在显示器产业的快速发展下，平板显示器(flat-panel display)技术快速地 朝向更高品质特性演进。一方面显示器的影像分辨率不断地提高，一方面产 品的模块尺寸也不断地朝更轻薄短小的方向迈进。配合的封装技术也由管芯 -电路板接合技术(Chip On Board，COB)转变为软片自动贴合技术(Tape Automated Bonding，TAB)，再演进为现今的微间距(fine pitch)的管芯-玻璃 接合技术(Chip On Glass，COG)。
目前常见的管芯-玻璃接合技术通常以各向异性导电膜(An-isotropic Conductive Film，ACF)作为芯片与玻璃基板之间电性连接的媒介。而各向异 性导电膜主要是利用其所含的导电颗粒与芯片的金凸块及玻璃基板的金属 垫片接触而达到电路导通的功能。然而，当两邻接接脚间距(pitch)缩小到20 微米以下时，两相邻接脚之间易产生漏电或短路的现象。因此，便有人提出 利用非导电膜作为芯片与玻璃基板间接合的媒介，以解决因ACF中导电颗 粒所造成的漏电或短路的问题。
当两邻接接脚间距缩小的同时，必须缩小弹性凸块的面积；然而，当弹 性凸块的面积缩小时，会降低凸块与基板之间的接着力，导致弹性凸块发生 断裂或剥离的情形，进而降低其产品的成品率。
美国专利第5,877,556号中披露一种凸块结构，其是在基板上形成长条 状的高分子凸块，之后，再在高分子凸块上形成多个条状的导电层，各导电 层电性连接至相对应的接垫。然而，由于整个长条状的高分子凸块其顶部面 积太大，在进行倒装焊接合时需施加较大的压力才能使凸块导通。且胶材固 化后的反弹力也比较大，易使芯片与玻璃基板之间的凸块裂开。此外，在进 行倒装焊接合时，胶材会被局限于四条高分子凸块内，形成很大的内压力， 故需要施加相当大的压合力量(bonding force)才能使接点接触导通，且亦有不 易排胶的问题。

本发明提供一种凸块结构，此凸块结构是在高分子凸块的外围额外设置 辅助高分子凸块，以增加弹性凸块底部的面积，进而提升弹性凸块与基板间 的接着力。如此，当弹性凸块的面积缩小时，即可避免弹性凸块发生断裂或 剥离的情形，以提升其成品率。
本发明提供一种凸块结构，适用于具有保护层的芯片。其主要是在基板 上形成高分子保护层(protection layer)时，同时在每个接垫上形成相对应的高 分子凸块。如此，高分子保护层不仅具有保护元件的功能，且亦可加强高分 子凸块的结构强度，使其不易断裂或由基板上剥离。
本发明提出一种凸块结构，包括至少一接垫、至少一第一高分子凸块、 至少一第二高分子凸块以及导电层。接垫配置于基板上。第一高分子凸块配 置于基板上。第二高分子凸块配置于基板上，且连接于第一高分子凸块。导 电层覆盖第一高分子凸块，并与接垫电性连接。
在本发明的一实施例中，第一高分子凸块位于接垫之外、部分位于接垫 上或完全位于接垫上。
在本发明的一实施例中，第二高分子凸块连接于第一高分子凸块的任一 侧或两侧以上或其外围。
在本发明的一实施例中，第二高分子凸块连接相邻两个或两个以上的第 一高分子凸块。
在本发明的一实施例中，第二高分子凸块的高度是小于或等于第一高分 子凸块的高度。
在本发明的一实施例中，第二高分子凸块与第一高分子凸块间的衔接处 具有沟槽或多个孔洞。
在本发明的一实施例中，导电层是全部覆盖第一高分子凸块或局部覆盖 第一高分子凸块。
在本发明的一实施例中，导电层是全部覆盖第二高分子凸块或局部覆盖 或不覆盖第二高分子凸块。
在本发明的一实施例中，此凸块结构还包括保护层，配置于基板上，以 暴露出上述接垫。
本发明另提出一种凸块结构，包括至少一接垫、至少一第一高分子凸块、 高分子保护层以及导电层。接垫配置于基板的表面上。此第一高分子凸块配 置于基板的表面上。高分子保护层覆盖于基板的表面上，且连接于第一高分 子凸块，其中第一高分子凸块与高分子保护层是由同一膜层所组成。导电层 覆盖第一高分子凸块，并与接垫电性连接。
在本发明的一实施例中，第一高分子凸块位于该接垫之外、部分位于该 接垫上或完全位于该接垫上。
在本发明的一实施例中，导电层覆盖第一高分子凸块且延伸至部分高分 子保护层上。
在本发明的一实施例中，第一高分子凸块配置于高分子保护层之上，导 电层覆盖部分的高分子保护层及第一高分子凸块，且与接垫电性连接。
在本发明的一实施例中，高分子保护层与第一高分子凸块间的衔接处具 有沟槽或多个孔洞。
在本发明的一实施例中，此凸块结构还包括第二高分子凸块，配置于高 分子保护层上，且连接于第一高分子凸块。
在本发明的一实施例中，第二高分子凸块连接于第一高分子凸块的任一 侧或两侧以上或其外围。
在本发明的一实施例中，第二高分子凸块连接相邻两个或两个以上的第 一高分子凸块。
在本发明的一实施例中，第二高分子凸块的高度是小于或等于第一高分 子凸块的高度。
在本发明的一实施例中，第二高分子凸块与第一高分子凸块间的衔接处 具有沟槽或多个孔洞。
在本发明的一实施例中，此凸块结构还包括保护层，配置于基板上，以 暴露出上述接垫。
在本发明的凸块结构中，其主要是利用连接于第一高分子凸块的外围的 第二高分子凸块作为辅助凸块，以增加弹性凸块底部的面积，进而增加弹性 凸块与基板之间的接着力。如此，当弹性凸块的面积缩小时，即可避免弹性 凸块发生断裂或剥离的情形，以提升其成品率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并 配合附图，作详细说明如下。

图1绘示为根据本发明的第一实施例的一种凸块结构的俯视示意图。
图2A～2F分别为沿图1中的I-I、II-II、III-III、IV-IV、V-V、VI-VI剖 面线所绘的剖面示意图。
图2G绘示为在图2A中所示的第一高分子凸块与第二高分子凸块之间 形成凹槽的剖面示意图。
图2H绘示为在图2A中所示的第一高分子凸块与第二高分子凸块之间 形成导角的剖面示意图。
图3绘示为根据本发明的第二实施例的一种凸块结构的俯视示意图。
图4A～4F分别为沿图3中的I-I、II-II、III-III、IV-IV、V-V、VI-VI剖 面线所绘的剖面示意图。
图5绘示为根据本发明的第三实施例的一种凸块结构的俯视示意图。
图6A～6D分别为沿图5中的I-I、II-II、III-III、IV-IV剖面线所绘的剖 面示意图。
图7绘示为根据本发明的第四实施例的一种凸块结构的俯视示意图。
图8A～8D分别为沿图7中的I-I、II-II、III-III、IV-IV剖面线所绘的剖 面示意图。
图9绘示为根据本发明的第五实施例的一种凸块结构的俯视示意图。
图10A～10D分别为沿图9中的I-I、II-II、III-III、IV-IV剖面线所绘的 剖面示意图。
图11绘示为根据本发明的第六实施例的一种凸块结构的俯视示意图。
图12A～12D分别为沿图11中的I-I、II-II、III-III、IV-IV剖面线所绘的 剖面示意图。
附图标记说明
100：基板    102：保护层    110：接垫
120、220、320、420、520、620：第一高分子凸块
130a、130b、130c、230a、230b、230c、330a、330b、630a、630b：第 二高分子凸块
140：导电层   142：测试垫    150：高分子保护层    R：凹槽

一般而言，芯片可区分为具有保护层的芯片以及没有形成保护层的芯 片。而以下先说明本发明的凸块结构应用于没有保护层的芯片的情形。
图1绘示为根据本发明的第一实施例的一种凸块结构的俯视示意图；图 2A～2F分别为沿图1中的I-I、II-II、III-III、IV-IV、V-V、VI-VI剖面线所 绘的剖面示意图；图2G绘示为在图2A中所示的第一高分子凸块与第二高 分子凸块之间形成凹槽的剖面示意图。首先，请同时参考图1、图2A及2B， 此凸块结构主要包括多个接垫110、多个第一高分子凸块120、多个第二高 分子凸块130a及多个导电层140。而为简化说明，以下将以其中接垫110、 对应于此接垫110的第一高分子凸块120及第二高分子凸块130a，以及覆盖 于此接垫110及高分子凸块上的导电层140为例以作说明。
接垫110配置于基板100上。位于基板100左右两侧的这些接垫110是 沿Y方向排列，而位于基板100上下两侧的这些接垫110是沿X方向排列。 基板100例如是硅基板、玻璃基板、印刷电路板、可挠式线路板或陶瓷基板， 且基板100中例如是已形成有许多电子元件或集成电路。接垫110的材质例 如是金属。此外，在本发明的实施例中，基板100可选择性地形成保护层102， 其暴露出接垫110，以保护基板100免于受损。而保护层102的材质例如是 氮化硅或其他适合的介电材质。
在第一实施例中，第一高分子凸块120配置于基板100上，且位于接垫 110之外。此外，第一高分子凸块120的材质例如是聚亚酰胺(PI)、环氧树 脂(epoxy)或压克力(acrylic)材料。第二高分子凸块130a同样配置于基 板100上，且连接于第一高分子凸块120的周围。本发明主要是通过连接于 第一高分子凸块120一侧的第二高分子凸块130a，以增加第一高分子凸块 120底部的面积，如此，即可提升高分子凸块与基板100间的接着力，以防 止高分子凸块发生断裂或剥离的问题，进而提高接点结构的成品率。上述的 第一高分子凸块120及连接于其一侧的第二高分子凸块130a可由相同的膜 层所组成。
由图1及图2A可知，第二高分子凸块130a是连接于第一高分子凸块 120的一侧，且沿着图1中所示的Y方向朝基板100的内部延伸。其目的是 欲通过第二高分子凸块130a的设置而增加第一高分子凸块120的底部面积， 以增加高分子凸块与基板100间的接着力，进而避免弹性凸块发生断裂或剥 离的情形。此外，第二高分子凸块130a的高度可小于第一高分子凸块120 的高度，以利于排胶；然而，第二高分子凸块130a的高度亦可等于第一高 分子凸块120的高度。
请继续参考图1及图2A，导电层140覆盖住第一高分子凸块120，且与 接垫110电性连接。此导电层140会延伸至第一高分子凸块120的外围，且 延伸至第一高分子凸块120外围的导电层140即可作为测试垫142来使用。 导电层140可以往第一高分子凸块120外围的任一处延伸，其可端视实际元 件设计而定。在此实施例中，导电层140是完全覆盖住第一高分子凸块120 及部分的第二高分子凸块130a。而第一高分子凸块120以及位于其上方的导 电层140便构成弹性凸块。此外，导电层140的材质例如是金属。再者，在 第一实施例中，用以进行电性测试的测试垫142位于接垫110的上方。
请参考图2C及图2D，图2C及图2D中所示的凸块结构大致上与图2A 及图2B中所示的凸块结构雷同，而二者不同的处主要在于：在图2C及图 2D的凸块结构中，其第二高分子凸块130a是连接于两相邻的第一高分子凸 块120之间，由此第二高分子凸块130b将相邻的第一高分子凸块120连接 在一起，以增加弹性凸块的结构强度。在此实施例中，是在两相邻的第一高 分子凸块120之间设置第二高分子凸块130b，然而，亦可在所有的第一高分 子凸块120之间皆设置第二高分子凸块130b(即形成一整条长条型的高分子 凸块)，以进一步地增加弹性凸块的结构强度。
接下来，请参考图2E及图2F，图2E及图2F中所示的凸块结构大致上 与图2A及图2B中所示的凸块结构雷同，而二者不同的处主要在于：在图 2E及图2F所示的凸块结构中，其第二高分子凸块130c不仅是连接于两相 邻的第一高分子凸块120之间，且亦沿着图1中所示的负X方向朝基板100 的内部延伸。其连接于第一高分子凸块120一侧的第二高分子凸块130c不 仅是朝基板100内部延伸，且亦连接于两相邻的第一高分子凸块120之间， 以更进一步地增加第一高分子凸块120的底部面积，进而提升高分子凸块与 基板100间的接着力。
此外，为防止图2A中所示的形成于第一高分子凸块120与第二高分子 凸块130a上的导电层140因应力集中而产生破裂的问题，请参考图2G所示， 可在第一高分子凸块120与第二高分子凸块130a间的衔接处选择性地形成 凹槽R或多个不连续的孔洞(图中未示)，以避免导电层140产生破裂的情形。 在本发明的一实施例中，导电层140可以完全覆盖、部分覆盖或不覆盖凹槽 R(或孔洞)均可。上述的凹槽或孔洞的设计可适用于任何第一高分子凸块与 第二高分子凸块衔接的处，以使覆盖于第一高分子凸块及第二高分子凸块上 的导电层不致破裂，且能维持其导电功能。
请参考图2H所示，除了上述之凹槽R或多个不连续的孔洞以外，亦可 在第一高分子凸块120与第二高分子凸块130a间的衔接处形成导角160，以 避免导电层140产生破裂的情形。
图3绘示为根据本发明的第二实施例的一种凸块结构的俯视示意图；图 4A～4F分别为沿图3中的I-I、II-II、III-III、IV-IV、V-V、VI-VI剖面线所 绘的剖面示意图。首先，请同时参考图3、图4A及图4B，此凸块结构大致 上与图1、图2A及2B中所示的凸块结构雷同，因此，对于其结构部分不再 多作赘述。而二者不同的处在于：在第二实施例中，其第一高分子凸块220 是完全位于接垫110上，而测试垫142则位于第一高分子凸块220以外的接 垫110上。
同样地，在图4A及图4B所示的凸块结构中，其第二高分子凸块230a 则是连接于第一高分子凸块220的一侧，且沿着图3中所示的Y方向朝基板 100的内部延伸，藉以增加第一高分子凸块220底部的面积。而在图4C及 图4D所示的凸块结构中，其第二高分子凸块230a是连接于两相邻的第一高 分子凸块120之间。此外，在图4E及图4F所示的凸块结构中，其第二高分 子凸块230c不仅是连接于两相邻的第一高分子凸块220之间，且亦沿着图3 中所示的负X方向朝基板100的内部延伸。上述的连接于第一高分子凸块 220的第二高分子凸块230a、230b及230c虽然是沿着不同方向(X方向或Y 方向)延伸，然而，其目的同样是欲通过第二高分子凸块的设置，以增加第 一高分子凸块120的底部面积，进而提升高分子凸块与基板100间的接着力， 以增加弹性凸块的成品率。
图5绘示为根据本发明的第三实施例的一种凸块结构的俯视示意图；图 6A～6D分别为沿图5中的I-I、II-II、III-III、IV-IV剖面线所绘的剖面示意图。 首先，请同时参考图5、图6A及图6B，此凸块结构大致上与图3、图4C 及4D中所示的凸块结构雷同，因此，对于其结构部分不再多作赘述。而二 者不同的处在于：在第三实施例中，其第一高分子凸块320是完全位于接垫 110上，而导电层140是覆盖整个第一高分子凸块320及第二高分子凸块 330a，且位于第二高分子凸块330a上的导电层140即可作为一测试垫142， 以进行电性测试。而在图6C及图6D所示的凸块结构中，其第二高分子凸 块330b不仅是连接于两相邻的第一高分子凸块320之间，且亦沿着图5中 所示的Y方向延伸。
接下来将详细说明本发明的凸块结构应用于具有保护层的芯片的情形。
图7绘示为根据本发明的第四实施例的一种凸块结构的俯视示意图；图 8A～8D分别为沿图7中的I-I、II-II、III-III、IV-IV剖面线所绘的剖面示意图。 首先，请同时参考图7、图8A及8B，此凸块结构主要包括多个接垫110、 多个第一高分子凸块420、高分子保护层150及多个导电层140。
接垫110配置于基板100上。高分子保护层150配置于基板100的表面 上，以保护其表面上所形成的元件免于受损。在此实施例中，是在形成高分 子保护层150时，同时在每个接垫110上形成相对应的第一高分子凸块420。 这些第一高分子凸块420与高分子保护层150是由相同的材料所组成，只是 第一高分子凸块420比高分子保护层150具有较高的高度而已。如此，高分 子保护层150不仅具有保护元件的功能，且亦可加强第一高分子凸块420的 结构强度，使其不易断裂或由基板100上剥离。
导电层140同样是覆盖住第一高分子凸块420，且与接垫110电性连接。 此导电层140会延伸至第一高分子凸块420的外围，且延伸至第一高分子凸 块420外围的导电层140即可作为一测试垫142来使用。在此实施例中，接 垫110具有较长的长度，如此，第一高分子凸块420仅位于部分的接垫110 上，而位于接垫110上其它部分的导电层140即可作为测试垫142，以进行 电性测试。
图8C及图8D所示的凸块结构大致上与图8A及图8B所示的凸块结构 雷同。不过，其接垫110的长度较短，而第一高分子凸块420会位于部分的 接垫110上，且导电层140会延伸至部分高分子保护层150上，以作为测试 垫142来使用。
同样地，在高分子保护层150与第一高分子凸块120的衔接处及/或第一 高分子凸块120与第二高分子凸块130a的衔接处可选择性地形成凹槽或多 个不连续的孔洞，以避免导电层140因应力集中而产生破裂的情形。此外， 导电层140可以完全覆盖、部分覆盖或不覆盖凹槽(或孔洞)均可。
图9绘示为根据本发明的第五实施例的一种凸块结构的俯视示意图；图 10A～10D分别为沿图9中的I-I、II-II、III-III、IV-IV剖面线所绘的剖面示意 图。请同时参考图9、图10A及图10B，此凸块结构大致上与图7、图8A 及8B中所示的凸块结构雷同，因此，对于其结构部分不再多作赘述。而二 者不同的处在于：在第五实施例中，其中部分的第一高分子凸块520位于接 垫110上，而其余部分的第一高分子凸块520则位于高分子保护层150上。 而位于接垫110上的导电层140即可作为测试垫142来使用。
图10C及图10D所示的凸块结构大致上与图10A及图10B所示的凸块 结构雷同。不过，其接垫110的长度较短，因此，导电层140会延伸至部分 高分子保护层150上，以作为测试垫142来使用。
图11绘示为根据本发明的第六实施例的一种凸块结构的俯视示意图； 图12A～12D分别为沿图11中的I-I、II-II、III-III、IV-IV剖面线所绘的剖面 示意图。请同时参考图11、图12A及图12B，此凸块结构大致上与图9、图 10A及10B中所示的凸块结构雷同，因此，对于其结构部分不再多作赘述。 而二者不同的处在于：在第六实施例中，第一高分子凸块620位于接垫110 之外，且位于高分子保护层150上。而导电层140覆盖于第一高分子凸块620 及部分的高分子保护层150上，且与接垫110电性连接，而位于接垫110上 的导电层140即可作为测试垫142来使用。
此外，在图12A及图12B的凸块结构中，其还包括第二高分子凸块630a， 此第二高分子凸块630a是连接于相邻的两个第一高分子凸块620之间，以 加强弹性凸块的结构强度。而在图12C及图12D所示的凸块结构中，各第 一高分子凸块620是彼此分离，且第二高分子凸块630b是连接于第一高分 子凸块620的一侧，且沿着图11中的Y方向延伸，以避免因凸块的高度较 高而易发生损毁的情形。
综上所述，本发明的凸块结构是在第一高分子凸块的外围额外设置第二 高分子凸块，此第二高分子凸块可连接于两相邻的第一高分子凸块之间，或 仅连接于第一高分子凸块的一侧，以通过第二高分子凸块的设置而增加弹性 凸块底部的面积，进而提升弹性凸块与基板间的接着力。如此，当弹性凸块 的面积缩小时，即可避免弹性凸块发生断裂或剥离的情形，以提升其成品率。
此外，本发明另提出一种凸块结构，适用于具有保护层的芯片。其主要 是在基板上形成高分子保护层时，同时在每个接垫上形成相对应的高分子凸 块。如此，高分子保护层不仅具有保护元件的功能，且亦可加强高分子凸块 的结构强度，使其不易断裂或由基板上剥离。
虽然本发明已以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，本领 域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因 此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定的为准。