根据现有技术，如时钟用IC，在要求耗电少即低电力这样的特性的系统 中，作为内部电路用的电源，使用定电压发生电路(稳压器)。定电压发生电 路使由外部提供的电源电压降压，以发生稳压电压。时钟用IC等的内部电路， 通过该稳压电压进行驱动。另外，这样的定电压发生电路还作为模拟的偏置电 源来使用。
第8图是表示典型的定电压发生电路的结构电路图。如图8所示，定电压 发生电路，基于电源电压通过基准电压发生源(带隙基准电压源型(band gap refe rence))1发生基准电压，通过差动放大器2进行电流放大，并进行微调 和反馈控制，以使在输出级3形成希望的输出电压。通过正电源电压VDD与 负电源电位VSS的电位差，给出电源电压。在正电源线5上给予正电源电位 VDD电位，在负电源线4上给予负电源电位VSS电位。一般在时钟用IC的 情况下，采用使正电源电位VDD为接地电位的负电源。
基准电压发生源1，例如可以构成为具有：构成电流镜电路的2个P沟道 的MOS晶体管(以下，记为PMOS晶体管)11、12以及2个N沟道的MOS 晶体管(以下，记为NMOS晶体管)13、14、和电阻15。
第一PMOS晶体管11的源极与电阻15的一端连接。电阻15的另一端与 正电源线5连接。第一PMOS晶体管11的栅极，与第二PMOS晶体管12的 栅极、漏极以及第二NMOS晶体管14的漏极连接。
第一PMOS晶体管11的漏极，与第一NMOS晶体管13的漏极、栅极以 及第二NMOS晶体管14的栅极连接。第二PMOS晶体管12的源极与正电源 线5连接。第一NMOS晶体管13的源极以及第二NMOS晶体管14的源极与 负电源线4连接。第二PMOS晶体管12的漏极与第二NMOS晶体管14漏极 的节点16，为基准电压发生源1的输出端子，从此作为基准电压输出第一电 位REF1。
作为基准电压发生源1的输出端子的节点16，与差动放大器2的另一个 输入端子和输出级3连接。差动放大器2的另一个输入端子以及输出端子，与 输出级3连接。输出级3具有：相位补偿电容器31、输出驱动用的第三NMOS 晶体管32、用于使稳压电压输出端子30的电位(稳压电压VREG)与规定的 电位差(这里为NMOS晶体管的正阈值Vth)相加的第四NMOS晶体管33、 以及成为定电流源的第三PMOS晶体管34。
差动放大器2的输出端子，经由相位补偿电容器31与稳压电压输出端子 30、第三NMOS晶体管32的漏极、第四NMOS晶体管33的源极以及基体(bulk) 连接。另外，差动放大器2的输出端子，与第三NMOS晶体管32的栅极连接。 第三NMOS晶体管32的源极，与负电源线4连接。第四NMOS晶体管33的 漏极以及栅极，与差动放大器2的所述另一个输入端子和第三PMOS晶体管 34的漏极连接。即，在差动放大器2的所述另一个输入端子上施加从第四 NMOS晶体管33的漏极输出的第二电位REF2。
第三PMOS晶体管34的栅极，与成为基准电压发生源1的输出端子的节 点16连接。即，在第三PMOS晶体管34的栅极上施加第一电位REF1。第三 PMOS晶体管34的源极与正电源线5连接。
通过以上这样的构成，差动放大器2进行这样的动作，即将稳压电压输出 端子30的电位保持在第一电位REF1与第四NMOS晶体管33的正阈值Vth 相加后的电位上。该动作是稳压器动作。
第9图表示所述第8图所示的定电压发生电路启动时的各部的电位变化。 如第9图(a)所示，接通电源后当负电源线4的电位成为负电源电位VSS时， 如图9(b)所示，第一电位REF1从正电源电位VDD缓缓地向负电源电压 VSS侧变化，从电源接通时开始经过了期间T1后，稳定在固定电压上。另外， 如图9(c)所示，第二电位REF2暂时被拉到负电源电位VSS侧后，稳定在 与第一电位REF1的稳定电位相同的电位上。当第一电位REF1和第二电位 REF2处于以相同的电位稳定的状态时，如图9(d)所示，稳压电压VREG成 为稳定后的电位。
在定电压发生电路中，尤其在发生驱动时钟用IC的驱动电压的定电压发 生电路中，除了如上所述要求减少耗电之外，还要求在接通电源后直到成为稳 定电位的启动性良好，以及针对电源电压变动的输出电位稳定。
对于在上述的定电压发生电路中要求的启动性进行说明。当对直到稳压电 压VREG的电位稳定的过渡期的动作进行详细说明时，成为以下这样。在电 源接通之后，相位补偿电容器31和与第三NMOS晶体管32的栅极体电容C 为无电荷状态。因此，稳压电压VREG的电位大致表现为负电源电位VSS(第 9(d)图)。另外，在电源接通之后，第三PMOS晶体管34的栅极偏置(第 一电位REF1)浅。因此，第三PMOS晶体管34的电流供给能力是很低的， 不能迅速对相位补偿电容器31和与第三NMOS晶体管32的栅极体电容C进 行充电。
因此，存在稳压电压VREG大致成为电源电压的期间T1。当基准电压发 生源1的输出电位(第一电位REF1)稳定后，第三PMOS晶体管34一旦得 到规定的电流供给能力，就对相位补偿电容器31和与第三NMOS晶体管32 的栅极体电容C进行充电。由此，稳压电压VREG的电位成为希望的电位。
如上所述，在图8所示的定电压发生电路中，其启动性依存于基准电压发 生源1的启动性。尤其，在要求低耗电特性的时钟用IC的情况下，基准电压 发生源1，由高电阻的电阻15、和被高阻抗(沟道长L大)化的MOS晶体管 11、12、13、14组成，所以动作电流变小，到收敛于稳定动作点的时间(期 间T1)变长。
该期间T1还根据MOS晶体管11、12、13、14的阈值Vth、环境温度以 及施加的负电源电位VSS值而变动，而在室温下为数百毫秒左右，在低温下 为数～数十秒。因此，在将图8所示的定电压发生电路作为内部电路用的电源 来使用时，存在这样的问题：由于稳压电压VREG与电源电压大致相等，所 以启动时的耗电增大。另外，在将该定电压发生电路作为模拟偏置电源来使用 时，存在这样的问题：由于至少在期间T1中不能提供适当的偏置电压，所以 成为误动作的原因。
与这些启动性相关的问题点，可以通过在电源接通之后使流入基准电压发 生源1的电流暂时增加、加速向稳定动作点的收敛来解决。由此，本申请人首 先提出了用于改善基准电压发生源1的启动性的提案(例如，参照专利文献1)。 在此提案中如图10所示，在形成基准电压发生源1的输出端子的输出节点16 与负电源线4之间连接着电容器17。在电源接通时，电容器17为无电荷状态。 因此，输出节点16被强制性拉到负电源电位VSS。由此，在基准电压发生源 1中暂时流较多的电流，在短时间内收敛于稳定动作点。
但是，之后，在上述提案中，已经判明：在所述的定电压发生电路中所要 求的、作为另一个要求的、对于电源电压的变动的输出电位的稳定性方面存在 问题，有时不能得到充分的稳定性。
例如，如由太阳电池系统驱动的太阳能时钟那样，在采用通过发电元件蓄 电于二次电池中的电源来驱动系统时，由于发电量而电源电压变动。在这样的 系统中，如上所述，在适用了通过电容器来加速向稳定动作点的收敛的提案时， 通过以启动性改善为目的而附加的电容，使输出电位随着电源变动而变动。
例如第11图所示，当负电源电位VSS变动时，保持电容器17的充电电 压，由此电源的电位变动量原样不变地重叠在输出电位上，基准电压发生源1 的输出节点16的电位随着电源变动而变动。因此，对于电源变动的输出电位 的稳定性较低。另一方面，如果使电容器17的容量变小，则可以缓解电源变 动的影响，不过在此情况下不能充分得到启动性改善的效果。
另一方面，作为改善对于电源电压的变动的输出电位的稳定性的技术，提 出了特开昭62-296213号公报。在该文献中所示的定电压电路，具有电流镜 电路和第一定电压元件，在将第一定电压元件的非基准电位侧端子作为输出端 的定电压电路中，设置有：启动电阻与第二定电压元件的串联电路；和在第一、 第二定电压元件的非基准电位侧的端子间连接的开关元件。
在此构成中，通过在启动初期的时刻导通开关元件流出启动电流，来使定 电压电路启动，在导通后切断开关元件。该开关元件在第一导通状态下，将启 动电流提供给第一定电压元件来进行偏置，由此使定电压电路初期启动，在第 二关断状态下，通过停止该启动电流的供给来免受电源电压变动的影响。
另外，除了上述的结构之外，还提出了这样的定电压电路：对构成定电压 发生电路具有的电流镜电路的晶体管的栅极电位进行控制使动作电流增加，由 此取得不依存于电源电压变动的输出电位，并且在接通电源之后得到在短时间 内稳定的电位。(例如，参照专利文献2～5)
专利文献1：登记实用新型第2594470号公报
专利文献2：特开2002-132359号公报
专利文献3：专利第3149992号
专利文献4：特开平09-265329号公报
专利文献5：特开平05-204480号公报
该定电压发生电路，例如，具有：基准电压发生源，其发生用于根据电源 电压生成稳压电压的基准电压；和栅极控制单元，其控制构成电流镜电路的晶 体管的栅极电位，以使在电源接通之后的一定期间内，流入包含在基准电压发 生源中的电流镜电路的电流量增加。
栅极控制单元控制晶体管的栅极电位。通过将栅极置为导通状态来使电流 镜电路的动作电流增加，在电源接通后得到在短时间内稳定的电位。另外，通 过将栅极置为关断状态来防止由电源电压变动引起的输出电位的变动。
第12图是表示控制电流镜电路的栅极电位的定电压发生电路的结构电路 图。图12所示的电路表示以上述第8图的结构为基础的例子。该电路的结构 被构成为在图8所示的定电压发生电路中设置有开关单元71、和进行开关单 元71的开闭控制的开关控制单元72这样的结构。
开关单元71连接在构成基准电压发生源1的电流镜电路的第一以及第二 PMOS晶体管11、12的各栅极，即成为基准电压发生源1的输出端子的输出 节点16与负电源线4之间。
开关控制单元72，输出在电源接通之后瞬间使开关单元71成为闭合(接 通)状态的控制信号。由此，开关单元71仅在电源接通后的一定期间内成为 闭合状态，之后成为断开(关断)状态。开关单元71例如由MOS晶体管构 成。
在电源接通后的一定期间内，通过开关单元71以及开关控制单元72来控 制第一PMOS晶体管11的栅极电位以及第二PMOS晶体管12的栅极电位。 因此，开关单元71以及开关控制单元72具有作为栅极控制单元的功能。另外， 开关单元71以及开关控制单元72，在电源接通之后的一定期间内将成为基准 电压发生源1的输出端子的输出节点16连接在负电源线4上，所以具有作为 基准电压控制单元的功能。
第13图是开关控制单元72的电路图，由电阻73、电容器74以及倒相器 (inverter)75构成。电阻73与电容器74串联连接在正电源电位VDD和负电 源电位VSS之间。倒相器75的输入端子连接在电阻73与电容器74的连接节 点76上。从倒相器75的输出端子77中输出控制开关单元71开闭的控制信 号。
第14图是表示图13所示的开关控制单元72启动时的电位变化的波形图。 如图14(b)所示，连接节点76的电位，在与接通电源后负电源线4的电位 成为负电源电位VSS(第14(a)图)的同时，成为负电源电位VSS。之后， 连接节点76的电位通过电容器74的蓄积，缓缓向正电源电位VDD侧变化。
如图14(c)所示，倒相器75的输出端子77的电位，在电源接通后、连 接节点76的电位到达电源电压的二分之一(VSS/2)之前，为正电源电位VDD， 倒相器75的输出端子77的电位，当连接节点76的电位在电源电压的二分之 一(VSS/2)以上、成为正电源电位VDD侧时，成为负电源电位VSS。开关 单元71从电源接通开始，直到在倒相器75的输出端子77的电位从正电源电 位VDD反转到负电源电位VSS之前的期间T2之间，为闭合状态。
可是，上述定电压电路为通过开关控制单元72来控制开关单元71的接通、 关断这样的结构，所以存在必需另外准备并设置开关控制单元72这样的问题。 另外，该开关控制单元72，电源接通后的闭合状态的期间，根据向电容器74 的充电时间来确定。因此，为了缩短该期间T2可以通过将电阻73作成低电 阻、或者将电容器74作成小容量来减少时间常数，但是在这种结构中存在这 样的问题：较大的电流在短时间内流入开关控制单元72中，由此必需考虑构 成开关控制单元72的元件的耐电流特性、以及在开关电流单元中发生的噪音。

本发明的目的是，要消除基于上述现有技术所发生的问题，在定电压发生 电路中，输出这样的稳压电压：不受电源变动的影响、对于电源电压的变动输 出电位稳定，且从电源接通至稳定电位的启动性良好，接通电源之后在短时间 内稳定。
此外，本发明的目的是，通过不需要开关控制单元这样的附加电路的、简 易的电路结构，实现对于上述电源电压变动的输出电位的稳定性、从电源接通 至稳定电位的良好的启动性。
另外，本发明的目的是，构成这样的电路结构，不用考虑噪音及元件的耐 电流特性，可以得到接通电源后在短时间内稳定的稳压电压。
本发明为了解决上述的课题、实现目的，具有以下的形态。图1是用于说 明本发明定电压发生电路概略结构的概略电路图。
在图1中，定电压发生电路输出使电源电压(VSS)降压后得到的稳压器 电压(VREG)。此外，这里，电源电压的一端为接地电压(VDD)。
本发明的定电压发生电路，具有：基准电压发生源1和差动放大器2，该 基准电压发生源1，根据电源电压(VSS)产生用于生成稳压器电压(VREG) 的基准电压；该差动放大器2，在一个输入端子上输入基准电压发生源1的输 出电位(REF1)，在另一个输入端子上输入稳压器电压输出端子的电压(VREG) 与规定的电位差(Δv)相加后的电位(REF2)，根据输入到上述2个输入端子 的电位(REF1、REF2)来使稳压器电压输出端子的电位保持恒定地进行动作。
此外，还具有开关单元6，其在接通电源之后的一定期间内，向增加基准 电压发生源1输出端10的电流量的方向控制输出电位。开关单元6含有控制 接通状态与关断状态的切换的晶体管，该晶体管根据输入到差动放大器的另一 个输入端子的电位(REF2)，进行接通状态与关断状态的切换控制。
通过开关单元6成为接通状态，使基准电压发生源1输出端10的电位变 化，使从基准电压发生源1的输出端10向差动放大器2侧的电流量增加，由 此，从电源接通时短时间内可以使基准电压发生源的输出电压稳定，使稳压器 电压稳定。另外，通过将开关单元6置为关断状态，可以防止由电源电压变动 引起的输出电位的变动。
因为根据输入到差动放大器2的另一个输入端子的电位(REF2)来控制 该开关单元6，所以不需要另准备设置用于控制该开关单元6的开关控制单元， 以简易的结构就可以实现。本发明的开关单元，可以通过多个方式来控制基准 电压发生源的输出电位。
本发明开关单元的第一方式和第二方式，是在电源接通后的一定期间内， 将基准电压发生源的输出端子连接到差动放大器的另一个输入端子上的方式。
根据第1方式以及第2方式，在电源接通后的一定期间内，开关单元成为 接通状态，这样，将输入到差动放大器的一个输入端子上的电位(REF1)下 拉至输入到另一个输入端子的电位(REF2)。由此，基准电压发生源中流过的 电流量增加，在短时间内使基准电压发生源的输出电压稳定，使稳压器电压稳 定。
另外，通过将开关单元6置为关断状态，来防止穿透电流，防止由电源电 压变动引起的输出电位的变动。
本发明开关单元的第3方式，为在电源接通后的一定期间内，将基准电压 发生源的输出端子连接到负电源线上的方式。
根据第3方式，在电源接通后的一定期间内，开关单元成为接通状态，由 此将输入到差动放大器的另一个输入端子的电位(REF1)下拉至负电源电压 (VSS)。由此在基准电压发生源中流过的电流量增加，在短时间内使基准电 压发生源的输出电压稳定，使稳压器电压稳定。
本发明开关单元的第4方式，为在电源接通后的一定期间内，将基准电压 发生源的输出端子连接到稳压器电压输出端子上的方式。
根据第4方式，在电源接通后的一定期间内，开关单元成为接通状态，由 此将输入到差动放大器的一个输入端子的电位(REF1)下拉至稳压器电压输 出端子的电压(VREG)。由此，在基准电压发生源中流过的电流量增加，在 短时间内使基准电压发生源的输出电压稳定，使稳压器电压稳定。
因为稳压器电压输出端子的电压(VREG)，是与负电源电位VSS相比更 靠近于正电源电位VDD的电压，所以可以降低开关单元为关断状态的稳定状 态下的漏电流。
本发明开关单元可以做成这样的结构：包含N沟道或者P沟道的晶体管， 该晶体管根据输入到差动放大器的所述另一个输入端子的电位，控制接通状态 与关断状态的切换。
另外，基准电压发生源，例如可以做成含有电流镜电路、含有电阻和二极 管的串联电路等各种结构。
在含有电流镜电路的基准电压发生源中，通过开关单元，在电源接通之后 的一定期间内，控制构成电流镜电路的晶体管的栅极电位，来增加在电流镜电 路中流过的电流量，由此，在短时间内使基准电压发生源的输出电位稳定。
另外，在包含连接在电源电压上的、定电压二极管和电阻的串联电路的基 准电压发生源中，通过开关单元，在电源接通之后的一定期间内，控制构成串 联电路的定电压二极管和电阻的连接点的电位，增加在串联电路中流过的电流 量，由此，在短时间内使基准电压发生源稳定。这是本发明的第5方式。

图1是表示本发明定电压发生电路的概略结构电路图。
图2是用于说明本发明定电压发生电路的第1方式的电路图。
图3是表示图2所示的定电压发生电路启动时的电位变化波形图。
图4是用于说明本发明定电压发生电路的第2方式的电路图。
图5是用于说明本发明定电压发生电路的第3方式的电路图。
图6是用于说明本发明定电压发生电路的第4方式的电路图。
图7是作为第5方式用于说明本发明定电压发生电路的第1方式的其它电 路例的电路图。
图8表示典型的定电压发生电路的结构电路图。
图9是表示图8所示的定电压发生电路启动时的电位变化波形图。
图10是表示现有的改善了启动性的基准电压发生源的结构电路图。
图11是表示图10所示的基准电压发生源的输出节点的电位变化波形图。
图12是表示控制电流镜电路栅极电位的定电压发生电路的结构电路图。
图13是表示开关控制单元一例的电路图。
图14是图13所示的开关控制单元启动时的电位变化的波形图。

以下，参照附图来详细地说明本发明定电压发生电路的最佳实施方式。此 外，这里表示出了使上述图8所示的典型的定电压发生电路适用了本发明的方 式，但是本发明的适用不仅仅限定于该定电压发生电路，也可以适用于由其它 结构组成的定电压发生电路。
因此，在以下各实施方式中，对于与上述图8所示的结构相同的结构，标 注相同符号并省略说明。
此外，如在所述第1图所示，以下所示的本发明的各实施方式，为具有根 据输入到差动放大器的另一个输入端子的电位(REF2)进行接通状态与关断 状态的切换控制的开关单元这样的结构，通过该开关单元的开闭动作，在接通 了电源之后的一定期间内，在增加基准电压发生源输出端的电流量的方向上， 控制输出电位。
以下所示的各实施方式，通过开关单元的开闭动作，在电源接通之后的一 定期间内，将基准电压发生源的输出端子与低电压的部位连接，由此，增加基 准电压发生源输出端的电流量。向电压发生源输出端子的低电位部位的连接， 在第1、2实施方式、以及第5实施方式中，通过与差动放大器的另一个输入 端子连接来进行，在第3实施方式中通过与负电源线连接来进行，在第4实施 方式中通过与稳压器电压输出端子连接来进行。另外，该开关单元的控制，通 过输入到差动放大器的另一个输入端子的电位来进行。
此外，在以下第1实施方式～第4实施方式中，作为基准电压发生电路采 用含有电流镜电路的例子进行说明，在第5实施方式中，作为基准电压发生电 路采用含有电阻和定电压二极管的串联电路的例子进行说明。
第1实施方式：
第2图是表示第1实施方式的定电压发生电路的结构电路图，是在电源接 通之后的一定期间内，将电压发生源的输出端子连接在差动放大器的另一个输 入端子上的方式。
如图2所示，第1实施方式，由NMOS晶体管61来构成开关单元6，通 过定电压发生电路内的信号(输入到差动放大器的另一个输入端子的电位)来 控制该NMOS晶体管61的接通状态和关断状态的切换。NMOS晶体管61开 闭状态的切换，通过施加在晶体管上的电位来控制，所以在第1实施方式中不 需要现有结构的开关控制单元72。
NMOS晶体管61的栅极以及漏极与基准电压发生源1的输出节点16(输 出端子10)连接。另一方面，NMOS晶体管61的源极以及基体与差动放大器 2的另一个输入端子连接。即，在NMOS晶体管61的栅极以及漏极上施加第 一电位REF1，在该源极以及基体上施加第二电位REF2。
第3图是表示图2所示的定电压发生电路启动时的各部的电位变化波形 图。如第3(a)图所示，在接通电源后负电源线4的电位成为了负电源电位 VSS的时刻，如第3(b)图以及第3(c)图所示，第一电位REF1与第二电 位REF2存在电位差。即，NMOS晶体管61的栅极相对于源极施加了正电位。 在存在该电位差时，NMOS晶体管61成为导通状态，第一电位REF1被拉至 第二电位REF2。由此，在电流镜电路中流过的电流量增加。
并且，当通过差动放大器2的动作第一电位REF1与第二电位REF2成为 以相同的电位稳定的状态时，如第3(d)图所示，稳压电压VREG成为稳定 的电位。在达到成为该稳定状态所需的时间T3，与现有期间T1(参照第9图) 相比极短，例如在室温下是1毫秒，在低温下是10毫秒左右。
当成为稳定状态时，第一电位REF1与第二电位REF2成为同电位，所以 NMOS晶体管61成为关断状态。通过置为该关断状态，可以避免流过穿透电 流、或电源电压的变动对稳压电压VREG带来影响等这样的负面影响。
在第1实施方式中，在电源接通后的一定期间内，通过NMOS晶体管61 来控制包含在基准电压发生源1内的电流镜电路中的第一PMOS晶体管11的 栅极电位以及第二PMOS晶体管12的栅极电位。因此，NMOS晶体管61具 有作为电流镜电路的栅极控制单元的功能。
另外，NMOS晶体管61，在电源接通后的一定期间内，将成为基准电压 发生源1的输出端子的输出节点16(输出端子10)与差动放大器2中、输入 第二电位REF2的输入端子连接。因此，NMOS晶体管61，具有作为基准电 压控制单元的功能。此外，代替NMOS晶体管61可以采用二极管。
第2实施方式：
第4图是表示第2实施方式的定电压发生电路的结构电路图，与第1实施 方式相同，是在电源接通之后的一定期间内，将电压发生源的输出端子连接在 差动放大器的另一个输入端子上的方式。
如图4所示，第2实施方式由PMOS晶体管62来构成开关单元6，通过 定电压发生电路内的信号(输入到差动放大器的另一个输入端子的电位)来控 制该PMOS晶体管62的接通状态和关断状态的切换。PMOS晶体管62开闭 状态的切换，通过施加在晶体管上的电位来控制，所以在第2实施方式中也不 需要现有结构的开关控制单元72。
PMOS晶体管62的源极与基准电压发生源1的输出节点16(输出端子10) 连接。另一方面，PMOS晶体管62的栅极以及漏极与差动放大器2的另一个 输入端子连接。此外，PMOS晶体管62的基体，与正电源线5或者基准电压 发生源1的输出节点16(输出端子10)的某个连接。即，在PMOS晶体管62 的源极上施加第一电位REF1，在其栅极以及漏极上施加第二电位REF2，在 该基体上施加正电源电位VDD或者第一电位REF1。
在接通电源后负电源线4的电位成为了负电源电位VSS的时刻，第一电 位REF1与第二电位REF2存在电位差。即，PMOS晶体管62的栅极相对于 源极施加负电位。在存在该电位差时PMOS晶体管62成为接通状态，第一电 位REF1被拉至第二电位REF2。由此，在电流镜电路中流过的电流量增加。 并且，当通过差动放大器2的动作第一电位REF1与第二电位REF2成为以相 同的电位稳定的状态时，PMOS晶体管62成为关断状态。
将基体连接在正电源线5上而成为了VDD电位时，启动后在PMOS晶体 管62上加有反向控制(back gate)，所以该晶体管难以导通。PMOS晶体管62 的目的是，仅在电源接通之后的一定期间内导通以进行迅速的启动，另外在启 动后，当考虑到希望基准电源的电压变动难以被传达到第一电位REF1时，如 上所述，在启动后晶体管变得难以导通，这是合适的。
后述的第3实施方式以及第4实施方式中的PMOS晶体管63、64也是同 样。图4所示的定电压发生电路启动时的各部的电位变化与所述的第1方式相 同，其波形图如图3所示。
在第2实施方式中，在电源接通后的一定期间内，通过PMOS晶体管62 来控制基准电压发生源1具有的电流镜电路中的第一PMOS晶体管11的栅极 电位以及第二PMOS晶体管12的栅极电位。因此，PMOS晶体管62具有作 为栅极控制单元的功能。
另外，PMOS晶体管62，在电源接通后的一定期间内，将成为基准电压 发生源1的输出端子的输出节点16(输出端子10)与差动放大器2中、输入 第二电位REF2的输入端子连接。因此，PMOS晶体管62具有作为基准电压 控制单元的功能。
第3实施方式：
第5图是表示第3实施方式的定电压发生电路的结构电路图，是在电源接 通之后的一定期间内，将电压发生源的输出端子连接在负电源线上的方式。
如图5所示，第3实施方式由PMOS晶体管63来构成开关单元6，通过 定电压发生电路内的信号(输入到差动放大器的另一个输入端子的电位)来控 制该PMOS晶体管63的接通状态和关断状态的切换。PMOS晶体管63开闭 状态的切换，通过施加在晶体管上的电位来控制，所以在第3实施方式中也不 需要现有结构的开关控制单元72。
PMOS晶体管63的源极、栅极以及漏极，分别与基准电压发生源1的输 出节点16(输出端子10)、差动放大器2的另一个输入端子、以及负电源线4 连接。此外，PMOS晶体管63的基体，与正电源线5或者基准电压发生源1 的输出节点16(输出端子10)的某个连接。
即，在PMOS晶体管63的源极上施加第一电位REF1，在该栅极上施加 第二电位REF2，在该漏极上施加负电源电位VSS，在该基体上施加正电源电 位VDD或者第一电位REF1。图5所示的定电压发生电路启动时的各部的电 位变化与第1实施方式相同，其波形图如图3所示。
在第3实施方式中，在电源接通后的一定期间内，通过PMOS晶体管63 来控制第一PMOS晶体管11的栅极电位以及第二PMOS晶体管12的栅极电 位。因此，PMOS晶体管63具有作为栅极控制单元的功能。
另外，PMOS晶体管63，在电源接通后的一定期间内将成为基准电压发 生源1的输出端子的输出节点16与负电源线4连接，所以具有作为基准电压 控制单元的功能。
在第3实施方式中，与由NMOS晶体管构成现有结构的开关单元71的情 况相比有这样的优点：即使在由于到连接于系统上的负载的过电流等而导致在 电源电压上有变动时，该变动也难以被传达到第一电位REF1上。
第4实施方式：
第6图是表示第4实施方式的定电压发生电路的结构电路图，是在电源接 通之后的一定期间内，将电压发生源的输出端子连接在稳压器电压输出端子上 的方式。
如图6所示，第4实施方式由PMOS晶体管64来构成开关单元6，通过 定电压发生电路内的信号(输入到差动放大器的另一个输入端子的电位)来控 制该PMOS晶体管64的接通状态和关断状态的切换。PMOS晶体管64开闭 状态的切换，通过施加在晶体管上的电位来控制，所以在第4实施方式中也不 需要现有结构的开关控制单元72。
PMOS晶体管64的源极、栅极以及漏极，分别与基准电压发生源1的输 出节点16(输出端子10)、差动放大器2的另一个输入端子、以及稳压电压输 出端子35连接。此外，PMOS晶体管64的基体与正电源线5或者基准电压发 生源1的输出节点16的某个连接。即，在PMOS晶体管64的源极上施加第 一电位REF1，在该栅极上施加第二电位REF2，在其漏极上施加稳压电压 VREG的电位，在其基体上施加正电源电位VDD或者第一电位REF1。
图6所示的定电压发生电路启动时的各部的电位变化，与第1实施方式相 同，其波形图如图3所示。
在第4实施方式中，在电源接通后的一定期间内，通过PMOS晶体管64 来控制第一PMOS晶体管11的栅极电位以及第二PMOS晶体管12的栅极电 位。因此，PMOS晶体管64具有作为栅极控制单元的功能。另外，PMOS晶 体管64，在电源接通后的一定期间内将成为基准电压发生源1的输出端子的 输出节点16与稳压电压输出端子30连接，所以具有作为基准电压控制单元的 功能。
在第4实施方式中，与负电源电位VSS相比稳压电压VREG更靠近于正 电源电位VDD，所以有这样的优点：在稳定状态、即PMOS晶体管64为关 断状态时的PMOS晶体管64的漏电流，比第3实施方式的PMOS晶体管63 的漏电流少。
第5实施方式：
第7图是表示第5实施方式的定电压发生电路的结构电路图，与上述的第 1实施方式相同，是在电源接通之后的一定期间内，将电压发生源的输出端子 连接在差动放大器的另一个输入端子上的方式，而且是这样的构成例：作为基 准电压发生源，代替电流镜电路，采用了串联连接定电压二极管和电阻的定电 压电路。
如图7所示，第5实施方式，除了基准电压发生源1的结构不同之外，与 第2图的电路结构相同。
基准电压发生源1，由串联连接定电压二极管18和电阻17的定电压电路 构成，将电阻17和定电压二极管18的连接点连接在输出端10上。
NMOS晶体管61的栅极以及漏极与基准电压发生源1的输出端10连接。
第5实施方式，与上述的第1实施方式同样地动作，在电源接通后的一定 期间内，通过NMOS晶体管61控制包含在基准电压发生源1内的定电压电路 中的定电压二极管18与电阻17的连接点电位。
另外，NMOS晶体管61，在电源接通后的一定期间内，将作为基准电压 发生源1的输出端子的输出端子10与在差动放大器2中输入第二电位REF2 的输入端子连接。因此NMOS晶体管61具有作为基准电压控制单元的功能。
在上述例中，表示了这样的例子：作为基准电压发生源，由电流镜电路、 或者串联连接定电压二极管和电阻构成，而且即使是其它结构的定电压电路也 可以同样适用。例如，也可以在定电压二极管18和电阻17之间设置双极晶体 管。此时，将双极晶体管的发射极连接在定电压二极管18上，将集电极连接 在电阻17上，将基极连接在输出端子10上。
如以上说明，根据各实施方式，取得了这样的效果：接通电源后，基准电 压发生源1的输出电位REF1在短时间内稳定在希望的电压上，所以立刻输出 希望的稳定的稳压电压VREG。另外，在成为基准电压发生源1的输出端子的 输出节点16与负电源线4之间不连接电容器，所以基准电压发生源1的输出 可以不受电源变动影响地完成。因此，取得稳压电压VREG稳定这样的效果。
另外，在各实施方式中，电源电压例如是3V左右，作为以其一半左右的 稳压电压VREG来驱动的、低耗电的小型电子设备的定电压发生电路是有效 的，例如使用在内置于时钟的定电压发生电路中。
在以上所述中，本发明，不限于上述的实施方式，可以进行各种变更。例 如，定电压发生电路的基本结构不限于图8所示的结构。另外，开关单元6 不限于MOS晶体管。
如以上所述，本发明的定电压发生电路，对以将电源电压降压后的稳压电 压来驱动的小型电子机器是有用的，尤其，适用于例如包含太阳能时钟的所有 时钟。