一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构专利检索-外延微电子学专利检索查询-专利查询网

积极推动地理标志专门立法

2022-03-10 地理标志，立法，知识产权
保护知识产权是对创新最大的激励

2022-03-10 保护知识产权，创新，激励
谢商华：加快制定知识产权基本法

2022-03-10 知识产权基本法
擦亮“双奥之城”品牌

2022-03-10 双奥，知识产权
让冰雪运动“热”力全开

2022-03-10 冰雪运动，知识产权
携手共奋进　走好强国路

2022-03-10 强国，知识产权
坚持创新引领　方能稳中求进

2022-03-10 创新，稳中求进，知识产权
答好“两张卷” 奋进新征程

2022-03-10 知识产权
专家解读政府工作报告中的创新和知识产权相关部署

2022-03-10 政府工作报告，创新，知识产权
今年政府工作报告指出：加强知识产权保护和运用

2022-03-10 政府工作报告，知识产权保护

一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构

阅读：1093发布：2020-07-19

IPRDB可以提供一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明涉及一种结构简单、制作方便，相对传统外延结构，包括衬底、过渡层、有源层、缺陷阻挡层、第一半导体层和第二半导体层，在所述衬底上沉积有缺陷阻挡层。本发明相比较传统外延结构可以提高外延晶体质量，降低器件内部对光的吸收，提高LED器件的整体发光效率。，下面是一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构，其特征在于，在外延结构的衬底层上沉积有缺陷阻挡层。

2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述缺陷阻挡层材料为TiO2、SiNx、SiO、SiO2或其任意组合。

3.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述缺陷阻挡层采用真空蒸镀、电子束蒸镀、金属有机化学气相沉积或者等离子体化学气相沉积而成。

4.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次连接的平面衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于平片衬底结构表面的缺陷阻挡层。

5.根据权利要求4所述的外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。

6.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次连接的图形化衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于图形化衬底结构表面的外延缺陷阻挡层。

7.根据权利要求6所述的外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。

8.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次连接的平面衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于平面衬底的图形化外延缺陷阻挡层。

9.根据权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。

说明书全文

一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构

技术领域

[0001] 本发明涉及一种外延结构，尤其涉及一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构，属于发光二极管外延技术领域。

背景技术

[0002] 缺陷密度是影响内量子效率ηint的主要因素，在生长过程中由于衬底和外延层9 -2 11 -2
的晶格失配和热失配导致LED内部存在大量的非辐射缺陷，位错密度达10cm ～10 cm 。
而由此产生的自发极化和压电效应导致强大的内建电场，降低了发光效率，且随着注入电流的增加以及器件使用温度的升高，波长会发生漂移，发光效率也会导致下降，即Droop现象。

[0003] 传统外延结构是基于平片衬底生长技术，如图1所示，此结构发光效率低，器件漏电流高，良率较差。

发明内容

[0004] 本发明针对现有技术的不足，提供一种结构简单、制作方便，相对传统外延结构，能提高外延晶体质量，降低器件内部对光的吸收，增强LED出光效率的具有外延缺陷阻挡层的外延结构。

[0005] 本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构，在外延结构的衬底层上沉积有缺陷阻挡层。

[0006] 本发明的有益效果是：本发明增加了缺陷阻挡层降低漏电流，降低器件内部对光的吸收，提高LED器件的整体发光效率。

[0007] 在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

[0008] 进一步，所述缺陷阻挡层材料为TiO2、SiNx、SiO、SiO2或其任意组合。

[0009] 进一步，所述缺陷阻挡层可采用真空蒸镀、电子束蒸镀、金属有机化学气相沉积(MOCVD)或者等离子体化学气相沉积(PECVD)而成。

[0010] 进一步，所述外延结构包括依次连接的平面衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于平片衬底结构表面的缺陷阻挡层。

[0011] 进一步，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。

[0012] 进一步，外延结构包括依次连接的图形化衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于图形化衬底结构表面的外延缺陷阻挡层。

[0013] 进一步，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。

[0014] 进一步，该外延结构包括依次连接的平面衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于平面衬底的图形化外延缺陷阻挡层。

[0015] 进一步，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。

附图说明

[0016] 图1传统外延结构的结构示意图；

[0017] 图2为本发明所述的外延结构实施例1的结构示意图；

[0018] 图3为本发明所述的外延结构实施例2的结构示意图；

[0019] 图4为本发明所述的外延结构实施例3的结构示意图；

[0020] 图5为本发明所述的外延结构实施例4的结构示意图。

[0021] 附图中，各标号所代表的部件列表如下：

[0022] 1、衬底，2、缺陷阻挡层，3、过渡层，4、n型层，5、有源层，6、p型层具体实施方式

[0023] 以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

[0024] 如图2所示，为本发明实施例1的结构示意图，在平片衬底1沉积缺陷阻挡层2，先用掩模、刻蚀技术将缺陷阻挡层2刻蚀成需要的形状，然后依次外延生长过渡层3、n型层4、有源层5、p型层6，此结构可降低由于衬底1与外延层的晶格适配而造成的晶格缺陷，可
6 3
将外延缺陷密度降低到10/cm 数量级以下，有效地改善了外延层质量，同时可反射入射到衬底的光，可将器件的发光效率提高30％以上。

[0025] 如图3所示，为本发明实施例2的结构示意图，在图形化衬底1沉积缺陷阻挡层2，先用掩模、刻蚀技术将衬底1图形底部的缺陷阻挡层2去掉，然后依次外延生长过渡层3、n型层4、有源层5、p型层6，此结构可降低由于衬底1与外延层的晶格适配而造成的晶格缺6 3
陷，促进外延侧向生长，可将外延缺陷密度降低到10/cm 数量级以下，改善外延层质量，同时可反射入射到衬底的光，可将器件的发光效率提高15％以上。

[0026] 如图4所示，为本发明实施例3的结构示意图，在图形化衬底1沉积缺陷阻挡层2，先用掩模、刻蚀技术将衬底1图形顶部的缺陷阻挡层去掉，然后依次外延生长过渡层3、n型层4、有源层5、p型层6，此结构可降低由于衬底1与外延层的晶格适配而造成的晶格缺
6 3
陷，促进外延侧向生长，可将外延缺陷密度降低到10/cm 数量级以下，改善外延层质量，同时可反射入射到衬底的光，可将器件的发光效率提高15％以上。

[0027] 如图5所示，为本发明实施例4的结构示意图，在平片衬底1沉积缺陷阻挡层2，先用掩模、刻蚀技术将缺陷阻挡层刻蚀成需要的图形状，然后依次外延生长过渡层3、n型层4、有源层5、p型层6，此结构可降低由于衬底1与外延层的晶格适配而造成的晶格缺陷，促
6 3
进外延侧向生长，可将外延缺陷密度降低到10/cm 数量级以下，改善外延层质量，同时可反射入射到衬底的光，可将器件的发光效率提高20％以上。

[0028] 图2至图5所示实施例中，缺陷阻挡层2的材料为TiO2、SiNx、SiO、SiO2或其任意组合，缺陷阻挡层2可采用真空蒸镀、电子束蒸镀、金属有机化学气相沉积或者等离子体化学气相沉积等方法制成，n型层4为n型氮化镓层、p型层6为p型氮化镓层。

[0029] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

标题	发布/更新时间	阅读量
一种GaN基LED外延片的生长方法-专利编号CN105118900A	2020-05-11	702
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-专利编号CN102194939A	2020-05-12	324
一种LED外延片及其外延生长方法-专利编号CN102044606A	2020-05-11	1062
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-专利编号CN101847673A	2020-05-13	680
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-专利编号CN101752480A	2020-05-13	207
一种级联GaN基LED外延片及其制备方法-专利编号CN103022286A	2020-05-11	945
一种GaN基LED外延片及其生长方法-专利编号CN102332517A	2020-05-12	522
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-专利编号CN101752480B	2020-05-13	721
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-专利编号CN102194939B	2020-05-12	636
一种氮化镓基外延片及生长方法-专利编号CN106098886A	2020-05-11	596

一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构

一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构

技术领域

背景技术

发明内容

附图说明

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式