硅单晶片抛光方法专利检索-硅化学元素和化合物专利检索查询-专利查询网

积极推动地理标志专门立法

2022-03-10 地理标志，立法，知识产权
保护知识产权是对创新最大的激励

2022-03-10 保护知识产权，创新，激励
谢商华：加快制定知识产权基本法

2022-03-10 知识产权基本法
擦亮“双奥之城”品牌

2022-03-10 双奥，知识产权
让冰雪运动“热”力全开

2022-03-10 冰雪运动，知识产权
携手共奋进　走好强国路

2022-03-10 强国，知识产权
坚持创新引领　方能稳中求进

2022-03-10 创新，稳中求进，知识产权
答好“两张卷” 奋进新征程

2022-03-10 知识产权
专家解读政府工作报告中的创新和知识产权相关部署

2022-03-10 政府工作报告，创新，知识产权
今年政府工作报告指出：加强知识产权保护和运用

2022-03-10 政府工作报告，知识产权保护

硅单晶片抛光方法

阅读：531发布：2021-02-27

IPRDB可以提供硅单晶片抛光方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种硅单晶片抛光方法，其特征在于，抛光过程中，使用水冷却硅单晶片，水的温度为20℃-30℃。本发明中的硅单晶片抛光方法，冷却水的温度接近抛光温度，一方面可以迅速提升抛光温度，改善抛光移除速率，缩短低温抛光过程；另一方面，可以稳定抛光机大盘形貌，减少因大盘形貌变化引起的加工产品平坦度变异。使用本发明方法，硅单晶片局部平整度STIR（SBIR）≤1μm@15*15mm2良率达到95%以上。，下面是硅单晶片抛光方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.硅单晶片抛光方法，其特征在于，抛光过程中，使用水冷却硅单晶片，水的温度为

20℃-30℃。

2.根据权利要求1所述的硅单晶片抛光方法，其特征在于，所述水的温度为

25℃-30℃。

3.根据权利要求1所述的硅单晶片抛光方法，其特征在于，使用抛光设备对硅单晶片正面抛光处理；所述硅单晶片放置于抛光大盘上抛光；所述抛光大盘设置有供水流通的流通槽；所述水在流通槽内流通过程中与所述硅单晶片背面接触。

4.根据权利要求3所述的硅单晶片抛光方法，其特征在于，所述流通槽沿大盘径向延伸并沿圆周方向回转设置；所述流通槽包括一个以上的内圈流通槽和一个以上的外圈流通槽；外圈流通槽设置于内圈流通槽外围；所述大盘表面设置有液体出口；所述液体出口位于距圆心三分之一至三分之二半径之间；每个液体出口同时与一个内圈流通槽和一个外圈流通槽连通；大盘表面还设置有液体进口，所述液体进口包括第一液体进口，第一液体进口与内圈流通槽或外圈流通槽连通或者同时与内圈流通槽和外圈流通槽连通；液体自液体出口进入流通槽内后分别向大盘圆心方向和大盘边缘方向流动；液体自液体出口进入流通槽后，再经液体进口排出。

5.根据权利要求4所述的硅单晶片抛光方法，其特征在于，每个内圈流通槽内设置有一个第一液体进口；所述液体进口还包括一个第二液体进口，每个外圈流通槽均与第二液体进口连通。

6.根据权利要求5所述的硅单晶片抛光方法，其特征在于，所述的内圈流通槽数目为

3-6个；所述外圈流通槽数目为3-6个。

7.根据权利要求5所述的硅单晶片抛光方法，其特征在于，第二液体进口设置于大盘圆心处，每个外圈流通槽分别通过第一导流槽与液体出口连通、通过第二导流槽与第二液体进口连通。

说明书全文

硅单晶片抛光方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种硅单晶片抛光方法。

背景技术

[0002] 硅片表面的抛光的目的是去除其表面由前序（切片、研磨等）所残留下的微小缺陷及表面的应力损伤层和去除表面的各种金属离子等杂质污染，以求获得硅片表面局部平整、表面粗糙度极低的洁净、光亮“镜面”，满足制备各种微电子器件对硅片的技术要求。

[0003] 硅片的表面抛光是硅片加工中的关键工序，其加工精度直接影响IC芯片的性能、合格率等技术指标。

[0004] 硅单晶抛光片表面局部平整度（STIR）是确认抛光片品质的关键参数之一，且STIR作为抛光制程中关键参数是影响良率的最大因素。现有技术中，硅单晶抛光片局部平2
整度STIR（SBIR）≤1μm@15*15mm 良率仅有75%，不仅浪费严重，增加了生产成本。

发明内容

[0005] 本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种提高抛光片合格率的硅单晶片抛光方法。

[0006] 为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：

[0007] 硅单晶片抛光方法，其特征在于，抛光过程中，使用水冷却硅单晶片，水的温度为20℃-30℃。

[0008] 优选地是，所述水的温度为25℃-30℃。

[0009] 优选地是，使用抛光设备对硅单晶片正面抛光处理；所述硅单晶片放置于抛光大盘上抛光；所述抛光大盘设置有供水流通的流通槽；所述水在流通槽内流通过程中与所述硅单晶片背面接触。

[0010] 优选地是，所述流通槽沿大盘径向延伸并沿圆周方向回转设置；所述流通槽包括一个以上的内圈流通槽和一个以上的外圈流通槽；外圈流通槽设置于内圈流通槽外围；所述大盘表面设置有液体出口；所述液体出口位于距圆心三分之一至三分之二半径之间；每个液体出口同时与一个内圈流通槽和一个外圈流通槽连通；大盘表面还设置有液体进口，所述液体进口包括第一液体进口，第一液体进口与内圈流通槽或外圈流通槽连通或者同时与内圈流通槽和外圈流通槽连通；液体自液体出口进入流通槽内后分别向大盘圆心方向和大盘边缘方向流动；液体自液体出口进入流通槽后，再经液体进口排出。

[0011] 优选地是，每个内圈流通槽内设置有一个第一液体进口；所述液体进口还包括一个第二液体进口，每个外圈流通槽均与第二液体进口连通。

[0012] 优选地是，所述的内圈流通槽数目为3-6个；所述外圈流通槽数目为3-6个。

[0013] 优选地是，第二液体进口设置于大盘圆心处，每个外圈流通槽分别通过第一导流槽与液体出口连通、通过第二导流槽与第二液体进口连通。

[0014] 本发明中的硅单晶片抛光方法，冷却水的温度接近抛光温度，一方面可以迅速提升抛光温度，改善抛光移除速率，缩短低温抛光过程；另一方面，可以稳定抛光机大盘形貌，减少因大盘形貌变化引起的加工产品平坦度变异。使用本发明方法，硅单晶片局部平整度2
STIR（SBIR）≤1μm@15*15mm 良率达到95%以上。

附图说明

[0015] 图1为本发明实施例1的抛光大盘表面结构俯视图。

[0016] 图2为本发明实施例2的抛光大盘表面结构俯视图。

具体实施方式

[0017] 下面结合附图对本发明进行详细的描述：

[0018] 发明人经过研究发现，影响硅片表面抛光加工精度的一个重要因素是温度。抛光过程中，固定在大盘上的抛光布的温度会有所上升，如果温度分布不均匀，会影响硅片的质量。冷却水的温度既影响抛光布的温度，还会影响硅单晶片的温度及抛光大盘的温度。发明人根据对现有技术的研究，提出本发明技术方案。以下结合实施例，对本发明做进一步说明。

[0019] 实施例1

[0020] 如图1所示，硅单晶片抛光方法，使用硅片抛光大盘1，大盘1表面设置有流通槽11。流通槽11自大盘1边缘沿大盘1径向延伸至圆心处并沿圆周方向回转设置。流通槽
11数目为6个，沿圆周方向排列。每个流通槽11内设置一个液体出口15和一个第一液体进口16、一个第二液体进口17。液体出口15位于距圆心二分之一半径处。第一液体进口
16位于圆心附近；第二液体进口17位于大盘1边缘附近。冷却水自液体出口15进入流通槽11内分为两路，一路向圆心方向流动后进入第一液体进口16；另一路向边缘方向流动后进入第二液体进口17。冷却水的温度为20℃-30℃。

[0021] 实施例2

[0022] 如图2所示，硅单晶片抛光方法，使用硅片抛光大盘1，大盘1表面设置有流通槽。流通槽包括6个内圈流通槽18和6个外圈流通槽19；一个外圈流通槽19设置于一个内圈流通槽18外围；大盘1表面设置有液体出口15；所述液体出口15位于距圆心二分之一半径处；每个液体出口15同时与一个内圈流通槽18和一个外圈流通槽19连通。大盘1表面设置有第三液体进口20，第三液体进口20设置于内圈流通槽18内并靠近圆心。大盘1圆心处设置有一个第四液体进口21。外圈流通槽19通过第一导流槽22与液体出口15连通，并通过第二导流槽23与第四液体进口21连通。冷却水自液体出口15后分为两路，一路经过第一导流槽22进入外圈流通槽19，然后再经过第二导流槽23后自第四液体进口21排出；另一路自内圈流通槽18后自第三液体进口18排出。冷却水的温度为20℃-30℃。

[0023] 使用实施例1与实施例2的抛光大盘，可以保持冷却水的水温稳定。

[0024] 下表为各实施例的冷却水温度，及生产的硅单晶片抛光后的良率。抛光硅单晶片2
衡量指标为：局部平整度STIR（SBIR）≤1μm@15*15mm。（请填写良率数值）[0025]
实施例 1 2 3 4 5 6 7 8 9

[0026]冷却水温度 20℃ 22℃ 23℃ 25℃ 26℃ 27℃ 28℃ 29℃ 30℃
良率 75% 78% 80% 85% 88% 90% 94% 95% 95%

[0027] 本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本发明保护范围内。

标题	发布/更新时间	阅读量
硅胶容器-专利编号CN103482157A	2020-05-12	861
硅灰石硅肥-专利编号CN1071909A	2020-05-11	234
硅胶射嘴-专利编号CN110303641A	2020-05-12	392
二氧化硅-专利编号CN101330897B	2020-05-11	184
高硅瓷-专利编号CN101597161A	2020-05-13	102
硅胶容器-专利编号CN103482157B	2020-05-12	1021
硅石-碳化硅砖-专利编号CN1052467C	2020-05-11	289
硅石-碳化硅砖-专利编号CN1094703A	2020-05-11	166
管状硅芯-专利编号CN102757049A	2020-05-13	741
二氧化硅-专利编号CN101330897A	2020-05-13	220

硅单晶片抛光方法

硅单晶片抛光方法

技术领域

背景技术

发明内容

附图说明

具体实施方式

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式