图7示出现有的电视机和个人计算机显示器等的阴极射线管(以 下记作“CRT”)。如该图所示，在CRT中，偏转线圈62使电子枪发 射的电子束60发生垂直与水平偏转，在整个屏幕上进行扫描从而再现 图象。此时，当CRT中有地磁等外部磁场作用于与电子束行进方向相 垂直的方向上时，电子束60将如61所示发生偏移(图中有所夸张)， 出现不能到达屏幕63的荧光体64的既定位置上的所谓偏差着屏现 象。作为一种预防措施，通常在CRT内部(在这里是玻锥内部)设置 将电子束扫描通路围起来的内部磁屏蔽罩65。
但是，要将外部磁场完全屏蔽是不可能的，因此，内部磁屏蔽罩 65的实质性作用是，在一定程度上将磁场屏蔽，以及，改变磁力线方 向以避免电子束受到力的作用，以某些部位对受力进行修正等。
除了特殊情况之外，外部磁场的主因是地磁。将该地磁分为水平 成分(平行于画面的矢量成分)和垂直成分(垂直于画面的矢量成分)。 如人们已熟知的，其中的垂直成分，可使大致整个屏幕范围的着屏情 况发生相同的改变，因此在形成荧光面时可通过透镜等对荧光面形成 位置进行修正，因而不成问题。
而水平磁场70，则如图8所示，其方向因CRT与磁场方向的相对 位置的不同而不同，一般将其分解为管轴向71和横向72。
因此，在最终决定地磁屏蔽时，需要考虑作为地磁水平成分的分 量的横向磁场以及管轴向磁场的磁特性。
为此，可从外部施加与地磁相当或更强的磁场而测定荧光面上的 电子束着屏变化量，以此对CRT中的磁特性进行评价。测定点例如可 如图9所示设在屏幕的4个角部以及屏幕上下长边的中央部位(以下 记作NS部)，其中很重要的特性是，
(1)施加横向磁场时的、角部的特性(以下记作“横向角部”)，
(2)施加管轴向磁场时的、NS部的特性(以下记作“管轴向 NS部”)。
一般来说，内部磁屏蔽罩65的形状如图10所示，由相向的长边 壁71与相向的短边壁72形成，中央具有开口部73。
而近年来的对荫罩施加张力的方式中，采用的是，在内部磁屏蔽 罩的下端部形成折弯部，通过将该折弯部固定在荫罩框架上而安装内 部磁屏蔽罩的方法。
该荫罩框架如图11所示，由一对张力架设构件81(截面呈 状) 和呈コ字形的一对保持构件82构成。张力架设构件81以向同方向延 伸的状态相向配置，在该构件的两个端部上焊接固定コ字形的保持构 件82。并且，在荫罩Ma受到张力作用的状态下将荫罩的上下端部保持 在张力架设构件81上。作为保持构件82，为了保持荫罩Ma的张力以 及增加框架的强度，设置成能够沿张力方向对张力架设构件81进行定 位的状态。
另一方面，近年来大屏幕的以及荧光屏为平面的CRT正在成为主 流。因此，特别是对于荧光屏为平面的CRT，一般采用如上所述对荫罩 施加张力的方式。
这种方式的CRT，存在着当采用现有技术的内部磁屏蔽罩时地磁引 起的着屏偏差显著增大的倾向。可以认为这是由于，对荫罩施加张力 导致荫罩的磁特性与之不符时将会发生很大变化。(村井等人， SID2000DIGEST，P582～585)。例如，现有的25英寸CRT的横向角 部、管轴向NS部均为10μm左右，若对其荫罩施加张力则变差，成为 横向角部15μm、管轴向Ns部30μm，。
曾进行过这样的尝试，即，为改善具有图10所示结构的内部磁屏 蔽罩的特性，在前述短边壁72上设置V字形缺口74，试图通过改变该 缺口的深度、宽度实现最佳化；然而，即使这样做，相对于与地磁相 当的外部磁场的、电子束着屏变化量也只能改善到
(横向角部，管轴向NS部)＝(21μm，23μm) 的程度。并且，由于横向角部与管轴向Ns部的特性之问存在着变化率 大致相同而符号相反的折衷选择关系，要想对二者特性同时加以改善 是不可能的。
发明的公开
本发明旨在解决上述问题，其目的是，提供一种可减小因地磁等 外部磁场引起电子束偏移而发生的着屏偏差、能够在整个画面范围减 轻彩色边纹和色相不均性的内部磁屏蔽罩。
为实现上述任务，本发明作为一种具有内部磁屏蔽罩、荫罩框架、 固定在所说荫罩框架上的荫罩、以及、容纳所说荫罩框架和荫罩的荧 光屏的阴极射线管，其特征是，所说荫罩框架，由架设所说荫罩的一 对架设构件、以及、与之相连接的对架设构件进行定位的一对定位构 件构成，所说内部磁屏蔽罩固定在所说定位构件上，并且，所说内部 磁屏蔽罩，外观呈具有多个侧面的方筒形状，并且至少具有一个自与 定位构件不相接触的部分至少延伸至架设构件附近的裙部，
其中，所说裙部与构成所说荫罩框架的所说架设构件磁结合。
此外，本发明作为一种具有内部磁屏蔽罩、荫罩框架、以受到张 力作用的状态固定在所说荫罩框架上的荫罩、以及、容纳所说荫罩框 架和荫罩的荧光屏的阴极射线管，其特征是，所说荫罩框架，由为了 使所说荫罩受到张力作用而对其施加张力进行架设的一对张力架设构 件、以及、与之相连接的对所说张力进行保持的沿张力方向设置的一 对保持构件构成，所说内部磁屏蔽罩固定在所说保持构件上，并且， 所说内部磁屏蔽罩，外观呈具有多个侧面的方筒形状并且至少具有一 个自与保持构件不相接触的部分至少延伸至张力架设构件附近的裙 部，其中，所说裙部与构成所说荫罩框架的所说张力架设构件磁结合。
这样，可减小因地磁等外部磁场引起电子束偏移而发生的着屏偏 差，特别是，能够同时改善上述横向角部和管轴向NS部的特性。其结 果，能够在整个画面范围减轻彩色边纹和色相不均性。
在这里，最好是，将所说裙部的沿架设构件或张力架设构件方向 的长度设定为这样的值，即，可使外部磁场所产生的磁通实质上全部 从所说内部磁屏蔽罩流向所说框架。
这样，可进一步减小因地磁等外部磁场引起电子束偏移而发生的 着屏偏差，特别是，能够进一步改善上述横向角部和管轴向NS部的特 性。
在这里，所说内部磁屏蔽罩也可以做成，所说侧面的各面的框架 侧边缘部具有被用来安装在所说定位构件或保持构件上的多个安装面 部分，从该多个安装面部分中的与架设构件或张力架设构件对应的安 装面部分的边缘部延伸出所说裙部。
所说裙部的沿所说架设构件或张力架设构件的长度，相对于所说 定位构件或保持构件之间的相向间隔为1/4～1/3倍。
此外，为实现上述目的，本发明作为一种具有内部磁屏蔽罩、荫 罩框架、固定在所说荫罩框架上的荫罩、以及、容纳所说荫罩框架和 荫罩的荧光屏的阴极射线管，其特征是，所说荫罩框架由架设所说荫 罩的一对架设构件、以及、与之相连接的对架设构件进行定位的一对 定位构件构成，所说内部磁屏蔽罩固定在所说定位构件上，并且，所 说内部磁屏蔽罩，外观呈具有多个侧面的方筒形状，并且至少具有一 个自与定位构件不相接触的部分至少延伸至架设构件附近的第1裙 部，至少具有一个将所说定位构件与架设构件二者的连接部沿荫罩框 架外侧面覆盖的、其长度相对于该连接部的沿架设构件的长度为1倍 以上2倍以下的第2裙部，其中，所说第1裙部与架设构件以及2裙 部与架设构件磁结合。
此外，本发明作为一种具有内部磁屏蔽罩、荫罩框架、以被施加 有张力的状态固定在所说荫罩框架上的荫罩、以及、容纳所说荫罩框 架和荫罩的荧光屏的阴极射线管，其特征是，所说荫罩框架由为了对 所说荫罩施加张力而将其带张力架设的一对张力架设构件、以及、与 之相连接的对所说张力进行保持的沿张力方向设置的一对保持构件构 成，所说内部磁屏蔽罩固定在所说保持构件上，并且，所说内部磁屏 蔽罩，外观呈具有多个侧面的方筒形状，并且至少具有一个自与保持 构件不相接触的部分至少延伸至张力架设构件附近的第1裙部，至少 具有一个将所说保持构件与张力架设构件二者的连接部沿荫罩框架外 侧面覆盖的、其长度相对于该连接部的沿张力架设构件的长度为1倍 以上2倍以下的第2裙部，所说第1裙部与张力架设构件以及2裙部 与张力架设构件磁结合。
这样，可减小因地磁等外部磁场引起电子束偏移而发生的着屏偏 差，特别是，能够同时改善上述横向角部和管轴向NS部的特性。并且， 通过将连接部以第2裙部进行覆盖，可使磁力线变得规整，对连接部 附近进行扫描时的电子束的着屏偏差量得以减小。其结果，能够在整 个画面范围减轻彩色边纹和色相不均性。
在这里，所说内部磁屏蔽罩也可以做成，所说侧面的各面的框架 侧边缘部具有被用来安装在所说定位构件或保持构件上的多个安装面 部分，从该多个安装面部分中的与架设构件或张力架设构件对应的安 装面部分的边缘部延伸出所说第1裙部及所说第2裙部。
在这里，使得所说第1裙部的沿所说架设构件或张力架设构件的 长度，相对于所说定位构件或保持构件的相向间隔为1/4～1/3倍，从 减小电子束的着屏偏差的角度来说是适宜的。
另外，所谓“实现了磁结合”，意味着，在各要素的边界部分处， 顺沿于内部磁屏蔽罩的磁力线是以不会引起着屏偏差的程度或着屏偏 差低于现有技术的程度而平滑地连续的。
附图的简单说明
图1是实施形式1所涉及的CRT的剖视图。
图2是对实施形式1的、与CRT的发明相关的部分的主要内部结 构加以展示的附图，是从内部磁屏蔽罩与荫罩框架的安装状态进行分 解时的立体分解图。
图3是对实施形式1的、内部磁屏蔽罩在荫罩框架上的安装状态 加以展示的立体图。
图4是对荫罩框架与内部磁屏蔽罩之间的边界附近的磁力线加以 展示的示意图。
图5是对实施形式2的、与CRT的发明相关的部分的主要内部结 构加以展示的附图，是从内部磁屏蔽罩与荫罩框架的安装状态进行分 解时的立体分解图。
图6是对实施形式2的、内部磁屏蔽罩在荫罩框架上的安装状态 加以展示的立体图。
图7是现有技术例的CRT的剖视图。
图8是对水平磁场的矢量成分加以展示的示意图。
图9是对电子束着屏偏差测定点加以展示的附图。
图10是对现有内部磁屏蔽罩的形状加以展示的立体图。
图11是对现有的CRT中的荫罩框架的结构加以展示的立体图。
发明的最佳实施形式
下面，结合附图对本发明所涉及的实施形式的阴极射线管进行说 明。
[实施形式1]
<关于CRT的简单结构、内部磁屏蔽罩及荫罩框架的结构>
图1是本发明的实施形式的剖视图。
该CRT是近年来正在成为主流的平面型(荧光屏的正面部分为平 面)及荫罩框架为张力架设式框架的25英寸CRT。
具体地说，该CRT以正面部分平坦的荧光屏10、具有内部磁屏蔽 罩30的玻锥15、管颈20、插装在管颈20内的电子枪25为主要构成 要素。
在所说荧光屏10的正面部分的内表面形成有各色的荧光体部 11。在玻锥15的、与荧光屏10相反一侧的端部的外周面上安装有将 整周覆盖的偏转线圈16。
图2示出与前述CRT的发明相关的部分的主要内部结构，是从内 部磁屏蔽罩30与荫罩框架40的安装状态进行分解时的立体分解图。
图2中，作为内部磁屏蔽罩30，由相向的长边壁31和相向的短边 壁32形成，其外观呈多角筒形状，中央部位具有开口部33，偏转中心 一侧开口部的短边壁上形成有缺口34。
前述长边壁31的两个下端部向外折弯而形成折弯部35，前述短边 壁32的两个下端部向外折弯而形成折弯部36。
并且，前述折弯部35的中央边缘沿图的上下方向(向CRT屏幕侧) 延伸，形成第1裙部37(图中靠里一侧的裙部不可见)。 其次，作为荫罩框架40，由截面呈 形的一对张力架设构件41 和外观呈コ字形的一对保持构件42构成。张力架设构件41以向相同 方向延伸的状态相向配置，在其两个端部上焊接固定有コ字形的前述 保持构件42。并且，对荫罩Ma施加张力后将其上下端部保持在张力架 设构件41上。作为保持构件42，为了保持荫罩Ma的张力以及增加框 架的强度，以能够沿着张力方向对张力架设构件进行定位的状态进行 设置(该荫罩框架的结构与现有技术例相同，仅其元件的编号不同)。
<关于内部磁屏蔽罩的安装状态>
图3是展示内部磁屏蔽罩在荫罩框架上的安装状态的立体图。
如该图所示，内部磁屏蔽罩30的折弯部35、36焊接在荫罩框架 40的コ字形的保持构件42的上表面43上。
并且，前述第1裙部37将形成于折弯部35与张力架设构件41之 间的间隙44沿上下方向纵向分断而其下端接触并焊接在张力架设构件 41的外侧部45上。前述间隙44的高度与宽度，由保持构件42的厚度 与コ字形保持构件的相向距离决定，而高度与保持构件42的厚度相 当。另外，第1裙部37，也可以不是如上所述地与张力架设构件41 的外侧部45接触，而与上部41a接触。
<作用与效果>
如上所述，在内部磁屏蔽罩30的折弯部35与荫罩框架的张力架 设构件41与保持构件42之间形成有间隙44，因此，若没有第1裙部 37，磁特性在该间隙部是不连续的，磁力线将显著紊乱。即，磁通将 从该间隙部分泄漏。
图4是对荫罩框架与内部磁屏蔽罩之间的边界附近的磁力线加以 展示的示意图。在该示意图中，假设磁场方向是从玻锥的后方指向荧 光屏，即，以玻锥一侧为N极、荧光屏一侧为S极。
如该图所示，在前述间隙处，发生磁通的泄漏，磁力线显著紊乱。 因此，将有并不希望的电场作用于电子束，导致电子束的着屏偏差较 大。特别是，在管轴向NS部发生较大的着屏偏差。这是由于管轴向NS 部的测定点靠近磁通泄漏区域的缘故。
在这里，通过设置第1裙部37将间隙44的一部分覆盖，荫罩框 架与内部磁屏蔽罩之间实现了磁结合，可使得间隙部的磁泄漏减少， 磁流向带张力架设在荫罩框架前面一侧的荫罩，从内部磁屏蔽罩端部 至荫罩框架之间的磁力线变得平滑而达到不会对着屏偏差量有太大影 响的程度。
具体地说，在如上所述设有第1裙部37的情况下，着屏偏差量为
(横向角部，管轴向NS部)＝(12μm，16μm)。
已经知道，使磁力线达到上述平滑程度的作用与效果，依赖于第1 裙部37覆盖间隙44的比例，特别是依赖于，相对于间隙44的宽度L1 的、第1裙部37的宽度L2(尺寸定义请参照图2)。
具体地说，通过实验确认，相对于间隙44的宽度L1，当第1裙部 37的宽度L2的比例在1/4～1/3的范围内时具有很好的作用与效果。 之所以在该范围内有很好的效果，是由于，当下限值低于1/4时，设 置第1裙部37的效果不大，而当超过1/3时，横向贯穿内部磁屏蔽罩 的磁成分将不能平滑地通过，磁分布紊乱，其影响无法得到抵销。
如上所述，由于在本实施形式的CRT中，设置了具有与构成荫罩 框架的张力架设构件实现了磁结合的第1裙部，因此，能够减少磁通 泄漏从而减小电子束的着屏偏差量。其结果，可谋求图象质量的提高。
[实施形式2]
下面，对本发明所涉及的另一个实施形式，就其不同点进行说明。
本实施形式的CRT中，内部磁屏蔽罩30与以上所述基本相同，以 下是其不同点，是反映其特征之处。
即，如图5、图6所示，(图5相当于图2，图6相当于图3)， 除了第1裙部37之外，在其两侧还设有第2裙部38(图中靠里一侧的 裙部不可见)，该第2裙部38是隔开既定间隔从折弯部35沿图的上 下方向(向CRT屏幕一侧)延长而形成。
前述第2裙部38，从作为前述保持构件42与张力架设构件41之 间的焊接部位的焊接部46的外侧通过，与张力架设构件41的外侧部 45接触并焊接。
通过如上所述设置第1裙部37和第2裙部38而将间隙44的一部 分及焊接部46覆盖，可使磁力线变得规整。因此，描述电子束在其照 射位置上的偏离程度的电子束着屏偏差量得以减小。特别是，在前述 保持构件42与张力架设构件41之间的焊接部46处，构件经过焊接后 磁特性将改变，磁力线在该部分附近也会发生紊乱，磁力线的这种微 小的紊乱也会对电子束的照射位置产生影响。但是，通过设置第2裙 部将焊接部覆盖从而实现了内部磁屏蔽罩与荫罩框架之间的磁结合， 可使焊接部附近磁场紊乱的程度降低到对电子束着屏偏差量影响较小 的程度。
具体地说，若不设置第2裙部，其着屏偏差量为
(横向角部，管轴向NS部，管轴向NNE部)＝(12μm，16μm， 20μm) (所谓管轴向NNE部，是图7所示位于管轴向NS部与横向角部的中间 位置的测定点在磁场沿管轴向作用时的特性)。与之相比，设置第2 裙部时成为
(横向角部，管轴向NS部，管轴向NNE部)＝(13μm，15μm， 16μm)，由此可知，具有减小电子束着屏偏差量的效果，特别是，位 于焊接部附近的测定点的管轴向NNE部的特性得到提高。
这种减小着屏偏差量的作用与效果(使磁力线变平滑的作用与效 果)，依赖于相对于焊接部46的沿张力架设构件41的宽度L3的、将 该部分覆盖的第2裙部38的宽度L4(尺寸的定义请参照图2)。
具体地说，通过实验确认，相对于焊接部46的宽度L3，将第2 裙部38的宽度L4限定在1～2倍为宜。
此外，在增加第2裙部38覆盖焊接部46的比例的场合，以使第2 裙部38向张力架设构件41端部侧延长来实现为宜。这是由于，若不 这样做，第1裙部37与第2裙部38之间的间隔会较小，将与第1裙 部37的长度超过前述上限值时同样，横向贯穿内部磁屏蔽罩的磁成分 不能够平滑地通过，磁分布变得紊乱，其影响无法得到抵销。
由于使用了如上所述的、具有与张力架设构件实现了磁结合的各 裙部的内部磁屏蔽罩，电子束在射向荧光面的轨迹上受到来自地磁等 外部磁场的力得以减小或受到抵消。其结果，电子束受到的力减小， 电子束偏移引起的着屏偏差量减小，能够在整个画面范围防止彩色边 纹和色相不均性的发生。
另外，上述各实施形式是以25英寸CRT为例进行说明，但不仅这 种尺寸的CRT，对于其它尺寸的CRT也可适用，那时的第1裙部和第2 裙部的尺寸将因CRT的不同而不同。另外，也可以在第1裙部和第2 裙部的形状上增加缺口，以进一步对两个特性进行控制。
而且，一对保持构件与一对张力架设构件之间除了焊接以外，例 如以螺钉进行固定的场合，连接部处的磁特性也会发生变化，因此设 置第2裙部也同样具有效果。
另外，在上述实施形式中，若第1裙部和第2裙部不是设置多个 而是至少设置一个，则与根本未设置时相比，能够得到进行设置所能 够得到的效果，因此毋庸置疑，这种形式也属于本发明的技术思想的 范畴，即便是第1裙部与第2裙部各自未与张力架设构件实现物理接 触，只要是在能够起到上述作用与效果的范围内多少离开一些也当然 属于本发明技术思想的范畴，这一点也是毋庸置疑的。
如上所述，根据本发明的阴极射线管，通过使荫罩框架与形成于 内部磁屏蔽罩的荫罩框架侧端部的前述第1裙部和第2裙部实现了磁 结合，可使得相对于与地磁相当的外部磁场的、电子束着屏变化量即 横向角部、管轴向NS部、管轴向NNE部同时得到大幅度的改善。
即，通过使用如上所述的内部磁屏蔽罩，能够使电子束在射向荧 光面的轨道上受到的来自地磁等外部磁场的力得以减小或抵消。其结 果，电子束所受的力减小，电子束偏移所引起的着屏偏差量减小，能 够在整个画面范围防止彩色边纹和色相不均性的发生。
另外，在上述实施形式中，是就对荫罩施加张力的类型进行了说 明，但显然并不受此限定。可以认为，本发明对于施加张力的类型尤 其有效。
产业上的应用领域
本发明可作为一种旨在改善地磁特性的荫罩框架与内部磁屏蔽罩 结合的形状、形态得以实现的、高图象质量的CRT而加以利用。