在电子电路开发时，有时需要根据控制信号选择并输出多个输入电压的 其中之一的电路(以下称电压选择电路)。这种电路例如图5所示，可使用 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)构成。
在图5中，通过P型MOSFET(M1)、以及N型MOSFET(M2)构成 第1反相器INV1。并且，通过P型MOSFET(M3)、以及N型MOSFET(M4) 构成第2反相器INV2。P型MOSFET(M5)、以及N型MOSFET(M6)构 成第1选通门(transmission gate)SW1。P型MOSFET(M7)、以及N型 MOSFET(M8)构成第2选通门SW2。另外，二极管D1～D4是MOSFET (M5～M8)各自的寄生二极管。
第1反相器INV1作为控制信号被输入IN(‘H’(高电平)或‘L’(低 电平))。第1反相器INV1的输出被分别输入到第2反相器INV2、MOSFET (M5)的栅极、以及MOSFET(M8)的栅极。另外，第2反相器INV2的 输出被分别输入到MOSFET(M6)的栅极、以及MOSFET(M7)的栅极。
MOSFET(M5)的源极、以及MOSFET(M6)的源极上被分别施加根 据控制信号IN所选择的第1输入电压V1。MOSFET(M7)的源极、以及 MOSFET(M8)的源极上被分别施加根据控制信号IN所选择的第2输入电 压V2。
MOSFET(M5～M8)的漏极被共用地连接，基于根据控制信号IN所选 择的第1输入电压V1或第2输入电压V2的任何一个的输出电压V3被输出 到该连接线上。
此时，在图5所示的电压选择电路中，假设作为控制信号IN被输入了‘H’ (高电平)。这时，MOSFET(M5)的栅极、以及MOSFET(M8)的栅极被 分别输入‘L’(低电平)，而MOSFET(M6)的栅极、以及MOSFET(M7) 的栅极被分别输入‘H’(高电平)。因此，选通门SW1为导通，另一方面， 选通门SW2为截止，作为此时的输出电压V3变成被输出基于第1输入电压 V1的电压。
另一方面，在图5所示的电压选择电路中，假设作为控制信号IN被输入 了‘L’(低电平)。此时，MOSFET(M5)的栅极、以及MOSFET(M8)的 栅极被分别输入‘H’(高电平)，而MOSFET(M6)的栅极、以及MOSFET (M7)的栅极被分别输入‘L’(低电平)。因此，选通门SW1为截止，另一 方面，选通门SW2为导通，作为此时的输出电压V3变成被输出基于第2输 入电压V2的电压。
图6表示电压选择电路的其他例。在该图中，P型MOSFET(M1)、以 及N型MOSFET(M2)构成第1反相器INV1。而P型MOSFET(M3)、 以及N型MOSFET(M4)构成第2反相器INV2。N型MOSFET(M5)、以 及N型MOSFET(M6)漏极之间以及栅极之间被分别共用地连接，并由它 们构成第1开关电路SW1。N型MOSFET(M7)、以及N型MOSFET(M8) 的漏极之间以及栅极之间分别被共用地连接并由它们构成第2开关电路 SW2。另外，二极管D1～D4分别是MOSFET(M5～M8)的寄生二极管。
在图6所示的电压选择电路中，对第1反相器INV1输入控制信号IN(‘H’ (高电平)或‘L’(低电平))。另外，第1反相器INV1的输出被分别输入 到第2反相器INV2、MOSFET(M7)的栅极、以及MOSFET(M8)的栅极。 另外，第2反相器INV2的输出被分别输入到MOSFET(M5)的栅极、以及 MOSFET(M6)的栅极。
MOSFET(M6)的源极上被施加根据控制信号IN所选择的第1输入电 压V1。MOSFET(M8)的源极上被施加根据控制信号IN所选择的第2输入 电压V2。MOSFET(M5)的源极、以及MOSFET(M7)的源极被共用地连 接，基于根据控制信号IN所选择的第1输入电压V1或第2输入电压V2的 任何一个的输出电压V3被输出到该连接线上。
此时，在图6所示的电压选择电路中，假设作为控制信号IN被输入了‘H’ (高电平)。这时，MOSFET(M5)的栅极、以及MOSFET(M6)的栅极被 输入‘H’(高电平)，而MOSFET(M7、M8)的栅极被输入‘L’(低电平)。 因此，开关电路SW1为导通，另一方面，开关电路SW2为截止，此时作为 输出电压V3变成被输出基于第1输入电压V1的电压。
另一方面，假设作为控制信号IN被输入‘L’(低电平)时，MOSFET (M5)的栅极、以及MOSFET(M6)的栅极被输入‘L’(低电平)，而MOSFET (M7)的栅极、以及MOSFET(M8)的栅极被输入‘H’(高电平)。因此， 开关电路SW1为截止，另一方面，开关电路SW2为导通，此时作为输出电 压V3变成被输出基于第2输入电压V2的电压。
【专利文献1】特开平10-84271号公报
【专利文献2】特开平2003-32090号公报
但是，在图5所示的电路中，例如控制信号IN为‘H’(高电平)的情 况下，MOSFET(M5)、以及MOSFET(M6)导通，MOSFET(M7)、MOSFET (M8)为截止。此时，如果V1+Vd1＜V2(Vd1为寄生二极管D3、D4的正向 电压)，则寄生二极管D3、D4导通，在寄生二极管D3、D4→MOSFET(M5、 M6)的路径上会流过电流。控制信号IN为‘L’(低电平)的情况也一样， 如果V1+Vd2＜V1(Vd2为寄生二极管D1、D2的正向电压)，则寄生二极管D1、 D2导通，在寄生二极管D1、D2→MOSFET(M7、M8)的路径上会流过电 流。
另一方面，在图6所示的电路中，例如控制信号IN为‘H’(高电平) 的情况下，MOSFET(M5)、以及MOSFET(M6)导通，MOSFET(M7)、 MOSFET(M8)截止。此时，在变为V1＜Vss-Vt(Vt为MOSFET(M7、M8) 导通所需要的电压)，V1+Vd3＜V2(Vd3为寄生二极管D4的正向电压)的情况 下，MOSFET(M7)的栅极电压＝Vss，另外，因为MOSFET(M5)、以及 MOSFET(M6)导通，所以输出电压V3＝第1输入电压V1，MOSFET(M7) 的栅极/源极间电压VGS＞Vt，MOSFET(M7)导通。因此，在MOSFET(M8) 的寄生二极管D4→MOSFET(M7)→MOSFET(M5)的寄生二极管D1→ MOSFET(M6)的路径上会流过电流。
另外，控制信号IN为‘L’(低电平)的情况下也一样，在满足上述电 压关系的情况下，MOSFET(M6)导通，MOSFET(M8)→MOSFET(M7) →MOSFET(M5)的寄生二极管D1→MOSFET(M6)的路径上会流过电流。
这样，在图5以及图6的任何一个电路中都会发生电流损失，所以输出 电压V3因此变得不稳定，作为输出电压V3未必能够获得与第1输入电压 V1以及第2输入电压V2相同的电压。

本发明是鉴于以上的问题而完成的，其目的在于提供一种可以稳定输出 与输入电压相等的电压的电压选择电路。
为了实现上述目的的本发明中第1权利要求项中记载的发明是一种电压 选择电路，包括：第1至第4反相器；包含各自漏极之间共用地连接的N型 第1MOSFET以及N型第2MOSFET的第1开关电路；以及包含各自漏极之 间共用地连接的N型第3MOSFET以及N型第4MOSFET的第2开关电路， 进行连接，以使所述第1至第4反相器上被输入共同的驱动电压、所述第1 反相器以及第3反相器上被输入控制信号、所述第1反相器的输出被输入到 所述第2反相器以及所述第4MOSFET的栅极、所述第2反相器的输出被输 入到所述第1MOSFET的栅极、所述第3反相器的输出被输入到所述第4反 相器以及所述第3MOSFET的栅极、所述第4反相器的输出被输入到所述第 2MOSFET的栅极，所述第2MOSFET的源极上被输入根据所述控制信号所选 择的第1输入电压；所述第4MOSFET的源极上被输入根据所述控制信号所 选择的第2输入电压，设定所述驱动电压、所述第1输入电压、以及所述第 2输入电压的值，以使所述第1MOSFET或者所述第3MOSFET在导通时各自 栅极/源极间电压比栅极/源极间阈值电压大。
根据本发明，作为控制信号被输入‘H’(高电平)的情况下，因为第 2MOSFET导通，所以第1MOSFET的漏极电压为第1输入电压。另外，因为 第4MOSFET截止，所以第3MOSFET的漏极电压为开路(高阻抗)。而且， 在第1MOSFET的栅极上因为被输入‘H’(高电平)，所以第1MOSFET的栅 极电压为驱动电压。而且，第3MOSFET的栅极上因为被输入‘L’(低电平)， 所以第3MOSFET的栅极电压为第1输入电压。
这里，第1MOSFET的漏极/源极间的电流增大时，第1MOSFET的源极 电压会接近第1输入电压V1。因此，第1MOSFET的栅极/源极间电压增大， 由此第1MOSFET的源极电压(此为输出电压)会接近第1输入电压。并且， 通过这样的正反馈，第1MOSFET会自动地充分地导通，其结果，作为输出 电压会获得与第1输入电压相等的电压。
另外，作为控制信号被输入‘L’(低电平)的情况下，因为第4MOSFET 导通，所以第3MOSFET的漏极电压为第2输入电压。另外，因为第2MOSFET 截止，所以第1MOSFET的漏极电压为开路(高阻抗)。在第3MOSFET的栅 极上因为被输入‘H’(高电平)，所以第3MOSFET的栅极电压为驱动电压。 而且，第1MOSFET的栅极上因为被输入‘L’(低电平)，所以第1MOSFET 的栅极电压为第2输入电压。
这里，第3MOSFET的漏极/源极间的电流增大时，第3MOSFET的源极 电压会接近第2输入电压。因此，第3MOSFET的栅极/源极间电压增大，由 此第3MOSFET的源极电压(此为输出电压)会接近第2输入电压。并且， 通过这样的正反馈，第3MOSFET会自动且充分地导通，其结果，作为输出 电压可获得与第2输入电压相等的电压。
这样，在本发明的电压选择电路中，作为控制信号IN被输入‘H’(高 电平)的情况下，与第1输入电压相等的电压作为输出电压被输出，另一方 面，作为控制信号IN被输入‘L’(低电平)的情况下，与第2输入电压相等 的电压作为输出电压被输出。因此，在本发明的电压选择电路中，作为输出 电压可以稳定输出与第1输入电压或第2输入电压相等的电压。
另外，本发明中第2权利要求项中所述的发明是一种电压选择电路，包 括：第1至第4反相器；包含各自漏极之间共用地连接的P型第1MOSFET 以及P型第2MOSFET的第1开关电路；以及包含各自漏极之间共用地连接 的P型第3MOSFET以及P型第4MOSFET的第2开关电路，进行连接、以 使所述第1至第4反相器上被输入共同的驱动电压、所述第1反相器以及第 3反相器上被输入控制信号、所述第1反相器的输出被输入到所述第2反相 器以及所述第4MOSFET的栅极、所述第2反相器的输出被输入到所述第 1MOSFET的栅极、所述第3反相器的输出被输入到所述第4反相器以及所述 第3MOSFET的栅极、所述第4反相器的输出被输入到所述第2MOSFET的 栅极，所述第2MOSFET的源极上被输入根据所述控制信号所选择的第1输 入电压，所述第4MOSFET的源极上被输入根据所述控制信号所选择的第2 输入电压，设定所述驱动电压、所述第1输入电压、以及所述第2输入电压 的值，使得所述第1MOSFET或者所述第3MOSFET在导通时各自栅极/源极 间电压比栅极/源极间阈值电压大。
根据本发明，作为控制信号被输入‘L’(低电平)的情况下，因为第 2MOSFET导通，所以第1MOSFET的漏极电压为第1输入电压。另外，因为 第4MOSFET截止，所以第3MOSFET的漏极电压为开路(高阻抗)。而且， 在第1MOSFET的栅极上因为被输入‘L’(低电平)，所以第1MOSFET的栅 极电压为驱动电压。而且，第3MOSFET的栅极上因为被输入‘H’(高电平)， 所以第3MOSFET的栅极电压为第1输入电压。
这里，第1MOSFET的漏极/源极间的电流增大时，第1MOSFET的源极 电压会接近第1输入电压。因此，第1MOSFET的栅极/源极间电压增大，由 此第1MOSFET的源极电压(此为输出电压)会接近第1输入电压。并且， 通过这样的正反馈，第1MOSFET会自动且充分地导通，其结果，作为输出 电压可获得与第1输入电压V1相等的电压。
另外，作为控制信号IN被输入‘H’(高电平)的情况下，因为第 4MOSFET导通，所以第3MOSFET的漏极电压为第2输入电压。另外，因为 第2MOSFET截止，所以第1MOSFET的漏极电压为开路(高阻抗)。而且， 在第3MOSFET的栅极上因为被输入‘L’(低电平)，所以第3MOSFET的栅 极电压为驱动电压。而且，第1MOSFET的栅极上因为被输入‘H’(高电平)， 所以第1MOSFET的栅极电压为第2输入电压。
这里，第3MOSFET的漏极/源极间的电流增大时，第3MOSFET的源极 电压会接近第2输入电压。因此，第3MOSFET的栅极/源极间电压增大，由 此第3MOSFET的源极电压(此为输出电压)会接近第2输入电压。并且， 通过这样的正反馈，第3MOSFET会自动地充分地导通，其结果，作为输出 电压会获得与第2输入电压V2相等的电压。
这样，在本发明的电压选择电路中，作为控制信号IN被输入‘L’(低 电平)的情况下，与第1输入电压相等的电压作为输出电压被输出，另一方 面，作为控制信号IN被输入‘H’(高电平)的情况下，与第2输入电压相 等的电压作为输出电压被输出。因此，在本发明的电压选择电路中，作为输 出电压可以稳定输出与第1输入电压或第2输入电压相等的电压。
根据本发明，可以提供一种稳定输出与输入电压相等的电压的电压选择 电路。

图1是作为本发明的一实施方式进行说明的、使用MOSFET构成的电压 选择电路的电路图。
图2是说明输入到作为本发明的一实施方式表示的MOSFET(M9)以 及MOSFET(M11)的各自端子的电压状态的等价电路。
图3是说明输入到作为本发明的一实施方式表示的MOSFET(M10)以 及MOSFET(M12)的各自端子的电压状态的等价电路。
图4是作为本发明的一实施方式进行说明的、使用MOSFET构成的电压 选择电路的电路图。
图5是表示电压选择电路的一例的图。
图6是表示电压选择电路的其他一例的图。

以下，详细说明本发明的实施方式。
<实施方式1>
图1表示作为本发明的一实施方式进行说明的、使用MOSFET构成的电 压选择电路的电路图。在该图中，P型MOSFET(M1)、以及N型MOSFET (M2)构成第1反相器INV1。另外，P型MOSFET(M3)、以及N型MOSFET (M4)构成第2反相器INV2。P型MOSFET(M5)、以及N型MOSFET(M6) 构成第3反相器INV3。P型MOSFET(M7)、以及N型MOSFET(M8)构 成第4反相器INV4。
N型MOSFET(M9)(第1MOSFET)的漏极、以及N型MOSFET(M10) (第2MOSFET)的漏极被共用地连接，由它们构成第1开关电路SW1。另 外，N型MOSFET(M11)(第3MOSFET)的漏极、N型MOSFET(M12) (第4MOSFET)的漏极被共用地连接，由它们构成第2开关电路SW2。此 外，在该图中，与MOSFET(M9～M12)并述的各自二极管D1～D4是各自 MOSFET(M9～12)的寄生二极管。
在图1所示的电压选择电路中，对第1反相器INV1、以及第3反相器 INV3共同输入控制信号IN(‘H’(高电平)或‘L’(低电平))。并且，第1 反相器INV1的输出被分别输入到第2反相器INV2、以及MOSFET(M12) 的栅极。另外，第2反相器INV2的输出被输入到MOSFET(M9)的栅极。 第3反相器INV3的输出被分别输入到第4反相器INV4、以及MOSFET(M11) 的栅极。第4反相器INV4的输出被输入到MOSFET(M10)的栅极。另外， MOSFET(M1，M3，M5，M7)的源极上被施加驱动电压VDD。
MOSFET(M2)的源极、以及MOSFET(M4)的源极上被施加根据控 制信号IN所选择的、第2输入电压V2。MOSFET(M6)的源极、以及MOSFET (M8)的源极上被施加根据控制信号IN所选择的、第1输入电压V1。另外， MOSFET(M9)的源极和MOSFET(M11)的源极被共用地连接，基于根据 控制信号IN所选择的第1输入电压V1、或第2输入电压V2的任何一个的 输出电压V3被输出到该连接线上。
此时，在图1所示的电压选择电路中，假设作为上述控制信号IN被输入 了‘H’(高电平)。这时，MOSFET(M9)的栅极、以及MOSFET(M10) 的栅极都被输入‘H’(高电平)。MOSFET(M11)的栅极、以及MOSFET (M12)的栅极都被输入‘L’(低电平)。因此，此时开关电路SW1为导通， 而开关电路SW2为截止，作为输出电压V3被输出基于第1输入电压V1的 电压。
图2是说明在该时刻，对MOSFET(M9)、以及MOSFET(M11)的各 自端子所施加的电压的状态的等价电路。另外，在该图中。Cgs1是MOSFET (M9)的栅极/源极间的寄生电容，Cgs2是MOSFET(M11)的栅极/源极间 的寄生电容。
如图2所示，在该时刻，因为MOSFET(M10)导通，所以MOSFET(M9) 的漏极电压为第1输入电压V1。另外，因为MOSFET(M12)截止，所以 MOSFET(M11)的漏极电压为开路(高阻抗)。而且，在该时刻，因为MOSFET (M3)导通，所以MOSFET(M9)的栅极电压为VDD，并且因为MOSFET (M6)导通，所以MOSFET(M11)的栅极电压为第1输入电压V1。
这里，MOSFET(M9)的漏极/源极间的电流增大时，MOSFET(M9) 的源极电压会接近第1输入电压V1。因此，MOSFET(M9)的栅极/源极间 电压增大，由此MOSFET(M9)的源极电压(输出电压V3的电压)会接近 第1输入电压V1。并且，通过这样的正反馈，MOSFET(M9)会自动地充 分地导通，其结果，作为输出电压V3可获得与第1输入电压V1相等的电压。
另外，为了在MOSFET(M11)导通时，MOSFET(M9)的漏极/源极 间导通，需要满足这样的条件，即，使MOSFET(M9)的栅极/源极间的阈 值电压为Vth的情况下，MOSFET(M9)的栅极/源极间电压VGS比Vth大 (VGS＞Vth)(例如寄生电容Cgs1，Cgs2的大小相等时，上述条件为(VDD-V1) /2＞Vth)。
另一方面，在图1所示的电压选择电路中，作为上述控制信号IN被输入 了‘L’(低电平)的情况下，MOSFET(M9)的栅极、以及MOSFET(M10) 的栅极被输入‘L’(低电平)。MOSFET(M11)的栅极、以及MOSFET(M12) 的栅极被输入‘H’(高电平)。因此，开关电路SW1为截止，另外，开关电 路SW2为导通，此时作为输出电压V3变成被输出基于第2输入电压V2的 电压。
图3是说明了这种情况下的、MOSFET(M10)、以及MOSFET(M12) 的各自端子所输入的电压的状态的等价电路。如该图所示，因为MOSFET (M12)导通，所以MOSFET(M11)的漏极电压为第2输入电压V2。另外， 因为MOSFET(M10)截止，所以MOSFET(M9)的漏极电压为开路(高阻 抗)。另外，因为在MOSFET(M11)的栅极上被输入‘H’(高电平)，所以 MOSFET(M11)的栅极电压为VDD。而且，因为MOSFET(M9)的栅极 上被输入‘L’(低电平)，所以MOSFET(M9)的栅极电压为第2输入电压 V2。
这里，MOSFET(M11)的漏极/源极间电流增大时，MOSFET(M11) 的源极电压会接近第2输入电压V2。因此，MOSFET(M11)的栅极/源极间 电压增大，由此MOSFET(M11)的源极电压(输出电压V3的电压)会接 近第2输入电压V2。并且通过这样的正反馈，MOSFET(M11)会自动地充 分地导通，其结果，作为输出电压V3可获得与第2输入电压V2相等的电压。
另外，为了在MOSFET(M11)导通时，MOSFET(M11)的漏极/源极 间导通，需要满足这样的条件，即，使MOSFET(M11)的栅极/源极间的阈 值电压为Vth的情况下，MOSFET(M11)的栅极/源极间电压VGS比Vth大 (VGS＞Vth)(例如寄生电容Cgs1，Cgs2的大小相等时，上述条件为(VDD-V2) /2＞Vth)。
如以上那样，在本实施方式的电压选择电路中，作为控制信号IN被输入 ‘H’(高电平)的情况下，作为输出电压V3被输出与第1输入电压相等的 电压，另一方面，作为控制信号IN被输入‘L’(低电平)的情况下，作为输 出电压V3被输出与第2输入电压相等的电压。因此，根据本实施方式的电 压选择电路，几乎不产生电流损失，作为输出电压V3能够稳定地输出与第1 输入电压V1或第2输入电压V2相等的电压。
另外，为了由以上的结构构成的电压选择电路如以上说明的那样动作， 需要分别设定VDD、第1输入电压V1、以及第2输入电压V2的值，以满足 作为控制信号IN在被输入‘H’(高电平)或‘L’(低电平)其中任何一个 的情况下，MOSFET(M9)或MOSFET(M11)分别导通时VGS＞Vth这样的 条件。
<实施方式2>
但是，以上说明的电压选择电路的开关电路SW1、SW2使用N型 MOSFET构成，但是也可使用P型MOSFET构成开关电路SW1、SW2。
图4是使用P型MOSFET构成了开关电路SW1、SW2的电压选择电路 的一例。在该图中，第1至第3反相器INV1～INV4的结构与图1一样。
P型MOSFET(M9)(第1MOSFET)的漏极、以及P型MOSFET(M10) (第2MOSFET)的漏极被共用地连接，由它们构成第1开关电路SW1。另 外，P型MOSFET(M11)(第3MOSFET)的漏极、P型MOSFET(M12)(第 4MOSFET)的漏极被共用地连接，由它们构成第2开关电路SW2。此外，在 该图中，与MOSFET(M9～M12)并述的各二极管D1～D4是各MOSFET (M9～12)的寄生二极管。
对第1反相器INV1、以及第3反相器INV3共同输入控制信号IN(‘H’ 或‘L’)。并且，第1反相器INV1的输出被分别输入到第2反相器INV2、 以及MOSFET(M11)的栅极。另外，第2反相器INV2的输出被输入到 MOSFET(M10)的栅极。第3反相器INV3的输出被分别输入到第4反相器 INV4、以及MOSFET(M12)的栅极。第4反相器INV4的输出被输入到 MOSFET(M9)的栅极。另外，MOSFET(M2，M4，M6，M8)的源极上 被施加驱动电压VSS。
MOSFET(M5)的源极、以及MOSFET(M7)的源极上被施加根据控 制信号IN被选择的、第2输入电压V2。另外，MOSFET(M6)的源极、以 及MOSFET(M8)的源极上被施加VSS。另外，MOSFET(M9)的源极和 MOSFET(M11)的源极被共用地连接。
此时，在图4所示的电压选择电路中，假设作为上述控制信号IN被输入 了‘L’(低电平)。这时，MOSFET(M9)的栅极、以及MOSFET(M10) 的栅极都被输入‘L’(低电平)。另外，MOSFET(M11)的栅极、以及MOSFET (M12)的栅极都被输入‘H’(高电平)。因此，此时，开关电路SW1为导 通，而且开关电路SW2为截止，作为输出电压V3变成被输出基于第1输入 电压V1的电压。
这里，MOSFET(M9)的漏极/源极间的电流增大时，MOSFET(M9) 的源极电压会接近第1输入电压V1。因此，MOSFET(M9)的栅极/源极间 电压增大，由此MOSFET(M9)的源极电压(输出电压V3的电压)会接近 第1输入电压V1。并且，通过这样的正反馈，MOSFET(M9)会自动且充 分地导通，其结果，作为输出电压V3会获得与第1输入电压V1相等的电压。
另外，为了在MOSFET(M11)导通时，MOSFET(M9)的漏极/源极 间导通，需要满足这样的条件，即，使MOSFET(M9)的栅极/源极间的阈 值电压为Vth的情况下，MOSFET(M9)的栅极/源极间电压VGS比Vth大 (VGS＞Vth)(例如MOSFET(M9)的栅极/源极间的寄生电容Cgs1与MOSFET (M11)的栅极/源极间的寄生电容Cgs2的大小相等时，上述条件为(V1-VSS) /2＞Vth)。
另一方面，在图4所示的电压选择电路中，作为上述控制信号IN被输入 了‘H’(高电平)的情况下，MOSFET(M9)的栅极、以及MOSFET(M10) 的栅极被输入‘H’(高电平)。另外，MOSFET(M11)的栅极、以及MOSFET (M12)的栅极被输入‘L’(低电平)。因此，开关电路SW1为截止，另外， 开关电路SW2为导通，此时作为输出电压V3变成被输出基于第2输入电压 V2的电压。
这里，MOSFET(M11)的漏极/源极间电流增大时，MOSFET(M11) 的源极电压会接近第2输入电压V2。因此，MOSFET(M11)的栅极/源极将 电压增大，由此MOSFET(M11)的源极电压(输出电压V3的电压)会接 近第2输入电压V2。并且通过这样的正反馈，MOSFET(M11)会自动且充 分地导通，其结果，作为输出电压V3可获得与第2输入电压V2相等的电压。
另外，为了在MOSFET(M11)导通时，MOSFET(M11)的漏极/源极 间导通，需要满足这样的条件，即，使MOSFET(M11)的栅极/源极间的阈 值电压为Vth的情况下，MOSFET(M11)的栅极/源极间电压VGS比Vth大 (VGS＞Vth)(例如MOSFET(M9)的栅极/源极间的寄生电容Cgs1与MOSFET (M11)的栅极/源极间的寄生电容Cgs2的大小相等时，上述条件为(V2-VSS) /2＞Vth)。
这样，电压选择电路也可以为在开关电路SW1、SW2中使用P型 MOSFET的结构。并且，根据本实施方式的电压选择电路，作为控制信号IN 被输入‘L’(低电平)的情况下，作为输出电压V3被输出与第1输入电压 相等的电压，另一方面，作为控制信号IN被输入‘H’(高电平)的情况下， 作为输出电压V3被输出与第2输入电压相等的电压。因此，根据本实施方 式的电压选择电路，几乎不会产生电流损失，作为输出电压V3能够稳定地 输出与第1输入电压V1或第2输入电压V2相等的电压。
另外，为了由以上的结构构成的电压选择电路如以上说明的那样动作， 需要分别设定VSS、第1输入电压V1、以及第2输入电压V2的值，以满足 作为控制信号IN在被输入‘H’(高电平)或‘L’(低电平)其中任何一个 的情况下，MOSFET(M9)或MOSFET(M11)分别导通时VGS＞Vth这样的 条件。
以上，就本发明的一实施方式详细地进行了说明，但是以上的实施方式 的说明用于使本发明的理解变得容易，不是限定本发明。当然，本发明可以 不脱离其思想地进行变更、改进的同时，其等价物也包含在本发明中。