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声波器件

阅读：1024发布：2020-05-24

IPRDB可以提供声波器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种声波器件，其包括：由含有二价元素和四价元素、或者二价元素和五价元素的氮化铝膜制成的压电膜；以及激发经由压电膜传播的声波的电极。，下面是声波器件专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种声波器件，包括：

由含有二价元素和四价元素、或者二价元素和五价元素的氮化铝膜制成的压电膜；和激发经由所述压电膜传播的声波的电极，其中用所述二价元素和所述四价元素或者所述二价元素和所述五价元素替换所述氮化铝膜的铝原子。

2.如权利要求1所述的声波器件，其中所述压电膜是含有二价元素和四价元素的氮化铝膜，并且含有钛、锆和铪中的至少一种作为所述四价元素。

3.如权利要求2所述的声波器件，其中所述压电膜含有钙、镁、锶和锌中的至少一种作为所述二价元素。

4.如权利要求1所述的声波器件，其中所述压电膜是含有二价元素和五价元素的氮化铝膜，并且含有钽、铌和钒中的至少一种作为所述五价元素。

5.如权利要求4所述的声波器件，其中所述压电膜含有镁和锌中的至少一种作为所述二价元素。

6.如权利要求1～5中任一项所述的声波器件，其中所述压电膜具有大于1.55C/m2的压电常数e33。

7.如权利要求1～5中任一项所述的声波器件，其中所述压电膜具有小于1.6的c-轴方向的晶格常数与a-轴方向的晶格常数之比。

8.如权利要求1～3中任一项所述的声波器件，其中所述压电膜是含有二价元素和四价元素的氮化铝膜，并且当所述氮化铝膜中的二价元素、四价元素和铝的原子总数限定为100原子％时，所述二价元素和所述四价元素的浓度之和大于或等于3原子％且小于或等于35原子％。

9.如权利要求1～3中任一项所述的声波器件，其中所述压电膜是含有二价元素和四价元素的氮化铝膜，并且当所述氮化铝膜中的二价元素、四价元素和铝的原子总数限定为100原子％时，所述四价元素的浓度与所述二价元素和所述四价元素的浓度之和的比率大于或等于0.35且小于或等于0.75。

10.一种声波器件，包括：

由氮化铝膜制成的压电膜，所述氮化铝膜含有实现介电常数增大和声速减小中的至少一项的元素；和激发经由所述压电膜传播的声波的电极，其中谐振频率小于或等于1.5GHz，用所述元素替换所述氮化铝膜的铝原子。

11.如权利要求10所述的声波器件，其中所述压电膜具有大于8.42×10-11F/m的介电常数ε33。

12.如权利要求10或11所述的声波器件，其中所述压电膜具有小于11404m/s的声速。

13.如权利要求10或11所述的声波器件，其中所述压电膜含有二价元素和四价元素作为所述元素。

14.如权利要求13所述的声波器件，其中所述二价元素是钙、镁、锶和锌中的至少一种，并且所述四价元素是钛、锆和铪中的至少一种。

15.如权利要求10或11所述的声波器件，其中所述压电膜含有三价元素作为所述元素。

16.如权利要求15所述的声波器件，其中所述三价元素是钇和钪中的至少一种。

17.如权利要求1～5、10和11中任一项所述的声波器件，其中所述压电膜具有c-轴取向的晶体结构。

18.如权利要求1～5、10和11中任一项所述的声波器件，还包括：弹性常数的温度系数与所述压电膜的弹性常数的温度系数符号相反的温度补偿膜。

19.如权利要求18所述的声波器件，其中所述温度补偿膜接触所述压电膜。

20.如权利要求18所述的声波器件，其中所述温度补偿膜主要含有氧化硅。

21.如权利要求1～5、10和11中任一项所述的声波器件，其中所述电极包括隔着所述压电膜彼此相对的上电极和下电极。

22.如权利要求21所述的声波器件，还包括：弹性常数的温度系数与所述压电膜的弹性常数的温度系数符号相反的温度补偿膜；和位于所述温度补偿膜的顶面和底面上且相互电短路的导电膜。

23.如权利要求1～5、10和11中任一项所述的声波器件，还包括：各自包括所述压电膜和所述电极的第一压电薄膜谐振器和第二压电薄膜谐振器，所述电极包括隔着所述压电膜彼此相对的上电极和下电极，其中堆叠所述第一压电薄膜谐振器和所述第二压电薄膜谐振器，并且去耦膜位于包括在所述第一压电薄膜谐振器中的上电极与包括在所述第二压电薄膜谐振器中的下电极之间。

24.如权利要求1～5、10和11中任一项所述的声波器件，其中所述电极是位于所述压电膜上的梳状电极。

25.如权利要求24所述的声波器件，其中由所述电极激发的声波是声表面波或Lamb波。

26.一种声波器件，包括：

由含有二价元素和四价元素的氮化铝膜制成的压电膜；和激发经由所述压电膜传播的声波的电极，其中当所述氮化铝膜中的二价元素、四价元素和铝的原子总数限定为100原子％时，所述二价元素和所述四价元素的浓度之和大于或等于3原子％且小于或等于35原子％。

27.一种声波器件，包括：

由含有二价元素和四价元素的氮化铝膜制成的压电膜；和激发经由所述压电膜传播的声波的电极，其中当所述氮化铝膜中的二价元素、四价元素和铝的原子总数限定为100原子％时，所述四价元素的浓度与所述二价元素和所述四价元素的浓度之和的比率大于或等于0.35且小于或等于0.75。

说明书全文

声波器件

技术领域

[0001] 本发明的某方面涉及声波器件。

背景技术

[0002] 包括移动电话的无线通信装置的扩散已鼓励了通过结合使用声表面波(SAW)或声体波(BAW)的声波器件而形成的滤波器的发展。使用SAW或BAW的滤波器与介质滤波器相比具有较小的外形和较高的Q，因此适用于需要尺寸较小且具有陡裙(steep skirt)特性的无线通信装置比如移动电话中的高频部件。此外，作为使用SAW或BAW的声波器件的发展装置，已经建议了使用Lamb波的声波器件。

[0003] 近年来，需要滤波器具有高性能。例如，滤波器特性的带需要变宽。可以通过使在滤波器中使用的声波器件的机电耦合系数增大来使滤波器特性的带变宽。使用机电耦合系数高的压电膜可以增加声波器件的机电耦合系数。

[0004] 当将氮化铝膜用作压电膜时，如例如Rajan S.Naik及10个其他人的"Measurements of the Bulk,C-Axis Electromechanical Coupling Constant as a Function of AlN Film Quality",IEEE TRANSACTIONS ON ULTRASONICS,FERROELECTRICS AND FREQUENCY CONTROL,2000,vol.47,p.292-296(非专利文献1)中所公开，可以通过控制氮化铝膜的c-轴取向来提高声波器件的机电耦合系数。例如，如在日本专利申请公开第
2002-344279号(专利文献1)中所公开，可以通过将含有碱土金属和/或稀土金属的氮化铝膜用于压电膜来使声波器件的机电耦合系数提高。而且，如在日本专利申请公开第2009-
10926号(专利文献2)中所公开，可以通过将含有预定范围内的含量比率的钪的氮化铝膜用于压电膜来使声波器件的机电耦合系数提高。

[0005] 然而，非专利文献1中公开的技术旨在提高氮化铝膜的机电耦合系数，因此不能得到比从氮化铝膜的材料特性中得到的机电耦合系数更高的机电耦合系数。此外，专利文献1中公开的技术旨在通过增大c-轴取向的氮化铝颗粒之间的晶界的键浓度来提高机电耦合系数，因此不能得到比从氮化铝膜的材料特性中得到的机电耦合系数更高的机电耦合系数。

[0006] 随着谐振频率下降，声波器件尺寸增大，因此成本增加。

发明内容

[0007] 根据本发明的一方面，提供一种声波器件，其包括：由含有二价元素和四价元素或二价元素和五价元素的氮化铝膜制成的压电膜；以及激发经由压电膜传播的声波的电极。

[0008] 根据本发明的另一方面，提供一种声波器件，其包括：由氮化铝膜制成的压电膜，该氮化铝膜含有实现介电常数增大和声速减小中的至少一项的元素；以及激发经由压电膜传播的声波的电极，其中谐振频率小于或等于1.5GHz。

附图说明

[0009] 图1示出用于模拟的氮化铝的结构；

[0010] 图2A是根据第一实施方式的声波器件的俯视图，图2B是沿图2A中的A-A线截取的截面图，并且图2C是沿图2A中的B-B线截取的截面图；

[0011] 图3A至图3H是用于阐释第一实施方式的声波器件的制造方法的截面图；

[0012] 图4A示出第一FBAR的谐振特性的模拟结果，并且图4B示出第二FBAR的谐振特性的模拟结果；

[0013] 图5示出第一掺杂氮化铝的能带结构的模拟结果；

[0014] 图6示出第二掺杂氮化铝的能带结构的模拟结果；

[0015] 图7示出第三掺杂氮化铝的能带结构的模拟结果；

[0016] 图8示出压电常数e33与机电耦合系数k2之间的关系；

[0017] 图9示出c-轴方向的晶格常数与a-轴方向的晶格常数之比(c/a)和机电耦合系数2
k之间的关系；

[0018] 图10A示出当使用镁作为二价元素并使用铪作为四价元素时机电耦合系数k2关于替换浓度(substitutional concentration)的相关性，并且图10B示出当使用镁作为二价元素并使用钛作为四价元素时机电耦合系数k2关于替换浓度的相关性；

[0019] 图11是根据第一实施方式的第一变型的声波器件的截面图；

[0020] 图12A示出第三FBAR的谐振特性的模拟结果，并且图12B示出第四FBAR的谐振特性的模拟结果；

[0021] 图13示出第五FBAR的谐振特性的模拟结果；

[0022] 图14示出第四掺杂氮化铝的能带结构的模拟结果；

[0023] 图15示出第五掺杂氮化铝的能带结构的模拟结果；

[0024] 图16示出压电常数e33与机电耦合系数k2之间的关系；

[0025] 图17示出c-轴方向的晶格常数与a-轴方向的晶格常数之比(c/a)和机电耦合系数k2之间的关系；

[0026] 图18示出当使用镁作为二价元素并使用钽作为五价元素时机电耦合系数k2关于替换浓度的相关性；

[0027] 图19示出第六FBAR的谐振特性的模拟结果；

[0028] 图20A示出Mg和Zr的替换浓度之和与归一化压电常数之间的关系，并且图20B是从图20A中提取Mg与Zr的替换浓度之比在1:1左右的数据的图；

[0029] 图21A示出Zr的替换浓度与Mg和Zr的替换浓度之和的比率与归一化压电常数之间的关系，并且图21B是从图21A中提取Mg与Zr的替换浓度之和大于或等于3原子％且小于或等于10原子％的数据的图；

[0030] 图22A和图22B示出二价元素和四价元素的替换浓度之和与归一化压电常数之间的关系；

[0031] 图23示出Mg和Zr的替换浓度之和与c/a比率之间的关系；

[0032] 图24A示出第三比较例的FBAR的谐振频率与谐振部的归一化膜厚之间的关系，并且图24B示出谐振频率与谐振部的归一化面积之间的关系；

[0033] 图25A示出Sc的替换浓度与介电常数ε33之间的关系，并且图25B示出Sc的替换浓度与声速V之间的关系；

[0034] 图26A示出第四实施方式的FBAR的谐振频率与谐振部的归一化膜厚之间的关系，并且图26B示出谐振频率与谐振部的归一化面积之间的关系；

[0035] 图27A是根据第四实施方式的第一变型的声波器件的截面图；并且图27B是根据第四实施方式的第二变型的声波器件的截面图；

[0036] 图28A示出在第四实施方式的第一变型和第二变型中谐振频率与谐振部的归一化膜厚之间的关系；并且图28B示出谐振频率与谐振部的归一化面积之间的关系；

[0037] 图29A是根据实施方式的第一变型的FBAR的截面图，图29B是根据实施方式的第二变型的FBAR的截面图，并且图29C是SMR的截面图；

[0038] 图30是CRF的截面图；

[0039] 图31A是声表面波器件的俯视图，并且图31B是沿图31A中的A-A线截取的截面图，图31C是Love波器件的截面图，并且图31D是声边界波器件的截面图；并且

[0040] 图32是Lamb波器件的截面图。

具体实施方式

[0041] 以下，将参照所附附图描述本发明的实施方式。

[0042] 第一实施方式

[0043] 现在将描述由发明人实施的氮化铝(AlN)模拟。使用称为第一原理计算的方法实施该模拟。计算电子态而不使用拟合参数等的方法统称为第一原理计算，其可以通过仅使用原子序数和组成单元晶格或分子的原子坐标来计算电子态。图1示出用于模拟的AlN的结构。如图1所示，用于模拟的是具有纤锌矿型晶体结构的AlN，其是含有十六个铝原子10和十六个氮原子12的超晶胞，通过使含有两个铝原子10和两个氮原子12的单元晶格在a-轴、b-轴和c-轴方向上加倍而得到。通过同时移动原子坐标、晶胞体积和晶胞形状来对具有纤锌矿型晶体结构的AlN执行第一原理计算，并计算稳定结构下的AlN的电子态。

[0044] 表1呈现根据经第一原理计算得到的稳定结构下的AlN的电子态计算的a-轴方向的晶格常数、c-轴方向的晶格常数以及c-轴方向的晶格常数与a-轴方向的晶格常数之比(c/a)。表1还呈现了通过溅射实际形成AlN膜并通过X-射线衍射测量AlN膜而得到的实验值。

[0045] [表1]

[0046]

[0047] 如表1所示，计算值和实验值对于a-轴方向的晶格常数均是对于c-轴方向的晶格常数均是且对于c/a比率均是1.60。该结果证实了使用第一原理计算的
上述模拟有效。

[0048] 现在将描述掺杂有铝(Al)和氮(N)以外的元素的掺杂AlN的模拟。以下，未掺杂有Al和N以外的元素的AlN称作非掺杂AlN。对具有如下晶体结构的掺杂AlN进行模拟，该晶体结构通过在具有图1所示纤锌矿型晶体结构的非掺杂AlN中将二价元素替换到一个铝原子10中并将四价元素替换到另一铝原子10中而形成。也就是说，对通过将二价元素和四价元素替换到部分铝位点中而形成的含有十四个铝原子、一个二价元素、一个四价元素和十六个氮原子的具有纤锌矿型晶体结构的掺杂AlN进行模拟。这里，提及为替换浓度的是当铝原子数量与替换元素的原子数量之和限定为100原子％时替换元素的原子浓度。因此，用于模拟的掺杂AlN中含有的二价元素和四价元素具有6.25原子％的替换浓度。使用钙(Ca)、镁(Mg)、锶(Sr)或锌(Zn)作为二价元素，并使用钛(Ti)、锆(Zr)或铪(Hf)作为四价元素。

[0049] 与非掺杂AlN的情况一样，第一原理计算可以计算稳定结构下的掺杂AlN的电子态，并且计算出的电子态使得a-轴方向的晶格常数、c-轴方向的晶格常数以及c/a比率能被计算出来。第一原理计算还可以根据由强行施加到稳定结构下的非掺杂AlN和掺杂AlN的晶格的小应变引起的总能量的较小变化来计算非掺杂AlN和掺杂AlN的压电常数、弹性常数和介电常数。关系式(表达式1)在c-轴方向的压电常数e33、弹性常数C33与介电常数ε33和机电耦合系数k2(以下称为k2)之间适用。因此，可以通过分别计算非掺杂AlN和掺杂AlN的压电常2
数e33、弹性常数C33以及介电常数ε33来计算非掺杂AlN和掺杂AlN的机电耦合系数k。

[0050] [表达式1]

[0051]

[0052] 表2呈现非掺杂AlN和掺杂AlN的计算出的压电常数e33和根据表达式1计算的k2。如在表2中所示，得到的结果证实掺杂有二价元素和四价元素(案例1至案例10)的掺杂AlN的压电常数e33和机电耦合系数k2大于非掺杂AlN(表2中的非掺杂AlN)的压电常数e33和机电耦合系数k2。二价元素和四价元素的组合可以是表2中示出的Ca-Ti、Ca-Zr、Ca-Hf、Mg-Ti、Mg-Zr、Mg-Hf、Sr-Hf、Zn-Ti、Zn-Zr或Zn-Hf，并且可以是其它组合。

[0053] [表2]

[0054]

[0055] 如上所示，发明人新发现含有二价元素和四价元素的掺杂AlN具有比非掺杂AlN的机电耦合系数k2更大的机电耦合系数k2。因此，现在将基于以上认知描述能够获得机电耦合系数k2高的声波器件的第一实施方式。

[0056] 图2A是根据第一实施方式的声波器件的俯视图，图2B是沿图2A中的A-A线截取的截面图，并且图2C是沿图2A中的B-B线截取的截面图。第一实施方式描述了作为一种压电薄膜谐振器的FBAR(膜声体波谐振器)。如图2A至图2C所示，FBAR 20包括基底22、下电极24、压电膜26和上电极28。

[0057] 基底22可以是绝缘基底，比如硅(Si)基底、玻璃基底、砷化镓(GaAs)基底或陶瓷基底。下电极24位于基底22上。下电极24可以是包括比如铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铂(Pa)、钌(Ru)、铑(Rh)和铱(Ir)中的至少一种的金属膜。下电极24可以具有单层结构或多层结构。

[0058] 压电膜26位于基底22和下电极24上。压电膜26是含有二价元素和四价元素的氮化铝(AlN)膜，并具有以c-轴为主轴的c-轴取向的晶体结构。二价元素和四价元素替换到氮化铝膜的铝位点中。上电极28位于压电膜26上从而具有与下电极24相对的区域。谐振部30是下电极24和上电极28隔着压电膜26彼此相对的区域。上电极28可以是包括针对下电极24描述的Al、Cu、Cr、Mo、W、Ta、Pt、Ru、Rh和Ir中的至少一种的金属膜。上电极可以具有单层结构或多层结构。

[0059] 圆顶状空隙32位于谐振部30中基底22与下电极24之间。越靠近空隙32的中心，圆顶状空隙32的高度变得越高。通过引入用于形成空隙32的蚀刻剂而形成的引入路径34位于下电极24下方。压电膜26等没有覆盖引入路径34的端部附近，且引入路径34的端部形成孔部36。孔部36是用于引入蚀刻剂以形成空隙32的进口。在压电膜26中形成有开口38，以提供与下电极24的电连接。

[0060] 当在下电极24与上电极28之间施加高频电信号时，在介于下电极24与上电极28之间的压电膜26中产生经逆压电效应激发的声波或因压电效应产生的应变引起的声波。上述声波被下电极24和上电极28的暴露于空气的表面完全反射，并由此变成在厚度方向具有主位移的声体波。也就是说，下电极24和上电极28起到激发经由压电膜26传播的声波的电极的作用。

[0061] 现在将参照图3A至图3H描述第一实施方式的声波器件的制造方法。图3A至图3D是与沿图2A中的A-A线截取的截面相应的截面图，并且图3E至图3H是与沿图2A中的B-B线截取的截面相应的截面图。

[0062] 如图3A和图3E所示，通过溅射或蒸镀在基底22上形成牺牲层39。牺牲层39由例如氧化镁(MgO)制成，并且至少在待形成空隙32的区域中形成。牺牲层39可以具有例如20nm的膜厚。然后在基底22和牺牲层39上通过例如在氩(Ar)气氛中溅射而形成金属膜。如前所述，该金属膜选自Al、Cu、Cr、Mo、W、Ta、Pt、Ru、Rh和Ir中的至少一种。然后，通过曝光(exposure)和蚀刻将金属膜成型为期望的形状，以形成下电极24。此时，部分下电极24具有覆盖牺牲层39的形状。

[0063] 如图3B和图3F所示，通过对在氩和氮的混合气氛下向Al中引入二价元素和四价元素而形成的Al合金靶标进行溅射，在基底22和下电极24上形成由氮化铝(AlN)膜制成的压电膜26。代替对通过向Al中引入二价元素和四价元素而形成的Al合金靶标进行溅射，可以通过多重溅射同时对Al靶标、二价元素靶标和四价元素靶标进行溅射。在这种情况下，可以通过改变施加到各靶标的电力来控制压电膜26中所含有的二价元素和四价元素的原子浓度。

[0064] 如图3C和图3G所示，随后通过例如在氩气氛中进行溅射而在压电膜26上形成金属膜。如前所述，金属膜选自Al、Cu、Cr、Mo、W、Ta、Pt、Ru、Rh和Ir中的至少一种。然后，通过曝光和蚀刻将金属膜成型为期望的形状，以形成上电极28。此外，还通过例如曝光和蚀刻将压电膜26成型为期望的形状。此外，通过选择性地蚀刻下电极24和牺牲层39来形成孔部36。

[0065] 在以上工序之后，如图3D和图3H所示，从孔部36引入蚀刻剂以蚀刻牺牲层39。这里，通过调节溅射条件将对由下电极24、压电膜26和上电极28形成的多层膜的应力设定成压缩应力。因此，当牺牲层39的蚀刻完成时，多层膜凸出，并在基底22与下电极24之间形成圆顶状空隙32。还形成连接空隙32与孔部36的引入路径34。上述制造工序形成如2所示的声波器件。

[0066] 现在将描述为了研究第一实施方式的FBAR的有效机电耦合系数keff2(以下，称作keff2)而进行的模拟。该模拟使用通过第一原理计算得到的由含有二价元素和四价元素的氮化铝膜制成的压电膜26的压电常数、弹性常数和介电常数的计算值。现在将描述对具有以下配置的第一FBAR和第二FBAR实施的模拟。

[0067] 对于下电极24，第一FBAR使用多层金属膜，其含有从基底22侧顺序堆叠的膜厚为100nm的Cr和膜厚为225nm的Ru。压电膜26是含有Mg作为二价元素并含有Hf作为四价元素且膜厚为1000nm的氮化铝膜。Mg和Hf的替换浓度被设定为6.25原子％。上电极28是多层金属膜，其含有从基底22侧顺序堆叠的膜厚为225nm的Ru和膜厚为30nm的Cr。此外，膜厚为50nm的二氧化硅(SiO2)膜位于上电极28上。

[0068] 第二FBAR将膜厚为1000nm且含有Mg作为二价元素并含有Ti作为四价元素的氮化铝膜用于压电膜26。其它配置与第一FBAR相同。Mg和Ti的替换浓度被设定为6.25原子％。

[0069] 为进行比较，还对第一比较例进行模拟，其中第一比较例具有与第一FBAR和第二FBAR相同的配置，不同之处在于将膜厚为1150nm的非掺杂氮化铝膜用于压电膜。

[0070] 图4A示出第一FBAR的谐振特性的模拟结果，并且图4B示出第二FBAR的谐振特性的模拟结果。图4A中的实线表示第一FBAR的谐振特性，图4B中的实线示出第二FBAR的谐振特性，并且虚线表示第一比较例的谐振特性。如图4A和图4B所示，相比于第一比较例，第一FBAR和第二FBAR中谐振频率与反谐振频率之间的间隔较宽。第一FBAR、第二FBAR和第一比较例的有效机电耦合系数keff2分别为17.5％、12.9％和7.22％。

[0071] 此外，模拟的是以相同的方式将不同种类的元素用于压电膜26中所含的二价元素和四价元素的FBAR。表3呈现模拟结果。二价元素和四价元素的替换浓度被设定为6.25原子％，并且使得除二价元素和四价元素种类以外的配置与第一FBAR和第二FBAR相同。

[0072] [表3]

[0073]

[0074]

[0075] 如表3所述，所得结果证明，将含有二价元素和四价元素的氮化铝膜用于压电膜(案例1至案例10)的声波器件的有效机电耦合系数keff2比将非掺杂氮化铝膜用于压电膜2
(表3：氮化铝)的声波器件的有效机电耦合系数keff 更大。二价元素和四价元素的组合可以是表3中示出的Ca-Ti、Ca-Zr、Ca-Hf、Mg-Ti、Mg-Zr、Mg-Hf、Sr-Hf、Zn-Ti、Zn-Zr或Zn-Hf，并且可以是其它组合。

[0076] 第一实施方式证明，可以通过将含有二价元素和四价元素的氮化铝膜用于压电膜26来获得机电耦合系数高的声波器件。

[0077] 在表3示出的模拟结果中，压电膜26含有Ca、Mg、Sr和Zn中的一种作为二价元素，但也可以含有两种或多种这些二价元素。而且，压电膜26含有Ti、Zr和Hf中的一种作为四价元素，但也可以含有两种或多种这些四价元素。也就是说，压电膜26可含有Ca、Mg、Sr和Zn中的至少一种作为二价元素，并且可含有Ti、Zr和Hf中的至少一种作为四价元素。此外，压电膜26可含有表3列举以外的二价元素和四价元素。

[0078] 现在将描述掺杂有二价元素和四价元素的掺杂AlN(以下称为第一掺杂AlN)的绝缘性。通过第一原理计算而计算第一掺杂AlN的电子态并绘制能带图来评价绝缘性。为进行比较，评价的是以相同方式仅掺杂有二价元素的掺杂AlN(以下称为第二掺杂AlN)的绝缘性和仅掺杂有四价元素的掺杂AlN(以下称为第三掺杂AlN)的绝缘性。第一掺杂AlN、第二掺杂AlN和第三掺杂AlN具有以下晶体结构。

[0079] 第一掺杂AlN是通过在具有图1所示纤锌矿型晶体结构的非掺杂AlN中将二价元素替换到一个铝原子10中并将四价元素替换到另一个铝原子10中而形成的掺杂AlN。因此，二价元素与四价元素的替换浓度之比为1:1。Mg被用作二价元素，且Hf被用作四价元素。

[0080] 第二掺杂AlN是通过在具有图1所示纤锌矿型晶体结构的非掺杂AlN中将二价元素替换到一个铝原子10中而形成的掺杂AlN。Mg被用作二价元素。

[0081] 第三掺杂AlN是通过在具有图1所示纤锌矿型晶体结构的非掺杂AlN中将四价元素替换到一个铝原子10中而形成的掺杂AlN。Hf被用作四价元素。

[0082] 图5示出第一掺杂AlN的能带结构的模拟结果。图6示出第二掺杂AlN的能带结构的模拟结果。图7示出第三掺杂AlN的能带结构的模拟结果。在图5至图7中，实线表示能级，下侧的能级带表示价带，并且上侧的能级带表示导带。禁带在价带与导带之间。虚线表示费米能(以下简写为Ef)。

[0083] 当AlN仅掺杂有Mg作为二价元素时，费米能Ef位于价带顶部的下方，因此位于价带中，如图6所示。这表明，当AlN仅掺杂有二价元素时绝缘性降低。当AlN仅掺杂有Hf作为四价元素时，费米能Ef位于导带底部的上方，因此位于导带中，如图7所示。这表明，当AlN仅掺杂有四价元素时绝缘性也降低。

[0084] 另一方面，当AlN以1:1的比率掺杂有Mg作为二价元素以及Hf作为四价元素时，费米能Ef位于价带顶部与导带底部之间的禁带中，如图5所示。这表明，通过对AlN掺杂二价元素和四价元素，并使二价元素与四价元素的替换浓度之比为1:1，可以保持绝缘性。这是由于通过使二价元素与四价元素的替换浓度之比为1:1，掺杂AlN的电性能可以保持中性，因为二价元素和四价元素均替换到三价铝位点中。图5示出Mg被用作二价元素且Hf被用作四价元素的情况，但在使用其它二价元素和四价元素时，同样能够保持绝缘性。

[0085] 因此，在第一实施方式的FBAR中，通过把以1:1的比率含有二价元素和四价元素的氮化铝膜用于压电膜26，可以得到可保持压电膜26的绝缘性且具有高机电耦合系数的声波器件。二价元素与四价元素的替换浓度之比优选为1:1，达到使压电膜的电性能可保持中性的程度。

[0086] 接着，将描述掺杂有二价元素和四价元素的掺杂AlN的压电常数e33与机电耦合系数k2之间的关系。通过第一原理计算来计算掺杂AlN的压电常数e33，并根据表达式1来计算机电耦合系数k2。图8示出对于表2呈现的案例1至案例10的掺杂AlN和非掺杂AlN，压电常数e33与机电耦合系数k2之间的关系。在图8中，开圆(open circle)表示非掺杂AlN的结果，且黑圆表示掺杂AlN的结果。如图8所示，所有掺杂有二价元素和四价元素的掺杂AlN的压电常数e33大于非掺杂AlN的压电常数e33，且机电耦合系数k2随着压电常数e33增加而增大。这表明，第一实施方式的FBAR优选将含有二价元素和四价元素且压电常数e33大于1.55(即氮化铝的压电常数e33)的氮化铝膜用于压电膜26。以上配置允许压电膜26具有高的机电耦合系数，因此允许得到机电耦合系数高的声波器件。

[0087] 如图8所示，压电膜26优选具有大于1.6更优选大于1.8的压电常数e33，因为机电耦合系数k2随着压电常数e33增加而增大。

[0088] 现在将描述掺杂有二价元素和四价元素的掺杂AlN的晶体结构与机电耦合系数k2之间的关系。使用通过第一原理计算而计算的c-轴方向的晶格常数与a-轴方向的晶格常数之比(c/a)来评价掺杂AlN的晶体结构。通过将经第一原理计算得到的掺杂AlN的压电常数等的计算值分配到表达式1中来计算机电耦合系数k2。图9示出对于表2呈现的案例1至案例2
10的掺杂AlN和非掺杂AlN，c/a比率与机电耦合系数k之间的关系。在图9中，开圆表示非掺杂AlN的结果，且黑圆表示掺杂AlN的结果。如图9所示，所有掺杂有二价元素和四价元素的掺杂AlN的c/a比率小于非掺杂AlN的c/a比率，且机电耦合系数k2随着c/a比率减小而增大。
这表明，第一实施方式的FBAR优选将含有二价元素和四价元素且c/a比率小于1.6(即氮化铝的c/a比率)的氮化铝膜用于压电膜26。以上配置允许压电膜26具有高的机电耦合系数，因此允许得到机电耦合系数高的声波器件。

[0089] 如图9所示，压电膜26优选具有小于1.595更优选小于1.59的c/a比率，因为机电耦合系数k2随着c/a比率减小而增大。

[0090] 现在将描述机电耦合系数k2关于掺杂有二价元素和四价元素的掺杂AlN的替换浓度的相关性。通过第一原理计算而计算图1所示纤锌矿型晶体结构的超晶胞的大小和具有不同数目的铝原子被二价元素和四价元素替换的掺杂AlN的电子态，来评价机电耦合系数k2关于替换浓度的相关性。使二价元素和四价元素的替换浓度彼此相等，以使掺杂AlN的电性能为中性。

[0091] 图10A示出当使用Mg作为二价元素并使用Hf作为四价元素时机电耦合系数k2关于替换浓度的相关性，且图10B示出当使用Mg作为二价元素并使用Ti作为四价元素时机电耦合系数k2关于替换浓度的相关性。图10A和图10B表明，不仅在使用Mg和Hf时而且在使用Mg和Ti时，掺杂AlN的机电耦合系数k2均随着替换浓度的增加而增大。该结果表明，可以通过控制替换浓度来将机电耦合系数k2控制到期望值。例如，通过将Mg和Hf的替换浓度之和控制为约4原子％，或通过将Mg和Ti的替换浓度之和控制为约7原子％，可以得到机电耦合系数k2为10％的掺杂AlN。该模拟使用Mg作为二价元素并使用Ti或Hf作为四价元素，但也可以使用其它二价元素和四价元素。

[0092] 因此，在第一实施方式的FBAR中，可以通过控制压电膜26中所含的二价元素和四价元素的替换浓度来得到具有期望的机电耦合系数的声波器件。

[0093] 现在将描述根据第一实施方式的第一变型的声波器件。图11示出第一实施方式的第一变型的声波器件的截面图。如图11所示，第一实施方式的第一变型的FBAR 40包括被插入以便介于压电膜26a与26b之间的温度补偿膜42。该温度补偿膜42位于压电膜26a与26b之间，并与压电膜26a和26b接触。温度补偿膜42由弹性常数的温度系数与压电膜26a和26b的弹性常数的温度系数符号相反的材料制成。例如，当压电膜26a和26b的温度系数为负时，使用具有正温度系数的温度补偿膜42。其它配置与第一实施方式相同，因此省略其说明。

[0094] 提供上述温度补偿膜42使FBAR 40的温度特性得到改进。氧化硅(SiO2)膜是温度补偿膜42的实例。代替SiO2膜，可以使用主要含有氧化硅的膜，例如掺杂有元素比如氟(F)的氧化硅膜。此处，“主要含有…的膜”是指含有某元素使得温度补偿膜42的弹性常数的温度系数变得与压电膜26a和26b的弹性常数的温度系数符号相反的膜。

[0095] 将描述为了研究第一实施方式的第一变型的FBAR 40的有效机电耦合系数keff2而进行的模拟。与第一实施方式一样，将经第一原理计算得到的计算值用于压电膜26a和26b(即含有二价元素和四价元素的氮化铝膜)的压电常数、弹性常数和介电常数。将描述对具有以下配置的第三FBAR和第四FBAR进行的模拟。

[0096] 对于下电极24，第三FBAR使用多层金属膜，其含有从基底22侧顺序堆叠的膜厚为100nm的Cr和膜厚为225nm的Ru。压电膜26a和26b是膜厚为400nm且含有Mg作为二价元素和Hf作为四价元素的氮化铝膜。Mg和Hf的替换浓度被设定为6.25原子％。将膜厚为50nm的SiO2膜用于温度补偿膜42。上电极28是多层金属膜，其含有从基底22侧顺序堆叠的膜厚为
225nm的Ru和膜厚为30nm的Cr。膜厚为50nm的SiO2膜位于上电极28上。

[0097] 第四FBAR将膜厚为400nm且含有Mg作为二价元素和Ti作为四价元素的氮化铝膜用于压电膜26a和26b。其它配置与第三FBAR相同。Mg和Ti的替换浓度被设定为6.25原子％。

[0098] 为进行比较，还对第二比较例进行模拟，其中第二比较例具有与第三FBAR和第四FBAR相同的配置，不同之处在于将膜厚为475nm的非掺杂氮化铝膜用于压电膜。

[0099] 图12A示出第三FBAR的谐振特性的模拟结果，并且图12B示出第四FBAR的谐振特性的模拟结果。图12A中的实线表示第三FBAR的谐振特性，图12B中的实线表示第四FBAR的谐振特性，并且虚线表示第二比较例的谐振特性。如图12A和图12B所示，与第二比较例相比，第三FBAR和第四FBAR中谐振频率与反谐振频率之间的间隔较宽。第三FBAR、第四FBAR和第二比较例的有效机电耦合系数keff2分别为12.0％、8.78％和5.01％。

[0100] 还模拟的是以相同方式将不同种类的元素用于压电膜26a和26b所含的二价元素和四价元素的FBAR。表4呈现模拟结果。二价元素和四价元素的替换浓度被设定为6.25％，并且除二价元素和四价元素种类以外的配置与第三FBAR和第四FBAR相同。

[0101] [表4]

[0102]

[0103]

[0104] 如表4所示，即使在设置温度补偿膜42时，将含有二价元素和四价元素的氮化铝膜用于压电膜(案例1至案例10)的声波器件的有效机电耦合系数keff2也大于将非掺杂氮化铝膜用于压电膜(表4：氮化铝)的声波器件的有效机电耦合系数keff2。二价元素和四价元素的组合可以是表4中示出的Ca-Ti、Ca-Zr、Ca-Hf、Mg-Ti、Mg-Zr、Mg-Hf、Sr-Hf、Zn-Ti、Zn-Zr或Zn-Hf，但也可以是其它组合。

[0105] 第一实施方式的第一变型证明，即使在包括温度补偿膜42时，也可以通过将含有二价元素和四价元素的氮化铝膜用于压电膜26a和26b，来获得机电耦合系数高的声波器件。

[0106] 第二实施方式

[0107] 第二实施方式是将含有二价元素和五价元素的氮化铝膜用于压电膜的示例性声波器件。首先将描述使用第一原理计算对掺杂有二价元素和五价元素的掺杂AlN进行的模拟。对具有如下晶体结构的掺杂AlN进行模拟，该晶体结构通过在具有图1所示纤锌矿型晶体结构的非掺杂AlN中将二价元素替换到两个铝原子10中并将五价元素替换到另一铝原子10中而形成。也就是说，部分铝位点被二价元素和五价元素替换，并且模拟的是含有十三个铝原子、两个二价元素、一个五价元素和十六个氮原子的具有纤锌矿型晶体结构的掺杂AlN。因此，二价元素的替换浓度是12.5原子％，且五价元素的替换浓度是6.25％。Mg或Zn被用作二价元素，且钽(Ta)、铌(Nb)或钒(V)被用作五价元素。

[0108] 表5呈现非掺杂AlN和掺杂AlN的压电常数e33的计算值和根据表达式1计算的机电耦合系数k2。如表5所示，所得结果证明，掺杂有二价元素和五价元素(案例1至案例6)的掺杂AlN的压电常数e33和机电耦合系数k2大于非掺杂AlN(表5：非掺杂AlN)的压电常数e33和机电耦合系数k2。二价元素和五价元素的组合可以是表5中示出的Mg-Ta、Mg-Nb、Mg-V、Zn-Ta、Zn-Nb或Zn-V，但也可以是其它组合。

[0109] [表5]

[0110]

[0111] 如上所述，发明人新发现含有二价元素和五价元素的掺杂AlN的机电耦合系数k2也大于非掺杂AlN的机电耦合系数k2。现在将基于以上认知描述能够获得机电耦合系数k2高的声波器件的第二实施方式。

[0112] 第二实施方式的声波器件具有与第一实施方式相同的配置，不同之处在于压电膜26是含有二价元素和五价元素的氮化铝膜，因此省略其说明。二价元素和五价元素被替换到氮化铝膜的铝位点中。压电膜26与第一实施方式一样具有c-轴取向的晶体结构。

[0113] 第二实施方式的声波器件的制造方法与第一实施方式相同，不同之处在于压电膜26由通过向Al中引入二价元素和五价元素而形成的Al合金靶标制成，因此省略其说明。如在第一实施方式中描述的，可使用同时溅射Al靶标、二价元素靶标和五价元素靶标的多重溅射技术。

[0114] 现在将描述为了研究第二实施方式的FBAR的有效机电耦合系数keff2而进行的模拟。该模拟使用通过第一原理计算得到的压电膜26(即含有二价元素和五价元素的氮化铝膜)的压电常数、弹性常数和介电常数的计算值。将描述对具有以下配置的第五FBAR实施的模拟。

[0115] 对于下电极24，第五FBAR使用多层金属膜，其含有从基底22侧顺序堆叠的膜厚为100nm的Cr和膜厚为225nm的Ru。压电膜26是膜厚为850nm且含有Mg作为二价元素和Ta作为五价元素的氮化铝膜。Mg的替换浓度被设定为12.5原子％，且Ta的替换浓度被设定为6.25原子％。上电极28是多层金属膜，其含有从基底22侧顺序堆叠的膜厚为225nm的Ru和膜厚为
30nm的Cr。膜厚为50nm的SiO2膜位于上电极28上。

[0116] 图13示出第五FBAR的谐振特性的模拟结果。实线表示第五FBAR的谐振特性。为进行比较，虚线表示图4A和图4B中示出的第一比较例的谐振特性。如图13所示，相比于第一比较例，第五FBAR中谐振频率与反谐振频率之间的间隔较宽。第一比较例的有效机电耦合系数keff2为7.22％，而第五FBAR的有效机电耦合系数keff2为17.6％。

[0117] 还模拟的是以相同的方式将不同种类的元素用于压电膜26所含的二价元素和五价元素的FBAR。表6呈现模拟结果。二价元素的替换浓度被设定为12.5原子％，且五价元素的替换浓度被设定为6.25原子％，并且除二价元素和五价元素种类以外的配置与第五FBAR相同。

[0118] [表6]

[0119]

[0120] 如表6所示，将含有二价元素和五价元素的氮化铝膜用于压电膜(案例1至案例6)的声波器件的有效机电耦合系数keff2比将非掺杂氮化铝膜用于压电膜(表6：氮化铝)的声2
波器件的有效机电耦合系数keff 更大。二价元素和五价元素的组合可以是表6中示出的Mg-Ta、Mg-Nb、Mg-V、Zn-Ta、Zn-Nb或Zn-V，但也可以是其它组合。

[0121] 第二实施方式证明，也可以通过将含有二价元素和五价元素的氮化铝膜用于压电膜26来获得机电耦合系数高的声波器件。

[0122] 在表6中，压电膜26含有Mg或Zn作为二价元素，但也可以同时含有二者。而且，压电膜26含有Ta、Nb和V中的一种作为五价元素，但也可以含有其中的两种或多种。也就是说，压电膜26可含有Mg和Zn中的至少一种作为二价元素，并且含有Ta、Nb和V中的至少一种作为五价元素。此外，压电膜26可含有表6列举以外的二价元素和五价元素。

[0123] 现在将描述掺杂有二价元素和五价元素的掺杂AlN(以下称为第四掺杂AlN)的绝缘性。通过第一原理计算而计算第四掺杂AlN的电子态并绘制能带图来评价绝缘性。为进行比较，还以相同方式对仅掺杂有五价元素的掺杂AlN(以下称为第五掺杂AlN)的绝缘性进行评价。第四掺杂AlN和第五掺杂AlN具有以下晶体结构。

[0124] 第四掺杂AlN是通过在具有图1所示纤锌矿型晶体结构的非掺杂AlN中将二价元素替换到两个铝原子10中并将五价元素替换到另一个铝原子10中而形成的掺杂AlN。因此，二价元素与五价元素的替换浓度之比为2:1。Mg被用作二价元素，且Ta被用作五价元素。

[0125] 第五掺杂AlN是通过在具有图1所示纤锌矿型晶体结构的非掺杂AlN中将五价元素替换到一个铝原子10中而形成的掺杂AlN。Ta被用作五价元素。

[0126] 图14示出第四掺杂AlN的能带结构的模拟结果。图15示出第五掺杂AlN的能带结构的模拟结果。如图6所示，当AlN仅掺杂有Mg作为二价元素时，费米能Ef位于价带中，且绝缘性降低。如图15所示，当AlN仅掺杂有Ta作为五价元素时，费米能Ef位于导带底部的上方，因此位于导带中。这表明，当AlN仅掺杂有五价元素时绝缘性也降低。

[0127] 另一方面，当AlN以2:1的比率掺杂有Mg作为二价元素以及Ta作为五价元素时，费米能Ef位于价带顶部和导带底部之间的禁带中，如图14所示。这表明，通过对AlN掺杂二价元素和五价元素，并使二价元素与五价元素的替换浓度之比为2:1，可以保持绝缘性。这是由于通过使二价元素与五价元素的替换浓度之比为2:1，掺杂AlN的电性能可以保持中性，因为如在第一实施方式中所描述的，二价元素和五价元素均替换到三价铝位点中。图14示出Mg被用作二价元素且Ta被用作五价元素的情况，但即使在使用其它二价元素和五价元素时，同样能够保持绝缘性。

[0128] 因此，在第二实施方式的FBAR中，通过将以2:1的比率含有二价元素和五价元素的氮化铝膜用于压电膜26，可以得到保持压电膜26的绝缘性且具有高机电耦合系数的声波器件。二价元素与五价元素的替换浓度之比优选为2:1，达到使压电膜的电性能可保持中性的程度。

[0129] 将描述掺杂有二价元素和五价元素的掺杂AlN的压电常数e33与k2之间的关系。以与第一实施方式的图8中描述的相同方式来计算掺杂AlN的压电常数e33和k2。图16示出对于表5呈现的案例1至案例6的掺杂AlN和非掺杂AlN，压电常数e33与k2之间的关系。在图16中，开圆表示非掺杂AlN的结果，且黑圆表示掺杂AlN的结果。如图16所示，所有掺杂有二价元素2
和五价元素的掺杂AlN的压电常数e33大于非掺杂AlN的压电常数e33，且机电耦合系数k随着压电常数e33增加而增大。这表明，第二实施方式的FBAR优选将含有二价元素和五价元素且压电常数e33大于1.55(即氮化铝的压电常数e33)的氮化铝膜用于压电膜26。上述配置允许压电膜26具有高的机电耦合系数，因此允许得到机电耦合系数高的声波器件。

[0130] 如图16所示，压电膜26的压电常数e33优选大于1.6更优选大于1.8，因为机电耦合系数k2随着压电常数e33增加而增大。

[0131] 现在将描述掺杂有二价元素和五价元素的掺杂AlN的晶体结构与机电耦合系数k2之间的关系。按照第一实施方式的图9中描述的那样用c/a比率来评价掺杂AlN的晶体结构。以与第一实施方式的图9中描述的相同方式来计算机电耦合系数k2。图17示出对于表5呈现的案例1至案例6的掺杂AlN和非掺杂AlN，c/a比率与机电耦合系数k2之间的关系。在图17中，开圆表示非掺杂AlN的结果，且黑圆表示掺杂AlN的结果。如图17所示，所有掺杂有二价元素和五价元素的掺杂AlN的c/a比率小于非掺杂AlN的c/a比率，且机电耦合系数k2随着c/a比率减小而增大。因此，第二实施方式的FBAR优选将含有二价元素和五价元素且c/a比率小于1.6(即氮化铝的c/a比率)的氮化铝膜用于压电膜26。上述配置允许压电膜26具有高的机电耦合系数，因此允许得到机电耦合系数高的声波器件。

[0132] 如图17所示，压电膜26优选具有小于1.595更优选小于1.59的c/a比率，因为机电耦合系数k2随着c/a比率减小而增大。

[0133] 将描述掺杂有二价元素和五价元素的掺杂AlN的机电耦合系数k2关于替换浓度的相关性。以与第一实施方式的图10A和图10B中描述的相同方式来评价机电耦合系数k2关于替换浓度的相关性。二价元素与五价元素的替换浓度之比被设定为2:1，以使掺杂AlN的电性能为中性。

[0134] 图18示出当使用Mg作为二价元素并使用Ta作为五价元素时机电耦合系数k2关于替换浓度的相关性。图18表明，机电耦合系数k2随着替换浓度增加而增大。这表明，与第一实施方式的情况一样，可以通过控制替换浓度来将掺杂AlN的机电耦合系数k2控制到期望值。例如，通过将Mg和Ta的替换浓度之和控制为约7原子％，可以得到机电耦合系数k2为10％的掺杂AlN。该模拟使用Mg作为二价元素以及Ta作为五价元素，但也可以使用其它二价元素和五价元素。

[0135] 因此，在第二实施方式的FBAR中，可以通过控制压电膜26中所含的二价元素和五价元素的替换浓度来得到具有期望的机电耦合系数的声波器件。

[0136] 现在将描述根据第二实施方式的第一变型的声波器件。第二实施方式的第一变型的声波器件将含有二价元素和五价元素的氮化铝膜用于压电膜26a和26b。其它配置与第一实施方式的第一变型相同，因此省略其说明。

[0137] 将描述为了研究第二实施方式的第一变型的FBAR的有效机电耦合系数keff2而进行的模拟。与第二实施方式的情况一样，将经第一原理计算得到的计算值用于压电膜26a和26b(即含有二价元素和五价元素的氮化铝膜)的压电常数、弹性常数和介电常数。将描述对具有以下配置的第六FBAR进行的模拟。

[0138] 对于下电极24，第六FBAR使用多层金属膜，其含有从基底22侧顺序堆叠的膜厚为100nm的Cr和膜厚为225nm的Ru。压电膜26a和26b是膜厚为375nm且含有Mg作为二价元素和Ta作为五价元素的氮化铝膜。Mg的替换浓度被设定为12.5原子％，且Ta的替换浓度被设定为6.25原子％。将膜厚为50nm的SiO2膜用于温度补偿膜42。上电极28是多层金属膜，其含有从基底22侧顺序堆叠的膜厚为225nm的Ru和膜厚为30nm的Cr。膜厚为50nm的SiO2膜位于上电极28上。

[0139] 图19示出第六FBAR的谐振特性的模拟结果。实线示出第六FBAR的谐振特性。虚线示出图12所示的第二比较例的谐振特性用于比较。如图19所示，相比于第二比较例，在第六FBAR中谐振频率与反谐振频率之间的间隔较宽。第二比较例的有效机电耦合系数keff2为5.01％，而第六FBAR的有效机电耦合系数keff2为13.1％。

[0140] 还模拟的是以相同的方式将不同种类的元素用于压电膜26a和26b所含的二价元素和五价元素的FBAR。表7呈现模拟结果。二价元素的替换浓度被设定为12.5原子％，五价元素的替换浓度被设定为6.25原子％，并且除二价元素和五价元素以外的配置与第六FBAR相同。

[0141] [表7]

[0142]

[0143] 如表7所示，即使在包括温度补偿膜42时，将含有二价元素和五价元素的氮化铝膜用于压电膜(案例1至案例6)的声波器件的有效机电耦合系数keff2也比将非掺杂氮化铝膜用于压电膜(表7：氮化铝)的声波器件的有效机电耦合系数keff2更大。二价元素和五价元素的组合可以是表7中示出的Mg-Ta、Mg-Nb、Mg-V、Zn-Ta、Zn-Nb或Zn-V，但也可以是其它组合。

[0144] 第二实施方式的第一变型证明，即使在包括温度补偿膜42时，也可以通过将含有二价元素和五价元素的氮化铝膜用于压电膜26a和26b，来获得机电耦合系数高的声波器件。

[0145] 第一实施方式的第一变型和第二实施方式的第一变型将温度补偿膜42插入到压电膜26a与26b之间，但温度补偿膜42可以位于其它位置，只要其接触压电膜即可。例如，温度补偿膜42可以位于上电极28与压电膜26b之间，或者位于下电极24与压电膜26a之间。

[0146] 第三实施方式

[0147] 第三实施方式描述了对形成为含有二价元素和四价元素的氮化铝膜进行的实验。含有二价元素和四价元素的氮化铝膜如下形成。通过在Ar和N2的混合气氛中同时溅射Al靶标、Mg靶标和Zr靶标并对各个靶标施加不同电力来形成具有不同浓度的Mg和Zr的掺杂AlN膜。

[0148] 将描述制得的掺杂AlN膜的压电常数的测量结果。在负载为0.25N且频率为110Hz的条件下使用压电计来测量压电常数。图20A示出Mg和Zr的替换浓度之和与归一化压电常数之间的关系，且图20B是从图20A中提取Mg与Zr的替换浓度之比为1:1左右的数据的图。在图20A和图20B中，归一化压电常数(纵轴)是经非掺杂AlN的压电常数进行归一化得到的压电常数。圆形表示制得的掺杂AlN膜的测量结果。矩形表示作为参考的第一原理计算的计算结果。

[0149] 如图20A和图20B所示，当Mg和Zr的替换浓度之和大于或等于3原子％且小于或等于35原子％时，含有Mg和Zr的掺杂AlN膜的压电常数比非掺杂AlN的压电常数更大。此外，不仅在Mg与Zr的替换浓度之比为1:1左右时，而且在该比率偏离1:1时，压电常数均较高，只要Mg和Zr的替换浓度之和大于或等于3原子％且小于或等于35原子％即可。

[0150] 图21A示出Zr的替换浓度与Mg和Zr的替换浓度之和的比率与归一化压电常数之间的关系，且图21B是从图21A中提取Mg与Zr的替换浓度之和大于或等于3原子％且小于或等于10原子％的数据的图。在图21A和图21B中，归一化压电常数(纵轴)是经非掺杂AlN的压电常数进行归一化得到的压电常数。横轴表示Zr的替换浓度与Mg和Zr的替换浓度之和的比率(Zr的替换浓度/(Mg和Zr的替换浓度之和))。

[0151] 如图21A和图21B所示，当Zr的替换浓度与Mg和Zr的替换浓度之和的比率大于或等于0.35且小于或等于0.75时，含有Mg和Zr的掺杂AlN膜的压电常数比非掺杂AlN的压电常数更大。此外，当Mg与Zr的替换浓度之和大于或等于3原子％且小于或等于10原子％时，压电常数几乎恒定，只要Zr的替换浓度与Mg和Zr的替换浓度之和的比率大于或等于0.35且小于或等于0.75即可。

[0152] 此处，将描述掺杂有Mg或Zn作为二价元素以及Hf、Ti或Zr作为四价元素的掺杂AlN的压电常数关于替换浓度的相关性。通过第一原理计算的计算来评价压电常数关于替换浓度的相关性。图22A和图22B示出二价元素和四价元素的替换浓度之和与归一化压电常数之间的关系。在图22A和图22B中，归一化压电常数(纵轴)是经非掺杂AlN的压电常数进行归一化得到的压电常数。图22A示出AlN掺杂有Mg作为二价元素以及Hf、Ti或Zr作为四价元素的情况，且图22B示出AlN掺杂有Zn作为二价元素以及Hf、Ti或Zr作为四价元素的情况。

[0153] 如图22A和图22B所示，无论是使用Mg或Zn作为二价元素以及使用Hf、Ti或Zr作为四价元素来掺杂AlN，压电常数均随着替换浓度的增加而单调增加。该结果表明，尽管图20A至图21B示出Mg被用作二价元素且Zr被用作四价元素时的测量结果，但在使用其它元素时，也会得到相同的倾向。

[0154] 因此，当在声波器件中将含有二价元素和四价元素的氮化铝膜用于压电膜时，二价元素和四价元素的替换浓度之和优选为大于或等于3原子％且小于或等于35原子％，如图20A和图20B所示。上述配置可以使压电膜的压电常数较大，因此允许声波器件具有较高的机电耦合系数。为使压电膜的压电常数较大，二价元素和四价元素的替换浓度之和优选为大于或等于5原子％且小于或等于35原子％，且更优选为大于或等于10原子％且小于或等于35原子％。

[0155] 如图21A和图21B所示，四价元素的替换浓度与二价元素和四价元素的替换浓度之和的比率优选为大于或等于0.35且小于或等于0.75。上述配置可以使压电膜的压电常数较大，并允许声波器件具有较高的机电耦合系数。为了保持压电膜的绝缘性，四价元素的替换浓度与二价元素和四价元素的替换浓度之和的比率优选大于或等于0.4且小于或等于0.6，且更优选大于或等于0.45且小于或等于0.55，且进一步优选为等于0.5。

[0156] 现在将描述制得的掺杂AlN膜中c-轴方向的晶格常数与a-轴方向的晶格常数之比(c/a)的测量结果。图23示出Mg和Zr的替换浓度之和与c/a比率之间的关系。圆形表示制得的掺杂AlN膜的测量结果。为进行比较，矩形表示由第一原理计算得到的非掺杂AlN的c/a计算结果。图23证明，当Mg和Zr的替换浓度之和大于或等于3原子％且小于或等于35原子％时，含有Mg和Zr的掺杂AlN膜的c/a比率小于非掺杂AlN的c/a比率。

[0157] 因此，二价元素和四价元素的替换浓度之和优选大于或等于3原子％且小于或等于35原子％，以使压电膜的c/a比率较小且声波器件的机电耦合系数较高。

[0158] 第四实施方式

[0159] 第四实施方式首先描述声波器件的谐振频率与谐振部的尺寸之间的关系。例如，阻抗为50Ω的声波器件在谐振频率fr与电容C之间具有表示为fr＝1/(2π×C×50)的关系。如上所述，在声波器件中，电容随着谐振频率变小而增大。电容与谐振部的面积成比例，因此谐振部随着谐振频率变小而变大。此外，声波的频率f和波长λ具有f＝V/λ的关系。V表示声波的声速。波长λ等于在使用声表面波时梳状电极的周期，且等于在使用声体波时谐振部的多层膜的总膜厚的两倍。声波的声速V取决于待使用的材料，因此，随着谐振频率变小，波长变长且谐振部变大。

[0160] 现在将描述为了研究声波器件中谐振频率与谐振部的尺寸之间的关系而进行的模拟。对第三比较例的FBAR执行该模拟，其中第三比较例将非掺杂AlN膜用于具有第一实施-11方式的图2A至图2C所示结构的FBAR中的压电膜26。假定非掺杂AlN具有8.42×10 F/m的介电常数ε33和11404m/s的声速V。通过第一原理计算来计算这些值。当将厚度为240nm的Ru用于下电极24和上电极28并将厚度为1300nm的非掺杂AlN膜用于压电膜26以配置谐振部30时，谐振频率为2GHz。当FBAR具有50Ω的阻抗时，谐振部30的面积为2.455×10-8m2。此处，为研究谐振频率与谐振部的膜厚之间的关系，通过改变总膜厚并保持下电极24、压电膜26以及上电极28的膜厚比率不变，来改变谐振频率。此外，为研究谐振频率与谐振部的面积之间的关系，改变谐振部30的面积以使FBAR在各个谐振频率下具有50Ω的阻抗。

[0161] 图24A示出第三比较例的FBAR的谐振频率与谐振部的归一化膜厚之间的关系，且图24B示出谐振频率与谐振部的归一化面积之间的关系。在图24A和图24B中，归一化膜厚和归一化面积(纵轴)分别是经谐振频率为2GHz时的膜厚和面积进行归一化得到的膜厚和面积。如图24A和图24B所示，随着谐振频率变小，谐振部的膜厚和面积变大。如上所述，随着谐振频率变小，声波器件的尺寸增大。具体而言，当谐振频率低于或等于1.5GHz时，声波器件的尺寸大幅增大，且当谐振频率低于或等于1.0GHz时，声波器件的尺寸进一步大幅增大。

[0162] 如上所述，电容随着谐振频率变小而增大。电容与声波器件的谐振部的面积成比例，且还与声波器件中使用的压电膜的介电常数成比例。因此，在声波器件中使用介电常数高的压电膜可以降低谐振部的面积，以获得期望的电容并防止声波器件的尺寸增大。而且，上述的f＝V/λ关系式表明，使用声速低的压电膜可以使波长λ变短以获得期望的频率f，并防止声波器件的尺寸增大。因此，现在将描述为了获得介电常数高且声速低的压电膜而进行的模拟。

[0163] 对具有如下晶体结构的掺杂AlN进行模拟，该晶体结构通过在具有第一实施方式的图1所示的纤锌矿型晶体结构的非掺杂AlN中将三价元素替换到一个铝原子10中而形成。也就是说，模拟的是含有十五个铝原子、一个三价元素和十六个氮原子的具有纤锌矿型晶体结构的掺杂AlN。三价元素具有6.25原子％的替换浓度。钪(Sc)或钇(Y)被用作三价元素。
此外，与第一实施方式的情况一样，还模拟了掺杂有二价元素和四价元素的掺杂AlN。二价元素和四价元素具有6.25％的替换浓度。Ca、Mg、Sr或Zn被用作二价元素，且Ti、Zr或Hf被用作四价元素。

[0164] 表8呈现非掺杂AlN和掺杂AlN的c-轴方向的介电常数ε33和声速V的计算值。如表8所示，相比于非掺杂AlN(表8：非掺杂AlN)，掺杂有三价元素的掺杂AlN(案例1和案例2)以及掺杂有二价元素和四价元素的掺杂AlN(案例3至案例14)具有较高的介电常数ε33和较低的声速V。三价元素、二价元素和四价元素不限于表8呈现的那些，且可以是其它元素。

[0165] [表8]

[0166]

[0167]

[0168] 如前所示，发明人发现，与非掺杂AlN相比，含有三价元素的掺杂AlN以及含有二价元素和四价元素的掺杂AlN具有较高的介电常数ε33和较低的声速V。此处，将描述掺杂有三价元素的掺杂AlN的介电常数ε33和声速V关于替换浓度的相关性。使用Sc作为三价元素，通过第一原理计算的计算来评价介电常数ε33和声速V关于替换浓度的相关性。图25A示出Sc的替换浓度与介电常数ε33之间的关系，且图25B示出Sc的替换浓度与声速V之间的关系。图25A和25B证明，随着Sc的替换浓度增加，介电常数ε33增大且声速V减小。不仅在AlN掺杂有Sc时，还在其掺杂有表8所示的三价元素或者二价元素和四价元素时，均得到具有相同倾向的结果。如上所述，掺杂到AlN中的元素浓度可以改变掺杂AlN的介电常数ε33和声速V。因此，基于上述认知，将描述即使在谐振频率小于或等于1.5GHz时也免于尺寸增大的声波器件。

[0169] 第四实施方式的声波器件具有与第一实施方式的图2A至图2C所示配置相同的配置，不同之处在于压电膜26是含有三价元素的氮化铝膜，因此省略其描述。压电膜26具有c-轴取向的晶体结构。

[0170] 将描述为了研究第四实施方式的FBAR的谐振频率与谐波部的尺寸之间的关系而进行的模拟。模拟的是将Ru用于下电极24和上电极28并且将含有Sc且替换浓度为30原子％的氮化铝膜用于压电膜26的FBAR。与图24A和图24B所述的模拟一样，通过改变总膜厚并保持下电极24、压电膜26和上电极28的膜厚比率不变来改变谐振频率，以研究谐振频率与谐振部30的膜厚之间的关系。此外，通过改变谐振部30的面积以使FBAR在各个谐振频率下具有50Ω的阻抗，来研究谐振频率与谐振部30的面积之间的关系。假定掺杂有Sc且替换浓度为30原子％的掺杂AlN具有1.18×10-10F/m的介电常数ε33和8646m/s的声速V。通过第一原理计算来计算这些值。

[0171] 图26A示出第四实施方式的FBAR的谐振频率与谐振部的归一化膜厚之间的关系，且图26B示出谐振频率与谐振部的归一化面积之间的关系。实线表示第四实施方式的模拟结果，且为进行比较，虚线表示第三比较例的模拟结果。在图26A和图26B中，归一化膜厚和归一化面积(纵轴)分别是经第三比较例的FBAR中谐振频率为2GHz时的膜厚和面积进行归一化得到的膜厚和面积。如图26A和图26B所示，在相同的谐振频率下，相比于第三比较例，第四实施方式的谐振部30具有较小的膜厚和较小的面积。例如，当谐振频率是700MHz时，在第三比较例中谐振部的归一化膜厚是2.84，而第四实施方式的归一化膜厚是2.15，降低了约24％。在第三比较例中谐振部的归一化面积是8.07，而第四实施方式的归一化面积是4.40，降低了约45％。

[0172] 第四实施方式将介电常数ε33增大且声速V减小的含有三价元素的氮化铝膜用于压电膜26。如图26A和图26B所示，该配置允许谐振部具有较小的膜厚和较小的面积，并且即使在声波器件的谐振频率小于或等于1.5GHz时也可以防止声波器件的尺寸增大。

[0173] 如表8所示，当AlN掺杂有二价元素和四价元素时，介电常数ε33增大且声速V减小。因此，含有二价元素和四价元素的氮化铝膜可以用于压电膜26。当含有表8所示的三价元素的氮化铝膜被用于压电膜26时，可含有Sc和Y中的至少一种。当使用含有表8所示的二价元素和四价元素的氮化铝膜时，可含有Ca、Mg、Sr和Zn中的至少一种作为二价元素，并且可含有Ti、Zr和Hf中的至少一种作为四价元素。

[0174] 在压电膜26中通过实现介电常数ε33增大和声速V减小中的至少一项，可以防止声波器件的尺寸增大。因此，压电膜26不限于含有三价元素、或者二价元素和四价元素的氮化铝膜，并且可以是含有可实现介电常数ε33增大和声速V减小中的至少一项的元素的氮化铝膜。此外，当含有三价元素、或者二价元素和四价元素时，可以含有表8所示元素以外的元素。

[0175] 当谐振频率低于或等于1.5GHz时，声波器件的尺寸大幅增大，并且当谐振频率小于或等于1.0GHz时，声波器件的尺寸进一步大幅增大。该事实得到如下结论，即，优选将含有促成介电常数ε33增大和声速V减小中的至少一项的元素的氮化铝膜用于谐振频率小于或等于1.0GHz的声波器件的压电膜26。

[0176] 为防止声波器件的尺寸增大，压电膜26的介电常数ε33优选大于8.42×10-11F/m(即非掺杂AlN的介电常数ε33)。声速V优选小于11404m/s(即非掺杂AlN的声速V)。

[0177] 现在将描述根据第四实施方式的第一变型和第二变型的声波器件。图27A是根据第四实施方式的第一变型的声波器件的截面图，且图27B是根据第四实施方式的第二变型的声波器件的截面图。如图27A所示，第四实施方式的第一变型的FBAR包括位于压电膜26与上电极28之间并与压电膜26和上电极28接触的温度补偿膜42。含有三价元素的氮化铝膜被用于压电膜26。其它配置与第一实施方式的第一变型相同，因此省略其描述。

[0178] 如图27B所示，第四实施方式的第二变型的FBAR包括含有下层28a和上层28b的上电极28。温度补偿膜42位于下层28a与上层28b之间。如上所述，上电极28形成于温度补偿膜42的顶面和底面上，并且相互电短路。因此，温度补偿膜42的电容不能发挥电作用，并且可以使有效机电耦合系数较高。与第四实施方式的第一变型的情况一样，含有三价元素的氮化铝膜被用于压电膜26。其它配置与第一实施方式的第一变型相同，因此省略其描述。

[0179] 将描述为了研究第四实施方式的第一变型和第二变型的FBAR的谐振频率与谐振部尺寸之间的关系而进行的模拟。模拟的是将Ru用于下电极24和上电极28、将含有Sc且替换浓度为30原子％的氮化铝膜用于压电膜26且将SiO2膜用于温度补偿膜42的FBAR。

[0180] 在第四实施方式的第一变型中，当下电极24具有160nm的厚度，压电膜26具有870nm的厚度，温度补偿膜42具有100nm的厚度且上电极28具有160nm的厚度时，谐振频率为-18 2
2GHz。此外，当FBAR具有50Ω的阻抗时，谐振部30的面积为1.595×10 m。

[0181] 在第四实施方式的第二变型中，当下电极24具有160nm的厚度，压电膜26具有870nm的厚度，温度补偿膜42具有100nm的厚度，上电极28的下层28a具有20nm的厚度且上层
28b具有160nm的厚度时，谐振频率比第四实施方式的第一变型中的谐振频率低约40MHz。

[0182] 与图24A和图24B中描述的模拟一样，通过改变总膜厚并保持组成谐振部30的层的膜厚之比不变来改变谐振频率，从而研究谐振频率与谐振部30的膜厚之间的关系。此外，为研究谐振频率与谐振部30的面积之间的关系，改变谐振部30的面积以使FBAR在各个谐振频率下具有50Ω的阻抗。

[0183] 图28A示出第四实施方式的第一变型和第二变型中谐振频率与谐振部的归一化膜厚之间的关系，且图28B示出谐振频率与谐振部的归一化面积之间的关系。在图28A和图28B中，归一化膜厚和归一化面积(纵轴)分别是经第四实施方式的第一变型的FBAR中谐振频率为2GHz时的膜厚和面积进行归一化得到的膜厚和面积。实线表示第四实施方式的第一变型的模拟结果，且虚线表示第四实施方式的第二变型的模拟结果。图28A和图28B证明，在相同的谐振频率下，在第四实施方式的第一变型和第二变型中，谐振部30的膜厚几乎相同，但与第一变型相比，第四实施方式的第二变型中的谐振部30的面积较小。例如，当谐振频率为700MHz时，在第四实施方式的第一变型中谐振部的归一化面积是8.20，而第四实施方式的第二变型的谐振部的归一化面积为5.90，减小约28％。

[0184] 第四实施方式的第一变型证明，通过将含有如下元素的氮化铝膜用于压电膜26，并且包括温度补偿膜42，可以获得温度补偿的效果，并且可以防止声波器件尺寸增大，其中该元素实现介电常数ε33增大和声速V减小中的至少一项。第四实施方式的第二变型证明，通过包括形成于温度补偿膜42的顶面和底面之上且相互短路的导电膜，可以同时实现温度补偿和机电耦合系数增大，并且可以防止声波器件尺寸增大。

[0185] 在第四实施方式的第一变型中，温度补偿膜42可以插入到压电膜26中，或者可以位于下电极24与压电膜26之间。此外，第四实施方式的第二变型使用上电极28作为形成于温度补偿膜42的顶面和底面之上且相互短路的导电膜，但也可以使用下电极。当温度补偿膜42插入到压电膜26中时，可以在温度补偿膜42的顶面和底面之上形成相互电短路的新导电膜。

[0186] 如图2B所示，第一实施方式至第四实施方式描述了在基底22与下电极24之间由圆顶状凸出形成的空隙32，但空隙32也可以具有图29A至图29B所示的结构。图29A示出实施方式的第一变型的FBAR的截面，且图29B示出实施方式的第二变型的FBAR的截面。如图29A所示，在实施方式的第一变型的FBAR中，通过去除谐振部30中下电极24下方的部分基底22来形成空隙32a。如图29B所示，在实施方式的第二变型的FBAR中，形成空隙32b，使得其穿过谐振部30中下电极24下方的基底22。

[0187] 此外，声波器件不限于FBAR型的压电薄膜谐振器，并且可以是SMR(固态安装谐振器)型的压电薄膜谐振器。图29C示出SMR的截面。如图29C所示，SMR包括通过在下电极24的下方交替堆叠声阻抗高的膜52和声阻抗低的膜54而形成的膜厚为λ/4(λ是声波的波长)的声反射膜50。

[0188] 再者，声波器件可以是CRF(耦合谐振滤波器)型的压电薄膜谐振器。图30示出CRF的截面。如图30所示，CRF包括堆叠在基底22上的第一压电薄膜谐振器92和第二压电薄膜谐振器94。第一压电薄膜谐振器92包括下电极24、压电膜26和上电极28。第二压电薄膜谐振器94包括下电极24、压电膜26和上电极28。单层的去耦膜90位于第一压电薄膜谐振器92的上电极28与第二压电薄膜谐振器94的下电极24之间。去耦膜90可以是含有氧化硅的膜，比如氧化硅膜或含有附加元素的氧化硅膜。

[0189] 声波器件可以是声表面波器件或Lamb波器件。图31A是声表面波器件的俯视图，且图31B是沿图31A中的A-A线截取的截面图。图31C是Love波器件的截面图，且图31D是声边界波器件的截面图。如图31A和图31B所示，在由绝缘基底比如Si基底、玻璃基底、陶瓷基底或蓝宝石基底制成的支承基底60上形成压电膜62。压电膜62是含有二价元素和四价元素的氮化铝膜、含有二价元素和五价元素的氮化铝膜或含有三价元素或其它元素的氮化铝膜，并且由与在第一实施方式和第二实施方式或第四实施方式中描述的压电膜26的材料相同的材料制成。压电膜62上形成有金属膜64比如Al或Cu。金属膜64形成反射器R0、IDT(叉指式换能器)IDT0、输入端子Tin和输出端子Tout。IDT0包括两个梳状电极66。一个梳状电极66连接到输入端子Tin，且另一个连接到输出端子Tout。输入端子Tin和输出端子Tout形成外部连接端子。反射器R0在声波的传播方向上位于IDT0的两侧。梳状电极66和反射器R0包括以与声波的波长λ相应的间隔布置的电极指。由IDT0激发的声波经由压电膜62的表面传播，并被反射器R0反射。这允许声表面波器件以与声波的波长λ相应的频率谐振。也就是说，位于压电膜62上的梳状电极66起到激发经由压电膜62传播的声波的电极的作用。

[0190] Love波器件和声边界波器件的俯视图与图31A相同，因此省略其描述。Love波器件包括介电膜68，其形成为覆盖金属膜64并与压电膜62的顶面接触，如图31C所示。当介电膜68由弹性常数的温度系数与压电膜62的弹性常数的温度系数符号相反的材料形成时，介电膜68可起到温度补偿膜的作用。介电膜68可以是主要含氧化硅比如SiO2的膜。声边界波器件还包括形成于介电膜68上的介电膜70，如图31D所示。介电膜70可以是，比如氧化铝膜。为限制介电膜68中的声波，介电膜70的声速比介电膜68中的声速更快。

[0191] 图31A至图31D示出位于支承基底60上的压电膜62，但可以使压电膜62具有较大的厚度，以使其具有代替支承基底60作为基底的支承功能。

[0192] 图32是Lamb波器件的截面图。Lamb波器件包括位于第一支承基底80上的第二支承基底82。第二支承基底82通过比如表面活化粘结或树脂粘结而粘结到第一支承基底80的顶面。第一支承基底80和第二支承基底82可以是绝缘基底，比如Si基底、玻璃基底、陶瓷基底或蓝宝石基底。压电膜84位于第二支承基底82上。压电膜84是含有二价元素和四价元素的氮化铝膜、含有二价元素和五价元素的氮化铝膜或含有三价元素或其它元素的氮化铝膜，并且由与在第一实施方式和第二实施方式或第四实施方式中描述的压电膜26的材料相同的材料制成。形成有在厚度方向上穿过第二支承基底82的孔部，并且孔部起到第一支承基底80与压电膜84之间的空隙86的作用。电极88位于压电膜84上且位于空隙86上方的区域中。电极88是IDT，且反射器(未示出)位于IDT的两侧。由电极88激发的声波在压电膜84的顶面与底面之间反复反射，并在横向上经由压电膜84传播。

[0193] Lamb波器件还可包括介电膜，其形成为覆盖电极88并与压电膜84的顶面接触，如图31C所示。当介电膜由弹性常数的温度系数与压电膜84的弹性常数的温度系数符号相反的材料形成时，其可起到温度补偿膜的作用。

[0194] 尽管已经详细地描述了本发明的实施方式，但应当理解，可以对其作出各种改变、替换和变更而不脱离本发明的精神和范围。

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声波器件-专利编号CN105720941B	2020-05-12	137
一种声波清灰器-专利编号CN103433248A	2020-05-11	681
声波器件-专利编号CN102957397B	2020-05-13	407
声波器件-专利编号CN105811913A	2020-05-13	752
声波装置-专利编号CN105915195B	2020-05-12	783
声波器件-专利编号CN106537772B	2020-05-13	833
一种全天候低频声波传感器-专利编号CN104483012A	2020-05-12	297
一种全天候低频声波传感器-专利编号CN104483012B	2020-05-11	366
一种针对敏感类昆虫的声波驱虫器-专利编号CN106665557A	2020-05-11	517
一种声波清灰器-专利编号CN203470421U	2020-05-11	420

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