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一种硅片清洗方法和清洗装置

阅读：1034发布：2020-05-16

IPRDB可以提供一种硅片清洗方法和清洗装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种硅片清洗方法和清洗装置，硅片清洗方法包括以下步骤：在利用药液对硅片进行蚀刻后，将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；取出浸水槽中的硅片后，将硅片依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在第1冲洗槽中清洗结束后，取出硅片并结束清洗；向第1冲洗槽供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N-1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；N为大于1的整数。通过上述方法，能够有效清洗硅片表面的药液，降低硅片表面的药液或杂质的残留量，提高清洗效果和清洗效率，减少清洗硅片时水的消耗量。，下面是一种硅片清洗方法和清洗装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

在利用药液对硅片进行蚀刻后，将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；

取出所述浸水槽中的所述硅片后，将所述硅片依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在所述第1冲洗槽中清洗结束后，取出所述硅片并结束清洗；

其中，向第1冲洗槽供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N-1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；N为大于1的整数。

2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，每个所述冲洗槽的底部分别设有进入口，向每个所述冲洗槽供应冲洗液包括：从每个所述冲洗槽的底部的进入口向相应的所述冲洗槽供应清洗液。

3.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，还包括：

收集每个冲洗槽溢流出的清洗液并通过输送泵供应至对应的下一个冲洗槽中。

4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗包括：将硅片置于带有开口的容器中，将所述容器置于浸水槽内清洗，所述浸水槽内的超纯水从所述开口进入所述容器与所述硅片接触以清洗所述硅片；

取出所述浸水槽中的所述硅片后，将所述硅片依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在所述第1冲洗槽中清洗结束后，取出所述硅片并结束清洗，包括：将所述硅片置于带有开口的所述容器中，将所述容器置于冲洗槽内清洗，所述冲洗槽内的清洗液从所述开口进入所述容器与所述硅片接触以清洗所述硅片。

5.根据权利要求4所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述容器置于所述冲洗槽中时，所述容器的外侧壁与所述冲洗槽的内侧壁之间形成的间隙距离小于等于5mm。

6.一种清洗装置，其特征在于，包括：

浸水槽，用于盛装超纯水；

N(N≥1)个冲洗槽；

供应机构，用于向第1冲洗槽中供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N-1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；

清洗机构，用于将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；取出所述浸水槽中的所述硅片后，将所述硅片依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在所述第1冲洗槽中清洗结束后，取出所述硅片并结束清洗。

7.根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，还包括多个收集器，每个所述冲洗槽对应设置一个所述收集器，用以收集对应的冲洗槽溢流出的清洗液；

多个输送泵，每个所述收集器分别对应设有一个所述输送泵，用于将每个收集器收集的清洗液供应至对应的下一个冲洗槽中。

8.根据权利要求7所述的清洗装置，其特征在于，每个所述冲洗槽的底部设有进入口，每个所述冲洗槽的进入口分别与相应的所述输送泵的出口连通，以使所述输送泵通过所述进入口向相应的冲洗槽中供应清洗液。

9.根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，还包括带有开口的容器，用于盛装待清洗的硅片，所述容器置于冲洗槽中时所述容器的外侧壁与所述冲洗槽的内侧壁之间形成有间隙。

10.根据权利要求9所述的清洗装置，其特征在于，所述容器的外侧壁与所述冲洗槽的内侧壁之间形成的间隙距离小于等于5mm。

说明书全文

一种硅片清洗方法和清洗装置

技术领域

[0001] 本发明涉及硅片清洗领域，特别涉及一种硅片清洗方法和清洗装置。

背景技术

[0002] 目前，硅系材料(例如单晶硅、多晶硅等硅块)的蚀刻清洗方法是在药液清洗后，将硅块倒入水槽中，大量地插入到敞开的水槽中，通过水槽中水的流动来进行清洗，使用大量的水，仅从稀释的角度来看，清洗需要较长时间，不能实现高效化，清洗效率低，所使用的药液的残留浓度高，清洗效果达不到要求。

发明内容

[0003] 有鉴于此，本发明提供一种硅片清洗方法和清洗装置，用以解决硅片清洗时清洗效果不好，清洗效率低，耗水量大的问题。

[0004] 为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

[0005] 根据本发明第一方面实施例的硅片清洗方法，包括以下步骤：

[0006] 在利用药液对硅片进行蚀刻后，将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；

[0007] 取出所述浸水槽中的所述硅片后，将所述硅片依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在所述第1冲洗槽中清洗结束后，取出所述硅片并结束清洗；

[0008] 其中，向第1冲洗槽供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N-1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；N为大于1的整数。

[0009] 进一步地，每个所述冲洗槽的底部分别设有进入口，向每个所述冲洗槽供应冲洗液包括：

[0010] 从每个所述冲洗槽的底部的进入口向相应的所述冲洗槽供应清洗液。

[0011] 进一步地，还包括：

[0012] 收集每个冲洗槽溢流出的清洗液并通过输送泵供应至对应的下一个冲洗槽中。

[0013] 进一步地，将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗包括：

[0014] 将硅片置于带有开口的容器中，将所述容器置于浸水槽内清洗，所述浸水槽内的超纯水从所述开口进入所述容器与所述硅片接触以清洗所述硅片；

[0015] 取出所述浸水槽中的所述硅片后，将所述硅片依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在所述第1冲洗槽中清洗结束后，取出所述硅片并结束清洗，包括：将所述硅片置于带有开口的所述容器中，将所述容器置于冲洗槽内清洗，所述冲洗槽内的清洗液从所述开口进入所述容器与所述硅片接触以清洗所述硅片。

[0016] 进一步地，所述容器置于所述冲洗槽中时，所述容器的外侧壁与所述冲洗槽的内侧壁之间形成的间隙距离小于等于5mm。

[0017] 根据本发明第二方面实施例的清洗装置，包括：

[0018] 浸水槽，用于盛装超纯水；

[0019] N(N≥1)个冲洗槽；

[0020] 供应机构，用于向第1冲洗槽中供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N-1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；

[0021] 清洗机构，用于将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；取出所述浸水槽中的所述硅片后，将所述硅片依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在所述第1冲洗槽中清洗结束后，取出所述硅片并结束清洗。

[0022] 进一步地，所述清洗装置还包括多个收集器，每个所述冲洗槽对应设置一个所述收集器，用以收集对应的冲洗槽溢流出的清洗液；

[0023] 多个输送泵，每个所述收集器分别对应设有一个所述输送泵，用于将每个收集器收集的清洗液供应至对应的下一个冲洗槽中。

[0024] 进一步地，每个所述冲洗槽的底部设有进入口，每个所述冲洗槽的进入口分别与相应的所述输送泵的出口连通，以使所述输送泵通过所述进入口向相应的冲洗槽中供应清洗液。

[0025] 进一步地，所述清洗装置还包括带有开口的容器，用于盛装待清洗的硅片，所述容器置于冲洗槽中时所述容器的外侧壁与所述冲洗槽的内侧壁之间形成有间隙。

[0026] 进一步地，所述容器的外侧壁与所述冲洗槽的内侧壁之间形成的间隙距离小于等于5mm。

[0027] 本发明的上述技术方案的有益效果如下：

[0028] 根据本发明实施例的硅片清洗方法，在利用药液对硅片进行蚀刻后，将硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；取出浸水槽中的硅片后，将硅片依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在第1冲洗槽中清洗结束后，取出硅片并结束清洗；向第1冲洗槽供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N-1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽。通过上述方法，能够有效清洗硅片表面的药液，降低硅片表面的药液或杂质的残留量，提高清洗效果和清洗效率，减少清洗硅片时水的消耗量。

附图说明

[0029] 图1为本发明实施例的清洗装置的一个配合示意图；

[0030] 图2为从不同冲洗槽向上提拉硅片时附着在硅片上的清洗液中的硝酸浓度。

[0031] 附图标记

[0032] 浸水槽10；冲洗槽20；输送泵30；

[0033] 容器40；硅片50；药液槽60。

具体实施方式

[0034] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0035] 下面首先结合附图具体描述根据本发明实施例的硅片清洗方法。

[0036] 根据本发明实施例的硅片清洗方法，包括以下步骤：在利用药液对硅片进行蚀刻后，将硅片浸入盛有超纯水的浸水槽10内清洗；取出浸水槽10中的硅片50后，将硅片50依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在第1冲洗槽中清洗结束后，取出硅片50并结束清洗；其中，向第1冲洗槽供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N-1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；N为大于1的整数，N可以大于等于2且小于等于10，比如，N可以为3。

[0037] 通过上述方法，在利用药液对硅片进行蚀刻后，将硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗，能够快速降低硅片表面的药液浓度，再将硅片依次置于相应的冲洗槽中对硅片进行清洗，能够有效清洗硅片表面的药液，降低硅片表面的药液或杂质的残留量，能够将药液的表面残留杂质浓度控制在10ppt以下，提高清洗效果和清洗效率，减少清洗硅片时水的消耗量。

[0038] 在本发明的一些实施例中，每个冲洗槽20的底部分别设有进入口，向每个冲洗槽20供应冲洗液包括：从每个冲洗槽20的底部的进入口向相应的冲洗槽20供应清洗液，将溢流出的清洗液从每个冲洗槽20的底部的进入口向相应的冲洗槽20供应，能够促进冲洗槽20中清洗液的流动，增强清洗液对硅片的清洗作用。

[0039] 在本发明的另一些实施例中，清洗方法还包括：收集每个冲洗槽20溢流出的清洗液并通过输送泵30供应至对应的下一个冲洗槽20中，可以分别通过收集器将每个冲洗槽20溢流出的清洗液进行收集，然后通过输送泵30将收集到的溢流出的清洗液供应至对应的下一个冲洗槽20中，通过输送泵30能够增强清洗液的流动性，增强清洗能力，提高对硅片的清洗效果。

[0040] 根据本发明的一些实施例，将硅片50浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗包括：将硅片50置于带有开口的容器40中，容器40上的开口可以具有多个，将容器40置于浸水槽10内清洗，浸水槽10内的超纯水从开口进入容器40与硅片50接触以清洗硅片50，超纯水分别从不同的开口进入容器40中以与硅片50接触进行清洗硅片50，另外，通过容器40便于将硅片50放入浸水槽10中或从浸水槽10中取出。

[0041] 取出浸水槽10中的硅片50后，将硅片50依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在第1冲洗槽中清洗结束后，取出硅片50并结束清洗，包括：将硅片50置于带有开口的容器40中，将容器40置于冲洗槽内清洗，冲洗槽20内的清洗液从开口进入容器40与硅片50接触以清洗硅片50，清洗液从容器40的开口进入容器40与硅片50接触以清洗硅片50，便于硅片50放入冲洗槽或从冲洗槽取出。

[0042] 根据本发明的另一些实施例，容器40置于冲洗槽20中时，容器40的外侧壁与冲洗槽20的内侧壁之间形成的间隙距离小于等于5mm，具体的间隙距离可以合理选择，间隙距离不宜过小，间隙距离过小不易于容器40的取出或放入，间隙距离过大导致间隙中超纯水或清洗液较多，不利于清洗液的流动，使得清洗液流动速度减小，致使清洗能力降低，不利于清洗，因此，需要使容纳硅片50的容器40与冲洗槽20的尺寸合理，消除由于不必要的间隙空间造成的停滞，便于超纯水或清洗液集中在由硅片填充而形成的硅片间隙中，在硅片间隙和硅片表面附近使超纯水或清洗液流过以形成较强的清洗作用力，增强对硅片的清洗能力。

[0043] 本发明还提供一种清洗装置，如图1所示，清洗装置包括：浸水槽10，用于盛装超纯水；N(N≥1)个冲洗槽20；供应机构，用于向第1冲洗槽20中供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽20溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽20中，以此类推，第N-1冲洗槽20溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽20；清洗机构，用于将硅片50浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；取出浸水槽10中的硅片50后，将硅片50依次置于第N冲洗槽20、第N-1冲洗槽20、…、第1冲洗槽20进行清洗，在第1冲洗槽20中清洗结束后，取出硅片50并结束清洗。冲洗槽20的个数可以根据实际情况合理选择，冲洗槽20的个数可以为2-10，比如，冲洗槽20可以为3个。

[0044] 在实际用用过程中，通过供应机构向第1冲洗槽20中供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽20溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽20中，以此类推，第N-1冲洗槽20溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽20；在利用药液对硅片进行蚀刻后，将硅片浸入盛有超纯水的浸水槽10内清洗；取出浸水槽10中的硅片50后，可以通过清洗机构将硅片50依次置于第N冲洗槽20、第N-1冲洗槽20、…、第1冲洗槽20进行清洗，在第1冲洗槽20中清洗结束后，取出硅片50并结束清洗。通过上述清洗装置，在利用药液对硅片进行蚀刻后，将硅片浸入盛有超纯水的浸水槽10内清洗，能够快速降低硅片表面的药液浓度，再将硅片依次置于相应的冲洗槽中对硅片进行清洗，能够有效清洗硅片表面的药液，降低硅片表面的药液或杂质的残留量，提高清洗效果和清洗效率，减少清洗硅片时水的消耗量。

[0045] 在本发明的一些实施例中，清洗装置还可以包括多个收集器和多个输送泵30，其中，收集器与输送泵30的数量可以相等，每个冲洗槽20可以对应设置一个收集器，通过对应的收集器可以用以收集对应的冲洗槽20溢流出的清洗液；每个收集器可以分别对应设有一个输送泵30，通过输送泵30可以用于将每个收集器收集的清洗液供应至对应的下一个冲洗槽20中，输送泵30能够增强进入冲洗槽20中的清洗液的流动性，增强清洗液对硅片的清洗能力。

[0046] 收集器与输送泵30的数量还可以分别为N-1(N为大于1的整数)，相邻两个冲洗槽20之间可以分别设有一个收集器，如图1所示，冲洗槽20可以为3个，从左至右依次为第3冲洗槽20、第2冲洗槽20、第1冲洗槽20，输送泵30可以为两个，在第1冲洗槽20与第2冲洗槽20之间、第2冲洗槽20与第3冲洗槽20之间分别设置一个输送泵30，第1冲洗槽20溢流出的清洗液通过输送泵30供应至第2冲洗槽20中，第2冲洗槽20溢流出的清洗液通过输送泵30供应至第3冲洗槽20中；从盛有药液的药液槽60中取出硅片50，在利用药液对硅片50进行蚀刻后，将硅片50浸入盛有超纯水的浸水槽10内清洗；取出浸水槽10中的硅片50后，将硅片50依次置于第3冲洗槽20、第2冲洗槽20、第1冲洗槽20进行清洗，在第1冲洗槽20中清洗结束后，取出硅片50并结束清洗；其中，向第1冲洗槽20供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽20溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽20中，第2冲洗槽20溢流出的清洗液供应至第3冲洗槽20，通过浸水槽10和冲洗槽20的清洗处理能够有效降低硅片表面的药液或杂质的量。

[0047] 在本发明的另一些实施例中，每个冲洗槽20的底部可以设有进入口，每个冲洗槽20的进入口分别与相应的输送泵30的出口连通，以使输送泵30通过进入口向相应的冲洗槽
20中供应清洗液，将溢流出的清洗液从每个冲洗槽20的底部的进入口向相应的冲洗槽20供应，能够促进冲洗槽20中清洗液的流动，增强清洗液对硅片的清洗作用。

[0048] 根据本发明的一些实施例，清洗装置还包括带有开口的容器40，容器40可以用于盛装待清洗的硅片，容器40置于冲洗槽20中时容器40的外侧壁与冲洗槽20的内侧壁之间形成有间隙，供应至冲洗槽20中的清洗液通过间隙从容器40的开口进入容器40中，以对硅片50进行清洗。优选地，容器40的外侧壁与冲洗槽20的内侧壁之间形成的间隙距离小于等于
5mm。具体的间隙距离可以合理选择，间隙距离不宜过小，间隙距离过小不易于容器40的取出或放入，间隙距离过大导致间隙中超纯水或清洗液较多，使得清洗液流动速度减小，致使清洗能力降低，不利于清洗。

[0049] 在冲洗槽20中，为了使单纯的稀释计算成立，需要使容纳硅片的容器40与冲洗槽20的尺寸对应一致，消除由于不必要的空间造成的停滞，而不会因为使用超纯水或清洗液的流速而降低线速度，超纯水或清洗液流过的空间必须仅集中在由硅片填充而形成的间隙，因此必须使如上所述的两个尺寸(长度和宽度)一致，但是，如果完全一致，二者彼此之间的间隙为零时，不可能将清洗物容器40插入到冲洗槽20中，因此，实际上需要确保小的间隙，在间隙和硅片表面附近使超纯水或清洗液的水流流过。由水流所导致的成分的稀释浓度，可以通过公式：Ct＝C0×exp(-vt/V)进行计算；其中，Ct表示时间t时的冲洗槽中的药液成分浓度，C0表示冲洗槽中的药液成分的初始浓度，v表示水流的流量(例如单位为L/分钟)，t表示时间(例如分钟)，V表示冲洗槽的体积(例如L)，由上述公式计算所得到的药液成分浓度是基于流量所得到的理论浓度，理论浓度通过上述方法得到的计算值，不能为该浓度以下的浓度，理论浓度即表示最低浓度，要在把握该最低浓度的同时来进行实际的冲洗槽的设计，整体的设计基准是硅片上残留的药液成分的浓度要为1ppt以下，冲洗槽的清洗液中的药液成分作为硅片上的药液成分来算出。

[0050] 冲洗槽20的容积可以为20L，冲洗槽20的数量可以为3个，如图1所示，从左至右依次为第3冲洗槽20、第2冲洗槽20、第1冲洗槽20，清洗容器40在放入硅片时的表观体积为18L，所使用的药液为氢氟酸：硝酸＝1：9(体积比)，若以重量％表示各自成分，则HF为
4.32wt％、HNO3为63.95wt％，硅片的重量为18kg，将这样的量填充于一个容器40，连续多个来进行处理，节拍时间可以设定为3-10分钟。填充有硅片的一个容器40在从一个冲洗槽20向下一个冲洗槽20移动时所带出的“掉落”量，实测为300ml，由此，可以认为从药液槽带出的药液量也是相同的量，可以在计算中作为带入到下一个冲洗槽20的带入量。各冲洗槽20中，由于节拍时间以及清洗容器40的连续添加，随着清洗批次的进行各成分的浓度持续増加，这样的理由是，各冲洗槽20中，在药液成分不能在节拍时间内完全排出时，就放入下一个清洗物。

[0051] 如图2所示，图2中的曲线表示为从不同冲洗槽20向上提拉硅片时附着在硅片上的清洗液中药液(硝酸)浓度，随着处理批次的增加，第1冲洗槽20、第2冲洗槽20和第3冲洗槽20中处理硅片后硅片上的药液(硝酸)浓度增加，曲线a表示第3冲洗槽20中硅片上的硝酸浓度(pptw)的计算值，曲线b表示第2冲洗槽20中硅片上的硝酸浓度的计算值，曲线d表示第1冲洗槽20中硅片上的硝酸浓度的计算值，曲线c表示第1冲洗槽20中硅片上的硝酸浓度的实际值，同一批次下硝酸浓度的实际值大于计算值，根据计算值为参考依据时当处理到某一批次时计算出的硅片上的硝酸浓度小于硝酸的实际浓度。

[0052] 在第1冲洗槽20清洗结束时，在进行30批次处理时，在硅片表面最小存在1pptw的硝酸，该计算的硝酸浓度仅是计算值，但它表明不可能达到低于该值的浓度，实际浓度为该浓度的计算值以上，并且当与实际浓度比较时，它显示出基本上一致的趋势，如所预期的，它是该计算值以上的值，不遵循上述稀释计算公式的原因，推测是由于间隙导致的线速度降低、吸附在硅片表面上的可能性以及在其他地方有使得水流乱流的空间等，但是，上述计算方法中在设计上由于能够估算有用的最低浓度可以成为重要的指标。

[0053] 硅片表面残留的药液成分的分析，是将硅片在超声波作用下用超纯水进行萃取30分钟，将该萃取液的一部分通过离子色谱来分析阴离子，进行定量。此外，对硝酸浓度进行了计算，实际的离子色谱中与硝酸根离子相比，存在更多的亚硝酸根离子，这是由于硅的蚀刻反应而对生成物的影响。由于确认了上述计算方法实际可用，因此将残留在硅片表面的硝酸的药液浓度设定为1ppt水平，考虑到生产率，节拍时间设定为4分钟，对于冲洗槽的结构和尺寸进行重新研究的结果，确定了以下条件，冲洗槽的结构可以与用于清洗的容器的类似形状(纵向和水平)，可以为长方体或正方体形状，并且在长度和宽度的尺寸上，容器40的外侧壁与冲洗槽20的内侧壁之间形成的间隙距离小于等于5mm。

[0054] 在通过瀑布溢流清洗时，所需水量必需为最低30L/分钟，因瀑布溢流水量所产生的最初的冲洗排水中含有高浓度的氢氟酸、硝酸，但是在30批次处理时的第3冲洗槽20中的排水中硝酸浓度达到2.8wt％，这是因为通过多批次处理而在清洗液中累积滞留所致，如果中止处理而通过注水来降低浓度，会导致生产性下降，可以在蚀刻后立即中止瀑布流水而进行浸水的方法，即在药液蚀刻后，立刻单纯地将硅片置于该浸水槽中浸渍，降低高浓度附着的药液成分，然后，进入到冲洗槽20中，然后，药液成分的变化情况如图2中的曲线所示，这里，用于浸水的水，由于浸渍了多个批次达到高浓度，不能进行一般地排水，而要与药液回收液混合。当进行50批次以上的处理时，硅片表面的颜色会变黑，在50批次处理时，浸水槽中的水转变为废水，可以注入新水来继续处理。

[0055] 除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。

[0056] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

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一种硅片载体及硅片单面抛光装置-专利编号CN110465885A	2020-05-11	989
硅片-专利编号CN101504944A	2020-05-13	183
硅片-专利编号CN101504944B	2020-05-12	398
一种硅片夹持装置-专利编号CN110416150A	2020-05-12	353

一种硅片清洗方法和清洗装置

一种硅片清洗方法和清洗装置

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