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振荡器

阅读：363发布：2020-05-11

IPRDB可以提供振荡器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种振荡器。振荡器包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管、第一电容、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第二电容、第六PMOS管、第七PMOS管、第一比较器、第一反相器和第二反相器。利用本发明提供的振荡器可以提高振荡频率精度，并且结构简单。，下面是振荡器专利的具体信息内容。

1.振荡器，其特征在于：包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管、第一电容、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第二电容、第六PMOS管、第七PMOS管、第一比较器、第一反相器和第二反相器；

所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF1，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第一电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻的一端；所述第一电阻的一端接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一NMOS管的源极，另一端接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的源极和所述第一比较器的正输入端和所述第六PMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端和所述第七PMOS管的栅极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一比较器的正输入端和所述第六PMOS管的漏极；所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极接地；所述第一电容的一端接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极，另一端接地；所述第四PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极所述第五PMOS管的源极和所述第一比较器的负输入端和所述第七PMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第五PMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极和所述第二反相器的输出端和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第三NMOS管的漏极和所述第二电容的一端，源极接所述第四PMOS管的漏极和所述第七PMOS管的漏极和所述第一比较器的负输入端；所述第三NMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和所述第二反相器的输出端和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第二电容的一端，源极接地；所述第二电容的一端接所述第五PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极，另一端接地；所述第一比较器的正输入端接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的源极和所述第六PMOS管的漏极，负输入端接所述第四PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的源极和所述第七PMOS管的漏极，输出端接所述第一反相器的输入端；所述第一反相器的输入端接所述第一比较器的输出端，输出端接所述第二反相器的输入端和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极；所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极，输出端接所述第五PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT。

说明书全文

振荡器

技术领域

[0001] 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及到振荡器。

背景技术

[0002] 随着集成电路对振荡器要求的提高，需要设计一个振荡频率精度高且结构简单的振荡器。

发明内容

[0003] 本发明旨在解决现有技术的不足，提供一种振荡器。
[0004] 振荡器，包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管、第一电容、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第二电容、第六PMOS管、第七PMOS管、第一比较器、第一反相器和第二反相器：所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF1，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第一电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻的一端；所述第一电阻的一端接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一NMOS管的源极，另一端接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的源极和所述第一比较器的正输入端和所述第六PMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端和所述第七PMOS管的栅极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一比较器的正输入端和所述第六PMOS管的漏极；所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极接地；所述第一电容的一端接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极，另一端接地；所述第四PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极所述第五PMOS管的源极和所述第一比较器的负输入端和所述第七PMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第五PMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极和所述第二反相器的输出端和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第三NMOS管的漏极和所述第二电容的一端，源极接所述第四PMOS管的漏极和所述第七PMOS管的漏极和所述第一比较器的负输入端；所述第三NMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和所述第二反相器的输出端和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第二电容的一端，源极接地；所述第二电容的一端接所述第五PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极，另一端接地；所述第一比较器的正输入端接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的源极和所述第六PMOS管的漏极，负输入端接所述第四PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的源极和所述第七PMOS管的漏极，输出端接所述第一反相器的输入端；所述第一反相器的输入端接所述第一比较器的输出端，输出端接所述第二反相器的输入端和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极；所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极，输出端接所述第五PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT。
[0005] 所述第一运算放大器和所述第一NMOS管构成跟随器，所述第一电阻上的电压等于基准电压VREF1，所述第一电阻上的电流等于基准电压VREF1除以所述第一电阻电阻值，该电流就是I1，再通过镜像给所述第二PMOS管电流为I2和所述第五PMOS管电流为I3；当所述第三PMOS管导通时，电流I2对所述第一电容充电；当所述第二NMOS管导通时，所述第一电容放电；当所述第五PMOS管导通时，电流I3对所述第二电容充电；当所述第三NMOS管导通时，所述第二电容放电；当所述第三PMOS管导通时对所述第一电容充电，同时所述第七PMOS管也导通使得所述第一比较器的负输入端的电压为基准电压VREF2，当充电所述第一电容的电压大于基准电压VREF2，所述第一比较器输出为高电平，振荡器输出端OSCOUT为高电平；当所述第五PMOS管导通时对所述第二电容充电，同时所述第六PMOS管也导通使得所述第一比较器的正输入端的电压为基准电压VREF2，当充电所述第二电容的电压大于基准电压VREF2，所述第一比较器输出为低电平，振荡器输出端OSCOUT为低电平；接着进入下一个周期；由于基准电压VREF1和VREF2是不随温度和电压变化的带隙基准，这样就保证了所述第一比较器115的比较点的精度，进而可以提高振荡频率的精度；同时一般情况下还需要一个比较器，正是由于设计了所述第六PMOS管113和所述第七PMOS管114的开关在工作过程中的切换，就省去了一个比较器，简化了电路结构。

附图说明

[0006] 图1为本发明的振荡器的电路图。

具体实施方式

[0007] 以下结合附图对本发明内容进一步说明。
[0008] 振荡器，如图1所示，包括第一运算放大器101、第一NMOS管102、第一电阻103、第一PMOS管104、第二PMOS管105、第三PMOS管106、第二NMOS管107、第一电容108、第四PMOS管109、第五PMOS管110、第三NMOS管111、第二电容112、第六PMOS管113、第七PMOS管114、第一比较器115、第一反相器116和第二反相器117：
所述第一运算放大器101的正输入端接基准电压VREF1，负输入端接所述第一NMOS管
102的源极和所述第一电阻103的一端，输出端接所述第一NMOS管102的栅极；所述第一NMOS管102的栅极接所述第一运算放大器101的输出端，漏极接所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第二PMOS管105的栅极和所述第四PMOS管109的栅极，源极接所述第一运算放大器
101的负输入端和所述第一电阻103的一端；所述第一电阻103的一端接所述第一运算放大器101的负输入端和所述第一NMOS管102的源极，另一端接地；所述第一PMOS管104的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管102的漏极和所述第二PMOS管105的栅极和所述第四PMOS管109的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管105的栅极接所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第一NMOS管102的漏极和所述第四PMOS管109的栅极，漏极接所述第三PMOS管106的源极和所述第一比较器115的正输入端和所述第六PMOS管113的漏极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管106的栅极接所述第二NMOS管107的栅极和所述第一反相器
116的输出端和所述第二反相器117的输入端和所述第七PMOS管114的栅极，漏极接所述第二NMOS管107的漏极和所述第一电容108的一端，源极接所述第二PMOS管105的漏极和所述第一比较器115的正输入端和所述第六PMOS管113的漏极；所述第二NMOS管107的栅极接所述第三PMOS管106的栅极和所述第一反相器116的输出端和所述第二反相器117的输入端，漏极接所述第三PMOS管106的漏极和所述第一电容108的一端，源极接地；所述第一电容108的一端接所述第三PMOS管106的漏极和所述第二NMOS管107的漏极，另一端接地；所述第四PMOS管109的栅极接所述第二PMOS管105的栅极和所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第一NMOS管102的漏极，漏极所述第五PMOS管110的源极和所述第一比较器115的负输入端和所述第七PMOS管114的漏极，源极接电源电压VCC；所述第五PMOS管110的栅极接所述第三NMOS管111的栅极和所述第二反相器117的输出端和所述第六PMOS管113的栅极，漏极接所述第三NMOS管111的漏极和所述第二电容112的一端，源极接所述第四PMOS管109的漏极和所述第七PMOS管114的漏极和所述第一比较器115的负输入端；所述第三NMOS管111的栅极接所述第五PMOS管110的栅极和所述第二反相器117的输出端和所述第六PMOS管113的栅极，漏极接所述第五PMOS管110的漏极和所述第二电容112的一端，源极接地；所述第二电容
112的一端接所述第五PMOS管110的漏极和所述第三NMOS管111的漏极，另一端接地；所述第一比较器113的正输入端接所述第二PMOS管105的漏极和所述第三PMOS管106的源极和所述第六PMOS管113的漏极，负输入端接所述第四PMOS管109的漏极和所述第五PMOS管110的源极和所述第七PMOS管114的漏极，输出端接所述第一反相器116的输入端；所述第一反相器
116的输入端接所述第一比较器115的输出端，输出端接所述第二反相器117的输入端和所述第三PMOS管106的栅极和所述第二NMOS管107的栅极和所述第七PMOS管114的栅极；所述第二反相器117的输入端接所述第一反相器116的输出端和所述第三PMOS管106的栅极和所述第二NMOS管107的栅极和所述第七PMOS管114的栅极，输出端接所述第五PMOS管110的栅极和所述第三NMOS管111的栅极和所述第六PMOS管113的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT。
[0009] 所述第一运算放大器101和所述第一NMOS管102构成跟随器，所述第一电阻103上的电压等于基准电压VREF1，所述第一电阻103上的电流等于基准电压VREF1除以所述第一电阻103电阻值，该电流就是I1，再通过镜像给所述第二PMOS管105电流为I2和所述第五PMOS管109电流为I3；当所述第三PMOS管106导通时，电流I2对所述第一电容108充电；当所述第二NMOS管107导通时，所述第一电容108放电；当所述第五PMOS管110导通时，电流I3对所述第二电容112充电；当所述第三NMOS管111导通时，所述第二电容112放电；当所述第三PMOS管106导通时对所述第一电容108充电，同时所述第七PMOS管114也导通使得所述第一比较器115的负输入端的电压为基准电压VREF2，当充电所述第一电容108的电压大于基准电压VREF2，所述第一比较器115输出为高电平，振荡器输出端OSCOUT为高电平；当所述第五PMOS管110导通时对所述第二电容112充电，同时所述第六PMOS管113也导通使得所述第一比较器115的正输入端的电压为基准电压VREF2，当充电所述第二电容112的电压大于基准电压VREF2，所述第一比较器115输出为低电平，振荡器输出端OSCOUT为低电平；接着进入下一个周期；由于基准电压VREF1和VREF2是不随温度和电压变化的带隙基准，这样就保证了所述第一比较器115的比较点的精度，进而可以提高振荡频率的精度；同时一般情况下还需要一个比较器，正是由于设计了所述第六PMOS管113和所述第七PMOS管114的开关在工作过程中的切换，就省去了一个比较器，简化了电路结构。
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标题 发布/更新时间 阅读量
RC振荡器-专利编号CN103546121B 2020-05-11 735
振荡器-专利编号CN103532546B 2020-05-12 159
振荡器-专利编号CN109361359A 2020-05-11 497
RC振荡器-专利编号CN103475337B 2020-05-12 670
RC振荡器-专利编号CN103546121A 2020-05-13 496
振荡器-专利编号CN101971485B 2020-05-13 762
RC振荡器-专利编号CN104579245A 2020-05-12 570
振荡器-专利编号CN110868157A 2020-05-11 362
振荡器-专利编号CN102439844B 2020-05-13 800
振荡器-专利编号CN108393018A 2020-05-11 329
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