WO-A00/57,498公开了一种具有包含相变材料的电阻器的电器件的 实施例，相变材料的大致成分为Sb2Te5Ge2。例如，它可以是Sb22Te56Ge22 或Sb29Te57Ge14。假如具有处于第一相的相变材料的电阻器与具有处于第 二相的相变材料的电阻器具有不同的电阻值，相变材料可以处于第一相， 例如可以是晶态，第一和/或第二相都可以是部分非晶态和部分晶态。
电阻器电连接到第一导体和第二导体，从而能够测量电阻值。第一 导体和第二导体可以包含，例如，下列材料中的一种或多种：钛、氮化 钛、氮化铝钛、氮碳化钛(titanium carbon nitride)、硅钛、钼、碳、钨和 钛钨。
电阻器、第一导体和第二导体能够传导电流，电流通过加热能够促 使相变材料在第一相和第二相之间转变。认为对于从具有相对好的导电 性的相(如晶相或以晶相为主的相)，转变到具有相对差的导电性的相(如 非晶相或以非晶相为主的相)而言，使用相当强的电流加热引起相变材 料熔化。在下文中“晶态”和“非晶态”这两个词分别指晶相或以晶相 为主的相，以及非晶相或以非晶相为主的相。所述加热可以通过第一导 体、第二导体、电阻器本身的电阻以及这些元件之间的接触电阻来实现。 这些电阻中的哪一个对所述加热的贡献最大一般取决于这些元件的材料 和形状。当电流断开时加热停止。然后相变材料冷却并且呈现更无序的 状态。
当促使具有相对低的电导率的相向具有相对高的电导率的相转变 时，上述加热最初由于导电性差而受阻，导电性差限制了通过相变材料 的电流。相信通过在电阻器两端施加足够高的电压，所谓的击穿电压， 可能在相变材料中引发局部电击穿，这导致高的局部电流密度。然后相 应的加热足够使相变材料的温度增加到高于其结晶温度的值，由此促使 从非晶相向晶相的转变。
已知的电器件可以用作电阻可调节的电阻器。这种类型的器件可以 用在所有类型的电路和集成电路中，这些电路需要电阻能够在第一值和 第二值之间切换的电阻器。
已知的电器件特别适于用作携带按电阻值编码的信息的电写入和擦 除存储器单元。例如，当电阻相对较低时，存储器单元被赋值“0”；当 电阻相对较高时，被赋值“1”。通过在电阻器两端施加电压并测量相应 的电流可以很容易地测量阻值。通过引起如上所述的由第一相到第二相 的相变可以将信息写入存储元件和从存储元件擦除信息。
已知的电器件的一个缺点是从非晶相到晶相的转变时间相对较长。 这限制了电阻器值的设定速度。
EP 495 494 B1公开了一种电可擦除相变存储器。其中描述了一种包 括SbGeTe化合物相变材料的非易失性存储元件。同样，公开了这种非易 失性存储元件的存储器阵列。在材料领域方面讨论了可能表现出非晶和 晶态之间可逆相变的相关的多元素结晶合金，所述可逆相变由于原子迁 移、扩散和重新安排的减少而具有增强的转变动力学。

本发明的一个目的是提供首段中所描述的电器件，它具有相对短的 非晶相到晶相的转变时间。
本发明由独立权利要求定义。从属权利要求定义了优选实施例。
本发明所依据的一个观点是本发明所使用的相变材料的种类具有不 同于已知相变材料的晶体生长机理。在用于电器件的已知相变材料中， 从非晶相到晶相的转变通过成核发生，即结晶从非晶相内几个随机分布 的点开始。因此在已知器件中的结晶时间与非晶相的体积无关。它受成 核时间限制，对于已知相变材料成核时间大约为50ns。
与此对照，根据本发明的电器件包含称为快速生长材料的相变材料。 快速生长材料中，晶相从非晶相和晶相的界面以高速生长，此速度称为 结晶速度。对这些材料而言，结晶时间和非晶相的体积有关。这使得从 非晶相到晶相的转变时间相对的短，特别是非晶相尺寸相对小时，例如， 小于50nm。
在光学记录领域，这些与Sb69Te31的非晶相和晶相之间的相变相关的 有利特性可从发表在2001年的Japanese Journal of Applied Physics，volume 40，第1592-1597页的“Phase-change media for high-numerical-aperture and blue wavelength recording”一文中得知，该文作者为H.J.Borg等。但是 这篇文章没有提到快速生长材料令人吃惊地具有其它特性，这些特性使 其适合作为根据本发明的电器件中的相变材料。本发明的发明者特别证 实这些快速生长相比材料可在第一相和第二相之间变化，电阻器的阻值 取决于相变材料是处于第一相还是第二相，该电阻器能够传导使得能够 从第一相转变到第二相的电流。
在根据本发明的电器件中，电阻器的相变材料和具有晶体结构的结 晶层直接接触，该结晶层在具有非晶相的体积具有和不同于相变材料的 材料直接接触的表面区的情况下是有利的。当进行从非晶相到晶相的相 变时，根据本发明的电器件的相变材料从晶相和非晶相的界面开始生长。 因此在与不同于相变材料的材料直接接触的表面区，结晶延迟，导致相 对长的结晶时间。通过引入具有晶体结构的结晶层，可以加速表面区的 晶体生长。优选结晶层的晶体结构类似于相变材料的晶体结构。
优选的，根据本发明的电器件包含结晶速度至少为1m/s的相变材料。 已知电器件的非晶相变材料尺寸约为10-20nm。将根据本发明的相变材料 应用在这样的电器件中结果得到10-20ns或更少的切换时间。
在一个实施例中，相变材料的组成式为Sb1-cMc，其中C满足0.05≤ c≤0.61，且M是选自包括Ge、In、Ag、Ga、Te，Zn和Sn的组的一种 或多种元素。可选地，该材料可以包含相对少量，例如小于5原子百分 比的其它元素，如As、S、Se，这些元素不会明显改变结晶和电击穿行为。
根据本发明的电器件具有另外的优点，即从高电阻非晶态转变到低 电阻晶态所需要的击穿电压低于已知电器件所需要的电压。这一点在使 用先进晶体管切换该电器件时尤其有利，因为先进晶体管具有较小的尺 寸，因而只能提供相对小的电压。本发明人已经证实击穿电压大致与处 于非晶态的相变材料的带隙成比例，而带隙随Sb含量的增加而减小。优 选相变材料包含至少50原子百分比的Sb。更优选相变材料包含至少10 原子百分比的一种或多种元素M，因为这样增加了非晶态的稳定性，并 且处于非晶态的相变材料在自发的重结晶发生之前能够承受相对高的温 度。
根据本发明的电器件的另一优点在于一个事实，即晶相的电阻率比 已知电器件中的低。因此，在晶相中的欧姆损耗比已知电器件中的少， 可以节约功耗。此外，在根据本发明的电器件中，第一导体和相变材料 之间以及第二导体和相变材料之间的接触电阻比已知电器件中的小。这 允许使用较小的第一接触区和/或第二接触区，这对于根据本发明的电器 件而言，导致较短的非晶相到晶相转变时间。
在根据本发明的电器件中，使用的Te的量比已知电器件中的少。这 样做的优点是相变材料的活性低，提高了电器件的稳定性。特别是相变 材料和与之连接的导体之间的界面处的反应减少。此外，由于Te量减少， 根据本发明的电器件的相变材料具有相对低的蒸气压，从而可以采用较 高的处理温度。优选相变材料基本不含Te。
优选的，一种或多种元素M包含Ge和/或Ga。由包含Ge和/或Ga 的相变材料组成的电器件具有结晶温度相对高的优点，因此非晶相直到 相对高的温度都是稳定的。结晶温度和非晶相的稳定性随着Ge和/或Ga 浓度增加而增加。优选相变材料包含总浓度为5-35原子百分比的Ge和/ 或Ga，更优选Ge和/或Ga的总浓度为15-25原子百分比，一般优选相变 材料包含少于30原子百分比的Ge，因为否则结晶温度和熔化温度太高， 以致于需要相对高的能量引起从非晶相到晶相的转变并返回。当Ge和/ 或Ga的总浓度增加时结晶速度减小。结晶速度对Ge和/或Ga浓度的依 赖性可以用来调节结晶速度。
此外，还优选相变材料包含少于35原子百分比的Ga，因为Ga浓度 较高时非晶相和晶相的电阻差别较小，这导致测量电阻时产生误差。优 选相变材料包含少于25原子百分比的Ga。
在一个实施例中，相变材料包含In和/或Sn。优选相变材料包含总浓 度为5-30原子百分比的In和/或Sn。包含In和/或Sn的相变材料具有相 对高的结晶速度和相对低的熔化温度，这意味着引起从第一相到第二相 的相变需要相对小的能量。如果相变材料包含总浓度为15-25原子百分比 的In和/或Sn通常是有利的。优选相变材料包含约20原子百分比的这些 材料。
当相变材料包含总浓度超过20原子百分比的Ge和/或Ga时，优选 相变材料还包含选自In和Sn的一种或多种元素，其浓度小于30原子百 分比。根据该实施例的电器件由于存在Ge和/或Ga而具有相对高的非晶 相稳定性，并且由于存在选自In和Sn的一种或多种元素而具有相对低的 熔化温度。
在该实施例的一个修改中，相变材料的组成式是SbaTebX100-(a+b)，其 中a、b和100-(a+b)表示原子百分比，满足1≤a/b≤8和4≤100-(a+b) ≤22，X是选自包括Ge、In、Ag、Ga、Zn和Sn的组中的一种或多种元 素。添加后面元素的优点是相变材料具有相对高的结晶速度。可选地， 该材料可以包含相对少量，例如小于5原子百分比的其它元素，如As、S、 Se，这些元素不会明显改变结晶和电击穿行为。
如果元素X包括Ge，则是有利的。由含Ge的相变材料组成的电器 件具有的优点是结晶温度相对高，因此非晶相直到较高温度都是稳定的。
在一个实施例中，相变材料包含大于10原子百分比且小于22原子 百分比的Ge。在此情况下，相变材料的结晶温度为180-250℃。当结晶 温度低于180℃时，非晶相的稳定性可能不足，特别是当电器件经受较高 温度时。当结晶温度高于200℃时，例如为250℃时，需要较高的转变功 率引起从非晶相到晶相的转变。
如果第一接触区小于或等于第二接触区，则是有利的，第一接触区 具有特征尺寸d(单位nm)，6·a/b小于d。本发明的该实施例基于下列 认识：为了能够执行由晶相到非晶相的相变，要求冷却时间(即相变材 料冷却到低于结晶温度的温度的时间)小于结晶时间(即从非晶相返回 到晶相的时间)。如果该条件不能满足，在冷却过程中熔化的非晶材料再 结晶，导致和加热之前相同的相，即不可能实现从晶相到非晶相的相变。
对于根据本发明的电器件的相变材料，结晶在非晶相和晶相界面开 始。因此，结晶时间由非晶相的特征尺寸除以结晶速度得到。此处，特 征尺寸是在相变开始时非晶相—晶相之间的界面与最后结晶的点之间的 最大距离。该尺寸近似于第一接触区的特征尺寸，假定第一接触区不大 于第二接触区。
发明者已经通过模拟确定了冷却时间和通过实验确定了作为相变材 料成分的函数的结晶速度。与上述准则结合使用这些模拟和测量的结果， 表明为了防止非晶相冷却过程中的完全再结晶，6·a/b必须小于d(d单 位为nm)。
在有些情况下，非晶相变体积的特征尺寸超出第一接触区，非晶相 约为第一接触区尺寸的两倍。由此可将要求放宽到3·a/b小于d(d单位 为nm)。在此情况下，可以使用表面积为二分之一的第一接触区。
如果结晶层具有小于100nm的厚度，则是有利的。结晶层是潜在的 热沉，特别由于它的晶体结构。为了限制用于促进相变的加热过程中相 应的热量从相变材料流出，结晶层应该较薄。厚度大于100nm的结晶层 导致较大的热量从相变材料流出。优选结晶层的厚度小于50nm。
优选结晶层与第一接触区直接接触和/或与第二接触区直接接触，因 为在第一接触区和/或第二接触区附近相变材料通常是非晶态的。如果结 晶层导电并将第一接触区和第二接触区电连接，则通常是有利的。在此 情况下，结晶层构成与相变材料平行排列的电旁路。结晶层因此能够传 导电流，该电流可用来间接加热相变材料，以促进从第一相到第二相的 相变。
优选结晶层的熔化温度高于相变材料的熔化温度。优选结晶层化学 相对稳定以减少结晶层材料与相变材料混合的几率。
如果在一个电器件中存储多个位，则结晶层尤其有利。在此情况下， 发生相变的相变材料的体积决定存储哪个位。因此利用延伸超出第一接 触区和/或第二接触区的、经历相变的体积通常是方便的。特别是在这些 情况下结晶层是有益的。
在根据本发明的电器件的一个实施例中，第一导体、第二导体、电 阻器及该层构成存储元件，并且主体包括存储单元阵列，每个存储单元 包含各自的存储元件和各自的选择器件以及选择线网络，通过连接到各 自的选择器件的各自的选择线可以单独访问每个存储单元。
这种电器件可以用作非易失性、电可写入、电可读取和电可擦除存 储器。由于每个存储元件包含选择器件，因此可以方便地选择每个存储 元件用于读取数据，即用于测量电阻值，以及用于写入和擦除，即引起 从第一相到第二相的相变。
本发明的存储元件可以电耦合到选择器件和耦合到选择线，从而形 成存储器阵列。选择器件允许读和写各个分立的存储单元，而不影响存 储在阵列中近处或远处存储单元中的信息。通常，本发明不限于使用任 何特定类型的选择器件。选择器件的例予包含，例如可从WO-A97/07550 得知的场效应晶体管、双极结型晶体管和二极管。场效应晶体管的例子 包含诸如从WO-A00/39028得知的JFET和金属氧化物半导体场效应晶体 管(MOSFET)。MOSFET的例子包含NMOS晶体管和PMOS晶体管。 此外，对于CMOS技术，NMOS和PMOS甚至可以在相同芯片上形成。
通常这种类型的电器件应尽可能紧凑，这意味着相邻电阻器相互之 间的距离小。在这些包含根据本发明的介电材料的电器件中，串扰减少。
在一个实施例中，选择器件包含具有源区、漏区和栅极区的 MOSFET，而选择线网络包含N个第一选择线、M个第二选择线(N和 M为整数)，以及输出线。每个存储元件的第一导体电连接到选自相应的 金属氧化物半导体场效应晶体管的源区和漏区中的第一区；每个存储元 件的第二导体电连接到输出线；相应的金属氧化物半导体场效应晶体管 的第二区电连接到N个第一选择线中的一个，该第二区选自源区和漏区 并且不接触第一区，栅极区电连接到M个第二选择线中的一个。
在这类型的器件中，电阻器可以方便地与选择器件集成在一起。

将参考附图和表格进一步说明和描述根据本发明的电器件的这些和 其它方面，其中：
图1是该电器件一个实施例的横截面；
图2A和2B分别是从非晶相到晶相和从晶相到非晶相的转变图；
图3的图示出了从非晶相向晶相转变时电流作为所施加电压的函数；
图4是作为Sb/Te比率的函数的结晶速度图；
图5是作为Ge含量函数的结晶速度图；
图6A和6B分别是作为Sb85Ga15和Sb85Ge15温度的函数的薄层电阻 的图；
图7是该电器件的另一个实施例的横截面图。
其中：
表1表示电器件中使用的包含Te的相变材料的实施例；
表2表示不同成分的结晶温度；
表3表示组成式为Sb1-cMc的相变材料的实例，其中c满足0.05≤c ≤0.61，M是选自包括Ge、In、Ag、Ga、Te、Zn和Sn的组中的一种或 多种元素。
表4表示表1中的相变材料的最小特征尺寸。
图未按比例绘制。通常，相同的部分用相同的参考数字表示。

如图1所示，电器件1具有包含衬底10的主体2，衬底10可包含， 例如，单晶p-型掺杂硅半导体晶片。在衬底10的一个主要表面上，电 阻器7嵌入在介质13(例如氧化硅)中。电阻器7包含可在第一相和 第二相之间改变的相变材料。电器件1的相变材料是快速生长材料， 它优选具有至少1m/s的结晶速度。在一个实施例中，该相变材料的组 成式为Sb1-cMc，其中c满足0.05≤c≤0.61，M是选自Ge、In、Ag、 Ga、Te、Zn和Sn的一种或多种元素。优选c满足0.05≤c≤0.5。更 为优选c满足0.10≤c≤0.5。一组有利的相变材料具有一种或多种除 Ge和Ga之外的总浓度小于25原子百分比的元素M，和/或包含总浓度 小于30原子百分比的Ge和/或Ga。包含超过20原子百分比的Ge和 Ga以及选自In和Sn的、总浓度为5-20原子百分比的一种或多种元 素的相变材料具有相对高的结晶速度，同时具有相对较高的非晶相稳 定性。
在另一个实施例中，相变材料的组成式是SbaTebX100-(a+b)，a、b和 100-(a+b)表示原子百分比，满足1≤a/b≤8和4≤100-(a+b)≤ 22，X是选自Ge、In、Ag、Ga、Zn的一种或多种元素。例如，该相变 材料可以是Sb72Te20Ge8，以下将描述上述类型的相变材料的其它实施 例。电阻器7的表面具有第一接触区5和第二接触区6，以及这两个接 触区之间的电阻R。当相变材料处于第一相时电阻具有第一值；而当相 变材料处于第二相时电阻具有第二值。如文章“Phase-change media for high-numerical-aperture and blue wavelength recording” 所描述的，相变材料可以通过溅射沉积。该文作者为H.J.Borg等，发 表在Japanese Journal of Applied Physics，volume 40，第 1592-1597页，2001。
主体2进一步包含电连接到第一接触区5的第一导体3(由例如二 硅化钛(TiSi2)制成)和电连接到第二接触区6的第二导体4(由氮 化钛(TiN)制成)。第一导体3和第二导体4分别连接到金属线8和 9。金属线8和9包含钨并且分别具有接触焊盘12和11；它们允许电 流通过第一导体3、第二导体4和电阻器7，用于加热相变材料以使得 能够从第一相到第二相转变。为使第一接触区5和第二接触区6处的 界面具有良好的稳定性，优选相变材料基本不含Te。
为了体现电器件1的转变行为的特征，在接触焊盘11和12之间 施加电压U，测量施加电压后产生的电流I。典型的测量结果示于图2A 和2B，其中实线和虚线分别表示电压U和电流I。
对于图2A的测量，电阻器7开始在t＝0时为非晶相。当t＝50ns 时，施加约0.15V的第一电压脉冲，在该电压脉冲施加过程中不会产 生任何明显的电流I。这表明电阻器的相变材料实际上处于高电阻非晶 态。在t＝200ns时，施加约0.5V的第二电压脉冲，在该电压脉冲期间 的确产生300μA的电流I。此时所提供的电压大于击穿电压，因此探 测到明显的电流I。在t＝370ns时，施加和第一电压脉冲基本相同的 第三电压脉冲，它产生约80μA的可探测到的电流I。这表明在第三电 压脉冲期间相变材料处于具有较低电阻的更结晶化的相。在第二脉冲 期间流经电阻器7的电流足够加热相变材料，以促使从非晶相到晶相 的转变。
对于图2B的测量，电阻器7开始在t＝0时为晶相。当t＝50ns时， 施加与第一电压脉冲基本相同的第四电压脉冲，它的确产生可探测到 的约80μA的电流I。这表明相变材料处于具有较低电阻的更结晶化的 相，类似于施加第三电压脉冲时的情形。在t＝200ns时，施加约0.8V 的第四电压脉冲，在该电压脉冲期间的确产生700μA的电流I。此处 施加的电压大到足以熔化晶相，并且熔融非晶相的冷却快速发生，快 到足以将相变材料冻结在非晶相态。结果，在t＝370ns时所施加和第 一电压脉冲基本相同的第六电压脉冲不再产生可探测到的电流I。
每个电压脉冲的持续时间为10ns。图2A和2B的结果表明根据本 发明的电器件1可以从非晶相转变到晶相并从晶相转变到非晶相，转 变时间最多10ns，比已知电器件的转变时间快3-5倍。
图3比较了根据本发明的电器件1和已知电器件的电击穿特性。 对于两种器件，作为所施加电压U的函数测量电流I。测量开始时，相 变材料处于非晶相。给器件施加0.1V的电压，结果产生一个小的电流 I。随后增加电压并测量每个电压相应的电流。
在根据本发明的电器件1中，大约在Ubd＝0.45V时发生击穿，导致 电流明显增加。在已知电器件中，大约在Ubd＝0.6V时发生击穿。电压U 的进一步增加导致电流I线性增加。对于大于击穿电压Ubd的电压U， 相应的微分电阻表示为Rbd。图3所示的结果表示根据本发明的电器件 1具有比已知电器件小的击穿电压。
当相变材料的组成式是SbaTebX100-(a+b)时，其中a、b和100-(a+b) 表示原子百分比，满足1≤a/b≤8和4≤100-(a+b)≤22，X是选自 Ge、In、Ag、Ga、Zn的一种或多种元素，电器件1中使用的相变材料 的结晶速度可通过改变Sb/Te比来调节，如图4所示。结晶速度为1m/s 或更高，并且如果Sb的量相对于Te的量增加，结晶速度近似线性增 加。根据本发明的电器件1的相变材料包含Sb和Te，Sb/Te比大于1 且小于8。优选该比值小于4，因为对于较大的比值，结晶速度在大约 4.5m/s以上。因而，在许多情况下，不可能获得非晶相，因为相变材 料在冷却到结晶温度以下之前发生结晶。该相变材料进一步包含4-22 原子百分比的元素X，元素X选自Ge、In、Ag、Ga和Zn。元素X可以 包含这些元素中的一种或多种。表1给出了这类相变材料的实例。相 变材料的结晶速度在1m/s以上，并且随Sb/Te比的增加而增加，与元 素X的选取和其浓度无关。

表1：组成式是SbaTebX100-(a+b)的相比材料的例子，其中a、b和 100-(a+b)表示原子百分比，满足1≤a/b≤8和4≤100-(a+b)≤ 22，X是选自Ge、In、Ag、Ga、Zn的一种或多种元素。Ge、In、Ag 和Ga表示包含在该相变材料中的这些元素的原子百分比，Sb/Te表示 Sb和Te的原子百分比之比。
当相变材料的组成式为Sb1-cMc，其中C满足0.05≤c≤0.61，并 且M包含Ge时，电器件1中使用的相变材料的结晶速度可以通过改变 Ge含量来调节，如图5所示。
如表2所示，相变材料的组成式为Sb1-cMc，其中C满足0.05≤c ≤0.61，M是选自包括Ge、In、Ag、Ga、Te、Zn和Sn的组中的一种 或多种元素，其结晶温度通常比组成位于GeTe-Sb2Te3连线附近的相变 材料的结晶温度高50-100℃。
这些材料另外的优点是高结晶温度相对较高，并且晶相的薄层电 阻直到400℃都基本与温度无关。

表2：不同组成的相变材料的结晶温度。
相变材料，组成式为Sb1-cMc，其中C满足0.05≤c≤0.61，M是选 自Ge、In、Ag、Ga、Te、Zn和Sn的一种或多种元素，对于Sb85Ga15 和Sb85Ge15两种组成，分别具有如图6A和6B所示的薄层电阻，一旦结 晶，薄层电阻改变至少两个数量级。

表3：组成式为Sb1-cMc的相变材料的例子，其中c满足0.05≤c ≤0.61，且M是选自包括Ge、In、Ag、Ga、Zn和Sn的组中的一种或 多种元素。
在另一个实施例中，如图7所示，在包含半导体衬底102的主体 101中形成电器件100，半导体衬底102类似于图1中的衬底10。它 包含N×M存储单元阵列，该阵列与从WO-A00/57498所得知的阵列相 同，特别参见此专利申请书的图4。此处N和M是整数。每个存储单元 包含各自的存储元件103和各自的选择器104。在图7所示的实施例 中，每个存储单元包含两个独立的存储元件103A和103B。第一导体 130A、第二导体270A、电阻器250和层127A和128构成了存储元件 103A，而第一导体130B、第二导体270B、电阻器250和层127B和128 构成了存储元件103B。换言之，存储元件103A和103B共用电阻器250 和同一层128。在另一个实施例中，未表示出，层128被省去，层250 与层260直接接触。还有一个实施例中，也未表示出，层127A和/或 127B被省略。
电阻器250包含上述相变材料其中之一。它具有带有第一接触区 132A和132B以及第二接触区272A和272B的表面。作为存储元件103A 的一部分，电阻器250在第一接触区132A和第二接触区272A之间具 有电阻，该电阻在相变材料处于第一相时具有第一值，而在相变材料 处于第二相时具有第二值。作为存储元件103B的一部分，电阻器250 在第一接触区132B和第二接触区272B之间具有电阻，该电阻在相变 材料处于第一相时具有第一值，而在相变材料处于第二相时具有第二 值。
接触区132A和132B分别小于或等于第二接触区272A和272B。 第一接触区132A和132B各自具有特征尺寸d。在一个实施例中，Sb 和Te的原子百分比a和b分别小于d/3，d单位为nm。对于给定的a/b 比值，这意味着第一接触区132的最小特征尺寸为dmin，1＝6·a/b，其中 d单位为nm。表4中给出不同a/b比值的典型dmin，1值。
当非晶相体积超出第一接触区时，第一接触区132的最小特征尺 寸可以放宽到dmin，2＝3·a/b，其中d单位为nm。典型值也表示在表4中。

表4：电器件1的最小特征尺寸，其中相变材料不延伸超出第一接 触区132，并且其中其延伸近似该接触区的特征长度的两倍。在第一种 情况下，最小允许特征尺寸是dmin，1，在后一种情况下它是dmin，2。
第一导体130A和130B分别电连接到第一接触区132A和132B。 第二导体270A和270B分别电连接到第二接触区272A和272B。第一 导体130A、第二导体270A和电阻器250能够传导电流，该电流用于 加热相变材料以使得能够从第一相到第二相转变，由此改变第一存储 元件103A的电阻值。类似地，第一导体130B、第二导体270B和电阻 器250能够传导电流，该电流用于加热相变材料以使得能够从第一相 到第二相转变，由此改变第二存储元件103B的电阻值。
如图7所示实施例所表示的，介电材料层260提供电阻器250和 输出线271之间的电隔离，从而使电阻器250只通过第二导体270A和 270B连接到输出线271。介电层140使第一导体130A和第一导体130B 电隔离。在电器件100的顶部淀积介电层180，该介电层可以包含硼磷 硅酸盐玻璃(BPSG)。
类似于从WO-A 00/57498所知的电器件，第一导体130A和130B 是导电的侧壁间隔也称为导电间隔，它沿介电区126的侧表面126S形 成。电阻器250与第一导体130A和130B之间的接触区分别为第一接 触区132A和132B。因此，电阻器250与第一导体130A和130B之间 唯一的电耦合分别通过第一接触区132A和132B的全部或一部分。第 一导体130A和130B的其余部分通过介电层126和140与电阻器250 电隔离。
做为选择，可以通过从WO-A00/57498所知的共形淀积 (conformally deposition)，将一个或多个接触层淀积到通孔的侧 壁表面或表面上，而形成作为侧壁间隔的第一导体130A和/或130B。 通孔可以是圆形、正方形、矩形或不规则形状。导电侧壁间隔也可以 通过共形淀积一个或多个接触层到柱或台的侧壁表面形成。通孔的其 余空间用介电材料层填充。
在电器件100中，如图7所示，电阻器250的相变材料与分别具 有晶体结构的结晶层127A、127B和128直接接触。结晶层具有晶体结 构。它可以是导体、半导体或电介质。例如，它可以包含PbTe、Ag2Te、 CrTePb、Ge和Si。它具有2-100nm的厚度。结晶层127A和127B分 别与第一接触区132A和132B直接接触。结晶层128与第二接触区272A 和272B直接接触。结晶层127B是导电的并将第一接触区132B和第二 接触区272B电连接。结晶层127B构成与相变材料平行排列的电学旁 路。
主体101包含选择线网络，该网络包括N个第一选择线190、M 个第二选择线120和输出线271，从而每个存储单元可通过连接到各自 的选择器104的各自的选择线120和190被单独访问。电器件100的 每个存储元件103A和103B电耦合到选择器件104，选择器件104是 MOSFET，或者更具体的是NMOS晶体管。MOSFET具有n-型掺杂源区 110、n-型掺杂漏区112和栅极区118。源区110和漏区112可以包含 一种以上的n-型掺杂材料部分，即轻微掺杂n-部分和较重掺杂n+部 分。
n-型掺杂源区110和漏区112被沟道区114分开。栅极区118在 沟道区114上形成，它控制从源区110通过沟道区114流到漏区112 的电流。栅极区118优选包含多晶硅层。栅极区118通过介电区116 与沟道区114分隔开。
在n-型掺杂漏区112中形成沟道停止区113，产生不同NMOS晶体 管的两个相邻的、电隔离的漏区112。通常，沟道停止区113具有和源 和漏区110、112相反的导电类型。在所示的NMOS实施例中，沟道停 止区113包含p-型掺杂硅。
在栅极区118上形成的是选择线120，它优选包含硅化钨层。选择 线120用于传送电信号到栅极区118。在选择线120上形成的是介电 区122，它使选择线120与电器件100的邻近区域电绝缘。层116、118、 120的叠层统称为栅极叠层。在栅极叠层的侧壁表面上形成介质区 126。
在上绝缘区180的顶部形成选择线190。选择线190可以用如铝 或铜的导电材料形成。钨栓144将选择线190电连接到漏区110。应 该注意在图2中所示的特定实施例中，两个NMOS晶体管共用各个钨栓 144。可在硅衬底表面上形成硅化钛层(未表示出)，以提高衬底102 和导电侧壁间隔130A和130B之间以及衬底102和导电栓144之间的 导电性。导电栓144通过介电层126与栅极叠层电绝缘。
存储元件103A和103B的第一导体130A和130B分别电连接到第 一区，第一区选自相应金属氧化物半导体场效应晶体管的源区110和 漏区112。在图2的实施例中，第一区是漏区112。每个存储元件130A 和103B的第二导体270电连接到输出线271，它可包括，例如，和第 二导体270相同的材料。相应金属氧化物半导体场效应晶体管的第二 区，电连接到N个第一选择线190之一，其中第二区选自源区110和 漏区112，并且与第一区不接触。栅极区116电连接到M个第二选择线 120之一。
在一个可供选择的实施例中，电器件具有如WO-A1-02/09206中任 何一张图所示的结构或如WO-A1-02/09206的描述中所公开的结构。
根据本发明的电器件优选用于，例如像计算机、电视接收机或移 动电话的电装置中，这些装置包含用于例如数据处理的处理器，存储 器与所述处理器耦合用于存储信息。所述电装置进一步包含耦合到输 出端的显示器。
总之，电器件1、100具有包含电阻器7、250的主体2、101，所 述电阻器具有能够在第一相和第二相之间转变的相变材料。电阻器7、 250的电阻取决于相变材料是处于第一相还是第二相。电阻器7、250 能够传导使得能够从第一相到第二相相变的电流。相变材料是快速生 长材料，它的组成式可以是Sb1-cMc，其中c满足0.05≤c≤0.61，M是 选自包含Ge、In、Ag、Ga、Te、Zn和Sn组中的一种或多种元素；或 组成式可以是SbaTebX100-(a+b)，其中a、b和100-(a+b)表示原子百 分比，满足1≤a/b≤8和4≤100-(a+b)≤22，以及X为选自Ge、In、 Ag、Ga和Zn的一种或多种元素。
应该指出上述实施例说明而没有限定本发明，本领域的技术人员 可以设计许多备选实施例而不偏离附加权利要求的范围。在权利要求 中，圆括号中的任何参考标记不应该理解为是对本发明的限定。“包 括”一词不排除有权利要求中所列元件或步骤之外的元件或步骤的存 在。元件前的“一个”一词不排除有多个这样的元件的存在。