIS K6251的哑铃状试验片1号型，以拉伸速度100mm/分钟测定膜的流动方向，由变形量为3%至6%时的拉伸应力变化算出的拉伸模量为200MPa以下的直链状低密度聚乙烯。中间层(B)具有如下效果：在将覆盖膜热封于载带时，缓和热烙铁接触覆盖膜时的烙铁压力的偏差，另外，通过使基材层及剥离层均匀地粘接，而在剥离覆盖膜时抑制剥离强度偏差。但是，拉伸模量超过200MPa时，构成中间层的m-LLDPE与构成剥离层(C)的芳香族乙烯-共轭二烯共聚物的氢化树脂的粘接变得不均匀，在剥离覆盖膜时，会导致剥离强度的偏差。

[0035] 另外，构成中间层(B)的m-LLDPE的拉伸模量小于70MPa时，虽然中间层(B)与基材层(A)及剥离层(C)的粘接均匀，但是在热封覆盖膜时受到热烙铁所致的热或压力，容易引发中间层树脂自覆盖膜端部溢出，溢出的树脂附着于热烙铁，因此有可能引发热封故障。另外，由于中间层易变形，故易发生断裂，结果有可能引起覆盖膜本身断裂。

[0036] 上述m-LLDPE是作为共聚单体的碳数为3以上的烯烃、优选碳数为3至18的直链状、支链状、被芳核取代的α-烯烃与乙烯的共聚物。作为直链状的单烯烃，可例举例如丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯等。另外，作为支链状单烯烃，可例举例如3-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、
4-甲基-1-戊烯、2-乙基-1-己烯等。另外，作为被芳核取代的单烯烃，可例举苯乙烯等。
上述共聚单体可单独或组合2种以上与乙烯共聚。在该共聚中，也可将丁二烯、异戊二烯、
1,3-己二烯、二环戊二烯、5-亚乙基-2-降冰片烯等多烯类予以共聚。其中，使用1-己烯、
1-辛烯作为共聚单体的物质，由于拉伸强度强且成本方面也优异，故可优选使用。

[0037] 该中间层(B)的厚度一般为5至50μm，优选为10至40μm。中间层(B)的厚度小于5μm时，有可能基材层(A)与中间层(B)间的粘接强度不充分，另外，将覆盖膜热封于载带时，难以获得缓和热烙铁接触不均的效果。另一方面，超过50μm时，因覆盖膜的总厚度较厚，故在将覆盖膜热封于载带时难于获得充分的剥离强度。

[0038] 本发明的覆盖膜在该中间层(B)与热封层(D)之间设置以热塑性树脂作为主成分的剥离层(C)。用于该剥离层(C)的热塑性树脂是芳香族乙烯基的含量为15至35质量%的芳香族乙烯-共轭二烯共聚物的氢化树脂。

[0039] 本发明的覆盖膜的一例是在剥离层(C)与热封层(D)的层间进行剥离，不过芳香族乙烯基的含量小于15质量%时，虽与构成中间层(B)的m-LLDPE的粘接性良好，但与热封层(D)的粘接性并不充分，无法获得作为覆盖膜所必要的剥离强度。另一方面，芳香族乙烯基的含量超过35质量%时，因热封时热烙铁所致的热的变化，而使剥离层(C)与热封层(D)的粘接性易于急剧地变化，易使获得作为目的的剥离强度变得困难，另外，在剥离覆盖膜时易于产生剥离强度的偏差。

[0040] 作为构成剥离层(C)的芳香族乙烯-共轭二烯共聚物的氢化树脂，有苯乙烯-共轭二烯嵌段共聚物的氢化树脂，例如苯乙烯-丁二烯二嵌段共聚物的氢化树脂、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂、苯乙烯-异戊二烯二嵌段共聚物的氢化树脂、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂、苯乙烯-丁二烯无规共聚物的氢化树脂、苯乙烯-异戊二烯无规共聚物的氢化树脂等。尤其是，可更优选地使用苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂。上述三嵌段共聚物的氢化树脂与热封层(D)的粘接力稳定，且剥离层的拉伸断裂强度高，在自载带剥离覆盖膜时不容易引发剥离层本身的破坏，故易于实现剥离层(C)与热封层(D)之间的稳定的剥离，可进一步减小剥离强度偏差。用于该剥离层(C)的芳香族乙烯-共轭二烯3 3 3 3
共聚物的氢化树脂的密度为0.890×10至0.920×10 (kg/m)的范围，优选为0.905×10
3 3
至0.920×10(kg/m)的范围。另外，质量平均分子量在50,000至150,000之间，在偏离上述密度与质量平均分子量的范围的情况下，难以获得充分的密封特性。

[0041] 剥离层(C)的厚度通常为0.1至3μm、优选为0.1至1.5μm的范围。剥离层(C)的厚度小于0.1μm时，在将载带热封于覆盖膜时，有可能无法显示充分的剥离强度。另一方面，剥离层(C)的厚度超过3μm时，有可能在剥离覆盖膜时产生剥离强度的偏差。此外，如后所述，该剥离层(C)及热封层(D)通常通过涂布而形成，在以涂布法形成的情况下，在此所述的厚度是指干燥后的厚度。

[0042] 在剥离层(C)中含有导电材料，优选含有导电性微粒，以其表面电阻率优选为4 12
1×10至1×10 Ω的方式构成。作为导电性微粒，可例举导电性氧化锡粒子、导电性氧化锌粒子、导电性氧化钛粒子等。其中，掺杂了锑、磷、镓的氧化锡显示高导电性，且透明性降低少，故可更优选地使用。导电性氧化锡粒子、导电性氧化锌粒子、导电性氧化钛粒子可使用球状或针状的粒子，或者它们的混合物。尤其是，在使用掺杂了锑的针状氧化锡的情况下，可获得具有特别良好的防静电性能的覆盖膜。相对于构成剥离层(C)的热塑性树脂100质量份，导电性微粒的添加量通常为100至1000质量份、优选为200至800质量份。导电性微粒的添加量小于100质量份时，有可能无法获得覆盖膜的热封层(D)侧的表面电阻率
12
为10 Ω以下的材料，超过1000质量份时，由于热塑性树脂的量相对减少，所以有可能变得难以获得热封所带来的充分剥离强度，另外，会导致成本上升。

[0043] 在剥离层(C)中，作为导电材料，也可含有碳纳米管、碳纳米纤维中的至少一种碳纳米材料。其中，优选长径比为10至10000的碳纳米管。相对于构成层的热塑性树脂100质量份，向剥离层(C)中添加的碳纳米材料的添加量为0.5至15质量份、优选为3至10质量份。添加量小于0.5质量份时，无法充分获得碳纳米材料的添加所带来的赋予导电性的效果，另一方面，超过 15质量份时，不仅会导致成本上升，而且会导致覆盖膜的透明性降低，故变得难以隔着覆盖膜检查收纳器件。

[0044] 本发明的覆盖膜在剥离层(C)的表面上形成以热塑性树脂作为主成分的热封层(D)。作为热封层(D)的热塑性树脂，可例举丙烯酸类树脂、聚酯类树脂、苯乙烯类树脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂等。其中，丙烯酸类树脂对于作为构成载带的材料的聚苯乙烯、聚碳酸酯及聚酯树脂等的热封性极其优异。特别优选使用玻璃化温度为45至80℃的树脂，更优选为50至75℃的丙烯酸类树脂。作为构成热封层(D)的丙烯酸类树脂，有丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸环己酯等甲基丙烯酸酯等含有50质量%以上的至少一种以上丙烯酸残基的树脂，也可为将两种以上上述树脂共聚而得到的树脂。

[0045] 热封层(D)的厚度优选为0.1至5μm、更优选为0.1至3μm、再优选为0.1至1.5μm的范围。热封的厚度小于0.1μm时，有可能在热封中热封层(D)对载带不显示充分的剥离强度。另一方面，热封层的厚度超过5μm时，不仅会导致成本上升，而且有可能在剥离覆盖膜时产生剥离强度的偏差。

[0046] 进而，本发明的优选实施方式的覆盖膜在热封层(D)中添加无机填料。本发明的覆盖膜如前所述，在热封于装入了电子器件的载带表面的状态下，为了除去含于封固树脂的水分，有时在60℃的环境下72小时或80℃的环境下24小时左右的条件下实施烘焙处理，在此种情况下，若作为内容物的电子器件粘接于覆盖膜，则在剥离覆盖膜而组装电子器件的工序中会成为问题。本发明的覆盖膜由于剥离覆盖膜时的剥离强度的偏差小，且还可控制在60至80℃的高温下热封层(D)对内容物电子器件的粘接性，故可相当程度地消除此种电子器件附着的问题，不过若添加无机填料于热封层(D)，则更确实地达成该抗附着效果。此处，添加的无机填料只要可有意地实现上述抗附着，则任意填料均可，可例举例如球状或破碎形状的滑石粒子、二氧化硅粒子、氧化铝粒子、云母粒子、碳酸钙、碳酸镁等。另外，为了维持覆盖膜的透明性，无机填料采用中值粒径(D50)小于200nm的填料，使其例如含有10至50质量份。

[0047] 进而，本发明的覆盖膜在剥离层(C)中含有导电材料，不过在一个实施方式中，也4 12
可以使热封层(D)中也含有导电材料，以其表面电阻率优选为1×10至1×10 Ω的方式构成。对于含有的导电材料的种类、其量，与就包含于剥离层(C)的情形而描述的相同。

[0048] 制作上述覆盖膜的方法并无特别限定，可使用一般的方法。例如事先将聚氨酯、聚酯、聚烯烃、聚乙烯亚胺等粘接剂涂布于基材层(A)的例如双轴拉伸聚酯的膜表面，通过将成为中间层(B)的以m-LLDPE作为主成分的树脂组合物自T型模头挤出，涂布于锚涂剂(anchor coating agent)的涂布面，而制成由基材层(A)与中间层(B)构成的双层膜。进而，也可将本发明的剥离层(C)通过例如凹版涂布机、逆转式涂布机、吻合式涂布机、气刀涂布机、迈耶棒涂布机、浸渍式涂布机等涂布于中间层(B)的表面。在该情况下，于涂布前，优选预先对中间层(B)的表面进行电晕处理、臭氧处理，特别优选进行电晕处理。进而，在涂布于中间层(B)的剥离层(C)上，通过例如凹版涂布机、逆转式涂布机、吻合式涂布机、气刀涂布机、迈耶棒涂布机、浸渍式涂布机等涂布构成热封层(D)的树脂组合物，可获得作为目的的覆盖膜。

[0049] 作为另一方法，将中间层(B)预先以T模浇注法或者吹胀(inflation)法等进行制膜，通过经由聚氨酯、聚酯、聚烯烃等粘接剂将其与基材层(A)粘接的干式层叠法，可获得由基材层(A)与中间层(B)所构成的膜，也可通过在该中间层(B)的表面涂布剥离层(C)与热封层(D)而获得作为目的的覆盖膜。

[0050] 作为再另一方法，也可通过夹心层叠法(sandwich lamination)获得作为目的的覆盖膜。也即，对构成第一中间层的膜以T模浇注法或者吹胀法等进行制膜。接着，向该第一中间层的膜与基材层(A)的膜之间供给已熔融的以m-LLDPE作为主成分的树脂组合物，形成并层叠第二中间层，在获得由作为目的的覆盖膜的基材层(A)和包括第一中间层及第二中间层的中间层(B)所构成的膜后，进一步在中间层(B)侧的表面涂布剥离层(C)与热封层(D)，由此可获得作为目的的膜。对于该方法，也与上述方法相同，一般是使用在基材层(A)的层叠膜一侧的面涂布有粘接剂的材料。

[0051] 除了上述工序以外，还可根据需要对覆盖膜的至少单面进行防静电处理。作为防静电剂，可通过使用凹版辊的辊涂布机、唇模涂布机(lip coater)、喷雾器等涂布例如阴离子型、阳离子型、非离子型、甜菜碱(betaine)型等的表面活性剂型防静电剂、高分子型防静电剂及导电材料等。另外，为了均匀涂布这些防静电剂，在进行防静电处理前，优选对膜表面进行电晕放电处理、臭氧处理，特别优选为电晕放电处理。

[0052] 覆盖膜作为属于电子器件的收纳容器的载带的盖材使用。载带是指具有用以收纳电子器件的凹部的宽8mm至100mm左右的带状物。在将覆盖膜作为盖材予以热封的情况下，构成载带的材质并无特别限定，可使用市售的产品，可使用例如聚苯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚氯乙烯等。在热封层使用丙烯酸类树脂的情况下，可适当使用与聚苯乙烯及聚碳酸酯的载带的组合。载带可使用：通过将碳黑、碳纳米管混入树脂中而赋予了导电性的载带；混入了阳离子型、阴离子型、非离子型等的表面活性型防静电剂、聚醚酯酰胺等持续性防静电剂的载带；或者，通过涂布涂布液于表面而赋予了防静电性的载带，该涂布液是将表面活性剂型防静电剂、聚吡咯、聚噻吩等导电物质分散于丙烯酸等有机粘结剂而得到的。

[0053] 收纳有电子器件的包装体如下获得：例如在载带的收纳电子器件用凹部收纳电子器件等后，以覆盖膜作为盖材，使用热烙铁连续地热封覆盖膜的长度方向的两边缘部，予以包装，卷绕于卷轴(reel)而获得。通过包装为该形态，可进行电子器件等的保管、搬送。本发明的包装体可用于连接器、IC、二极管、晶体管、电容器、电阻器、LED等各种电子器件的收纳及搬送，尤其是对于厚度在1mm以下的尺寸的LED、晶体管、二极管等电子器件，可大幅抑制组装电子器件时的问题。收纳有电子器件等的包装体边使用设置于载带长度方向的边缘部的载带搬送用的、被称为定位孔(sprocket hole)的孔进行搬送，边间断地揭去覆盖膜，通过器件组装装置一边确认电子器件等的存在、方向、位置一边进行取出、在基板上的组装。

[0054] 进而，在将覆盖膜揭去时，若剥离强度太小，则有可能自载带剥离，使收纳器件脱落，若太大，则有可能与载带的剥离变得困难，并且在剥离覆盖膜时发生断裂，故在120至220℃下进行热封的情况下，具有0.05至1.0N、优选具有0.1至0.7N的剥离强度是理想的，且剥离强度的偏差低于0.4N、优选低于0.3N是理想的。

[0055] 实施例

[0056] 以下通过实施例详细说明本发明，但本发明并非限定于这些实施例。

[0057] <使用的原料>

[0058] 在实施例及比较例中，基材层(A)、中间层(B)、剥离层(C)及热封层(D)使用以下原料。中间层(B)的拉伸模量是使用JIS K6251的哑铃状试验片1号型，以拉伸速度100mm/分钟测定膜的流动方向，由变形量为3%至6%时的拉伸应力变化算出的值。

[0059] (基材层(A))

[0060] (a-1)双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东洋纺株式会社制造)，厚度12μm[0061] (中间层(B))

[0062] (b-1)m-LLDPE1：LL-UL(Futamura Chemical Co.,Ltd.制造)，厚度40μm，拉伸模量80MPa，熔点103℃

[0063] (b-2)m-LLDPE2：LL-XUMN(Futamura Chemical Co.,Ltd.制造)，厚度40μm，拉伸模量125MPa，熔点116℃

[0064] (b-3)m-LLDPE3：Kernel KF270(日本聚乙烯株式会社制造)，厚度40μm，拉伸模量130MPa，熔点108℃

[0065] (b-4)m-LLDPE4：Kernel KF271(日本聚乙烯株式会社制造)，厚度40μm，拉伸模量190MPa，熔点102℃

[0066] (b-5)m-LLDPE5：HR543(KF Film株式会社制造)，厚度30μm，拉伸模量206MPa，熔点123℃

[0067] (b-6)m-LLDPE6：SE620M(TAMAPOLY株式会社制)，厚度40μm，拉伸模量255MPa，熔点127℃

[0068] (b-7)m-LLDPE7：Kernel KF360T(日本聚乙烯株式会社制造)，厚度40μm，拉伸模量65MPa，熔点90℃

[0069] (b-8)m-LLDPE8：UL-1(TAMAPOLY株式会社制造)，厚度40μm，拉伸模量150MPa，熔点108℃

[0070] (剥离层(C)的树脂)

[0071] (c-1)树脂：Tuftec H1041(旭化成化学株式会社制造)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂(SEBS)，苯乙烯比率30质量%，密度0.914，质量平均分子量78,000

[0072] (c-2)树脂：Tuftec H1062(旭化成化学株式会社制造)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂(SEBS)，苯乙烯比率18质量%，密度0.890，质量平均分子量100,000

[0073] (c-3)树脂：Septon2007(株式会社可乐丽制造)，苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SEPS)的氢化树脂，苯乙烯比率30质量%，密度0.914，质量平均分子量89,000[0074] (c-4)树脂：Kraton G1651(科腾聚合物日本株式会社制造)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂(SEBS)，苯乙烯比率33质量%，密度0.915，质量平均分子量100,000

[0075] (c-5)树脂：Tuftec H1051(旭化成化学株式会社制造)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂(SEBS)，苯乙烯比率42质量%，密度0.931，质量平均分子量85,000

[0076] (c-6)树脂：Tuftec H1221(旭化成化学株式会社制造)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂(SEBS)，苯乙烯比率12质量%，密度0.887，质量平均分子量100,000

[0077] (c-7)树脂：Septon8007(株式会社可乐丽制造)，苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SEPS)的氢化树脂，苯乙烯比率30质量%，密度0.914，质量平均分子量90,000[0078] (c-8)树脂：Tuftec H1052(旭化成化学株式会社制造)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的氢化树脂(SEBS)，苯乙烯比率20质量%，密度0.894，质量平均分子量85,000

[0079] (在剥离层(C)中配合的导电材料)

[0080] (c-9)导电材料：FSS-10T(石原产业株式会社制造)，针状锑掺杂氧化锡，数量平均长径2μm，甲苯分散型

[0081] (c-10)导电材料：SNS-10T(石原产业株式会社制造)，球状锑掺杂氧化锡，中值粒径(D50)100nm，甲苯分散型

[0082] (c-11)导电材料：DCNT-263D-1(大同涂料株式会社制造)，碳纳米管，直径10至20nm，数量平均长径0.1至10μm

[0083] (热封层(D)的树脂)

[0084] (d-1)丙烯酸类树脂1：Dianal BR-113(三菱丽阳株式会社制造)，玻璃化温度75℃，质量平均分子量30,000

[0085] (d-2)丙烯酸类树脂2：Dianal BR-116(三菱丽阳株式会社制造)，玻璃化温度50℃，质量平均分子量60,000

[0086] (热封层(D)的配合剂)

[0087] (d-3)无机填料：MEK-ST-ZL(日产化学株式会社制造)，二氧化硅填料的1-丁酮溶液，固体成分浓度30质量%，二氧化硅填料的中值粒径(D50)100nm

[0088] (d-4)导电材料：FSS-10T(石原产业株式会社制造)，针状锑掺杂氧化锡，数均长径2μm，甲苯分散型

[0089] <实施例1>

[0090] 在厚度为12μm的双轴拉伸聚酯膜的表面，通过凹版法涂布聚酯类的锚涂剂后，将以茂金属催化剂聚合得到的[(b-1)m-LLDPE1]所成的厚度为40μm的膜以干式层合法层叠，获得由双轴拉伸聚酯层与m-LLDPE层所成的层叠膜。对该膜的m-LLDPE面实施电晕处理后，按固体成分比为(c-1):(c-9)=100:300质量份的方式混合溶解于环己烷的[(c-1)树脂]与锑掺杂氧化锡分散液[(c-9)导电材料]，在实施了该电晕处理的面上，以凹版法进行涂布，使干燥厚度为0.4μm厚，形成剥离层。进而，在剥离层的涂布面上，通过凹版法涂布将按热封层中的[(d-1)丙烯酸类树脂]与(d-3)的二氧化硅填料的固体成分质量比为(d-1):(d-3)=80:20的方式混合并以1-丁酮稀释而得的溶液，使干燥后的厚度为1.2μm，获得具有防静电性能的覆盖膜(用于各层的树脂如表1所示)。

[0091] <实施例2、5至7、9，比较例1至5>

[0092] 除了中间层、剥离层及热封层是使用表1、表2及表3记载的树脂等原料来形成以外，与实施例1同样地制作覆盖膜。

[0093] <实施例3>

[0094] 自T型模头挤出以茂金属催化剂聚合得到的[(b-3)m-LLDPE3]所成的树脂，获得厚度为40μm的膜。在厚度为12μm的双轴拉伸聚酯膜的表面，以凹版法涂布聚酯类的锚涂剂后，通过干式层合法层叠事先挤出而得的由[(b-3)m-LLDPE3]所成的厚度为40μm的膜，获得由双轴拉伸聚酯层及m-LLDPE层所成的层叠膜。对该膜的m-LLDPE面实施电晕处理后，按固体成分比(质量比)为(c-1):(c-9)=100:300的方式混合溶解于环己烷的[(c-1)树脂]与锑掺杂氧化锡分散液[(c-9)导电材料]，通过凹版法涂布在实施了该电晕处理的面上，使干燥厚度为0.4μm厚，形成剥离层。进而，在剥离层的涂布面上，通过凹版法涂布按热封层中的[(d-1)丙烯酸类树脂]与(d-3)的二氧化硅填料的固体成分质量比为(d-1):(d-3)=80:20的方式混合并以1-丁酮稀释而得的溶液，使干燥后厚度为1.2μm，获得具有防静电性能的覆盖膜(用于各层的树脂如表1所示)。

[0095] <实施例4、8>

[0096] 除了中间层、剥离层及热封层是使用表1及表2记载的树脂等原料来形成以外，与实施例3同样地制作覆盖膜。

[0097] <比较例6>

[0098] 在厚度为12μm的双轴拉伸聚酯膜的表面，通过凹版法涂布聚酯类的锚涂剂后，通过干式层合法层叠以茂金属催化剂聚合得到的[(b-2)m-LLDPE2]所成的厚度为40μm的膜，获得由双轴拉伸聚酯层与m-LLDPE层所成的层叠膜。对该膜的m-LLDPE面实施电晕处理后，通过凹版法将溶解于环己烷的[(c-1)树脂]涂布在实施了该电晕处理的面上，使干燥厚度为0.4μm厚，形成剥离层。进而，在剥离层的涂布面上，通过凹版法涂布按相对于热封层中的[(d-1)丙烯酸类树脂]与[(d-3)二氧化硅填料]的固体成分质量比为(d-1):(d-3)=80:20的合计100质量份、(d-4)导电材料的固体成分比为300质量份进行添加后以1-丁酮稀释而得的溶液，使干燥后的厚度为1.2μm，获得具有防静电性能的覆盖膜(用于各层的树脂如表3所示)。

[0099] <评价试验1>

[0100] 对实施例1至9及比较例1至6中制作的电子器件的载带用覆盖膜进行下述所示的评价。结果分别汇总示于表1至表3。

[0101] (1)剥离强度的偏差

[0102] 使用贴带(taping)机(涩谷工业株式会社，ETM-480)，在密封头宽0.5mm×2、密封头长32mm、密封压力0.1MPa、送料长度4mm、密封时间0.1秒×8次的条件下，将9.5mm宽的覆盖膜热封于12mm宽的聚碳酸酯制载带(电气化学工业株式会社制造)，使平均剥离强度为0.40N。在温度23℃、相对湿度50%的环境下放置24小时后，在相同的温度23℃、相对湿度50%的环境下，测定以每分钟300mm的速度、剥离角度170至180°将覆盖膜剥离100mm时的剥离强度偏差(最大值与最小值之差)。剥离强度的偏差为0.2N以下的以“优”表示，在0.2至0.3N的范围的以“良”表示，大于0.3N的以“差”表示。此外，即使热烙铁的温度为200℃，平均剥离强度也小于0.4N时，表示为“未评价”。

[0103] (2)覆盖膜的剥离带电压

[0104] 以上述的(1)的条件，热封于聚碳酸酯制载带(电气化学工业株式会社制造)，使剥离强度为0.40N。在温度23℃、相对湿度50%的环境下，将覆盖膜在与上述(1)相同的条件下剥离50mm后，使用电压计(MONROE ELECTRONICS ISOPROBE ELECTROSTATIC VOLTMETER MODEL279)测定覆盖膜的热封面的带电电压。另外，对于剥离强度不足0.4N的表示为“未评价”。

[0105] (3)低温密封性

[0106] 与上述(1)同样，使用贴带机(涩谷工业株式会社，ETM-480)，在密封头宽0.5mm×2、密封头长32mm、密封压力0.1MPa、送料长度4mm、密封时间0.1秒×8次的条件下进行热封，在热烙铁温度小于160℃下平均剥离强度为0.40N的以“优”表示，在热烙铁温度为160℃以上至小于200℃下平均剥离强度为0.40N的以“良”表示，为使平均剥离强度为
0.40N而要使热烙铁温度为200℃以上的以“差”表示。

[0107] (4)剥离强度的经时变化

[0108] 以与上述(1)同样的条件，热封于聚碳酸酯制载带，使平均剥离强度为0.40N。将热封品在60℃的环境放置7天后，在与上述(1)相同的条件下测定剥离强度，平均剥离强度为0.30N以上的以“优”表示，平均剥离强度在0.20至0.30N的范围的以“良”表示，由于无法进行平均剥离强度为0.40N的热封而无法评价的以“未评价”表示。

[0109] (5)表面电阻率

[0110] 使用三菱化学株式会社的Hiresta UP MCP-HT450，以JIS K6911的方法，在温度23℃、相对湿度50%的环境下，以施加电压10V测定覆盖膜的热封层表面的表面电阻值。结果如表1至表3的表面电阻率栏所示。另外，各表中“E”后面的数字表示指数的位数，例如
8
“5.6E+08”是指5.6×10。

[0111] (6)断裂强度

[0112] 在与上述(1)同样的条件下，热封于聚碳酸酯制载带，使平均剥离强度为0.50N。在热封品500mm的载带底面粘贴双面胶，并粘贴于垂直的墙壁上。如图3所示，将覆盖膜剥离50mm，安装1kg的负荷并使其落下，测定覆盖膜有无断裂。试验点数为10点。由于无法进行平均剥离强度为0.40N的热封而无法评价的以“未评价”表示。

[0113]

[0114]

[0115]

[0116] <实施例10>

[0117] 在厚度为12μm的双轴拉伸聚酯膜的表面，以凹版法涂布聚酯类的锚涂剂后，以干式层合法层叠以茂金属催化剂聚合得到的[m-LLDPE1]所成的厚度为40μm的膜，获得由双轴拉伸聚酯层及m-LLDPE层所成的层叠膜。对该膜的m-LLDPE面实施电晕处理后，按固体成分比为(c-1):(c-9)=100:300质量份的方式混合溶解于环己烷的[(c-1)树脂]及锑掺杂氧化锡分散液[(c-9)导电材料]，在实施了上述电晕处理的面上，以凹版法进行涂布，使干燥厚度为0.4μm厚，制成剥离层。进而，在剥离层的涂布面上，作为热封层，通过凹版法涂布按[(d-1)丙烯酸类树脂]与[(d-3)无机填料]的固体成分质量比为(d-1):(d-3)=100:50的方式进行混合并溶解于MEK的溶液，使干燥后的厚度为1.0μm，从而获得具有防静电性能的载带用覆盖膜。

[0118] <实施例11至16、比较例8至10>

[0119] 除了中间层、剥离层及热封层是使用表4及表5记载的树脂等原料来形成以外，与实施例10同样地制作覆盖膜。

[0120] <比较例7>

[0121] 除了不设置中间层，而在厚度为50μm的基材层上依次形成剥离层及热封层以外，与实施例10同样地制作覆盖膜。

[0122] <比较例11>

[0123] 除了不在剥离层中添加导电材料，而是添加于热封层以外，与实施例10同样地制作覆盖膜。

[0124] <比较例12>

[0125] 除了不设置剥离层，而使用表5记载的树脂等原料形成中间层及热封层以外，与实施例10同样地制作覆盖膜。

[0126] <比较例13>

[0127] 除了不设置热封层，而使用表5记载的树脂等原料形成中间层及剥离层以外，与实施例10同样地制作覆盖膜。

[0128] <评价试验2>

[0129] 对在实施例10至16及比较例7至13中制作的电子器件的载带用覆盖膜进行下述所示评价。结果分别示于表4至表5。

[0130] (1)雾值

[0131] 依照JIS K7105：1998的测定法A，使用积分球式测定装置测定雾值。膜制膜性极差、无法获得膜而无法评价雾值的表示为“未评价”。结果如表4至表5的雾值栏所示。

[0132] (2)密封性

[0133] 使用贴带机(涩谷工业株式会社，ETM-480)，以密封头宽0.5mm×2、密封头长32mm、密封压力0.1MPa、送料长度4mm、密封时间0.1秒×8次，密封烙铁温度从140℃至
190℃，以10℃间隔，将5.5mm宽的覆盖膜热封于8mm宽的聚碳酸酯制载带(电气化学工业株式会社制造)及聚苯乙烯制载带(电气化学工业株式会社制造)。在温度23℃、相对湿度
50%的环境下放置24小时后，在相同的温度23℃、相对湿度50%的环境下，以每分钟300mm的速度、剥离角度170至180°剥离覆盖膜，将密封烙铁温度从140℃至190℃、以10℃间隔进行热封时的平均剥离强度在0.3至0.9N的范围的以“优”表示，虽有平均剥离强度在0.3至0.9N的区域的密封烙铁温度范围，但密封烙铁温度从140℃至190℃、以10℃间隔进行热封时有平均剥离强度偏离0.3至0.9N范围的密封烙铁温度范围的以“良”表示，在任意密封烙铁温度下平均剥离强度都不在0.3至0.9N的区域内的以“差”表示。结果如表4及表
5的密封性栏所示。

[0134] (3)剥离强度的偏差

[0135] 进行热封，使相对于聚苯乙烯制载带(电气化学工业株式会社制造)的剥离强度为0.4N。在与上述(2)密封性相同的条件下剥离覆盖膜。由在剥离方向剥离了100mm覆盖膜时所得的图表导出剥离强度的偏差。剥离强度的偏差为0.2N以下的表示为“优”，为0.2至0.4N的表示为“良”，大于0.4N的表示为“差”，剥离强度不足0.4N的表示为“未评价”。结果如表4及表5的剥离强度的偏差栏所示。

[0136] (4)覆盖膜的剥离带电压

[0137] 进行热封，使相对于聚苯乙烯制载带(电气化学工业株式会社制造)的剥离强度为0.4N。在与上述(2)密封性相同的条件下剥离覆盖膜后，使用电压计(MONROE ELECTRONICS ISOPROBE ELECTROSTATIC VOLTMETER MODEL279)测定覆盖膜的热封面的电压。另外，剥离强度不足0.4N的标记为“未评价”。结果如表4及表5的覆盖膜的剥离带电压栏所示。

[0138] (5)器件附着试验

[0139] 在8mm宽的导电聚碳酸酯制载带(电气化学工业株式会社制造)中装填10个宽1.0mm*长0.6mm*深0.5mm的电子器件后，热封覆盖膜。使覆盖膜侧朝下，以600rpm振动5分钟(3000次)后，剥离覆盖膜，进行覆盖膜上的器件附着评价。电子器件一个都没有附着于覆盖膜的以“优”表示，平均附着1个的以“良”表示，附着2个以上的以“差”表示。结果如表4及表5的器件附着试验栏所示。

[0140] (6)表面电阻率

[0141] 通过与评价试验1中的情形相同的方法进行测定。

[0142]

[0143]

[0144] 附图标记说明

[0145] 1 覆盖膜

[0146] 2 基材层(A)

[0147] 3 增粘涂层

[0148] 4 中间层(B)

[0149] 5 剥离层(C)

[0150] 6 热封层(D)

[0151] 7 载带

[0152] 8 墙壁

[0153] 9 双面胶

[0154] 10 载带

[0155] 11 覆盖膜

[0156] 12 夹具

[0157] 13 细绳

[0158] 14 砝码

标题	发布/更新时间	阅读量
覆盖玻璃-专利编号CN106536440A	2020-05-12	222
覆盖装置-专利编号CN104854297B	2020-05-12	831
覆盖膜-专利编号CN103459146B	2020-05-12	724
覆盖工具-专利编号CN108472749B	2020-05-11	1059
覆盖膜-专利编号CN107896417A	2020-05-11	615
覆盖剂-专利编号CN101346443B	2020-05-13	453
覆盖元件-专利编号CN108471877A	2020-05-11	1046
覆盖膜-专利编号CN103153811B	2020-05-13	471
覆盖工具-专利编号CN108698136A	2020-05-11	335
覆盖片-专利编号CN103582506A	2020-05-13	390

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